JPS61199660A - 密着型光電変換装置 - Google Patents
密着型光電変換装置Info
- Publication number
- JPS61199660A JPS61199660A JP60040798A JP4079885A JPS61199660A JP S61199660 A JPS61199660 A JP S61199660A JP 60040798 A JP60040798 A JP 60040798A JP 4079885 A JP4079885 A JP 4079885A JP S61199660 A JPS61199660 A JP S61199660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- layer
- contact type
- conversion device
- type photoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリ等の原稿画像読取り装置におい
て画像読取り用に用いられるレンズ不使用の密着型光電
変換装置に関する。
て画像読取り用に用いられるレンズ不使用の密着型光電
変換装置に関する。
従来の技術
従来、ファクシミリ等に用いられる読取り装置としては
、第４図に示すような光電変換装置がある。まず、原稿
１は発光ダイオード２により照明される。この原稿１か
らの反射光は正立等倍像を結像する集束レンズ３を介し
て光電変換素子４に集束される。ここで、原稿１の画像
濃淡に対応した反射光の明暗が光電変換素子４によって
電気信号に変換されることになる。この第４図に示す構
造を紙面垂直方向に多数並べることにより、原稿１と光
電変換素子４とが一対一に対応する光電変換アレイが完
成することになる。ところが、この第４国力式の場合、
光電変換素子４と原稿１との間に発光ダイオード２や集
束レンズ３を配置させなければならず、しかも、集束レ
ンズ３の一方の焦点を原稿１の表面、他方の焦点を光電
変換素子４の表面に一致させる必要がある。従って、こ
のよ°うな光電変換装置は光学的空間を必要とし、かつ
、光学的な位置合わせをも必要とする欠点がある。
、第４図に示すような光電変換装置がある。まず、原稿
１は発光ダイオード２により照明される。この原稿１か
らの反射光は正立等倍像を結像する集束レンズ３を介し
て光電変換素子４に集束される。ここで、原稿１の画像
濃淡に対応した反射光の明暗が光電変換素子４によって
電気信号に変換されることになる。この第４図に示す構
造を紙面垂直方向に多数並べることにより、原稿１と光
電変換素子４とが一対一に対応する光電変換アレイが完
成することになる。ところが、この第４国力式の場合、
光電変換素子４と原稿１との間に発光ダイオード２や集
束レンズ３を配置させなければならず、しかも、集束レ
ンズ３の一方の焦点を原稿１の表面、他方の焦点を光電
変換素子４の表面に一致させる必要がある。従って、こ
のよ°うな光電変換装置は光学的空間を必要とし、かつ
、光学的な位置合わせをも必要とする欠点がある。
しかして、近年では、レンズを用いずに、原稿と光電変
換素子とを一対一に対応させた密着型光電変換装置が開
発されている。第５図はその従来方式を示すものである
。即ち、透明基板５上に例えばＣｒ等の金属を蒸着又は
スパッタリング法により成膜した金属遮光層６を形成し
、この金属遮光層６に透光窓７を形成する。そして、こ
の金属遮光層６上に絶縁層８がＳｉｎ、やＡｌ２Ｏ，等
のスパッタリングにより形成される。更に、この上に電
極層９、光電変換素子１０及び透明保護層１１を積層形
成して装置が完成する。このような構成において、透明
保護層１１上に原稿１２を密着させるとともに、照明光
１３を透明基板５側から透光窓７を介して入射させ、原
稿１２からの反射光を光電変換素子１０で捕獲して光電
変換することにより読取るものである。
換素子とを一対一に対応させた密着型光電変換装置が開
発されている。第５図はその従来方式を示すものである
。即ち、透明基板５上に例えばＣｒ等の金属を蒸着又は
スパッタリング法により成膜した金属遮光層６を形成し
、この金属遮光層６に透光窓７を形成する。そして、こ
の金属遮光層６上に絶縁層８がＳｉｎ、やＡｌ２Ｏ，等
のスパッタリングにより形成される。更に、この上に電
極層９、光電変換素子１０及び透明保護層１１を積層形
成して装置が完成する。このような構成において、透明
保護層１１上に原稿１２を密着させるとともに、照明光
１３を透明基板５側から透光窓７を介して入射させ、原
稿１２からの反射光を光電変換素子１０で捕獲して光電
変換することにより読取るものである。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の密着型光電変換装置の場合。
その製造工程において、絶縁層を５ｉｎｓやＡａ２０、
等の材料でスパッタリング法により形成する際、ゴミ等
のために、ピンホールが発生し易く。
等の材料でスパッタリング法により形成する際、ゴミ等
のために、ピンホールが発生し易く。
絶縁不良等を生じ、結局、１ビット分でも不良となれば
欠陥品であり使用できず、歩留りが低下する原因となっ
ている。
欠陥品であり使用できず、歩留りが低下する原因となっ
ている。
しかして、本発明は、上述したようなピンホール等に起
因する欠陥の少ない密着型光電変換装置を得ることを目
的とする。
因する欠陥の少ない密着型光電変換装置を得ることを目
的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は、透明基板２０上に光電変換素子２７を配列し
、この光電変換素子２７上に形成した透明保護Ｊ？！ｙ
２８を原稿２９に密着させるとともに透明基板２０の下
方から照明光３０を照射して、原稿２９からの反射光を
光電変換素子２７で捕獲して光電変換する密着型光電変
換装置において、透明基板２０上に金属遮光層２１、耐
熱絶縁樹脂による絶縁層２３、電極層２４，２５．光電
変換層２６及び透明保護層２８を順次積層形成してなる
構成を採用するものである。
、この光電変換素子２７上に形成した透明保護Ｊ？！ｙ
２８を原稿２９に密着させるとともに透明基板２０の下
方から照明光３０を照射して、原稿２９からの反射光を
光電変換素子２７で捕獲して光電変換する密着型光電変
換装置において、透明基板２０上に金属遮光層２１、耐
熱絶縁樹脂による絶縁層２３、電極層２４，２５．光電
変換層２６及び透明保護層２８を順次積層形成してなる
構成を採用するものである。
作用
絶縁層２３をポリイミド樹脂等の耐熱絶縁樹脂により形
成することにより、絶縁層２３の形成が容易であるとと
もに、絶縁層２３の形成に際してピンホール等の発生を
極めて少なくすることができ、よって、歩留りを向上さ
せることができるものである。
成することにより、絶縁層２３の形成が容易であるとと
もに、絶縁層２３の形成に際してピンホール等の発生を
極めて少なくすることができ、よって、歩留りを向上さ
せることができるものである。
実施例
本発明の一実施例を第１図ないし第３図に基づいて説明
する。まず、２０は透明基板であり、ガラス基板等が用
いられる。このような透明基板２０上にＣｒ等の金属を
蒸着することにより、金属遮光層２１が形成される。こ
の金属遮光層２１には第２図に示すようなパターンの透
光窓２２がフォトエツチング法により形成される。この
ような金属遮光層２１上に絶縁層２３を形成する。ここ
で、本実施例では、この絶縁［２３を耐熱絶縁樹脂、具
体的にはポリイミド樹脂を用いて形成するものである。
する。まず、２０は透明基板であり、ガラス基板等が用
いられる。このような透明基板２０上にＣｒ等の金属を
蒸着することにより、金属遮光層２１が形成される。こ
の金属遮光層２１には第２図に示すようなパターンの透
光窓２２がフォトエツチング法により形成される。この
ような金属遮光層２１上に絶縁層２３を形成する。ここ
で、本実施例では、この絶縁［２３を耐熱絶縁樹脂、具
体的にはポリイミド樹脂を用いて形成するものである。
まず、ポリイミド樹脂スを基板２０（金属遮光層２１）
上に滴下した後スピンナで基板２０を回転させることに
より、一様な膜が形成される。これを３００℃で１時間
加熱することにより絶縁層２３が形成される。このとき
、膜厚は２μｍ程度である。その後、Ｃｒ等の金属を蒸
着し、これを第３図に示すような櫛歯状パターンにフォ
トエツチングしてパターン化することにより。
上に滴下した後スピンナで基板２０を回転させることに
より、一様な膜が形成される。これを３００℃で１時間
加熱することにより絶縁層２３が形成される。このとき
、膜厚は２μｍ程度である。その後、Ｃｒ等の金属を蒸
着し、これを第３図に示すような櫛歯状パターンにフォ
トエツチングしてパターン化することにより。
平面状に対向する対向電極２４．２５が形成される。こ
こで、一方の対向電極２４が共通電極側となり、他方の
対向電極２５が個別電極側となる。
こで、一方の対向電極２４が共通電極側となり、他方の
対向電極２５が個別電極側となる。
そして、対向電極２４．２５の対向する部分が各ドツト
分となる。この際、前記個別電極２５には透光窓２２に
対応する透光窓２５ａが形成される。
分となる。この際、前記個別電極２５には透光窓２２に
対応する透光窓２５ａが形成される。
この後、対向電極２４，２５上に光電変換層として例え
ばアモルファスシリコンａ−８ｉ層２６をプラズマＣＶ
Ｄ法等により帯状に形成する。これにより、対向電極２
４．２５の対向部分とその部分のアモルファスシリコン
層２６とにより各々光電変換素子２７が形成されること
になる。最上層には透明保護層２８が形成される。
ばアモルファスシリコンａ−８ｉ層２６をプラズマＣＶ
Ｄ法等により帯状に形成する。これにより、対向電極２
４．２５の対向部分とその部分のアモルファスシリコン
層２６とにより各々光電変換素子２７が形成されること
になる。最上層には透明保護層２８が形成される。
°このような構成において、原稿２９は透明保護層２８
上に密着される。そして、透明基板２０の下方から透光
窓２２を介して照明光３０を照射する。このときの原稿
２９からの反射光が光電変換素子２７により捕獲される
ので、原稿２９の画像濃淡に応じて光電変換された電気
信号が得られるものである。
上に密着される。そして、透明基板２０の下方から透光
窓２２を介して照明光３０を照射する。このときの原稿
２９からの反射光が光電変換素子２７により捕獲される
ので、原稿２９の画像濃淡に応じて光電変換された電気
信号が得られるものである。
ここで１本実施例では、絶縁層２３をポリイミド樹脂に
より形成したことを特徴とするものである。まず、ポリ
イミド樹脂による絶縁層２３は、その比抵抗が１０１１
Ω国で、アモルファスシリコン層２６の暗抵抗が１０９
〜１０１０Ω備であるので絶縁層としての機能を十分に
発揮する。又、前述したようにこの絶縁層２３の膜厚を
２μｍに形成した場合、アモルファスシリコンの分光感
度ピーク波長５６０ｎｍ付近の光透過率が８５％であり
、実用上問題ない。しかして、このようなポリイミド樹
脂により絶縁層２３を形成する方式を採用すれば、ピン
ホールの発生も非常に少なく、結局、欠陥ビットの発生
が少なく、歩留りを向上させることができる。そして、
絶縁層２３の形成自体も容易なものとなる。
より形成したことを特徴とするものである。まず、ポリ
イミド樹脂による絶縁層２３は、その比抵抗が１０１１
Ω国で、アモルファスシリコン層２６の暗抵抗が１０９
〜１０１０Ω備であるので絶縁層としての機能を十分に
発揮する。又、前述したようにこの絶縁層２３の膜厚を
２μｍに形成した場合、アモルファスシリコンの分光感
度ピーク波長５６０ｎｍ付近の光透過率が８５％であり
、実用上問題ない。しかして、このようなポリイミド樹
脂により絶縁層２３を形成する方式を採用すれば、ピン
ホールの発生も非常に少なく、結局、欠陥ビットの発生
が少なく、歩留りを向上させることができる。そして、
絶縁層２３の形成自体も容易なものとなる。
発明の効果
本発明は、上述したように金属遮光層、絶縁層、電極層
、光電変換層及び透明保護層の積層構造において、絶縁
層をポリイミド樹脂等の耐熱絶縁樹脂により形成したの
で、絶縁層の形成が簡単であるとともに、その形成工程
においてピンホール等の発生が極めて少なく、欠陥を生
じに＜−くすることができ、よって１歩留りを向上させ
ることができるものである。
、光電変換層及び透明保護層の積層構造において、絶縁
層をポリイミド樹脂等の耐熱絶縁樹脂により形成したの
で、絶縁層の形成が簡単であるとともに、その形成工程
においてピンホール等の発生が極めて少なく、欠陥を生
じに＜−くすることができ、よって１歩留りを向上させ
ることができるものである。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断側面図。
第２図は透光窓のパターンを示す平面図、第３図は電極
パターンを示す平面図、第４図はレンズ使用の従来例を
示す縦断側面図、第５図は密着型光電変換装置の従来例
を示す縦断側面図である。 ２０・・・透明基板、２１・・・金属遮光層、２３・・
・絶縁層、２４．２５・・・電極層、２６・・・アモル
ファスシリコン層（光電変換層）、２８・・・透明保護
層、２９・・・原稿、３０・・・照明光 ３ｕ図（穫←） 」 肚 、￥３５図（犯ＵＪ） 、！りＯＪづ“ｔ 。
パターンを示す平面図、第４図はレンズ使用の従来例を
示す縦断側面図、第５図は密着型光電変換装置の従来例
を示す縦断側面図である。 ２０・・・透明基板、２１・・・金属遮光層、２３・・
・絶縁層、２４．２５・・・電極層、２６・・・アモル
ファスシリコン層（光電変換層）、２８・・・透明保護
層、２９・・・原稿、３０・・・照明光 ３ｕ図（穫←） 」 肚 、￥３５図（犯ＵＪ） 、！りＯＪづ“ｔ 。
Claims (2)
- １．透明基板上に光電変換素子を配列し、この光電変換
素子上に形成した透明保護層を原稿に密着させるととも
に前記透明基板の下方から照明光を照射して、前記原稿
からの反射光を前記光電変換素子で捕獲して光電変換す
る密着型光電変換装置において、前記透明基板上に金属
遮光層、耐熱絶縁樹脂による絶縁層、電極層、光電変換
層及び透明保護層を順次積層形成してなることを特徴と
する密着型光電変換装置。 - ２．絶縁層を形成する耐熱絶縁樹脂がポリイミド樹脂で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の密着
型光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040798A JPS61199660A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 密着型光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040798A JPS61199660A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 密着型光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199660A true JPS61199660A (ja) | 1986-09-04 |
Family
ID=12590641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60040798A Pending JPS61199660A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 密着型光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61199660A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63288059A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イメ−ジセンサ |
| JPH0194654A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Ricoh Co Ltd | 完全密着型イメージセンサ |
| US5017987A (en) * | 1989-03-22 | 1991-05-21 | Ricoh Company, Ltd. | Contact type image sensor |
| US5060040A (en) * | 1987-11-14 | 1991-10-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus |
| US5159422A (en) * | 1987-06-17 | 1992-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device |
| US5187563A (en) * | 1986-01-06 | 1993-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device with Al/Cr/TCO electrode |
-
1985
- 1985-03-01 JP JP60040798A patent/JPS61199660A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187563A (en) * | 1986-01-06 | 1993-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device with Al/Cr/TCO electrode |
| JPS63288059A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イメ−ジセンサ |
| US5159422A (en) * | 1987-06-17 | 1992-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device |
| JPH0194654A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Ricoh Co Ltd | 完全密着型イメージセンサ |
| US5060040A (en) * | 1987-11-14 | 1991-10-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus |
| US5017987A (en) * | 1989-03-22 | 1991-05-21 | Ricoh Company, Ltd. | Contact type image sensor |
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