JPH01141409A - フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、無線機等において１発信信号に含まれるスプ
リアス放射を防止するフィルタ等に関するものである。

（従来の技術） 一般に、無線機より信号を送信する場合、目的とする周
波数をｆｏとすると、送信機からアンテナを通して放射
される電波の中には、妨害を与える電波（ｆｅ以外の電
波）も含まれており、この不要な電波は、スプリアス放
射と呼ばれている。

このスプリアス放射を防止、或いは低減する目的で、通
常、送信機とアンテナの間にバンドパスフィルタを挿入
していた。

このバンドパスフィルタは、ｆｏのみを通過させること
が理想であり、この種のバンドパスフィルタとしては、
通常１７４波長よりなる同軸共振器が使用されていた。

しかし、この１７４波長同軸共振塁からなるバンドパス
フィルタでは、理想的にｆ、のみを通過させ、かつそれ
以外を全て除去することはできなかった。以下にこれを
説明する。

この１７４波長同軸共振器は、偶数倍の高調波（２ｆ、
、４ｆ、）に対しては充分の減衰量を得ることができる
が、奇数倍の高調波（３ｆ＠）を除去することが困難で
あった。更に、高調波以外のスプリアスｆ１．ｆ、に対
しても減衰量が不足していた。この１７４波長同軸共振
器からなるバンドパスフィルタの減衰特性を第３図の実
線で示す、尚、ｆｌ。

ｆ２．２ｆ、、３ｆ、、４ｆ、における所望の減衰量を
それぞれ第３図の点ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅに示す。

第３図に示すように、１７４波長同軸共振器からなるバ
ンドパスフィルタは、第２高調波である２ｆ、及び第４
高調波である４ｆ、において、所望の減衰量を満足でき
るが、高調波以外のスプリアスであるｆｉ、ｆ、及び第
３高調波である３ｆ、において、減衰量が所望の値を満
足できなかった。このため、従来では、ｆ、、ｆ、、３
ｆ、における不充分な減衰量を補うために、それぞれの
周波数に対するバンドエリミネーションフィルタを付加
していた。

この従来例のブロック図を第４図に示す、つまり。

従来では、ｆ、用バンドパスフィルタ（Ｂ　Ｐ　Ｆ）４
１と、ｆ１用バンドエリミネーションフィルタ（ＢＥＦ
）４２．ｆ、用バンドエリミネーションフィルタ４４及
び３ｆ、用バンドエリミネーションフィルタ４５の３つ
のＢＥＦとの計４つのフィルタを用い、更に高調波以外
のＢ　Ｅ　Ｆ　（４２，４４）との間にπ／２位相回路
４３を配置して構成されていた。このπ／２位相回路は
、高調波以外のＢＥＦを接続する必要があった。このよ
うに、それぞれの周波数に対するバンドエリミネーショ
ンフィルタを挿入することにより、第３図の点線に示す
ような減衰量を得、所望の減衰量を満足させていた。

（発明が解決しようとする問題点） 従来のバンドパスフィルタは、複数のフィルタを組合せ
て使用しており、使用部品点数が多く、フィルタ全体と
しての小型化、低廉化が要望されていた。

本発明は、上記の事を鑑みて、フィルタの小型化、低廉
化を達成するものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、第３高調波除去用フィルタとπ／２位相器と
の２つの機能を１つの回路で達成した回路を用いるもの
である。

（作用） 本発明について説明すると、まずπ／２の位相回路は、
一般に１／４波長同軸線路が用いられ、これを回路図に
すると第５図のようになる。この１／４波長同軸線路で
は、線路長が長くなってしまうため、これを短縮する方
法として、第６図に示す回路を用いることが考えられる
。この第６図の回路に第３高調波除去用フィルタとして
の機能を付加すべく検討した結果、第１図に示す回路に
より達成することができた。

この第１図の回路は、２個のＬ素子と、長さΩ、特性イ
ンピーダンスＷの開放線路とから構成されている。この
し素子のインダクタンスＬと、゛開放線路の長さΩと特
性インピーダンスＷとは、以下の式により求まる。

まず、第５図の線路長を短縮させるためには、第６図の
インダクタンスＬとキャパシタンスＣは次式で与えられ
る。

ｃ＝−（１） ωＺ６ １ｌ Ｌ＝−（２） ω Ｚ、＝Ｒ（Ｒは、　入出力インピーダンス、Ｚ、は、　
線路の特性インピーダンス）次に、第６図と第１図の対
応により。

Ｗ　　　　　　　　λ 更に、第７図のような減衰特性をもたせるために、 （λ。は、ｆ、の波長） となる、そして、（３）式と（４）式とにより、となり
、ｆ＝ｆ、にて（１）式を代入すると、となる。

以上の式から与えられるインダクタンスＬのＬ素子と、
長さ２．特性インピーダンスＷの開放線路から、π／２
位相を有する第３高調波除去用フィルタを構成できた。

（実施例） 本発明の実施例として、ｆ　ｏ　＝１００　ＭＨｚ、　
Ｚｏ　＝５０Ωに対するフィルタを構成した。この実施
例においては、（２）、（６）、（４）式からＬ　＝０
．０７９６　　μＨ Ｗ＝２８．９　　Ω Ｑ　　＝５０　　ａｍ となり、この値に合わせて、コイルと同軸線路で、π／
２位相を有する第３高調波除去用フィルタを構成した。

この回路は、比誘電率５ｒ＝２５のセラミックスを充填
して形成した。このため、Ωは、（４）式で計算すると
、２５０ｍｍ（真空中）となるが、Ｅｒの効果で５０ｍ
ｍに短縮されている。そして、第２図に示すブロック図
の如く、このπ／２位相を有する第３高調波除去用フィ
ルタ２４を、ｆ０用バンドパスフィルタ２１に続く、ｆ
ｉ用バンドエリミネーションフィルタ２２とｆ２用バン
ドエリミネーシ３ンフィルタ２３との間に配置した。こ
の本発明の一実施例のフィルタは、従来のもの（第４図
に示したもの）と同等の減衰量を有していた。つまり、
本発明は、従来のフィルタと同等の減衰特性を有したま
ま、部品点数を減少させることができ、小型化、低廉化
を達成するものである。

（発明の効果） 本発明は、π／２位相回路自体が第３高調波除去用フィ
ルタの機能を有しているものであり、フィルタ全体の小
型化、簡易化、低廉化を達成するものであり、産業上極
めて有益なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る一実施例のπ／２位相を有する
第３高調波除去用フィルタの回路図であり、第２図は、
本発明に係る一実施例のブロック図であり、第３図は、
フィルタの減衰特性図であり、第４図は、従来例のフィ
ルタのブロック図であり、第５図及び第６図は、π／２
位相回路の回路図であり、第７図は、第３高調波除去用
フィルタの減衰特性図である。 嘱帳−１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 第３高調波除去用フィルタとπ／２位相器との２つの機
   能を１つの回路で達成した回路を用いたことを特徴とす
   るフィルタ。