JPS6129565B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は帯域通過形瀘波装置に関するものであ
る。

従来、瀘波器を用いて高い減衰特性を得る場合
帯域通過形瀘波器の段数を増す方法、複数個の帯
域瀘波器を縦続接続する方法がある。

第１の瀘波器の段数を増す方法は、製造あるい
は設計的に限度があつて段数を増すことによりそ
の製作精度も急激に向上させねばならない等の欠
点があり、特殊なものを除けばその段数は通常５
〜６段程度までであつた。したがつて減衰特性に
も限度があつた。また、第２の方法は第１の方法
の場合の限度の複数倍の減衰特性を得ることがで
きるが、各帯域ろ波器間のリアクシヨンを打消さ
ないと複数倍の減衰特性を得ることができないこ
とからその間にアイソソータ等を挿入してやる必
要がありその分の挿入損失増大と価格増加という
欠点があつた。

さらに、第２の方法に於いては、アイソレータ
ー等の耐電力特性、温度特性あるいは信頼度等が
一般に帯域通過形ろ波器の特性より劣るため、帯
域通過形ろ波器のみの場合に比べて総合特性的に
劣化させる欠点があつた。また大きさもそれらの
分だけ大型となる欠点があつた。

本発明の目的は、これらの欠点を除去し、高減
衰特性に加えて定抵抗なインピーダンス特性
（VSWR特性）を有するコンパクトな帯域通過形
瀘波装置を提供することにある。

以下図面により本発明を詳細に説明する。

第１図は本発明の実施例の回路図である。図
中、１は通常の帯域通過形瀘波器、２及び３はハ
イブリツド回路（導波管ではマジツクＴなどがあ
る）、４及び５は帯域阻止形瀘波器６及び７は無
反射終端器、１０は入力端、１２は出力端であ
る。この図に於いて、端子１１から右端子１４迄
の部分は一般に定抵抗形瀘波器として利用されて
いる回路である。また、瀘波器１，４，５はすべ
て必要とされる同一周波数に共振しているとす
る。また、帯域阻止瀘波器４，５はハイブリツド
２からみて互いに1/4波長の位相差が得られるよ
うに配列されている。

これの動作について説明すると、端子１２から
入力された電力はハイブリツド回路２により２分
され帯域阻止瀘波器４，５へ等振幅で、1/4波長
の位相差をもつて伝送される。この時の電力の周
波数が共振周波数と一致していれば、帯域阻止瀘
波器４，５により反射され、ハイブリツド回路２
の分岐点１３へ、更に1/4波長位相差が追加され
て等振幅、逆位相（1/4波長差）で伝送されるの
で端子１２へは戻らず合成電力は端子１１へと伝
送され、更に帯域通過形瀘波器１を通つて端子１
０へと伝送される。

また、端子１２から入力された電力の周波数が
共振周波数以外であれば帯域阻止瀘波器４，５を
通過し等振幅、等位相でハイブリツド３回路の分
岐点１５へ伝送され合成され、無反射終端器６へ
い終端される。なお、帯域通過形瀘波器１の減衰
特性域の周波数が瀘波器１に伝送された場合、こ
の瀘波器１により反射され端子１３に戻り２分さ
れ、帯域阻止瀘波器４，５に向うが、ここでは非
共振周波数であるのでそのまま通過し端子１５に
等振幅、等位相で到達し合成され無反射終端器７
へ向い終端される。すなわち、端子１２からの入
力電力は、この端子１２へは戻らない。したがつ
て、端子１２からみてこの帯域通過形瀘波装置
は、定抵抗なインピーダンス特性を有することに
なる。また帯域通過形瀘波器１と帯域阻止瀘波器
４，５は互いにリアクシヨンを生じないので縦続
接続しても減衰特性の劣化は生じない。更に端子
１２から端子１０迄の帯域通過特性及び減衰特性
は第１図端子１１から右で構成される定抵抗形瀘
波器と帯域通過形瀘波器１のそれぞれの特性の相
加されたものが得られることは以上の説明から容
易に理解される。

第２図は本発明による実施例の減衰特性図であ
る。２０は第１図の帯域瀘波器１として、５段の
バツターワース型を使用した場合の減衰特性線、
また、２１は定抵抗形瀘波器を構成する帯域阻止
瀘波器を３段のバツターワース型とした場合の第
１図の端子１２，１１間の減衰特性線、２２は、
それぞれの瀘波器を第１図に示す帯域通過形瀘波
装置として使用した場合の端子１２、端子１０間
の減衰特性線（実線）、２３は８段のバツターワ
ース型帯域通過形瀘波器の特性線（○印）であ
る。これら特性線２２，２３はほとんど相違しな
いことが図からわかる。

さらに、第３図は第１図の帯域阻止瀘波器４，
５を３段のチエビイシエフ型とした場合の特性図
で、２４は第１図の端子１２，１３間の減衰特性
線、２５はこの特性線１２と先の５段バツターワ
ース型帯域通過形瀘波器を組合せて本発明の帯域
通過形瀘波装置を構成した場合の減衰特性線であ
る。これらの図から理解されるように、Δｆ＝10
〜14MHz附近では減衰特性が８段のバツターワー
ス型瀘波器より、本発明の瀘波装置の方が良好と
なる。また、Δｆ＝14MHz以上でも特性線２０に
より急激に劣化することもなく実用的に差支えな
い特性が得られている。なお第３図の組合せでは
チエビシエフ型の特性の減衰に極を必要な周波数
に設定すれば比較的隣接周波数に於いても十分な
減衰量が得ることが可能である。なお、８段の帯
域通過形瀘波器を製造、設計することはもはや非
常に困難な域である。

以上説明したように、本発明による帯域通過形
瀘波装置を使用すれば段数の少ないものを組合せ
て高い減衰特性が得られるので、今迄実現不可能
に近い減衰特性も容易に得られる。このことは製
作及び設計を容易すると同時に縦続接続のための
アイソレータ等の部分も必要ないので価格低減が
可能であり、さらに特性の安定、向上等の効果が
大である。さらに、進行波管増巾器を用いた送信
装置の瀘波器として使用した場合、定抵抗のイン
ピーダンス特性を有するので、進行波管の寿命等
に有利であり送信装置出力のアイソレーター等を
不用とすることもでき、原価低減が図られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の回路図、第２図およ
び第３図は本発明の実施例の減衰特性図である。 図において、１…帯域通過形瀘波器、２，３…
ハイブリツド回路、４，５…帯域阻止瀘波器、
６，７…無反射終端器、１０，１１，１２，１４
…端子、１３，１５…分岐点、２０〜２５…特性
線である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 第１の端子に入力した信号を第２および第３
   の端子に分岐出力しこれら第２および第３の端子
   に入力した信号を第４の端子に出力する第１およ
   び第２のハイブリツドと、前記第１のハイブリツ
   ドの第２および第３の端子から1/4波長のずれを
   もつて一端がそれぞれ接続され他端が前記第２の
   ハイブリツドの第２および第３の端子にそれぞれ
   接続された第１および第２の帯域阻止瀘波器と、
   前記第２のハイブリツドの第１および第４の端子
   にそれぞれ接続された終端器とを含む定抵抗型瀘
   波器と：前記第１のハイブリツドの第１あるいは
   第４の端子に接続された帯域通過瀘波器とから構
   成され、前記各帯域阻止瀘波器および前記帯域通
   過瀘波器の各中心周波数を同一に設定したことを
   特徴とする帯域通過型瀘波装置。