JPH01142279A - シヤツタ付チタンサブリメーシヨンポンプ - Google Patents

シヤツタ付チタンサブリメーシヨンポンプ

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JPH01142279A
JPH01142279A JP29880387A JP29880387A JPH01142279A JP H01142279 A JPH01142279 A JP H01142279A JP 29880387 A JP29880387 A JP 29880387A JP 29880387 A JP29880387 A JP 29880387A JP H01142279 A JPH01142279 A JP H01142279A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
titanium
main chamber
shutter
pump
filament
Prior art date
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Pending
Application number
JP29880387A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeji Ohashi
大橋 茂治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP29880387A priority Critical patent/JPH01142279A/ja
Publication of JPH01142279A publication Critical patent/JPH01142279A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)技術分野 この発明は、チタンサブリメーションポンプの改良に関
する。
チタンサブリメーションポンプは、真空容器の壁面にチ
タンを昇華して飛ばし、付着したチタンによって気体分
子を吸着するものである。
特)ζ、−酸化炭素、酸素、炭酸ガスなどをよく吸着す
る。
反面、稀ガスやメタンは吸着しない。
このように選択排気性があるので、イオンポンプなどと
組合わせて使用される。
チタンは、ガスを吸着する性質をもった優れた物質であ
る。しかし、高価な材料であるから、有効に使わなけれ
ばならない。
チタンの吸着能力は、低温にすると特に増強されるので
、液体窒素で冷却する事が多い。
チタンはフィラメント状に加工されているか、或はボー
ル状に加工されている。
フィラメント状のものは、通電加熱して、チタンを昇華
させる。ボール状のものは、内部に加熱用フィラメント
がある。これに通電加熱し、ボールを加熱する。ボール
表面からチタンが昇華する。
これをタイボールという。
真空度が悪いときは、チタンサブリメーションポンプは
あまり有効でない。他のポンプで1O−5Torr程度
の真空に引いてから使用する事が多い。
チタンの昇華は連続的に行う必要がない。
間欠的にフィラメントに通電し、昇華を行う。
通電のデユーティは、真空度が上るとともに低くしてゆ
くことができる。高真空に達すると、フィラメント加熱
時間は極めて短くする事ができる。
たとえば10” Torr程度では、30分に1分加熱
する。10−9〜10−” Torr程度では、5時間
に1分加熱する。
チタンを昇華させるものは、フィラメント、タイボール
があるが、簡単のため、以下、フィラメントと呼ぶこと
にする。
油を用いないので、半導体基板の薄膜形成、測定装置な
どの真空排気装置として好適である。
しかも、10 =’ 〜I Q−” Torrの超高真
空を得る事ができるので、超高真空用としての用途があ
る。
10−10〜10−” Torrの超高真空を必要とす
る分子線エピタキシー(MBE)装置の真空排気装置と
して用いられる。
また、同じく超高真空を要求する陽子エネルギー損失分
析装置(PELS)の真空排気装置としても用いられる
(イ)従来技術 真空ポンプであるから、なんらかの製造装置、測定装置
の真空排気装置としてこれらに付属して用いられる。単
独で駆動される事がない。
これら主になる装置の超高真空にすべき空間をここでは
単に主チャンバという事にする。
主チャンバの中には、半導体基板などの試料や、簿膜材
料などが収容されている。
チタンサブリメーションポンプからチタンを飛ばした時
、チタンが主チャンバの中へ入ってはならない。もし主
チャンバに入ると、試料や、薄膜材料、るつぼがチタン
によって汚染されるからである。
そこで、従来のチタンサブリメーションポンプに於ては
、チタンが主チャンバへ入らないように、幾何学的な工
夫が払われていた。
第4図〜第6図は従来例のチタンサブリメーションポン
プの略構造を示している。
MBE装置その他の主チャンバ1の近傍にチタンサブリ
メーションポンプUが設置されている。
これは、ポンプ壁7で仕切られたポンプ空間6の中に、
液体窒素チュラウド2と、チタンフィラメント3を設け
たものである。
チタンフィラメント3から昇華したチタンは、シュラウ
ド2の表面に付着する。
主チャンバ1とポンプ室7とは連絡管部8によってつな
がっている。
主チャンバ1のガスがポンプ空間6に入る。ポンプ空間
6に於て、ガスがチタンによって吸着される。
この例に於て、チタンフィラメント3が、ポンプ空間6
の奥深い位置に設けられる。このため、フィラメントか
ら飛び出したチタン分子が直進して主チャンバ1の中へ
入る事がない。チタンにより主チャンバ1が汚染されな
いようになっている。
これは連絡管部8か細く、フィラメント3が内奥に設け
られているからである。
第5図に示すものWは、狭い連絡管のようなものがない
。ポンプ空間6が主チャンバ1に直接につながっている
。しかし、フィラメント3と主チャンバ1の間にはバッ
フル4が設けである。
フィラメント3から飛び出したチタンは、バッフルに妨
げられて、主チャンバ1へ入らない。
第6図に示す従来例Xは、狭い連絡管部もバッフルもな
い。そのかわり、主チヤンバ1内のシュラウドにより、
フィラメント3からのチタンの飛来を防いでいる。液体
窒素シュラウド2の裏面にチタンが付着するから、主チ
ャンバ1の内部には入るが、主チヤンバ内にセットされ
た試料基板、材料、るつぼなどには付かない。
(ロ) 発明が解決すべき問題点 フィラメントと主チャンバの間が、幾何学的に遮られて
いたので、排気コンダクタンスが悪いという難点がある
コンダクタンスというのは、2点A%B間を流れる流体
流量を、圧力差で割ったものである。
主チャンバのガスがポンプ空間へ流れ、チタンに吸着さ
れる速さを、排気コンダクタンスによって評価できる。
第4図のように、狭い連絡管部8を設けたものは、排気
コンダクタンスが、低くなり、排気速度が遅い。
第5図に示すものも、バッフルによる圧損があるので、
排気速度が低い。第6図のものも、主チャンバのガスが
直接にポンプ空間6に入らないので、排気コンダクタン
スが低く、排気速度が低い。
Qつ   目     的 排気コンダクタンスが高く、シかもチタンが主チャンバ
の中へ入らないようにしたチタンサブリメーションポン
プを提供する事が本発明の目的である。
(4)構 成 本発明のチタンサブリメーションポンプは、広い断面積
を持つ空間によってポンプ空間と主チャンバ1とを連絡
し、チタンフィラメントと、主チャンバ1の間に開閉で
きるシャッタを設けたものである。
チタンを飛ばしている間だけシャッタを閉じる。
チタンが主チャンバ1へ飛込むことがないためである。
チタンを飛ばしていない間はシャッタを開く。
排気コンダクタンスが高くなり、排気速度が向上する。
第1図は本発明のチタンサブリメーションポンプAの縦
断側面図である。
主チャンバ1に対して、ポンプ空間6が、広い断面積を
持つ空間を介してつながっている。中間に狭い管部がな
い。
ポンプ空間6の中には、チタンフィラメント3が設けら
れる。ポンプ壁の内部には、液体窒素を収゛容すべきシ
ュラウド2が設けられる。シュラウドの内方の壁面にチ
タンが付着するように、フィラメント3を囲んでシュラ
ウド2が設けられている。
フィラメント3と、主チャンバ1の間には、開閉自在の
シャッタ5が設置されている。
これが、本発明の特徴である。
シャッタ5は開閉できればよいので、回転運動、平行運
動或は起倒運動するものであってよい。
ここでは、回転運動するシャッタを例として示している
シャッタ5は、操作軸9によって支持される。
操作軸9は回転導入機に用いて外部から回転操作できる
。操作軸9を90°回転することにより、シャッタを開
いたり閉じたりする事ができるのである。
簡単のため回転導入機の図示を略した。
第1図は閉状態を示すが、−点鎖線で開状態をも示した
第2図は閉状態を、第3図は開状態を示す縦断正面図で
ある。
シャッタを閉じると、ポンプ空間6と主チャンバ1とは
ほぼ完全に遮断される。
シャッタを開くと、ポンプ空間6と主チャンバ1とは広
い断面積を持つ空間によって連通ずる。
(2)作 用 フィラメントを加熱してチタンを飛ばす時間と、飛ばし
ていない時間も含めた全時間の比をデユーティという。
真空度が悪い間デユーティは高< 50%にする事もあ
る。つまり、チタンを飛ばしている時間が長い。
ところが、10−10〜1O−11TOrrノ超高真空
になると、12時間に1回、1分間だけチタンを飛ばせ
ばよいようになる。
チタンを飛ばしていない時は、シャッタ5を開放してお
く。チタンを飛ばす時は、シャッタ5を閉じておく。
10” Torr程度の真空に達してから、チタンサブ
リメーションポンプの使用を開始する。はじめはデユー
ティが50%程度で頻繁にチタンを飛ばす。
シャッタもこれに同期して頻繁に開閉させなければなら
ない。
超高真空に到達すると、殆どシャッタは開放されている
。例えば12時間に1度1分だけチタンを飛ばすが、こ
の時だけシャッタを閉じる。
シャッタを開放したときの排気コンダクタンスは、従来
例U%W%Xよりも高くなっている。このため、特に高
真空に達した時の排気能力が高まる。
チタンの昇華にともないフィラメントに付着したガスも
加熱されて放出されるが、シャッタが閉じられているの
で、放出ガスにより、主チャンバ1が汚染されるという
事もない。
(1)効 果 主チャンバがチタンによって汚染されず、しかも排気コ
ンダクタンスの高いチタンサブリメーションポンプを与
えることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のチタンサブリメーションポンプの略縦
断側面図。 第2図は閉状態の縦断正面図。 第3図は開状態の縦断正面図。 第4図は狭い連絡管部を持つ従来例のチタンサブリメー
ションポンプの略縦断側面図。 第5図はバッフルを持つ従来例のチタンサブリメーショ
ンポンプの略縦断側面図。 第6図はシュラウドにより遮断された流路を持つ従来例
のチタンサブリメーションポンプの略縦断側面図。 1・・・・・・主チャンバ 2・・・・・・シュラウド 3・・・・・・チタンフィラメント 4・・・・・・バッフル 5・・・・・・シャッタ 6・・・・・・ポンプ空間 7・・・・・・ポンプ壁 8・・・・・・連絡管部 9・・・・・・操作軸 発 明 者   大  橋  茂  治特許出願人  
日新電機株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 真空に引くべき対象である装置の主チャンバ1と広い断
    面積の流路を介してつながるポンンプ壁7と、ポンプ壁
    7の内部空間に設けられ液体窒素を収容すべきシュラウ
    ド2と、ポンプ空間6に於てシュラウド2に囲まれる位
    置に設けられたチタンフィラメント3と、チタンフィラ
    メント3と主チャンバ1の間に開閉自在に設けられたシ
    ャッタ5とよりなる事を特徴とするシャッタ付チタンサ
    プリメーションポンプ。
JP29880387A 1987-11-26 1987-11-26 シヤツタ付チタンサブリメーシヨンポンプ Pending JPH01142279A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29880387A JPH01142279A (ja) 1987-11-26 1987-11-26 シヤツタ付チタンサブリメーシヨンポンプ

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JP29880387A JPH01142279A (ja) 1987-11-26 1987-11-26 シヤツタ付チタンサブリメーシヨンポンプ

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JPH01142279A true JPH01142279A (ja) 1989-06-05

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ID=17864424

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JP29880387A Pending JPH01142279A (ja) 1987-11-26 1987-11-26 シヤツタ付チタンサブリメーシヨンポンプ

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0455389A (ja) * 1990-06-25 1992-02-24 Nissin Electric Co Ltd 分子線エピタキシー装置
KR100474535B1 (ko) * 2002-07-18 2005-03-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51105610A (en) * 1975-02-20 1976-09-18 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Shinkusochi

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