JPH01143100A - High speed random access memory testing device - Google Patents
High speed random access memory testing deviceInfo
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- JPH01143100A JPH01143100A JP62299698A JP29969887A JPH01143100A JP H01143100 A JPH01143100 A JP H01143100A JP 62299698 A JP62299698 A JP 62299698A JP 29969887 A JP29969887 A JP 29969887A JP H01143100 A JPH01143100 A JP H01143100A
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Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はランダムアクセスメモリのテスト方式に関し、
特に高速ランダムアクセスメモリのテスト装置に関する
。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a test method for random access memory;
In particular, it relates to a test device for high-speed random access memory.
従来低連動ランダムアクセスメモリ(以下RAMと呼ぶ
。)のテストは、アドレス、書込データ、書込指示等を
メモリテスタを用いて入力し、読出データ出力をストロ
ーブして機能テストなどを行って来た。Conventionally, low interlock random access memory (hereinafter referred to as RAM) has been tested by inputting addresses, write data, write instructions, etc. using a memory tester, and performing functional tests by strobing read data output. Ta.
しかしながらこの場合アドレス入力や書込データおよび
書込指示入力等は入力のタイミング規格に従ってそれぞ
れセットしていたが、アドレス入力の場合は特に、メモ
リテスタにおけるスキニー合わせ込みの精度如何でアク
セス性能が変化してしまうという問題があった。However, in this case, address input, write data, write instruction input, etc. were each set according to the input timing standard, but in the case of address input, access performance varies depending on the accuracy of the skinny adjustment in the memory tester. There was a problem with this.
また、最近のRAMは著しい速度で高速化されて来てお
り、これをテストするメモリテスタは性能的に特に高速
性において追いついて行けないのが現状である。すなわ
ち、メモリテスクの測定精度が悪く、RAMのアクセス
値がその中に埋もれてしまうという欠点があった。In addition, recent RAMs have become faster and faster, and memory testers that test them are currently unable to keep up in terms of performance, especially in terms of high speed. That is, the measurement accuracy of the memory test is poor, and the RAM access value is buried in the memory test.
そこで本発明の目的は、従来のメモリテスタでは十分な
精度でテストできない高速RAMを容易にテストできる
高速RAMテスト装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a high-speed RAM test device that can easily test high-speed RAM that cannot be tested with sufficient accuracy using conventional memory testers.
本発明の高速RAMテスト装置は、アドレス入力をセッ
トするアドレスフリップフロップ回路と、書込データ入
力をセットする書込データフリップフロップ回路と、書
込指示をセットする書込指示フリップフロップ回路と、
読出データをセットする読出データフリップフロップ回
路とを有し、これらのフリップフロップ回路の全てにホ
ールド機能を持たせ、さらにこれらのフリップフロップ
回路に対し共通に周期クロック信号を与える共通クロッ
ク入力部と、同様にこれらのフリップフロップ回路に共
通する上記共通クロック信号に周期する共通ホールド制
御信号を与える共通ホールド制御信号入力部とを備え、
これによりテスト対象の高速ランダムアクセスメモリに
対し、上記共通クロック信号と共通ホールド制御信号と
を与え、任意のクロック周期における動作を有効にさせ
るものである。A high-speed RAM test device of the present invention includes an address flip-flop circuit for setting an address input, a write data flip-flop circuit for setting a write data input, a write instruction flip-flop circuit for setting a write instruction,
a read data flip-flop circuit for setting read data; all of these flip-flop circuits have a hold function; and a common clock input section that commonly supplies a periodic clock signal to these flip-flop circuits; Similarly, a common hold control signal input section provides a common hold control signal that cycles to the common clock signal common to these flip-flop circuits,
Thereby, the common clock signal and the common hold control signal are applied to the high-speed random access memory to be tested, thereby enabling operation in an arbitrary clock cycle.
従って本発明の高速RAMテスト装置を用いて高速RA
Mをテストすると、安定した周期クロックとホールド制
御を利用するので容易にかつ精度の高いテストを実施す
ることができる。Therefore, using the high-speed RAM test device of the present invention, high-speed RAM
When testing M, since a stable periodic clock and hold control are used, the test can be easily and highly accurate.
以下実施例につき本発明の詳細な説明する。 The present invention will be described in detail below with reference to Examples.
第1図は本実施例の高速RAMテスト装置のブロック図
である。書込データ入力群端子11から入力した書込デ
ータ12は書込データフリップフロップ(以下F/Fと
呼ぶ)群13にセットされる。同様に、アドレス入力群
端子14から入力したアドレス15はアドレスF/F群
16にセットされる。書込制御入力群端子18から入力
した書込制御入力19は書込側iHF / F群20に
セットされる。FIG. 1 is a block diagram of a high-speed RAM test device according to this embodiment. Write data 12 input from a write data input group terminal 11 is set in a write data flip-flop (hereinafter referred to as F/F) group 13. Similarly, address 15 input from address input group terminal 14 is set in address F/F group 16. The write control input 19 input from the write control input group terminal 18 is set to the write side iHF/F group 20.
これらの書込データF/F群13、アドレスF/F群1
6、および書込制御F/F群20からの対応する出力で
ある書込データF/F群出力22、アドレスF/F群出
力23、および書込制御F/F群出力24はメモリセル
アレイ26に入力される。このメモリセルアレイ26か
らの出力28は読出デーダF/F群29にセットされ、
その出力30は読出データ出力群端子31から出力され
る。These write data F/F group 13, address F/F group 1
6, and corresponding outputs from the write control F/F group 20, such as a write data F/F group output 22, an address F/F group output 23, and a write control F/F group output 24, are output from the memory cell array 26. is input. The output 28 from this memory cell array 26 is set to a read data F/F group 29,
The output 30 is output from the read data output group terminal 31.
以上の書込データF/F群13、アドレスF/F群16
、書込制御F/F群20、読出データF/F群29には
、共通クロック入力端子34と共通ホールド制御入力端
子35が接続されている。The above write data F/F group 13, address F/F group 16
, the write control F/F group 20, and the read data F/F group 29 are connected to a common clock input terminal 34 and a common hold control input terminal 35.
これらの共通クロック入力端子34と共通ホールド制御
入力端子35には、それぞれ共通クロック信号37と共
通ホールド制御信号38が加えられ、上記のF/’F群
の制御に用いられる。A common clock signal 37 and a common hold control signal 38 are applied to the common clock input terminal 34 and the common hold control input terminal 35, respectively, and are used to control the above-mentioned F/'F group.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
第2図は第1図の実施例の動作を示すタイミングチャー
トである。本実施例ではテスタクロック41(第2図a
)に同期させて当該RAMに周期共通クロック信号37
(同図C)を与え、引き続くテスタクロック41(同図
a)の間に共通クロック信号37(同図C)が2発だけ
有効になるように共通ホールド制御信号38(同図d)
の入力を制御している。このテスト用の共通クロック信
号37(同図C)はテスタクロック41(同図a)、従
ってテスタストローブ42(同図b)のタイミングと同
期しているので共通ホールド制御信号38(同図d)は
テスクにより制御可能である。FIG. 2 is a timing chart showing the operation of the embodiment shown in FIG. In this embodiment, the tester clock 41 (Fig. 2a)
), a periodic common clock signal 37 is sent to the RAM in synchronization with
(C in the same figure) and the common hold control signal 38 (D in the same figure) so that only two common clock signals 37 (C in the same figure) are valid during the subsequent tester clock 41 (A in the same figure)
controls the input. This common clock signal 37 for testing (C in the same figure) is synchronized with the timing of the tester clock 41 (A in the same figure) and therefore the tester strobe 42 (B in the same figure), so the common hold control signal 38 (D in the same figure) can be controlled by tasks.
共通クロック信号37(同図C)の2パルス分だけホー
ルド解除された当該RAMは、第1番目のパルス43(
同図C)でテスタからの書込データ12(同図e)、ア
ドレス15(同図f)、書込制御入力19(同図g)の
各信号を取り込み、第2番目のパルス44(同図C)で
読出データF/F群29にメモリセルアレイ26の内容
が取り込まれ、そして出力され読出デークF/F群出力
44となる。The RAM whose hold is released by two pulses of the common clock signal 37 (C in the same figure) receives the first pulse 43 (
The write data 12 (e), address 15 (f), and write control input 19 (g) from the tester are taken in at step C), and the second pulse 44 (g) is input from the tester. In FIG. C), the contents of the memory cell array 26 are taken into the read data F/F group 29 and outputted as the read data F/F group output 44.
このようにして共通クロック信号37(同図C)の2パ
ルスでメモリアクセスを測定することができる。In this way, memory access can be measured using two pulses of the common clock signal 37 (C in the figure).
共通クロック信号37(同図C)は連続して与えられる
ので、精度良く設定でき、その上高速テストを実現する
ことができる。Since the common clock signal 37 (C in the same figure) is applied continuously, it can be set with high precision, and moreover, high-speed testing can be realized.
以上説明したように本発明は、被テストRAMの人出力
インターフェース部にホールド機能付きF/F群と、共
通クロック入力端子、および共通ホールド制御入力端子
とを設け、周期共通クロック信号の入力に対し、共通ホ
ールド制御信号の入力を制御してテストを実施すること
により、既存のメモリテスタでは精度が不十分であった
高速RAMのテストを容易に実施できる効果がある。As explained above, the present invention provides an F/F group with a hold function, a common clock input terminal, and a common hold control input terminal in the human output interface section of the RAM under test, and responds to the input of a periodic common clock signal. By controlling the input of the common hold control signal and performing the test, it is possible to easily test high-speed RAM, which is insufficiently accurate with existing memory testers.
第1図は本発明による高速RAMテスト装置の一実施例
を示すブロック図、第2図は第1図の実施例の動作を示
すタイミングチャートである。
11・・・・・・書込データ入力群端子、13・・・・
・・書込データF/F群、14・・・・・・アドレス入
力群端子、16・・・・・・アドレスF/FIJ、18
・・・・・書込制御入力群端子、
20・・・・・書込制御F/F群、
26・・・・・・メモリセルアレイ、
29・・・・・・読出データF/F群、34・・・・・
・共通クロック入力端子、35・・・・・・共通ホール
ド制御入力端子。
出 願 人
日本電気株式会社
代 理 人FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a high-speed RAM test device according to the present invention, and FIG. 2 is a timing chart showing the operation of the embodiment of FIG. 11...Write data input group terminal, 13...
...Write data F/F group, 14...Address input group terminal, 16...Address F/FIJ, 18
...Write control input group terminal, 20...Write control F/F group, 26...Memory cell array, 29...Read data F/F group, 34...
- Common clock input terminal, 35...Common hold control input terminal. Applicant: NEC Corporation Representative
Claims (1)
路と、書込データ入力をセットする書込フリップフロッ
プ回路と、書込指示をセットする書込指示フリップフロ
ップ回路と、読出データをセットする読出データフリッ
プフロップ回路とを有して、 これらのフリップフロップ回路の全てにホールド機能を
持たせ、さらにこれらのフリップフロップ回路に対し共
通に周期クロック信号を与えるクロック入力部と、同様
にこれらのフリップフロップ回路に共通に前記共通クロ
ック信号に周期する共通ホールド制御信号を与える共通
ホールド制御信号入力部とを備え、これによりテスト対
象の高速ランダムアクセスメモリに対し、前記共通クロ
ック信号と共通ホールド制御信号とを与え、任意のクロ
ック周期における動作を有効にさせることを特徴とする
高速ランダムアクセスメモリテスト装置。[Claims] An address flip-flop circuit that sets address input, a write flip-flop circuit that sets write data input, a write instruction flip-flop circuit that sets write instruction, and read data. A read data flip-flop circuit is provided, all of these flip-flop circuits have a hold function, and a clock input section that commonly supplies a periodic clock signal to these flip-flop circuits is provided. a common hold control signal input section for providing a common hold control signal that cycles to the common clock signal to the common hold control circuit; 1. A high-speed random access memory test device characterized in that it provides a clock cycle and enables operation in an arbitrary clock period.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62299698A JPH01143100A (en) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | High speed random access memory testing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62299698A JPH01143100A (en) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | High speed random access memory testing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143100A true JPH01143100A (en) | 1989-06-05 |
Family
ID=17875886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62299698A Pending JPH01143100A (en) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | High speed random access memory testing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01143100A (en) |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP62299698A patent/JPH01143100A/en active Pending
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