JPH01147457A - 半導体装置のパターン形成方法 - Google Patents
半導体装置のパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH01147457A JPH01147457A JP62306579A JP30657987A JPH01147457A JP H01147457 A JPH01147457 A JP H01147457A JP 62306579 A JP62306579 A JP 62306579A JP 30657987 A JP30657987 A JP 30657987A JP H01147457 A JPH01147457 A JP H01147457A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- pattern
- slit
- photomask
- fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ぐ産業上の利用分野〉
本発明は半導体装置の製造工程におけるパターン形成方
法に関し、特にはホトマスクを用いて露光及び現像して
パターンを形成する方法に関する。
法に関し、特にはホトマスクを用いて露光及び現像して
パターンを形成する方法に関する。
〈従来の技術〉
半導体装置は、半導体基板への素子作呵の高密度化が進
もと共に、素子自体の寸法が非常に微細化してきている
。このような微細加工への対応はパターン炸裂工程で使
用するホトレジストや現像液或いは露光装置の改良によ
って行われている。
もと共に、素子自体の寸法が非常に微細化してきている
。このような微細加工への対応はパターン炸裂工程で使
用するホトレジストや現像液或いは露光装置の改良によ
って行われている。
ぐ発明が解決しようとする問題点〉
感光材料等に関しては、分子嗜分布の分散度の向上や、
感光材に加える添加物全改良した高解像度のホトレジス
トを開発したり、露光装置に関して）ま次式に示すよう
にＮＡ（レンズ開口径）を大きくすることによって解像
度の向上が図られている。
感光材に加える添加物全改良した高解像度のホトレジス
トを開発したり、露光装置に関して）ま次式に示すよう
にＮＡ（レンズ開口径）を大きくすることによって解像
度の向上が図られている。
（Ｒ＝理論解像度） （ＦＤ＝焦点深度）しかし現実
の半導体装置においては、表面に形成した酸化膜や導体
等によって段差が生じてふ・り段差の上及び下の両方に
対して黒点が合う朝囲は狭く、解像度向上の点で問題が
あった。
の半導体装置においては、表面に形成した酸化膜や導体
等によって段差が生じてふ・り段差の上及び下の両方に
対して黒点が合う朝囲は狭く、解像度向上の点で問題が
あった。
まｆＬＬＪｉ光時に使用する光源の波長を短かくすれば
、同様に理論解像度は向上するが、レンズ設計が１しく
なり、且つレンズ材質の選択も難しくなる。
、同様に理論解像度は向上するが、レンズ設計が１しく
なり、且つレンズ材質の選択も難しくなる。
その面光の回折効果を緩和させて解１９力を向上させる
ＣＥＬ技術も提案されているが、工程数が増えコストも
高くなるという問題があった。
ＣＥＬ技術も提案されているが、工程数が増えコストも
高くなるという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、解像度を
低下させることなく微細パターンの加工を可能にしたパ
ターン形成方法を提供する。
低下させることなく微細パターンの加工を可能にしたパ
ターン形成方法を提供する。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は、半導体基板上に塗布された１嶽光材にパター
ン形成する工程において、ホトマスク面に形成する遮光
パターンとして、遮光パターンの内側に、外向に添って
解像されない程度のスリット全形成し、このようなスリ
ットをもつ遮光パターンを用いて微細パターンを形成す
る。
ン形成する工程において、ホトマスク面に形成する遮光
パターンとして、遮光パターンの内側に、外向に添って
解像されない程度のスリット全形成し、このようなスリ
ットをもつ遮光パターンを用いて微細パターンを形成す
る。
く作 用〉
遮光パターンの外向に添って微小スリブ）ｆ設けている
ため、該スリブ）ｋ通過した光は、本来露光を必要とす
る透光性領域にまわり込み、たとえ透光性領域が微細な
ために露光計が少ない場合にも、光砒を補ってホトレジ
ストを露光し、所望のパターンを形成することができる
。
ため、該スリブ）ｋ通過した光は、本来露光を必要とす
る透光性領域にまわり込み、たとえ透光性領域が微細な
ために露光計が少ない場合にも、光砒を補ってホトレジ
ストを露光し、所望のパターンを形成することができる
。
〈実施例〉
第１図は本発明による一実施例のホトマスクパターンを
示し、ガラス等の透明板表面に形成され斜線領域Ａはク
ロム膜等をパターニングして形成した遮光領域である。
示し、ガラス等の透明板表面に形成され斜線領域Ａはク
ロム膜等をパターニングして形成した遮光領域である。
上記遮光領域Ａは図に示す如く、外向から内側に微小距
１礪Δｔだけ入った位置に、遮光膜のない透光性の幅Δ
ノからなるスリットＢが外向を巡って形成されている。
１礪Δｔだけ入った位置に、遮光膜のない透光性の幅Δ
ノからなるスリットＢが外向を巡って形成されている。
ここで発明者が実験によって確認した値としてはΔｔは
０．５μｍ、Δノは０．２μｍ程度に設計した場合にス
リ・ノドを解像することなく遮光領域Ａ及び遮光領域Ｃ
との間で最も良好なパターンを形成することができた。
０．５μｍ、Δノは０．２μｍ程度に設計した場合にス
リ・ノドを解像することなく遮光領域Ａ及び遮光領域Ｃ
との間で最も良好なパターンを形成することができた。
即ち、上記パターンによって露光した場合、隣接する遮
光領域Ａ、Ａｉｆｉ’ｌに位置する透光領域Ｃに照射さ
れた光が透過してホトレジスミＪ光させる。ここでパタ
ーンが微細な場合透光領域Ｃの幅は極めて小さくなり、
従って露光光量も少なくホトレジストを充分に感光させ
得ない事態が生じ、微細パターンの形成に支障が生じる
。しかし上述のように遮光領域の外１曲にスリットＢを
設けることにより、スリットＢを透過した光はまわり込
んで透光領域Ｃの先遣を補充し、パターンの解像度を高
める。
光領域Ａ、Ａｉｆｉ’ｌに位置する透光領域Ｃに照射さ
れた光が透過してホトレジスミＪ光させる。ここでパタ
ーンが微細な場合透光領域Ｃの幅は極めて小さくなり、
従って露光光量も少なくホトレジストを充分に感光させ
得ない事態が生じ、微細パターンの形成に支障が生じる
。しかし上述のように遮光領域の外１曲にスリットＢを
設けることにより、スリットＢを透過した光はまわり込
んで透光領域Ｃの先遣を補充し、パターンの解像度を高
める。
第２図はホトマスクにおける透光領域Ｃの幅を０．７μ
ｍ、０．９μｍとし、スリットがない場合とスＩＪ ＝
ン） Ｂ ’ｉ膜形成た場合の露光時間と現像後におけ
る透光領域Ｃの福との間冷を示し、スリットＢを設けた
場合の方がいずれの線幅においても現像限界値が低く微
５剤加工が可能であることを示している。
ｍ、０．９μｍとし、スリットがない場合とスＩＪ ＝
ン） Ｂ ’ｉ膜形成た場合の露光時間と現像後におけ
る透光領域Ｃの福との間冷を示し、スリットＢを設けた
場合の方がいずれの線幅においても現像限界値が低く微
５剤加工が可能であることを示している。
上記スリットＢを形成したホトマスクを用いて半導体基
板上のホトレジストに対沁するパターンを形成する工程
においては、半導体基板上にポジ型レジストを塗布した
後これを熱処理してホトレジスト１９中に残存する溶剤
を揮発させる。次にホトレジスト膜上に上記スリットＢ
全もつホトマスクを対向させて紫外線等により露光し、
有機溶剤等の現像液を用いてホトレジストを現像し、ホ
ト７スクの・遮光領域Ａ外１ｉ１ｊｌ Ｋ引当するパタ
ーン形成する。
板上のホトレジストに対沁するパターンを形成する工程
においては、半導体基板上にポジ型レジストを塗布した
後これを熱処理してホトレジスト１９中に残存する溶剤
を揮発させる。次にホトレジスト膜上に上記スリットＢ
全もつホトマスクを対向させて紫外線等により露光し、
有機溶剤等の現像液を用いてホトレジストを現像し、ホ
ト７スクの・遮光領域Ａ外１ｉ１ｊｌ Ｋ引当するパタ
ーン形成する。
例えばＬ ＯＧ ＯＳ膜形成前の下地ＳｉＮ／５ｉ０２
上で上記パターン形成方法を適用した場合、スリｌト全
もたない遮光領域のホトマスクによるパターン形成に比
べてＬＯＣＯ５による素子分帷幅を少なくとも０．１〜
０．１５μｍは小さくすることができたｄ。
上で上記パターン形成方法を適用した場合、スリｌト全
もたない遮光領域のホトマスクによるパターン形成に比
べてＬＯＣＯ５による素子分帷幅を少なくとも０．１〜
０．１５μｍは小さくすることができたｄ。
〈効 果〉
以上本発明によれば、簡単な構成を付加することによ゛
り微細パターンの加工が可能になり、半導体装置の一層
の高密度化を図り得る。
り微細パターンの加工が可能になり、半導体装置の一層
の高密度化を図り得る。
第１図は本発明による一実施例を示すホトマスクパター
ン図、第２図は本発明を適用した露光工程時の露光時間
とパターン線幅の関係図である。
ン図、第２図は本発明を適用した露光工程時の露光時間
とパターン線幅の関係図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に被着した感光層をホトマスクを介し
て露光し、現像して感光層にパターンを形成する方法に
おいて、 ホトマスクに形成された遮光部は、遮光部外周から内側
に微少間隔入り込んだ位置に、入り込み量より小さい透
光性スリットを形成してなることを特徴とする半導体装
置のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62306579A JPH01147457A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 半導体装置のパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62306579A JPH01147457A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 半導体装置のパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01147457A true JPH01147457A (ja) | 1989-06-09 |
Family
ID=17958758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62306579A Pending JPH01147457A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 半導体装置のパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01147457A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5115376A (en) * | 1990-01-23 | 1992-05-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ic card ejecting device |
-
1987
- 1987-12-02 JP JP62306579A patent/JPH01147457A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5115376A (en) * | 1990-01-23 | 1992-05-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ic card ejecting device |
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