JPS58204532A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS58204532A JPS58204532A JP57086620A JP8662082A JPS58204532A JP S58204532 A JPS58204532 A JP S58204532A JP 57086620 A JP57086620 A JP 57086620A JP 8662082 A JP8662082 A JP 8662082A JP S58204532 A JPS58204532 A JP S58204532A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- film
- light
- resist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパターン形成方法に関し、詳しくは、友とえは
研気バブルメモリ素子や半導体装置において、少なくと
も２層以上の槓１−徊造を形成するのにとぐに好適な、
パターン形成方法に関する。
研気バブルメモリ素子や半導体装置において、少なくと
も２層以上の槓１−徊造を形成するのにとぐに好適な、
パターン形成方法に関する。
従来、たとえは、基板上に材質や形状の異なる２檜類の
パターンを作製するためには、通常の７オトリソグラフ
イの工程、すなわち、パターン材料の蒸着とフォトエツ
チングの工程を２回縁り返し行なう必要があった。これ
に対しフォトリングラフィ工程を改良し、−回の霧光で
、基板上に材質や形状の異なる２種類のパターンを作製
する方法が提案されている（％開昭５１−１３９２６８
）。
パターンを作製するためには、通常の７オトリソグラフ
イの工程、すなわち、パターン材料の蒸着とフォトエツ
チングの工程を２回縁り返し行なう必要があった。これ
に対しフォトリングラフィ工程を改良し、−回の霧光で
、基板上に材質や形状の異なる２種類のパターンを作製
する方法が提案されている（％開昭５１−１３９２６８
）。
この方法はまず、光に対する透過率が部分的に異なる第
１および第２のパターンとからなるホトマスクを介して
単層のレジスト膜に無光して、光強度が部分的に異なる
光をレジスト膜に照射し、現１象することによシ、上記
マスクパターンに対応した膜厚が部分的に異なる第１お
よび第２のレジストパターンを形成する。この第１およ
び第２のレジストパターンをマスクに用いて上記レジス
トなるパターンを作製することを特徴としている。
１および第２のパターンとからなるホトマスクを介して
単層のレジスト膜に無光して、光強度が部分的に異なる
光をレジスト膜に照射し、現１象することによシ、上記
マスクパターンに対応した膜厚が部分的に異なる第１お
よび第２のレジストパターンを形成する。この第１およ
び第２のレジストパターンをマスクに用いて上記レジス
トなるパターンを作製することを特徴としている。
しかし、上記従来の方法は、単層のレジスト膜を用いる
ため、次に述べる問題がある。すなわち、ホトレジスト
としてポジ型の場合を例に用いて説明すると、レジスト
は、霧光された部分が溶解し、現像後は未露昇部がパタ
ーンとして残る。したがって透過率が互いに異なる、２
種のパターンにより構成されたホトマスクを介しこれを
霧光すると、溶解性領域と半溶解性領域が出来、現像後
、膜厚の異なる２棟のパターンが出来る。この牛溶解性
領域をパターンとして残すための処理条件に、本来のレ
ジスト特性を満足する条件ではないため、安定性、貴現
性、制御性が著しく劣る欠点があった。そのため膜厚が
異なる２棟のパターンを、精度良く得るのは極めて困難
であった。
ため、次に述べる問題がある。すなわち、ホトレジスト
としてポジ型の場合を例に用いて説明すると、レジスト
は、霧光された部分が溶解し、現像後は未露昇部がパタ
ーンとして残る。したがって透過率が互いに異なる、２
種のパターンにより構成されたホトマスクを介しこれを
霧光すると、溶解性領域と半溶解性領域が出来、現像後
、膜厚の異なる２棟のパターンが出来る。この牛溶解性
領域をパターンとして残すための処理条件に、本来のレ
ジスト特性を満足する条件ではないため、安定性、貴現
性、制御性が著しく劣る欠点があった。そのため膜厚が
異なる２棟のパターンを、精度良く得るのは極めて困難
であった。
本発明の目的は上記従来の問題を解決し、−回の露光で
膜厚の異なる２他類のレジストパターン上記目的を達成
するため、本発明は感度が互いに異なる２層のレジスト
膜に、′″／ｆＳ／ｆＳ強度に異なる光を照射して現像
することにより、厚さが部分的に異なるレジストパター
ンを、商い精度で形成するものである。
膜厚の異なる２他類のレジストパターン上記目的を達成
するため、本発明は感度が互いに異なる２層のレジスト
膜に、′″／ｆＳ／ｆＳ強度に異なる光を照射して現像
することにより、厚さが部分的に異なるレジストパター
ンを、商い精度で形成するものである。
以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す工程図である。第１
図（ａ）に示すように、まず被加工層１上に第１のホト
レジスト膜２としてＡＺ１３５０Ｊ（商品名）を０．３
μｍの厚さに塗布する。
図（ａ）に示すように、まず被加工層１上に第１のホト
レジスト膜２としてＡＺ１３５０Ｊ（商品名）を０．３
μｍの厚さに塗布する。
上記第１のホトレジスト族２を低感度化するたり
め１２（１２０分のプｊベークを行なう。低感度化する
他の方法としては、たとえば、感光基の種プリベークに
よって低感度化を行なった。
他の方法としては、たとえば、感光基の種プリベークに
よって低感度化を行なった。
次に中間樹脂膜３として塩化ポリエチレンを１５０ｎｍ
の厚さに塗布する。さらに、第２のホトレジスト膜４と
して、ＡＺ１５０Ｊ を０．３μｍの厚さに塗布する。
の厚さに塗布する。さらに、第２のホトレジスト膜４と
して、ＡＺ１５０Ｊ を０．３μｍの厚さに塗布する。
木だし、この時のプンベーク温度は、通常の感度になる
ように８０Ｃ２０分とした。
ように８０Ｃ２０分とした。
第１図（ｂ）に示すように、光９に対する透過率が互い
に異なる第１のパターン８および第２のパターン７とか
らなる放射線用マスク６を介して上記積層された第１お
よび第２のレジスト膜２．４を露光する。第２のレジス
ト族４の領域４′には、マスク６の透明部分および第１
のパターン８を通過した光によって露光され、感光する
。第１のレジスト族２も同様に露光されるが、第２の膜
４よりも感度が低いため、マスク６の透明部分を通過し
た強度の大きい光によって露光された領域２′は感光す
るが、第１のパターン８を通過した弱い光によって照射
された部分は感光しない。
に異なる第１のパターン８および第２のパターン７とか
らなる放射線用マスク６を介して上記積層された第１お
よび第２のレジスト膜２．４を露光する。第２のレジス
ト族４の領域４′には、マスク６の透明部分および第１
のパターン８を通過した光によって露光され、感光する
。第１のレジスト族２も同様に露光されるが、第２の膜
４よりも感度が低いため、マスク６の透明部分を通過し
た強度の大きい光によって露光された領域２′は感光す
るが、第１のパターン８を通過した弱い光によって照射
された部分は感光しない。
次に第１図（Ｃ）に示すように、第２のレジスト膜４の
感光した領域４′を現像除去する。露出された中間樹脂
膜３を周知の酸素プラズマエツチング法によシ除去する
。
感光した領域４′を現像除去する。露出された中間樹脂
膜３を周知の酸素プラズマエツチング法によシ除去する
。
第１図（ｄ）に示すように第１のレジスト膜２の感光し
た領域２′を現像処理によシ除去して、第１および第２
のレジスト膜２．４による厚さの異なるステップ状のレ
ジストパターンが得られた。
た領域２′を現像処理によシ除去して、第１および第２
のレジスト膜２．４による厚さの異なるステップ状のレ
ジストパターンが得られた。
本実施例ではホトレジストとしてＡＺ１３５０Ｊを用い
たが、他のホトレジスト、例えばＯＭＲ−８３の様なネ
ガ型のレジストにおいても、パターンの構成が逆になる
たけで同様にパターンを形成でき明を適用出来る。
たが、他のホトレジスト、例えばＯＭＲ−８３の様なネ
ガ型のレジストにおいても、パターンの構成が逆になる
たけで同様にパターンを形成でき明を適用出来る。
中間の樹脂膜は、二層のレジスト膜を積層する場合、下
方に形成される第１のレジスト膜が溶解するのを防止す
るために用いられる。すなわち、上記実施レリにおいて
は、第１および第２のレジスト膜として、いずれもＡＺ
１３５０Ｊを用いたが、両者は同じ溶媒に溶解するため
、第２のレジスト膜を塗布する際に、第１のレジスト膜
が溶解してしまう。そのため、ｗｆＪｌのレジストａ上
に中間樹脂膜を設けて、第１のレジスト膜の溶解を防止
するのである。第１および第２のレジスト膜の溶媒に対
する特性がそれぞれ異なるときは、中間樹脂膜を配置し
なくてもよい。
方に形成される第１のレジスト膜が溶解するのを防止す
るために用いられる。すなわち、上記実施レリにおいて
は、第１および第２のレジスト膜として、いずれもＡＺ
１３５０Ｊを用いたが、両者は同じ溶媒に溶解するため
、第２のレジスト膜を塗布する際に、第１のレジスト膜
が溶解してしまう。そのため、ｗｆＪｌのレジストａ上
に中間樹脂膜を設けて、第１のレジスト膜の溶解を防止
するのである。第１および第２のレジスト膜の溶媒に対
する特性がそれぞれ異なるときは、中間樹脂膜を配置し
なくてもよい。
また、第１および第２のレジスト膜は、照射光に対する
感度が互いに異なることが好ましく、たとえばポジ型の
ホトレジストを使用した場合、第２のレジストｍの感度
が、第１のレジスト膜の感度より高いことが好ましい。
感度が互いに異なることが好ましく、たとえばポジ型の
ホトレジストを使用した場合、第２のレジストｍの感度
が、第１のレジスト膜の感度より高いことが好ましい。
以上説明したように、本発明によれば、ステラ Ｃ
良）プ状のレジストパターンを精度良く形成することが
できるので１、磁気バブルメモリ素子や半導体集積回路
において、形状の異なるパターンを槓１１１ｍＬ。
良）プ状のレジストパターンを精度良く形成することが
できるので１、磁気バブルメモリ素子や半導体集積回路
において、形状の異なるパターンを槓１１１ｍＬ。
た構造の形成に極めて有用である。
第１図は本発明の一実施例を示す工程図でおる。 （
′。）１・・・被加工層、２・・・第１のレジスト膜、
３・・・中間樹脂膜、４・・・第２のレジスト族、６・
・・マスク、７・・・第２の（不透明）パターン、８・
・・第１の（半透□ （ＬＬ） １１ 図
′。）１・・・被加工層、２・・・第１のレジスト膜、
３・・・中間樹脂膜、４・・・第２のレジスト族、６・
・・マスク、７・・・第２の（不透明）パターン、８・
・・第１の（半透□ （ＬＬ） １１ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記工程を含むパターン形成方法 （１） 被加工ｊ−上に第１のレジスト膜、樹脂膜お
よび第２のレジスト膜を積層して被着する工程。 （２）上記第１および第２のレジスト膜の所望領域に、
強度が部分的に異なる光を選択的に照射する工程。 （３）上記第２のレジスト膜を現像する工程。 （４）上記樹脂膜の露出された部分を除去する工程。 （５）上記第１のレジスト膜を現像し、厚さが部分的に
異なるレジストパターンを形成する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57086620A JPS58204532A (ja) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57086620A JPS58204532A (ja) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58204532A true JPS58204532A (ja) | 1983-11-29 |
Family
ID=13892061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57086620A Pending JPS58204532A (ja) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58204532A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60103614A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006030971A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-02-02 | Techno Network Shikoku Co Ltd | フォトリソグラフィー方法 |
| JP2007173826A (ja) * | 2005-12-24 | 2007-07-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | デュアル・ダマシン構造を製作する方法 |
| US8148049B2 (en) * | 2006-03-06 | 2012-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head and manufacturing method of the same |
-
1982
- 1982-05-24 JP JP57086620A patent/JPS58204532A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60103614A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006030971A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-02-02 | Techno Network Shikoku Co Ltd | フォトリソグラフィー方法 |
| JP2007173826A (ja) * | 2005-12-24 | 2007-07-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | デュアル・ダマシン構造を製作する方法 |
| US8148049B2 (en) * | 2006-03-06 | 2012-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head and manufacturing method of the same |
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