JPH01147847A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01147847A JPH01147847A JP62306458A JP30645887A JPH01147847A JP H01147847 A JPH01147847 A JP H01147847A JP 62306458 A JP62306458 A JP 62306458A JP 30645887 A JP30645887 A JP 30645887A JP H01147847 A JPH01147847 A JP H01147847A
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- bonding
- lead frame
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本光明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、半導体
素子（チップ）のリードフレームへの実装に関する。
素子（チップ）のリードフレームへの実装に関する。
リードフレームと半導体素子（チップ）との接続方式は
、ワイヤを用いるワイヤボンディング方式と、ワイヤを
用いることなく半導体素子を導体パターン面に直接固着
するワイヤレスボンディング方式とに大別される。
、ワイヤを用いるワイヤボンディング方式と、ワイヤを
用いることなく半導体素子を導体パターン面に直接固着
するワイヤレスボンディング方式とに大別される。
これらのうちワイヤボンディング方式は、第３図に示す
ようなリードフレームのダイパッド１に、第４図に示す
如くチップ２を熱圧着によりあるいは導電性接着剤等に
より固着し、このチップ２のポンディングパッドとリー
ドフレームのインナーリード３の先端とを金線等を用い
て電気的に接続するもので、１木ずつ接続するためボン
ディングに要する時間が長く信頼性の面でも問題があっ
た。
ようなリードフレームのダイパッド１に、第４図に示す
如くチップ２を熱圧着によりあるいは導電性接着剤等に
より固着し、このチップ２のポンディングパッドとリー
ドフレームのインナーリード３の先端とを金線等を用い
て電気的に接続するもので、１木ずつ接続するためボン
ディングに要する時間が長く信頼性の面でも問題があっ
た。
また、ワイヤレスボンディング方式にもいろいろな方式
があるが、その代表的なものの１つに第５図に示す如く
高価なポリイミドテープに銅箔を貼り付けてその後エツ
チングして成るＴＡＢ （タブ： Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ
ｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用パターンを前もって作
っておき、このパターンの先端のバンプ５ａをチップ６
のポンディングパッド６ａに接続し、続いてパターン５
の他端のパッドのないリードフレームのインナーリード
７の先端に接続することによりチップ６のインナーリー
ド７とを電気的に接続するダンプ式ボンディング方式（
バンプ付ＴＡ８方式）がある。上記ダンプ式ボンディン
グは、ワイヤボンディングのように１本づつボンディン
グするのではなく、チップに全てのリードの先端を１度
にボンディングすることができるため、ボンディング時
間の大幅な短縮を図ることができる。しかしながら、高
価なテープを使用してＴＡＢ用パターンを作らなければ
ならず、またＴＡＢ用パターンをチップのポンディング
パッドとインナーリードの先端の２箇所で接続しなけれ
ばならないため、工程数が多い上、ボンディングの信頼
性の低下の原因となっていた。
があるが、その代表的なものの１つに第５図に示す如く
高価なポリイミドテープに銅箔を貼り付けてその後エツ
チングして成るＴＡＢ （タブ： Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ
ｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用パターンを前もって作
っておき、このパターンの先端のバンプ５ａをチップ６
のポンディングパッド６ａに接続し、続いてパターン５
の他端のパッドのないリードフレームのインナーリード
７の先端に接続することによりチップ６のインナーリー
ド７とを電気的に接続するダンプ式ボンディング方式（
バンプ付ＴＡ８方式）がある。上記ダンプ式ボンディン
グは、ワイヤボンディングのように１本づつボンディン
グするのではなく、チップに全てのリードの先端を１度
にボンディングすることができるため、ボンディング時
間の大幅な短縮を図ることができる。しかしながら、高
価なテープを使用してＴＡＢ用パターンを作らなければ
ならず、またＴＡＢ用パターンをチップのポンディング
パッドとインナーリードの先端の２箇所で接続しなけれ
ばならないため、工程数が多い上、ボンディングの信頼
性の低下の原因となっていた。
そこで、本発明台らは上記ダンプ式ボンディングにおけ
る問題点を解決し、実装が容易で信頼性の高い半導体装
置を提供すべくインナーリードの先端に、インナーリー
ドよりも薄くかつその先端にバンプを有したパターンを
一体形成してなるリードフレームを提案している。
る問題点を解決し、実装が容易で信頼性の高い半導体装
置を提供すべくインナーリードの先端に、インナーリー
ドよりも薄くかつその先端にバンプを有したパターンを
一体形成してなるリードフレームを提案している。
ところで従来このようなリードフレームのｉＦＪ ７ｊ
２に際しては、アウターリードの成形後インナーリード
形成予定部先端を薄板状に形成し、更にこの後インナー
リードおよび肉薄のバンプ付パターンをエツチングによ
り形成するという方法がとられている。
２に際しては、アウターリードの成形後インナーリード
形成予定部先端を薄板状に形成し、更にこの後インナー
リードおよび肉薄のバンプ付パターンをエツチングによ
り形成するという方法がとられている。
すなわち、第６図（ａ＞および（ｂ）に示す如く、プレ
ス加工によってリードフレームのアウターリード１０を
形成する際、インナーリード形成予定部先端１２が臨む
箇所にスリット状の逃げ窓１４を形成する。ここで、第
６図（ｂ）は第６図（ａ）のＣ−Ｃ断面を示す図である
。
ス加工によってリードフレームのアウターリード１０を
形成する際、インナーリード形成予定部先端１２が臨む
箇所にスリット状の逃げ窓１４を形成する。ここで、第
６図（ｂ）は第６図（ａ）のＣ−Ｃ断面を示す図である
。
続いて、第６図Ｃに示す如く、上記インナーリード形成
予定部先端１２をコイニングによっテ薄りシ薄肉部１６
を形成する。なお、前記逃げ窓１４は、コイニングの際
に、素材の延びる空間を確保するためのものである。
予定部先端１２をコイニングによっテ薄りシ薄肉部１６
を形成する。なお、前記逃げ窓１４は、コイニングの際
に、素材の延びる空間を確保するためのものである。
この後、第６図（ｄ）および第６図（ｅ）に示す如く（
第６図（ｅ）は第６図（ｄ）のＢ−８断面図）、薄肉部
１６の斜線で示した部分２２をエツチングによって除去
することにインナーリード１８およびバンプ付パターン
２０を形成する。
第６図（ｅ）は第６図（ｄ）のＢ−８断面図）、薄肉部
１６の斜線で示した部分２２をエツチングによって除去
することにインナーリード１８およびバンプ付パターン
２０を形成する。
更に、通常はボンディング性を高めるために第６図（ｆ
）に示す如くバンプ２０ａの表面には金等の負金属メツ
キ層２０ｂが形成されリードフレームが完成する。
）に示す如くバンプ２０ａの表面には金等の負金属メツ
キ層２０ｂが形成されリードフレームが完成する。
そして、このリードフレームを使用して半導体装置を製
造する場合には、第７図に示すように、まずフィルムキ
ャリア８にチップ２を固着し、続いてフィルムキャリア
をリードフレーム上に搬送しチップ２のポンディングパ
ッド２ａとインナーリード１８の先端のバンプ付パター
ン２０のバンプ２０ａとが当接するように両者を接続す
る。
造する場合には、第７図に示すように、まずフィルムキ
ャリア８にチップ２を固着し、続いてフィルムキャリア
をリードフレーム上に搬送しチップ２のポンディングパ
ッド２ａとインナーリード１８の先端のバンプ付パター
ン２０のバンプ２０ａとが当接するように両者を接続す
る。
このようなリードフレームを用いることにより、高価な
テープを使用してバンプ付パターンを作るという工程、
このパターンの他端をインナーリードの先端に接続する
工程等を省略することができる。また接続箇所を低減で
きることによりボンディングの信頼性の向上を図ること
も可能である。
テープを使用してバンプ付パターンを作るという工程、
このパターンの他端をインナーリードの先端に接続する
工程等を省略することができる。また接続箇所を低減で
きることによりボンディングの信頼性の向上を図ること
も可能である。
しかしながら、バンプ付きパターンは極めて薄く形成さ
れるため、リードフレームの形成工程において変形し易
く特にメツキ工程や搬送工程において変形し易い。また
実装に際しても変形による位置ずれが生じ易く、チップ
のポンディングパッドからずれる等のボンディング不良
を生じ易いという問題があった。
れるため、リードフレームの形成工程において変形し易
く特にメツキ工程や搬送工程において変形し易い。また
実装に際しても変形による位置ずれが生じ易く、チップ
のポンディングパッドからずれる等のボンディング不良
を生じ易いという問題があった。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、肉薄のバン
プ付パターンの変形を防止し、信頼性の高い半導体装置
を提供することを目的とする。
プ付パターンの変形を防止し、信頼性の高い半導体装置
を提供することを目的とする。
そこで本発明の方法では、インナーリードの先端に一体
形成される肉薄のバンプ付パターンの先端部が互いに連
結するように連結部を形成しておき、ボンディング終了
後に、前記連結部を切除するようにしている。
形成される肉薄のバンプ付パターンの先端部が互いに連
結するように連結部を形成しておき、ボンディング終了
後に、前記連結部を切除するようにしている。
上記方法によれば、バンプ付パターンは肉薄であるにも
かかわらず、バンプ付パターンの先端が互いに補強固定
されているため、バンプ付パターンの間隔のずれ等が防
止され、精度良くボンディングすることが可能となり信
頼性が向上する。
かかわらず、バンプ付パターンの先端が互いに補強固定
されているため、バンプ付パターンの間隔のずれ等が防
止され、精度良くボンディングすることが可能となり信
頼性が向上する。
また、この連結部は肉薄であるため、切除も容易であり
、実装作業性が向上する。
、実装作業性が向上する。
望ましくは、この連結部はバンプ付パターンの先端に各
パターンに対して垂直となるように一体的に連結するリ
ング状体とし、これとバンプ付パターンとの境界部に切
欠を形成してお（ようにすれば、極めて容易に切除する
ことができる。
パターンに対して垂直となるように一体的に連結するリ
ング状体とし、これとバンプ付パターンとの境界部に切
欠を形成してお（ようにすれば、極めて容易に切除する
ことができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。
説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）は、本発明実施例の方法で用
いられるリードフレームを示す図である。
いられるリードフレームを示す図である。
ここで第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ断面を示す
図である。
図である。
このリードフレームは、各インナーリード１８の先端に
夫々一体形成された肉薄のバンプ付パターン２０の先端
を連結する肉薄のリング状体３０を更に一体形成してな
るもので、他は第６図（ｄ）に示した従来のリードフレ
ームと同様である。なお、第６図（ｄ）と同一の構成部
材には同−記丹を付した。
夫々一体形成された肉薄のバンプ付パターン２０の先端
を連結する肉薄のリング状体３０を更に一体形成してな
るもので、他は第６図（ｄ）に示した従来のリードフレ
ームと同様である。なお、第６図（ｄ）と同一の構成部
材には同−記丹を付した。
このリング状体３０は、中央に形成された支持パターン
３１から４方に延設された補助パターン３２を一体的に
具備しており、バンプ付パターン２０の先端との境界に
は切欠３３が形成されて、支持パターン３１に引っ張り
力を与えることにより、切欠３３の部分から切り離すこ
とができるようになっている。
３１から４方に延設された補助パターン３２を一体的に
具備しており、バンプ付パターン２０の先端との境界に
は切欠３３が形成されて、支持パターン３１に引っ張り
力を与えることにより、切欠３３の部分から切り離すこ
とができるようになっている。
このリードフレームの製造に際しては、第６図（ａ）乃
至第６図（ｆ）と共に示した従来の方法と全く同様にす
ればよいが、インナーリード１８およびバンプ付パター
ン２０をエツチングによって形成する際、エツチング用
マスクを変更し、リング状体３０および切欠３３をも同
時に形成するようにする。
至第６図（ｆ）と共に示した従来の方法と全く同様にす
ればよいが、インナーリード１８およびバンプ付パター
ン２０をエツチングによって形成する際、エツチング用
マスクを変更し、リング状体３０および切欠３３をも同
時に形成するようにする。
次に、このリードフレームを用いた半導体装置の実装方
法について説明する。
法について説明する。
まず、フィルムキャリア８上に半導体チップ２を載置し
てリードフレーム上まで搬送し、第２図（ａ）に示す如
く、半導体チップ２のポンディングパッド２ａと各バン
プ付パターン２０とが符合するように位置決めを行ない
ボンダーＢによってバンプ付パターン２０を加熱しつつ
押圧し直接接合する。このときボンダーＢがバンプ付パ
ターン２０を加熱押圧している間に、反対側から支持パ
ターン３１に引っ張り力を与えてリング状体をバンプ付
パターン２０の先端から切除し、バンプ付パターン２０
を個々にに分割した後、ホンダ−８がバンプ付パターン
から離れるようにする。
てリードフレーム上まで搬送し、第２図（ａ）に示す如
く、半導体チップ２のポンディングパッド２ａと各バン
プ付パターン２０とが符合するように位置決めを行ない
ボンダーＢによってバンプ付パターン２０を加熱しつつ
押圧し直接接合する。このときボンダーＢがバンプ付パ
ターン２０を加熱押圧している間に、反対側から支持パ
ターン３１に引っ張り力を与えてリング状体をバンプ付
パターン２０の先端から切除し、バンプ付パターン２０
を個々にに分割した後、ホンダ−８がバンプ付パターン
から離れるようにする。
そして最後に、タイバーおよびサイドバーを切除し、所
望の形状に曲げ成形した後、樹脂ケースＰ内に封止し、
第２図（ｂ）に示す如く半導体装置が完成される。
望の形状に曲げ成形した後、樹脂ケースＰ内に封止し、
第２図（ｂ）に示す如く半導体装置が完成される。
このようにして形成された半導体装置はボンディングの
位置ずれもなく、極めて信頼性の高いものとなる。
位置ずれもなく、極めて信頼性の高いものとなる。
また、連結部としてのリング状体は肉薄でかつ各バンプ
付パターンの１辺を切り離せば切除できるため、実装作
業性も極めて良好である。
付パターンの１辺を切り離せば切除できるため、実装作
業性も極めて良好である。
なお、実施例では連結部をリング状に形成したが、形状
および連結箇所については適合変更可能である。
および連結箇所については適合変更可能である。
以上説明してきたように、本発明の方法によれば、イン
ナーリードの先端に一体形成される肉薄のバンプ付パタ
ーンの先端部が互いに連結するように連結部を形成して
おき、ダンプ式ボンディング法により直接ボンディング
の終了後に、前記連結部を切除するようにしているため
、位置ずれもなく極めて信頼性の高い半導体装置を形成
することが可能となる。
ナーリードの先端に一体形成される肉薄のバンプ付パタ
ーンの先端部が互いに連結するように連結部を形成して
おき、ダンプ式ボンディング法により直接ボンディング
の終了後に、前記連結部を切除するようにしているため
、位置ずれもなく極めて信頼性の高い半導体装置を形成
することが可能となる。
また、製造作業性も極めて高いものとなる。
第１図（ａ）および第１図（ｂ）は、本発明実施例の方
法で用いられるリードフレームの平面図および断面図、
第２図（ａ）および第２図（ｂ）は第１図のリードフレ
ームを用いた本発明の半導体装置の製造工程図、第３図
乃至第５図は、従来のボンディング方式を示す説明図、
第６図（ａ）乃至第６図（ｆ）は、本発明者らの作成し
た従来のリードフレームの製造工程図、第７図は、第６
図で形成したリードフレームを用いた実装工程を示す説
明図である。 １・・・ダイパッド、２，６・・・チップ、２ａ・・・
ポンディングパッド、３，７．１８・・・インナーリー
ド、５ａ・・・バンプ、８・・・フィルムキャリア、１
０・・・アウターリード、１２・・・インナーリード形
成予定部先端、１４・・・逃げ窓、２０・・・バンプ付
パターン、２０ａ・・・ハンプ、３０・・・リング状体
、３１・・・支持パターン、３２・・・補助パターン、
３３・・・切欠、Ｂ・・・ボンダー。 第２図（ｂ） 第３図 第４図 ζ 第５図 第６図（α） 第６図（ｂ） 第６図（Ｃ） 第６図（ｄ） ２９α １１ｊ 第６図（ｆ）
法で用いられるリードフレームの平面図および断面図、
第２図（ａ）および第２図（ｂ）は第１図のリードフレ
ームを用いた本発明の半導体装置の製造工程図、第３図
乃至第５図は、従来のボンディング方式を示す説明図、
第６図（ａ）乃至第６図（ｆ）は、本発明者らの作成し
た従来のリードフレームの製造工程図、第７図は、第６
図で形成したリードフレームを用いた実装工程を示す説
明図である。 １・・・ダイパッド、２，６・・・チップ、２ａ・・・
ポンディングパッド、３，７．１８・・・インナーリー
ド、５ａ・・・バンプ、８・・・フィルムキャリア、１
０・・・アウターリード、１２・・・インナーリード形
成予定部先端、１４・・・逃げ窓、２０・・・バンプ付
パターン、２０ａ・・・ハンプ、３０・・・リング状体
、３１・・・支持パターン、３２・・・補助パターン、
３３・・・切欠、Ｂ・・・ボンダー。 第２図（ｂ） 第３図 第４図 ζ 第５図 第６図（α） 第６図（ｂ） 第６図（Ｃ） 第６図（ｄ） ２９α １１ｊ 第６図（ｆ）
Claims (1)
- 各インナーリードの先端に、インナーリードよりも薄
くかつその先端にバンプを有すると共に先端を連結部に
よつて互いに連結されてなるダンプ式ボンディング用の
パターンを一体的に形成したリードフレームを形成する
リードフレーム形成工程と、前記リードフレームの前記
パターンに対し半導体チップを直接接合するボンディン
グ工程と、前記リードフレームの連結部を切除し、各パ
ターンを分離する分離工程とを含むようにしたことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62306458A JPH0770664B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62306458A JPH0770664B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01147847A true JPH01147847A (ja) | 1989-06-09 |
| JPH0770664B2 JPH0770664B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=17957250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62306458A Expired - Fee Related JPH0770664B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770664B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01305552A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-08 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4912794A (ja) * | 1972-05-11 | 1974-02-04 |
-
1987
- 1987-12-03 JP JP62306458A patent/JPH0770664B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4912794A (ja) * | 1972-05-11 | 1974-02-04 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01305552A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-08 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770664B2 (ja) | 1995-07-31 |
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Legal Events
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