JPH01149243A - ディスク状光記録媒体の製造方法および製造用フォトマスク - Google Patents
ディスク状光記録媒体の製造方法および製造用フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH01149243A JPH01149243A JP62307127A JP30712787A JPH01149243A JP H01149243 A JPH01149243 A JP H01149243A JP 62307127 A JP62307127 A JP 62307127A JP 30712787 A JP30712787 A JP 30712787A JP H01149243 A JPH01149243 A JP H01149243A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- memory element
- optical memory
- photoresist
- light transmittance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/913—Material designed to be responsive to temperature, light, moisture
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、情報の記録、再生、消去のうちの少なくとも
一つを行うことのできる光メモリ素子の製造方法、並び
に、この光メモリ素子の製造に直接使用される光メモリ
素子製造用フォトマスクに関するものである。
一つを行うことのできる光メモリ素子の製造方法、並び
に、この光メモリ素子の製造に直接使用される光メモリ
素子製造用フォトマスクに関するものである。
近年、レーザー光を用いて情報の再生などを行う、いわ
ゆる光ディスクの開発が盛んに行われている。光ディス
クは、例えば、ポリカーボネートやアクリル樹脂などの
プラスチック基板上に記録媒体の薄膜が蒸着され、この
上に保護材が密着形成されてなるものであり、プレーヤ
ー上で回転しながら直径１μｍ程度に収束されたレーザ
ー光のスポットが照射される・ことにより、情報の記録
、再生、消去が行われるようになっている。
ゆる光ディスクの開発が盛んに行われている。光ディス
クは、例えば、ポリカーボネートやアクリル樹脂などの
プラスチック基板上に記録媒体の薄膜が蒸着され、この
上に保護材が密着形成されてなるものであり、プレーヤ
ー上で回転しながら直径１μｍ程度に収束されたレーザ
ー光のスポットが照射される・ことにより、情報の記録
、再生、消去が行われるようになっている。
ところで、光ディスクの回転時には、この光ディスクの
１反り”や、回転モーターの“芯振れ”に起因して光デ
イスク上のトラックは回転モータ−の軸方向および半径
方向に振動しがちとなり、このままでは、上記スポット
がトラックに正確に追従できなくなる。これは、光デイ
スク上のトラックピッチが１．６μｍ程度というように
、極めて狭いということにも起因している。
１反り”や、回転モーターの“芯振れ”に起因して光デ
イスク上のトラックは回転モータ−の軸方向および半径
方向に振動しがちとなり、このままでは、上記スポット
がトラックに正確に追従できなくなる。これは、光デイ
スク上のトラックピッチが１．６μｍ程度というように
、極めて狭いということにも起因している。
このため、光デイスク装置には、光ディスクの振動を検
知し、上記トラックに沿って記録された信号ピットに対
し上記レーザー光のスポットを自動的に追従させるため
のシステム、いわゆるサーボシステムを備えるのが通例
になっている。サーボシステムとしては、連続サーボ方
式やサンプルドサーボ方式が知られている。
知し、上記トラックに沿って記録された信号ピットに対
し上記レーザー光のスポットを自動的に追従させるため
のシステム、いわゆるサーボシステムを備えるのが通例
になっている。サーボシステムとしては、連続サーボ方
式やサンプルドサーボ方式が知られている。
連続サーボ方式は、光デイスク上に螺旋状または同心円
状にグループ（溝）を形成し、このグループに沿ってス
ポットを追従させる方式である。
状にグループ（溝）を形成し、このグループに沿ってス
ポットを追従させる方式である。
一方、サンプルドサーボ方式は、光ディスクの表面に不
連続状にピットを設け、このピットによってスポットを
追従させる方式である。
連続状にピットを設け、このピットによってスポットを
追従させる方式である。
サンプルドサーボ方式にかかる光デイスク上には、第５
図に示すように、トラック中心線１に対して左右に交互
に配された千鳥状のピント（ウォブルピット） ２・３
と、トラック中心線１上に配されたクロックピット４と
が設けられている。上記スポットがトラック中心線１に
沿って移動している場合には、第６図に示すように、左
側のピット２を通過した際の信号強度と、右側のピット
３を通過した際の信号強度とが一致することになる。一
方、スポットがトラック中心線１からずれて移動した場
合には、上記両信号強度に偏りが生じることになる。従
って、第７図に示すように、信号処理回路１２にて両信
号の強度差を検出すれば、スポットがトラック中心線１
からどの方向にどれだけ離れているかを示す信号（ラジ
アル誤差信号）を得ることができ、この信号によってラ
ジアル方向のサーボを行うことが可能となる。なお、サ
ンプリングのタイミングは上記のクロックピット３によ
り生成されるようになっている。また、フォーカス方向
のサーボについては、第５図におけるＡ矢示部にスポッ
トが位置したときの信号をサンプリングすることによっ
て行われる。なお、この場合も、サンプリングのタイミ
ングは上記のクロックピット３により生成される。
図に示すように、トラック中心線１に対して左右に交互
に配された千鳥状のピント（ウォブルピット） ２・３
と、トラック中心線１上に配されたクロックピット４と
が設けられている。上記スポットがトラック中心線１に
沿って移動している場合には、第６図に示すように、左
側のピット２を通過した際の信号強度と、右側のピット
３を通過した際の信号強度とが一致することになる。一
方、スポットがトラック中心線１からずれて移動した場
合には、上記両信号強度に偏りが生じることになる。従
って、第７図に示すように、信号処理回路１２にて両信
号の強度差を検出すれば、スポットがトラック中心線１
からどの方向にどれだけ離れているかを示す信号（ラジ
アル誤差信号）を得ることができ、この信号によってラ
ジアル方向のサーボを行うことが可能となる。なお、サ
ンプリングのタイミングは上記のクロックピット３によ
り生成されるようになっている。また、フォーカス方向
のサーボについては、第５図におけるＡ矢示部にスポッ
トが位置したときの信号をサンプリングすることによっ
て行われる。なお、この場合も、サンプリングのタイミ
ングは上記のクロックピット３により生成される。
さて、このような光ディスク（光メモリ素子）において
、その製造方法としては、ポリカーボネートやアクリル
樹脂などのプラスチックを射出成型によって製造する方
法、若しくは、いわゆる連続サーボ方式光ディスクの製
造に用いられている方法であって、ガラス基板にピット
またはグループを直接加工する方法が提案されている。
、その製造方法としては、ポリカーボネートやアクリル
樹脂などのプラスチックを射出成型によって製造する方
法、若しくは、いわゆる連続サーボ方式光ディスクの製
造に用いられている方法であって、ガラス基板にピット
またはグループを直接加工する方法が提案されている。
後者の方法は、例えば、第８図（ａ）（ｂ）に示すよう
に、ガラス基板５上にフォトレジスト６を塗布する。次
に、同図（ｅ）に示すように、所望のパターンを形成し
ておいたフォトマスク７をフォトレジスト６上に密着さ
せ、上記フォトマスク７上から露光を行いフォトレジス
ト６に上記パターンを焼き付けた後、同図（ｄ）に示す
ように、現像して転写し、−フォトレジストパターン６
′を得る。次いで、同図（ｅ）に示すように、エラ、チ
ングを施した後、同図（ｆ）に示すように、フォトレジ
ストパターン６′を除去し、所望のパターンを表面上の
凹凸として有するガラス基板５を得る。従って、例えば
、このようにして形成されたグループ１１はガラス基板
５の表面上において他の部分に対し凹状に形成される。
に、ガラス基板５上にフォトレジスト６を塗布する。次
に、同図（ｅ）に示すように、所望のパターンを形成し
ておいたフォトマスク７をフォトレジスト６上に密着さ
せ、上記フォトマスク７上から露光を行いフォトレジス
ト６に上記パターンを焼き付けた後、同図（ｄ）に示す
ように、現像して転写し、−フォトレジストパターン６
′を得る。次いで、同図（ｅ）に示すように、エラ、チ
ングを施した後、同図（ｆ）に示すように、フォトレジ
ストパターン６′を除去し、所望のパターンを表面上の
凹凸として有するガラス基板５を得る。従って、例えば
、このようにして形成されたグループ１１はガラス基板
５の表面上において他の部分に対し凹状に形成される。
このような方法において、上記のフォトマスク７には高
光透過率部と低光透過率部とが形成されているが、この
うち高光透過率部はピットやグループの形成箇所に対応
し、低光透過率部はピットやグループの非形成箇所に対
応している。これは、光ディスクに要求される高解像度
（およそサブミクロン単位）を保有するレジストが、ポ
ジタイプに限定されるからである。すなわち、ピットを
形成する部分には現像後にレジストが残存してはならな
いからであり、かかるポジタイプのレジストでピット形
成を行おうとすると、この形成箇所に対応する部位は、
フォトマスク７においては高光透過率部としなくてはな
らないからである。もう一つの理由は、上記フォトマス
ク７の製造方法に関連している。フォトマスク７を製造
するには、第９図（ａ）に示すように、透明基板８上に
金成膜９を形成した後、同図（ｂ）に示すように、この
金属膜９上にフォトレジスト１０を塗布する、次に、同
図（ｃ）に示すように、レーザー光ヲ照射して所望のパ
ターンを記録する。その後、同図（ｄ）に示すように、
現像を行ってフォトレジストパターン１０′を形成した
うえで上記金属膜９のエツチングを施し、同図（ｅ）に
示すように、所望の金属膜パターン９′を得る。そして
、同図（ｆ）に示すように、フォトレジストパターン１
０’を除去して前記のフォトマスク７を得る。
光透過率部と低光透過率部とが形成されているが、この
うち高光透過率部はピットやグループの形成箇所に対応
し、低光透過率部はピットやグループの非形成箇所に対
応している。これは、光ディスクに要求される高解像度
（およそサブミクロン単位）を保有するレジストが、ポ
ジタイプに限定されるからである。すなわち、ピットを
形成する部分には現像後にレジストが残存してはならな
いからであり、かかるポジタイプのレジストでピット形
成を行おうとすると、この形成箇所に対応する部位は、
フォトマスク７においては高光透過率部としなくてはな
らないからである。もう一つの理由は、上記フォトマス
ク７の製造方法に関連している。フォトマスク７を製造
するには、第９図（ａ）に示すように、透明基板８上に
金成膜９を形成した後、同図（ｂ）に示すように、この
金属膜９上にフォトレジスト１０を塗布する、次に、同
図（ｃ）に示すように、レーザー光ヲ照射して所望のパ
ターンを記録する。その後、同図（ｄ）に示すように、
現像を行ってフォトレジストパターン１０′を形成した
うえで上記金属膜９のエツチングを施し、同図（ｅ）に
示すように、所望の金属膜パターン９′を得る。そして
、同図（ｆ）に示すように、フォトレジストパターン１
０’を除去して前記のフォトマスク７を得る。
かかるフォトマスク７の製造工程においては、上記フォ
トレジスト１０も当然に高解像度のものでなくてはなら
ず、従って、ポジタイプのものが適用される。このため
、ピットやグループ１１の形成箇所に対応する部位は、
フォトマスク７においては、必然的に高光透過率部とな
っている。
トレジスト１０も当然に高解像度のものでなくてはなら
ず、従って、ポジタイプのものが適用される。このため
、ピットやグループ１１の形成箇所に対応する部位は、
フォトマスク７においては、必然的に高光透過率部とな
っている。
なお、以上のようにして得られた前記ガラス基板５上に
、情報の記録、再生、および消去などを行うことのでき
る記録媒体、例えば、結晶とアモルファスの相転移を利
用した材料や、垂直磁化を利用した光磁気材料からなる
記録媒体を形成することにより光メモリ素子が得られる
。また、光メモリ素子において上記ガラス基ＪＩｉ５が
用いられると、ガラス自体が吸湿性や気体の透過率が低
いことにより、上記記録媒体に生じる経時的劣化が抑制
され信頼性の高い光メモリ素子を得るこきかで′きる。
、情報の記録、再生、および消去などを行うことのでき
る記録媒体、例えば、結晶とアモルファスの相転移を利
用した材料や、垂直磁化を利用した光磁気材料からなる
記録媒体を形成することにより光メモリ素子が得られる
。また、光メモリ素子において上記ガラス基ＪＩｉ５が
用いられると、ガラス自体が吸湿性や気体の透過率が低
いことにより、上記記録媒体に生じる経時的劣化が抑制
され信頼性の高い光メモリ素子を得るこきかで′きる。
（発明が解決しようとする問題点〕
ところで、上記のフォトマスク７を、前記ガラス基板５
上に塗布されたフォトレジスト６に密着させる際には、
かかる密着が適正に行われているか否かをフォトマスク
７の上から肉眼で見て判断する必要がある。もし、塵や
埃がフォトマスク７とフォトレジスト６との間に挟まっ
ていると、密着させたときに、光の干渉によってフリン
ジが生じるのが観察できる。フリンジが生じた基板をそ
のまま露光すると、上記フリンジが生じている部分のピ
ットやグループの形成に不具合を生じ、光ディスクの各
種サーボや再生信号に悪影響を与えることになる。
上に塗布されたフォトレジスト６に密着させる際には、
かかる密着が適正に行われているか否かをフォトマスク
７の上から肉眼で見て判断する必要がある。もし、塵や
埃がフォトマスク７とフォトレジスト６との間に挟まっ
ていると、密着させたときに、光の干渉によってフリン
ジが生じるのが観察できる。フリンジが生じた基板をそ
のまま露光すると、上記フリンジが生じている部分のピ
ットやグループの形成に不具合を生じ、光ディスクの各
種サーボや再生信号に悪影響を与えることになる。
すなわち、上記密着適正検査が確実に行えるか否かが、
光デイスク製造の重要ポイントになっているのであるが
、連続サーボ方式の光ディスクの製造においては、フォ
トマスク７における高光透過率部が比較的多いことによ
り上記の検査が比較的容易であるのに対し、サンプルド
サーボ方式の光ディスクでは、フォトマスク７における
高光透過率部が前記千鳥状のピット２・３・・・やクロ
ックピット４・・・に対応する箇所のみであるからフォ
トマスク全体としての光透過度合が低く、上記検査が困
難である。このため、塵などがあってもこれを発見でき
ず、また、密着が完全に行われているか否かの確認が不
十分となり、不良の光ディスクを製造しがちになるとい
う問題を招来していた。
光デイスク製造の重要ポイントになっているのであるが
、連続サーボ方式の光ディスクの製造においては、フォ
トマスク７における高光透過率部が比較的多いことによ
り上記の検査が比較的容易であるのに対し、サンプルド
サーボ方式の光ディスクでは、フォトマスク７における
高光透過率部が前記千鳥状のピット２・３・・・やクロ
ックピット４・・・に対応する箇所のみであるからフォ
トマスク全体としての光透過度合が低く、上記検査が困
難である。このため、塵などがあってもこれを発見でき
ず、また、密着が完全に行われているか否かの確認が不
十分となり、不良の光ディスクを製造しがちになるとい
う問題を招来していた。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本第１発明に係る光メモリ素子の製造方法は、上記の問
題点を解決するために、光メモリ素子の製造方法におい
て、ガラス基板上に塗布されたポジタイプのフォトレジ
ストを露光する際、ピット形成部分を除く部分に光を照
射し得るフォトマスクにて上記フォトレジストを現像液
に対して可溶化した後これを除去し、次いで、エツチン
グを施して上記ガラス基板の表面にガラスの凹凸として
直接にピットを形成することを特徴としている。
題点を解決するために、光メモリ素子の製造方法におい
て、ガラス基板上に塗布されたポジタイプのフォトレジ
ストを露光する際、ピット形成部分を除く部分に光を照
射し得るフォトマスクにて上記フォトレジストを現像液
に対して可溶化した後これを除去し、次いで、エツチン
グを施して上記ガラス基板の表面にガラスの凹凸として
直接にピットを形成することを特徴としている。
また、本第２発明に係る光メモリ素子製造用フォトマス
クは、ピントを形成するための部分がその他の部分に比
べ、露光用の光に対して光透過率が低く設定されており
、且つ、この低光透過率部が透明基板内に一部、若しく
は蚕でか埋め込まれた状態で設けられたことを特徴とし
ている。
クは、ピントを形成するための部分がその他の部分に比
べ、露光用の光に対して光透過率が低く設定されており
、且つ、この低光透過率部が透明基板内に一部、若しく
は蚕でか埋め込まれた状態で設けられたことを特徴とし
ている。
上記第１発明の構成によれば、ガラス基板上に塗布され
たポジタイプのフォトレジストを露光する際、ピット形
成部分を除く部分に光を照射し得るフォトマスク、すな
わち、全体としての光透過度合が高いフォトマスクを使
用するので、このフォトマスクをフォトレジストに密着
させたときの密着適正検査を確実に行うことができ、高
品質の光メモリ素子を製造することができる。さらに、
かかる光メモリ素子の製造方法によれば、上記ガラス基
板の表面上には、ピットが非ビット部に対し凸状に形成
されることになる。従って、この凸状ピットによってト
ラックサーボやフォーカスサーボが確実に行われること
になる。
たポジタイプのフォトレジストを露光する際、ピット形
成部分を除く部分に光を照射し得るフォトマスク、すな
わち、全体としての光透過度合が高いフォトマスクを使
用するので、このフォトマスクをフォトレジストに密着
させたときの密着適正検査を確実に行うことができ、高
品質の光メモリ素子を製造することができる。さらに、
かかる光メモリ素子の製造方法によれば、上記ガラス基
板の表面上には、ピットが非ビット部に対し凸状に形成
されることになる。従って、この凸状ピットによってト
ラックサーボやフォーカスサーボが確実に行われること
になる。
また、上記第２発明の構成によれば、光透過率の低い部
分は、上記ピットを形成するための部分であり、その他
の部分は光透過率の高い部分であるから、フォトマスク
全体としての光透過度合は格段に増大される。従って、
かかるフォトマスクをガラス基板上のフォトレジストに
密着させたとき、これらの間に挟まった塵などによるフ
リンジが明瞭に観察され、不良品の発生を未然に防止す
ることが可能となる。そのうえ、低光透過率部が透明基
板内に一部、若しくは全てが埋め込まれた状態で設けら
れているから、上記低光透過率部が透明基板の表面上か
ら単に突出して形成されたち−のに比べると、この低光
透過率部の疵付きや破損が低減されるから取り扱いが容
易になるとともに、信願性が格段に向上されることにな
る。
分は、上記ピットを形成するための部分であり、その他
の部分は光透過率の高い部分であるから、フォトマスク
全体としての光透過度合は格段に増大される。従って、
かかるフォトマスクをガラス基板上のフォトレジストに
密着させたとき、これらの間に挟まった塵などによるフ
リンジが明瞭に観察され、不良品の発生を未然に防止す
ることが可能となる。そのうえ、低光透過率部が透明基
板内に一部、若しくは全てが埋め込まれた状態で設けら
れているから、上記低光透過率部が透明基板の表面上か
ら単に突出して形成されたち−のに比べると、この低光
透過率部の疵付きや破損が低減されるから取り扱いが容
易になるとともに、信願性が格段に向上されることにな
る。
本発明の一実施例を第１図ないし第４図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。
すれば、以下の通りである。
光メモリ素子製造用フォトマスク１５は、第１図に示す
ように、露光用の光に対して光透過率の高い高光透過率
部としての透明基板１６と、露光用の光に対して光透過
率の低い低光透過率部としての金属膜パターン１７′と
で構成されいる。金属膜パターン１７′は、ピットを形
成するための部分、すなわち、後述のガラス基板１９上
に形成されるピット２１・・・のパターンに対応した部
分であり、上記の透明基板１６内に全てが埋め込まれた
状態で設けられている。勿論、この金属膜パターン１７
’は、透明基板１６内に一部が埋め込まれた状態で設け
られたものであってもよい。
ように、露光用の光に対して光透過率の高い高光透過率
部としての透明基板１６と、露光用の光に対して光透過
率の低い低光透過率部としての金属膜パターン１７′と
で構成されいる。金属膜パターン１７′は、ピットを形
成するための部分、すなわち、後述のガラス基板１９上
に形成されるピット２１・・・のパターンに対応した部
分であり、上記の透明基板１６内に全てが埋め込まれた
状態で設けられている。勿論、この金属膜パターン１７
’は、透明基板１６内に一部が埋め込まれた状態で設け
られたものであってもよい。
このような構成をなすフォトマスク１５においては、光
透過率の低い部分は、上記ピット２１・・・を形成する
ための部分だけであり、その他の部分は光透過率の高い
部分である。従って、フォトマスク１５全体としての光
透過度合は格段に増大されることになる。さらに、かか
るフォトマスク１５は、低光透過率部である金属膜パタ
ーン１７’が透明基板１６内に一部、若しくは全てが埋
め込まれた状態で設けられているから、金属膜パターン
１７′が透明基板１６の表面上から単に突出して形成さ
れたものに比べると、この金属膜パターン１７′の疵付
きや破損が低減されるから取り扱いが容易になるととも
に、信顛性が格段に向上されることになる。
透過率の低い部分は、上記ピット２１・・・を形成する
ための部分だけであり、その他の部分は光透過率の高い
部分である。従って、フォトマスク１５全体としての光
透過度合は格段に増大されることになる。さらに、かか
るフォトマスク１５は、低光透過率部である金属膜パタ
ーン１７’が透明基板１６内に一部、若しくは全てが埋
め込まれた状態で設けられているから、金属膜パターン
１７′が透明基板１６の表面上から単に突出して形成さ
れたものに比べると、この金属膜パターン１７′の疵付
きや破損が低減されるから取り扱いが容易になるととも
に、信顛性が格段に向上されることになる。
上記の光メモリ素子製造用フォトマスク１５を製造する
には、第２図（ａ）に示すように、ガラスや石英などの
上記透明基板１６上にポジタイプのフォトレジスト１８
を塗布した後、同図（ｂ）に示すように、このフォトレ
ジスト１８にレーザー光を照射して所望のパターン、例
えば、サンプルドフォーマットのパターンにカッティン
グする。次いで、同図（Ｃ）に示すように、これを現像
してフォトレジストパターン１８′を形成した後、同図
（ｄ）に示すように、エツチングを施して透明基板１６
上に凹凸を形成する。かかるエツチングは、フン酸溶液
やその緩衝溶液などを用いた、いわゆるウェットエツチ
ングによってもよく、また、ＣＦ、やＣＨＦ、などのガ
スを放電によってプラズマ化し、こめプラズマによって
エツチングを行う、いわゆるドライエツチングによって
もよく、何れによるかは問わないものである。次に、同
図（ｅ）に示すように、適当な金属膜（例えば、７’ａ
、’ｒｔ、Ｃｒなど）１７・・・を蒸着またはスパッタ
リングによって形成する。金属膜１７・・・は、上記フ
ォトレジストパターン１８′上においてはこのフォトレ
ジストパターン１８′を覆うように形成される一方、上
記エツチングによって形成された凹部においては、この
凹部中に埋め込まれるようにして形成される。次に、同
図（ｆ）に示すように、適当な溶剤、若しくは剥離剤に
て上記フォトレジストパターン１８′を除去してフォト
マスク１５を得る。なお、上記のフォトレジストパター
ン１８′を除去した際には、このフォトレジストパター
ン１８′上の金属膜１７・・・も同時に除去されるから
、この除去された部分が高光透過率部となり、一方、上
記凹部に埋設された金属膜１７・・・はそのまま残るの
で、この金属膜１７・・・で金属膜パターン１７′が形
成され、これにより低光透過率部が形成される。
には、第２図（ａ）に示すように、ガラスや石英などの
上記透明基板１６上にポジタイプのフォトレジスト１８
を塗布した後、同図（ｂ）に示すように、このフォトレ
ジスト１８にレーザー光を照射して所望のパターン、例
えば、サンプルドフォーマットのパターンにカッティン
グする。次いで、同図（Ｃ）に示すように、これを現像
してフォトレジストパターン１８′を形成した後、同図
（ｄ）に示すように、エツチングを施して透明基板１６
上に凹凸を形成する。かかるエツチングは、フン酸溶液
やその緩衝溶液などを用いた、いわゆるウェットエツチ
ングによってもよく、また、ＣＦ、やＣＨＦ、などのガ
スを放電によってプラズマ化し、こめプラズマによって
エツチングを行う、いわゆるドライエツチングによって
もよく、何れによるかは問わないものである。次に、同
図（ｅ）に示すように、適当な金属膜（例えば、７’ａ
、’ｒｔ、Ｃｒなど）１７・・・を蒸着またはスパッタ
リングによって形成する。金属膜１７・・・は、上記フ
ォトレジストパターン１８′上においてはこのフォトレ
ジストパターン１８′を覆うように形成される一方、上
記エツチングによって形成された凹部においては、この
凹部中に埋め込まれるようにして形成される。次に、同
図（ｆ）に示すように、適当な溶剤、若しくは剥離剤に
て上記フォトレジストパターン１８′を除去してフォト
マスク１５を得る。なお、上記のフォトレジストパター
ン１８′を除去した際には、このフォトレジストパター
ン１８′上の金属膜１７・・・も同時に除去されるから
、この除去された部分が高光透過率部となり、一方、上
記凹部に埋設された金属膜１７・・・はそのまま残るの
で、この金属膜１７・・・で金属膜パターン１７′が形
成され、これにより低光透過率部が形成される。
このようなフォトマスク１５を用いて光メモリ素子を製
造するには、第３図（ａ）に示すように、ガラス基板１
９上にフォトレジスト２０を塗布した後、同図（ｂ）に
示すように、このフォトレジスト２０に前記のフォトマ
スク１５を密着させ、このフォトマスク１５の上から光
を照射して露光する。従って、ピット２１・・・形成部
分を除（部分にのみ光が照射され、この部分のフォトレ
ジスト２０が現像液に対して可溶化する。また、フォト
マスク１５は、前述のように、全体としての光透過度合
は格段に増加されているから、このフォトマスク１５を
ガラス基板１９上のフオトレジス）２０に密着させたと
き、これらの間に挟まった塵などによるフリンジが明瞭
に観察され、不良品と良品との区別を容易に行うことが
可能となる。
造するには、第３図（ａ）に示すように、ガラス基板１
９上にフォトレジスト２０を塗布した後、同図（ｂ）に
示すように、このフォトレジスト２０に前記のフォトマ
スク１５を密着させ、このフォトマスク１５の上から光
を照射して露光する。従って、ピット２１・・・形成部
分を除（部分にのみ光が照射され、この部分のフォトレ
ジスト２０が現像液に対して可溶化する。また、フォト
マスク１５は、前述のように、全体としての光透過度合
は格段に増加されているから、このフォトマスク１５を
ガラス基板１９上のフオトレジス）２０に密着させたと
き、これらの間に挟まった塵などによるフリンジが明瞭
に観察され、不良品と良品との区別を容易に行うことが
可能となる。
次に、同図（Ｃ）に示すように、現像を行って上記可溶
化したフォトレジストを除去してフォトレジストパター
ン２０’を得る。その後、同図（ｄ）に示すように、エ
ツチングを施して上記ガラス基板１９の表面にガラスの
凹凸として直接にピット２１・・・を形成する。なお、
上記のエツチングとしては、前述のフォトマスク１５の
製造におけるエツチングと同様、ウェットエツチング、
若しくはドライエツチングなどが適用される。次に、同
図（ｅ）に示すように、例えば、酸素プラズマを用いた
アッシングや剥離剤などによってフォトレジストパター
ン２０′を除去する。これにより、上記ガラス基板の表
面上には、第４図に示すように、ピット２１・・・が非
ピット部に対し凸状に形成されることになる。この後、
ガラス基板１９の表面上に記録媒体膜、例えば、Ｇ ｄ
Ｔ ｂ Ｆ ｅ系アモルファスを用いた光磁気媒体膜
などを形成することにより、情報の記録、再生、および
消去などが可能であって、且つ、上記凸状ピット２１・
・・にてトラックサーボやフォーカスサーボが確実に行
える光メモリ素子を得ることができる。
化したフォトレジストを除去してフォトレジストパター
ン２０’を得る。その後、同図（ｄ）に示すように、エ
ツチングを施して上記ガラス基板１９の表面にガラスの
凹凸として直接にピット２１・・・を形成する。なお、
上記のエツチングとしては、前述のフォトマスク１５の
製造におけるエツチングと同様、ウェットエツチング、
若しくはドライエツチングなどが適用される。次に、同
図（ｅ）に示すように、例えば、酸素プラズマを用いた
アッシングや剥離剤などによってフォトレジストパター
ン２０′を除去する。これにより、上記ガラス基板の表
面上には、第４図に示すように、ピット２１・・・が非
ピット部に対し凸状に形成されることになる。この後、
ガラス基板１９の表面上に記録媒体膜、例えば、Ｇ ｄ
Ｔ ｂ Ｆ ｅ系アモルファスを用いた光磁気媒体膜
などを形成することにより、情報の記録、再生、および
消去などが可能であって、且つ、上記凸状ピット２１・
・・にてトラックサーボやフォーカスサーボが確実に行
える光メモリ素子を得ることができる。
本第１発明に係る光メモリ素子の製造方法は、以上のよ
うに、光メモリ素子の製造方法において、ガラス基板上
に塗布されたポジタイプのフォトレジストを露光する際
、ピント形成部分を除く部分に光を照射し得るフォトマ
スクにて上記フォトレジストを現像液に対して可溶化し
た後これを除去し、次いで、エツチングを施して上記ガ
ラス基板の表面にガラスの凹凸として直接にピットを形
成する構成である。
うに、光メモリ素子の製造方法において、ガラス基板上
に塗布されたポジタイプのフォトレジストを露光する際
、ピント形成部分を除く部分に光を照射し得るフォトマ
スクにて上記フォトレジストを現像液に対して可溶化し
た後これを除去し、次いで、エツチングを施して上記ガ
ラス基板の表面にガラスの凹凸として直接にピットを形
成する構成である。
これにより、フォトマスクをフォトレジストに密着させ
たときの密着検査が容易に行え、高品質の光メモリ素子
を製造することができる。さらに、上記ガラス基板の表
面上には、ピットが非ピット部に対し凸状に形成される
ことになるので、この凸状ピットによってトラックサー
ボやフォーカスサーボが確実に行われることになる。
たときの密着検査が容易に行え、高品質の光メモリ素子
を製造することができる。さらに、上記ガラス基板の表
面上には、ピットが非ピット部に対し凸状に形成される
ことになるので、この凸状ピットによってトラックサー
ボやフォーカスサーボが確実に行われることになる。
また、本第２発明に係る光メモリ素子製造用フォトマス
クは、ピットを形成するための部分がその他の部分に比
べ、露光用の光に対して光透過率が低く設定されており
、且つ、この低光透過率部が透明基板内に一部、若しく
は全てが埋め込まれた状態で設けられた構成である。
クは、ピットを形成するための部分がその他の部分に比
べ、露光用の光に対して光透過率が低く設定されており
、且つ、この低光透過率部が透明基板内に一部、若しく
は全てが埋め込まれた状態で設けられた構成である。
これにより、フォトマスク全体としての光透過度合は格
段に増大されから、かかるフォトマスクをガラス基板上
のフォトレジストに密着させたとき、これらの間に挟ま
った塵などによるフリンジが明瞭に観察され、不良品の
発生を未然に防止することが可能となる。そのうえ、低
光透過率部が透明基板内に一部、若しくは全てが埋め込
まれた状態で設けられているから、上記低光透過率部が
透明基板の表面上から単に突出して形成されたものに比
べると、この低光透過率部の疵付きや破損が低減される
から取り扱いが容易になるとともに、信頼性が格段に向
上されることになるという効果を奏する。
段に増大されから、かかるフォトマスクをガラス基板上
のフォトレジストに密着させたとき、これらの間に挟ま
った塵などによるフリンジが明瞭に観察され、不良品の
発生を未然に防止することが可能となる。そのうえ、低
光透過率部が透明基板内に一部、若しくは全てが埋め込
まれた状態で設けられているから、上記低光透過率部が
透明基板の表面上から単に突出して形成されたものに比
べると、この低光透過率部の疵付きや破損が低減される
から取り扱いが容易になるとともに、信頼性が格段に向
上されることになるという効果を奏する。
第１図ないし第４図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第１図は光メモリ素子製造用フォトマスクの断面
図、第２図（ａ）ないしくｆ）はフォトマスクの製造工
程を示す断面図、第３図（ａ）ないしくｅ）は光メモリ
素子の製造工程においてガラス基板上にピットを形成す
る工程を示す断面図、第４図はガラス基板上に形成され
たピットの斜視図、第５図はサンプルドサーボ型光メモ
リ素子のピット配列を示す説明図、第６図はサンプルド
サーボ型光メモリ素子のピントから得られる光信号強度
を示す説明図、第７図はサンプルドサーボの信号処理回
路を示す回路図、第８図および第９図は従来例を示すも
のであって、第８図（ａ）ないしくｆ）は光メモリ素子
の製造工程においてガラス基板上にピットを形成する工
程を示す断面図、第９図（ａ）ないしくｆ）はフォトマ
スクの製造工程を示す断面図である。 １５はフォトマスク、１６は透明基板（高光透過率部）
、１７’は金属膜パターン（低光透過率部）、１８・２
０はフォトレジスト、１９はガラス基板、２１はピット
である。 特許出願人 シャープ 株式会社第１図 第４図 第８ 図（ａ） ５ 、・′ 、・′７″、″ 第８ 図（ｂ） 第８ ｔ（ｅ） 第９ 図（ａ） 第 ９図（ｂ） 第９図（ｆ） ７Ｎｍゴー７ｉ
って、第１図は光メモリ素子製造用フォトマスクの断面
図、第２図（ａ）ないしくｆ）はフォトマスクの製造工
程を示す断面図、第３図（ａ）ないしくｅ）は光メモリ
素子の製造工程においてガラス基板上にピットを形成す
る工程を示す断面図、第４図はガラス基板上に形成され
たピットの斜視図、第５図はサンプルドサーボ型光メモ
リ素子のピット配列を示す説明図、第６図はサンプルド
サーボ型光メモリ素子のピントから得られる光信号強度
を示す説明図、第７図はサンプルドサーボの信号処理回
路を示す回路図、第８図および第９図は従来例を示すも
のであって、第８図（ａ）ないしくｆ）は光メモリ素子
の製造工程においてガラス基板上にピットを形成する工
程を示す断面図、第９図（ａ）ないしくｆ）はフォトマ
スクの製造工程を示す断面図である。 １５はフォトマスク、１６は透明基板（高光透過率部）
、１７’は金属膜パターン（低光透過率部）、１８・２
０はフォトレジスト、１９はガラス基板、２１はピット
である。 特許出願人 シャープ 株式会社第１図 第４図 第８ 図（ａ） ５ 、・′ 、・′７″、″ 第８ 図（ｂ） 第８ ｔ（ｅ） 第９ 図（ａ） 第 ９図（ｂ） 第９図（ｆ） ７Ｎｍゴー７ｉ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光メモリ素子の製造方法において、ガラス基板上に
塗布されたポジタイプのフォトレジストを露光する際、
ピット形成部分を除く部分に光を照射し得るフォトマス
クにて上記フォトレジストを現像液に対して可溶化した
後これを除去し、次いで、エッチングを施して上記ガラ
ス基板の表面にガラスの凹凸として直接にピットを形成
することを特徴とする光メモリ素子の製造方法。 ２、ピットを形成するための部分がその他の部分に比べ
、露光用の光に対して光透過率が低く設定されており、
且つ、この低光透過率部が透明基板内に一部、若しくは
全てが埋め込まれた状態で設けられたことを特徴とする
光メモリ素子製造用フォトマスク。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62307127A JPH0770094B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | ディスク状光記録媒体の製造方法および製造用フォトマスク |
| US07/278,378 US4946730A (en) | 1987-12-04 | 1988-12-01 | Method of and photomask for manufacturing optical memory element |
| CA000584885A CA1334138C (en) | 1987-12-04 | 1988-12-02 | Method of and photomask for manufacturing optical memory element |
| EP88311517A EP0319350B1 (en) | 1987-12-04 | 1988-12-05 | Method of and photomask for manufacturing optical memory element |
| DE88311517T DE3882345T2 (de) | 1987-12-04 | 1988-12-05 | Verfahren und Photomaske zur Herstellung eines optischen Speicherelementes. |
| US07/527,265 US5112727A (en) | 1987-12-04 | 1990-05-23 | Method of and photomask for manufacturing optical memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62307127A JPH0770094B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | ディスク状光記録媒体の製造方法および製造用フォトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149243A true JPH01149243A (ja) | 1989-06-12 |
| JPH0770094B2 JPH0770094B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=17965355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62307127A Expired - Fee Related JPH0770094B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | ディスク状光記録媒体の製造方法および製造用フォトマスク |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4946730A (ja) |
| EP (1) | EP0319350B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0770094B2 (ja) |
| CA (1) | CA1334138C (ja) |
| DE (1) | DE3882345T2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0770094B2 (ja) * | 1987-12-04 | 1995-07-31 | シャープ株式会社 | ディスク状光記録媒体の製造方法および製造用フォトマスク |
| JP2693289B2 (ja) * | 1991-08-09 | 1997-12-24 | シャープ株式会社 | 光メモリ |
| JP3006199B2 (ja) * | 1991-09-03 | 2000-02-07 | 株式会社日立製作所 | 光ディスクの製造方法 |
| WO1993021629A1 (en) * | 1992-04-15 | 1993-10-28 | Tulip Memory Systems, Inc. | Precision-etched textured stop/start zone for magnetic-recording disks |
| SG45390A1 (en) * | 1992-07-09 | 1998-01-16 | Pilkington Plc | Glass substrate for a magnet disc and manufacture thereof |
| GB9400259D0 (en) * | 1994-01-07 | 1994-03-02 | Pilkington Plc | Substrate for a magnetic disc and manufacture thereof |
| EP0674223B1 (en) * | 1994-02-14 | 1997-05-02 | International Business Machines Corporation | An attenuating phase-shift mask structure and fabrication method |
| US5503963A (en) * | 1994-07-29 | 1996-04-02 | The Trustees Of Boston University | Process for manufacturing optical data storage disk stamper |
| US5783371A (en) * | 1994-07-29 | 1998-07-21 | Trustees Of Boston University | Process for manufacturing optical data storage disk stamper |
| JP3424077B2 (ja) * | 2000-10-25 | 2003-07-07 | 松下電器産業株式会社 | マスター情報担体およびマスター情報担体を用いた情報記録媒体の製造方法 |
| ATE528117T1 (de) | 2001-08-30 | 2011-10-15 | Bayer Technology Services Gmbh | Verfahren zur herstellung von abformkörpern, insbesondere optischen strukturen, und deren verwendung |
| JP2004145996A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Tdk Corp | フォトレジスト原盤のカッティング方法、カッティングマシン及び光記録媒体の製造方法 |
| USD537048S1 (en) * | 2004-05-17 | 2007-02-20 | Hoya Corporation | Photomask blank |
| USD543160S1 (en) | 2004-05-17 | 2007-05-22 | Hoya Corporation | Photomask blank |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271637A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS6278726A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板状情報記録担体の記録・再生方法および平板状情報記録担体 |
| JPS62123464A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-04 | Sharp Corp | 光メモリ素子基板製造用フオトマスク |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7314267A (nl) * | 1973-10-17 | 1975-04-21 | Philips Nv | Registratiedrager waarop informatie is aangebracht in een optisch uitleesbare struktuur. |
| EP0155000B1 (en) * | 1984-03-16 | 1991-08-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing optical memory element |
| JPH0770091B2 (ja) * | 1984-09-28 | 1995-07-31 | 共同印刷株式会社 | 光読み取りカ−ド及びその製造法 |
| US4619804A (en) * | 1985-04-15 | 1986-10-28 | Eastman Kodak Company | Fabricating optical record media |
| US4959823A (en) * | 1985-07-30 | 1990-09-25 | Laser Magnetic Storage International Company | Tracking and seeking system for use with an optical record carrier having a wobbled track format |
| ATE84631T1 (de) * | 1985-07-30 | 1993-01-15 | Philips Nv | Generatorkreis fuer spursignal und aufzeichnungstraeger dafuer. |
| DE3682985D1 (de) * | 1985-08-30 | 1992-01-30 | Sharp Kk | Verfahren zur herstellung eines optischen verzeichniselementes. |
| JPS62241149A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-21 | Sharp Corp | 光メモリ素子用フォトマスク及びその製造方法 |
| LU86722A1 (fr) * | 1986-12-23 | 1988-07-14 | Glaverbel | Feuille en matiere vitreuse portant un dessin grave et procede pour graver un dessin sur un substrat en matiere vitreuse |
| CA1315023C (en) * | 1987-09-30 | 1993-03-23 | Kenji Ohta | Photo-mask |
| JPH0770094B2 (ja) * | 1987-12-04 | 1995-07-31 | シャープ株式会社 | ディスク状光記録媒体の製造方法および製造用フォトマスク |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP62307127A patent/JPH0770094B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-12-01 US US07/278,378 patent/US4946730A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-02 CA CA000584885A patent/CA1334138C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-05 DE DE88311517T patent/DE3882345T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-05 EP EP88311517A patent/EP0319350B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-05-23 US US07/527,265 patent/US5112727A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271637A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS6278726A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板状情報記録担体の記録・再生方法および平板状情報記録担体 |
| JPS62123464A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-04 | Sharp Corp | 光メモリ素子基板製造用フオトマスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770094B2 (ja) | 1995-07-31 |
| EP0319350A3 (en) | 1990-08-16 |
| EP0319350A2 (en) | 1989-06-07 |
| DE3882345D1 (de) | 1993-08-19 |
| CA1334138C (en) | 1995-01-31 |
| US4946730A (en) | 1990-08-07 |
| US5112727A (en) | 1992-05-12 |
| DE3882345T2 (de) | 1994-02-17 |
| EP0319350B1 (en) | 1993-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01149243A (ja) | ディスク状光記録媒体の製造方法および製造用フォトマスク | |
| JP3490356B2 (ja) | 光記録媒体、並びに、光記録媒体用原盤およびその製造方法 | |
| US4925776A (en) | Optical memory element and manufacturing method thereof | |
| US6219330B1 (en) | Master disk for optical disk and having first and second photoresist layers | |
| JP2000280255A (ja) | 原盤の製造方法 | |
| JP4113876B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH11306540A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気ヘッド装置 | |
| JPH0316025A (ja) | 基準光ディスク | |
| KR100188922B1 (ko) | 광디스크 제조용 유리기판 및 포토마스크의 제조방법 | |
| JPH10241214A (ja) | 光ディスク用スタンパーの製造方法 | |
| JPH02121177A (ja) | 円盤状情報記録担体 | |
| KR100683615B1 (ko) | 정보 기록 매체 | |
| JP2000021017A (ja) | 光学記録媒体と光学記録媒体の製造方法、および光学記録媒体用基板と光学記録媒体用基板の製造方法 | |
| CA1298728C (en) | Optical memory element and manufacturing method thereof | |
| JPH0676362A (ja) | 光ディスク及びその製造方法 | |
| JPS61172233A (ja) | 光デイスク用基板 | |
| JPS6273440A (ja) | 光メモリ素子 | |
| JPS5940341A (ja) | 情報記録媒体の製造方法 | |
| JPS5940337A (ja) | 情報記憶媒体用原盤及びその製造方法 | |
| JPH0386912A (ja) | 情報の磁気的記録再生方法 | |
| JPH05144103A (ja) | 光磁気情報記録媒体 | |
| JPH09265661A (ja) | 記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2001006219A (ja) | 光記録媒体、光記録媒体用基板及び光記録媒体製造用原盤 | |
| KR20000047886A (ko) | 자기 기록 매체 및 서보 신호 기록 방법 | |
| JPH06274942A (ja) | 光情報記録媒体及び原盤露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |