JPS62123464A - 光メモリ素子基板製造用フオトマスク - Google Patents
光メモリ素子基板製造用フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS62123464A JPS62123464A JP60263316A JP26331685A JPS62123464A JP S62123464 A JPS62123464 A JP S62123464A JP 60263316 A JP60263316 A JP 60263316A JP 26331685 A JP26331685 A JP 26331685A JP S62123464 A JPS62123464 A JP S62123464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- mask
- photomask
- ultra
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、フォトマスク、特に光メモリ素子用基板の製
造の際に使用するフォトマスクに関する。
造の際に使用するフォトマスクに関する。
（発明の技術的背景とその問題点）
近年、先メモリ素子は高密度、大容量メモリ素子として
年々その必要性が高まっている。この光メモリ素子はそ
の使用形態により、再生専用メモリ、追加記録可能メモ
リおよび書き換え可能メモリの３種に分けることができ
る。
年々その必要性が高まっている。この光メモリ素子はそ
の使用形態により、再生専用メモリ、追加記録可能メモ
リおよび書き換え可能メモリの３種に分けることができ
る。
このうち、追加記録可能メモリおよび書き換え可能メモ
リとして使用する光メモリ素子は、情報の記録・再生・
消去を行う光ビームを光メモリ素子の所定の位置に案内
するために、通常、ガイドトラックとそのトラックが何
番目のトラックかを識別するための番地とを備えている
。また、同一トラックの中を複数個のセクターに分は情
報を管理しようとする場合は、セクタ一番地等らトラッ
ク上に設けられることが多い。
リとして使用する光メモリ素子は、情報の記録・再生・
消去を行う光ビームを光メモリ素子の所定の位置に案内
するために、通常、ガイドトラックとそのトラックが何
番目のトラックかを識別するための番地とを備えている
。また、同一トラックの中を複数個のセクターに分は情
報を管理しようとする場合は、セクタ一番地等らトラッ
ク上に設けられることが多い。
このガイドトラックの製法の１つに特開昭６０−１９５
７５１号公報に示した方法がある。第２図を用いてその
概要を説明′４−る。
７５１号公報に示した方法がある。第２図を用いてその
概要を説明′４−る。
第２図（ａ）に示すように、ガラスディスク（・１）に
スピンナー等でレジスト膜（５）を塗布し、（ｂ）のご
とく、予めガイドトラックやガイＦ番地あるいはセクタ
一番地等を形成したフィトマスク（６）を用い、紫外線
等の光（８）を照射してフォトマスクのガイドトラック
やトラック番地、セクタ一番地等（第２図（ｂ）にＪ３
いて（７）の部分は、ＣｒやＴａ等の光を透過しない薄
膜が形成されており、該膜を一部除去して所望のパター
ンを作成している。）をレジスｌ−（５）に転写し、（
Ｃ）のごとくレジストを現像した後、（ｄ）ＣＦ、やＣ
ＨＦ３等のガス中でリアクヂイブイオンエッチングを行
うか、あるいは、Ｉ−ＩＦ溶液中でウェットエツチング
を行うかしてガラスディスクにガイドトラックやトラッ
ク番地、セクタ一番地等を直接刻み、（Ｃ）最後に（ｄ
）工程で残ったレジストを除去（０，プラズマ中でアッ
シングしても良いし、アセトン等の溶剤で洗浄しても良
い）する方法である。
スピンナー等でレジスト膜（５）を塗布し、（ｂ）のご
とく、予めガイドトラックやガイＦ番地あるいはセクタ
一番地等を形成したフィトマスク（６）を用い、紫外線
等の光（８）を照射してフォトマスクのガイドトラック
やトラック番地、セクタ一番地等（第２図（ｂ）にＪ３
いて（７）の部分は、ＣｒやＴａ等の光を透過しない薄
膜が形成されており、該膜を一部除去して所望のパター
ンを作成している。）をレジスｌ−（５）に転写し、（
Ｃ）のごとくレジストを現像した後、（ｄ）ＣＦ、やＣ
ＨＦ３等のガス中でリアクヂイブイオンエッチングを行
うか、あるいは、Ｉ−ＩＦ溶液中でウェットエツチング
を行うかしてガラスディスクにガイドトラックやトラッ
ク番地、セクタ一番地等を直接刻み、（Ｃ）最後に（ｄ
）工程で残ったレジストを除去（０，プラズマ中でアッ
シングしても良いし、アセトン等の溶剤で洗浄しても良
い）する方法である。
この方法において、（ｂ）の工程に使用するフォトマス
ク（６）は、第３図のような方法で作製される。即ち、
円板状をしたフォトマスク用基板（９）上の光を透過し
ない膜（１０）上にレジスト（１１）を塗布し、円板の
中心軸のまわりに回転させながら、対物レンズ（１２）
で集光されたＡｒレーザ等の光（１３）により、該レノ
スト上に螺旋もしくは同心円のガイドトラックを記録す
る。
ク（６）は、第３図のような方法で作製される。即ち、
円板状をしたフォトマスク用基板（９）上の光を透過し
ない膜（１０）上にレジスト（１１）を塗布し、円板の
中心軸のまわりに回転させながら、対物レンズ（１２）
で集光されたＡｒレーザ等の光（１３）により、該レノ
スト上に螺旋もしくは同心円のガイドトラックを記録す
る。
第４図に従来、半導体産業において使用されていたマス
クの断面構造を示す。即し、石英等の基板（９）上にＣ
ｒ膜（１４）とＣｒＯｘ膜（１５）とを積層し、Ｃｒｕ
ｘは反射防止膜として使用したものである。
クの断面構造を示す。即し、石英等の基板（９）上にＣ
ｒ膜（１４）とＣｒＯｘ膜（１５）とを積層し、Ｃｒｕ
ｘは反射防止膜として使用したものである。
該マスクを第３図に示す方法でガイドトラックを形成し
ようとすると、記録に用いるＡｒレーザ光７’ｌ＜ Ｃ
ｒＯｘ／Ｃｒの膜に吸収され、レノストの温度上昇を招
き、その結果、レジストの熱による破壊があり、ガイド
トラック端面が第５図のごとく凹凸になり、最終的には
光ディスクに記録した信号のノイズ波となる。図中（１
５）は、Ａｒレーザでガイドトラックを記録した後、現
象した時に生じるレノストガイドトラックの端面を示し
ている。
ようとすると、記録に用いるＡｒレーザ光７’ｌ＜ Ｃ
ｒＯｘ／Ｃｒの膜に吸収され、レノストの温度上昇を招
き、その結果、レジストの熱による破壊があり、ガイド
トラック端面が第５図のごとく凹凸になり、最終的には
光ディスクに記録した信号のノイズ波となる。図中（１
５）は、Ａｒレーザでガイドトラックを記録した後、現
象した時に生じるレノストガイドトラックの端面を示し
ている。
（発明の目的）
本発明は、光デイスクメモリ用フォトマスクにおいて、
該フォトマスクを作製する時に、上記のごときフォトレ
ジストの温度上昇を防ぎ、マスクに構成されたガイドト
ラック等のパターン端面を滑らかにすることができるフ
ォトマスクを提供することを目的どする。
該フォトマスクを作製する時に、上記のごときフォトレ
ジストの温度上昇を防ぎ、マスクに構成されたガイドト
ラック等のパターン端面を滑らかにすることができるフ
ォトマスクを提供することを目的どする。
（実施例）
以下、本発明に係る光デイスクメモリ用フォトマスクの
実施例を図面を用いて詳細に説明する。
実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明に係るフォトマスクの断面一部拡大図
である。
である。
マスク基板（１）上に紫外線を通さない膜（２）を設（
」、その表面に更に反射膜（３）を形成する。マスク基
板は通常、ガラス、アクリル樹脂、エボキン樹脂等が用
いられろ。紫外線を通さない膜（２）はＣｒやＴａ膜が
用いられる。この膜（２）は通常スパッタリング、真空
蒸着等の方法により形成されろ。
」、その表面に更に反射膜（３）を形成する。マスク基
板は通常、ガラス、アクリル樹脂、エボキン樹脂等が用
いられろ。紫外線を通さない膜（２）はＣｒやＴａ膜が
用いられる。この膜（２）は通常スパッタリング、真空
蒸着等の方法により形成されろ。
本発明においては、上記紫外線を通さない膜（２）」二
に反射膜（３）を設けろ。反射膜（３）は通常単一また
は複数の誘電体膜等が好適に用いられる。この反射膜（
３）は真空蒸着やスパッタリング等の方法により形成さ
れる。
に反射膜（３）を設けろ。反射膜（３）は通常単一また
は複数の誘電体膜等が好適に用いられる。この反射膜（
３）は真空蒸着やスパッタリング等の方法により形成さ
れる。
第４図におけるＣｒｕｘ等の反射防止膜でなく、反射を
増大するような膜を設けることで、第３図の方法でガイ
ドトラックを記録する際、Ａｒレーザ光かＣｒ膜に吸収
されず、従って、Ｃｒ膜の温度上界によるレノスト膜の
破壊が生じないメリットがある。通常、Ｃｒ上に反射防
止膜を設けるのは、フォトレピータでマスクマスクを作
る時、反射率が高いと作製されるパターンの解像度が落
ちるためにそれを防ぐ意味であるが、本発明のマスク作
製には、北述のごとく反射率増大の方が望ましい。
増大するような膜を設けることで、第３図の方法でガイ
ドトラックを記録する際、Ａｒレーザ光かＣｒ膜に吸収
されず、従って、Ｃｒ膜の温度上界によるレノスト膜の
破壊が生じないメリットがある。通常、Ｃｒ上に反射防
止膜を設けるのは、フォトレピータでマスクマスクを作
る時、反射率が高いと作製されるパターンの解像度が落
ちるためにそれを防ぐ意味であるが、本発明のマスク作
製には、北述のごとく反射率増大の方が望ましい。
また、Ｃｒ単体では反射率か５０％程度であり、Ｃｒ単
体のフォトマスクを用いることら考えられるが、それで
も５０％の光は熱エネルギーに変るため、本発明の効果
を出すためには充分とは言えない。
体のフォトマスクを用いることら考えられるが、それで
も５０％の光は熱エネルギーに変るため、本発明の効果
を出すためには充分とは言えない。
本発明の主旨は、フォトマスク面の反射率を上げること
にあり、反射増大膜の種類や膜の敗には依存しない。即
ち、誘電体多層膜により、Ｃｒ而の反射を上界させても
良い。
にあり、反射増大膜の種類や膜の敗には依存しない。即
ち、誘電体多層膜により、Ｃｒ而の反射を上界させても
良い。
また、本発明の説明は光デイスクメモリのマスクについ
て述べたが、ディスクには限定されない。
て述べたが、ディスクには限定されない。
即ち、Ａｒレーザや！−（ｅ Ｃｄレーザ等のレーザ光
を集光し、マスクパターンを作製゛４−ろ時は非常に存
効な方法である。
を集光し、マスクパターンを作製゛４−ろ時は非常に存
効な方法である。
（発明の効果）
本発明によれば、Ａｒレーザ光等の光で滑らかな端面を
有するガイドトラック等のパターンが形成でき、最終的
にはそのマスクを用いて作製する光メモリ素子のガイド
トラック等によるノイズの上昇を押えることができる。
有するガイドトラック等のパターンが形成でき、最終的
にはそのマスクを用いて作製する光メモリ素子のガイド
トラック等によるノイズの上昇を押えることができる。
第１図は本発明に係るフォトマスクの断面一部拡大図で
ある。第２図は本発明のマスクを用いて光メモリ素子を
製造する時の工程図、第３図は本発明のマスクを作製す
る方法、第４図は従来のフォトマスクの断面一部拡大図
、第５図は従来マスクに記録したレノストガイドトラッ
クの端面形状を示す概念図である。 図中の記号は以下の通りである： （１）・・・マスク基板、（２）・・・紫外線を通さな
い膜、（３）・・・反射膜、 （４）・・・ガラス
ディスク、（５）・・・レジスト膜、 （６）・・・フ
ォトマスク、（８）・・・光、 （９）・・・
フォトマスク用基板、（１０）・・・光を透過１．ない
膜、 （１１）・・レジスト、 （１３）−Ａ ｒレーザ光
、（１４）・＝ Ｃｒ膜、 （１５）−・Ｃｒｏ
Ｘ膜。 、０ 嘴 ｏ Ｄ −一一気一− Ｃ望 Ｃ？ ぐ
ある。第２図は本発明のマスクを用いて光メモリ素子を
製造する時の工程図、第３図は本発明のマスクを作製す
る方法、第４図は従来のフォトマスクの断面一部拡大図
、第５図は従来マスクに記録したレノストガイドトラッ
クの端面形状を示す概念図である。 図中の記号は以下の通りである： （１）・・・マスク基板、（２）・・・紫外線を通さな
い膜、（３）・・・反射膜、 （４）・・・ガラス
ディスク、（５）・・・レジスト膜、 （６）・・・フ
ォトマスク、（８）・・・光、 （９）・・・
フォトマスク用基板、（１０）・・・光を透過１．ない
膜、 （１１）・・レジスト、 （１３）−Ａ ｒレーザ光
、（１４）・＝ Ｃｒ膜、 （１５）−・Ｃｒｏ
Ｘ膜。 、０ 嘴 ｏ Ｄ −一一気一− Ｃ望 Ｃ？ ぐ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マスク基板（１）上に紫外線を通さない膜（２）を
形成し、その上層に反射膜（３）を形成したフォトマス
ク。 ２、反射膜（３）が単一または複数の誘電体膜で形成さ
れる第１項記載のフォトマスク。３、フォトマスクが光
メモリ素子用基板の製造時に使用される第１項記載のフ
ォトマスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60263316A JPS62123464A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 光メモリ素子基板製造用フオトマスク |
| US06/930,157 US4764441A (en) | 1985-11-22 | 1986-11-12 | Photo-mask for production of substrate for optical memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60263316A JPS62123464A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 光メモリ素子基板製造用フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62123464A true JPS62123464A (ja) | 1987-06-04 |
| JPH0517542B2 JPH0517542B2 (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=17387785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60263316A Granted JPS62123464A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 光メモリ素子基板製造用フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62123464A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01149243A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Sharp Corp | ディスク状光記録媒体の製造方法および製造用フォトマスク |
| JPH01243062A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Nikon Corp | フォトマスク |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517152A (en) * | 1978-07-25 | 1980-02-06 | Fujitsu Ltd | Photo mask |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP60263316A patent/JPS62123464A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517152A (en) * | 1978-07-25 | 1980-02-06 | Fujitsu Ltd | Photo mask |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01149243A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Sharp Corp | ディスク状光記録媒体の製造方法および製造用フォトマスク |
| JPH01243062A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Nikon Corp | フォトマスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0517542B2 (ja) | 1993-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5246531A (en) | Method of fabricating glass substrate for disk | |
| JPH09326136A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3040894B2 (ja) | 光ディスク基板および光ディスク | |
| JPS60170045A (ja) | アドレス，案内溝付光デイスク製造方法 | |
| US5112727A (en) | Method of and photomask for manufacturing optical memory element | |
| US4764441A (en) | Photo-mask for production of substrate for optical memory element | |
| JPS62241149A (ja) | 光メモリ素子用フォトマスク及びその製造方法 | |
| CA2056308C (en) | Method for manufacturing a photomask for an optical memory | |
| JP2727942B2 (ja) | 光ディスクマスタリング用露光原盤 | |
| JPH0517542B2 (ja) | ||
| JPH071389B2 (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JP3537701B2 (ja) | 光学記録媒体、光学記録媒体の製造方法、および、光学記録媒体の製造装置 | |
| JP2665281B2 (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
| JP2002319196A (ja) | 光ディスクおよびそのトラック間の磁気的遮断処理方法 | |
| JPH0685237B2 (ja) | 光磁気メモリ素子の製造方法 | |
| JP2003263783A (ja) | ライトワンス高密度光記憶メディア及びその製造方法 | |
| JPS59210547A (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
| JPS62234248A (ja) | 情報記録原盤の製造方法 | |
| JP4085300B2 (ja) | 相変化型光ディスク媒体および該媒体の初期化方法 | |
| JPS6266443A (ja) | 光メモリ素子用フオトマスク | |
| JPS60197960A (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
| JPH0339342B2 (ja) | ||
| JPH0359493B2 (ja) | ||
| JPS61188756A (ja) | 情報担体デイスクの製法 | |
| JP2001006219A (ja) | 光記録媒体、光記録媒体用基板及び光記録媒体製造用原盤 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |