JPH01149889A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
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- JPH01149889A JPH01149889A JP62308898A JP30889887A JPH01149889A JP H01149889 A JPH01149889 A JP H01149889A JP 62308898 A JP62308898 A JP 62308898A JP 30889887 A JP30889887 A JP 30889887A JP H01149889 A JPH01149889 A JP H01149889A
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- liquid crystal
- cyanobiphenyl
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/132—Thermal activation of liquid crystals exhibiting a thermo-optic effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/10—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings
- C09K19/12—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings at least two benzene rings directly linked, e.g. biphenyls
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明は熱光学効果を利用した熱書込み型液晶表示装置
に用いる液晶組成物に係り、その特性として極めて狭い
ネマチック相を有し、かつ、融点の低いスメクチック相
を有することに%徴とした液晶組成物に関するものであ
る。
に用いる液晶組成物に係り、その特性として極めて狭い
ネマチック相を有し、かつ、融点の低いスメクチック相
を有することに%徴とした液晶組成物に関するものであ
る。
昨今の液晶表示素子の進展は目覚しいものがあるが、そ
の主流はネマチック液晶の応用に関するものが殆んどで
ある。その一方で、他の液晶相の特性を利用した異った
動作モードによる表示装置の研究も実用化に向けて盛ん
に行われており、これらの中の一つにスメクチックA相
の熱光学効果を利用した熱書込み投写装置がある。この
ような装置の方式では、従来のTN型(ツィステッドネ
マチック型)と比較して桁違いの大面積、大容量表示が
可能となる。
の主流はネマチック液晶の応用に関するものが殆んどで
ある。その一方で、他の液晶相の特性を利用した異った
動作モードによる表示装置の研究も実用化に向けて盛ん
に行われており、これらの中の一つにスメクチックA相
の熱光学効果を利用した熱書込み投写装置がある。この
ような装置の方式では、従来のTN型(ツィステッドネ
マチック型)と比較して桁違いの大面積、大容量表示が
可能となる。
このような分野に用いられる液晶材料に要求される特性
としてつぎのようなことがあげられる。
としてつぎのようなことがあげられる。
1)広いスメクチックA相を有すること(好ましくはO
〜−20°C以下までスメクチックA相を有すること。
〜−20°C以下までスメクチックA相を有すること。
)。
2)極めて狭いネマチック相を有すること。
3)複屈折率が大きいこと。
4)比熱・相転移エネルギーが小さいこと。
5)誘電異方性が大きいこと。
これらの中では、とりわけ1)、2)、3)項が投写画
面などのコントラストなど表示品位をよくするために重
要と思われる。これらの特性を有する液晶材料としては
現在のところ単一化合物では見当らないため、種々の液
晶化合物の混合系が検討されている。これらの例として
は、つぎのような−数式で示される化合物の混合系があ
る。
面などのコントラストなど表示品位をよくするために重
要と思われる。これらの特性を有する液晶材料としては
現在のところ単一化合物では見当らないため、種々の液
晶化合物の混合系が検討されている。これらの例として
は、つぎのような−数式で示される化合物の混合系があ
る。
CnH2n−1−t −@−N=CH−@−CN
(I)CnH2n+1 $CN (
1)CnH2n+1−0知X+CN 01
その組成の例としては表1に示すようなものがある。
(I)CnH2n+1 $CN (
1)CnH2n+1−0知X+CN 01
その組成の例としては表1に示すようなものがある。
表1
【ここで、mp;融点(°C)、SN点;スメクチック
・ネマチック転移点(”C)、NI点;ネマチック・ア
イソトロピック転移点(’C)、nの数を表す(たとえ
ばI8は、式Iにおいてn=8の化合物を意味する)。
・ネマチック転移点(”C)、NI点;ネマチック・ア
イソトロピック転移点(’C)、nの数を表す(たとえ
ばI8は、式Iにおいてn=8の化合物を意味する)。
)
組成物aでは、ネマチックレンジが0.5℃と極めて狭
いが融点が24℃と高く室温付近であるため実験用とし
てはともかくも、実用的には使い難い材料である。一方
、組成物e、fでは融点が一30°C,−32,7’C
とかなり低くネマチックレンジが3.2°C,2,6℃
と広くなっており必ずしも満足すべきものでない。
いが融点が24℃と高く室温付近であるため実験用とし
てはともかくも、実用的には使い難い材料である。一方
、組成物e、fでは融点が一30°C,−32,7’C
とかなり低くネマチックレンジが3.2°C,2,6℃
と広くなっており必ずしも満足すべきものでない。
ネマチックレンジは表示素子の書込み速度や表示コント
ラストに影響をおよぼす要因であり、ネマチックレンジ
が広くなると書込み速度の低下、コントラストの低下に
結びつく。すなわち、ネマチックレンジが広いと熱書込
みの際に、等方性液体からネマチック相を経て不透明な
スメクチック相を形成させる過程において、ネマチック
相で長い冷却時間を要することになシ、書込み速度を遅
くする要因となる。一方、ネマチック相状態である時間
が長くなると配向処理(垂直配向もしくはホモジニアス
配向)した基板によって、液晶が配向してしまい散乱し
たスメクチックA相が得られなくなりコントラストの低
下の要因となる。
ラストに影響をおよぼす要因であり、ネマチックレンジ
が広くなると書込み速度の低下、コントラストの低下に
結びつく。すなわち、ネマチックレンジが広いと熱書込
みの際に、等方性液体からネマチック相を経て不透明な
スメクチック相を形成させる過程において、ネマチック
相で長い冷却時間を要することになシ、書込み速度を遅
くする要因となる。一方、ネマチック相状態である時間
が長くなると配向処理(垂直配向もしくはホモジニアス
配向)した基板によって、液晶が配向してしまい散乱し
たスメクチックA相が得られなくなりコントラストの低
下の要因となる。
融点については、0°C以下であれば通常の用途には供
し得るものと思われる。しかし、液晶表示素子に長時間
のメモリー性を持たせようとすると0℃程度では問題が
あり、より低い融点が望まれている。
し得るものと思われる。しかし、液晶表示素子に長時間
のメモリー性を持たせようとすると0℃程度では問題が
あり、より低い融点が望まれている。
熱書込み用液晶組成物としては、前記組成物以外にも特
開昭60−144383、特開昭60−252686、
特開昭61−268790などが知られているが、ネマ
チックレンジが2℃以下で融点が0°C以下を合わせも
つ組成物は見当らない。
開昭60−144383、特開昭60−252686、
特開昭61−268790などが知られているが、ネマ
チックレンジが2℃以下で融点が0°C以下を合わせも
つ組成物は見当らない。
(発明の目的〕
本発明者らは上記従来技術の問題点を解決すべく鋭意研
究金型ねた結果、ネマチックレンジが2°C以下であり
、かつ融点が0°C以下の液晶組成物を得ることに成功
した。すなわち、本発明の目的は、熱書込み液晶表示素
子用の液晶組成物および該組成物を用いた液晶表示素子
を提供することであシ、さらに詳しくは、その特性とし
てきわめて狭いネマチックレンジを有し、かつ、融点の
低い相転移を有する液晶組成物および該組成物を用いた
熱書込み液晶表示素子を提供することである。
究金型ねた結果、ネマチックレンジが2°C以下であり
、かつ融点が0°C以下の液晶組成物を得ることに成功
した。すなわち、本発明の目的は、熱書込み液晶表示素
子用の液晶組成物および該組成物を用いた液晶表示素子
を提供することであシ、さらに詳しくは、その特性とし
てきわめて狭いネマチックレンジを有し、かつ、融点の
低い相転移を有する液晶組成物および該組成物を用いた
熱書込み液晶表示素子を提供することである。
本発明の第一の発明の液晶組成物は、
1)一般式
%式%(1)
(こ\で、R1は炭素数8.9,10,11゜もしくは
12のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルキ
ル−4′−シアノビフェニルの少くとも1種からなるA
成分、および−般式 %式%(2) (こ\で、R2は炭素数8.9,10.11もしくは1
2のアルキル基を示す。)で示さtLル4− n−アル
コキシカルボニルオキシ−4′−シアノビフェニルの少
くとも1種からなるB成分を含有し、A成分とB成分の
比率が25ニア5ないし95:5であること全特徴とし
、その実施態様は以下のとおシである。
12のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルキ
ル−4′−シアノビフェニルの少くとも1種からなるA
成分、および−般式 %式%(2) (こ\で、R2は炭素数8.9,10.11もしくは1
2のアルキル基を示す。)で示さtLル4− n−アル
コキシカルボニルオキシ−4′−シアノビフェニルの少
くとも1種からなるB成分を含有し、A成分とB成分の
比率が25ニア5ないし95:5であること全特徴とし
、その実施態様は以下のとおシである。
2)上記のA成分およびB成分に
一般式
%式%(3)
(こ\で、R3は炭素数8.9.10,11゜もしくは
12のアルキル基を示す。)で示さ:h、る4n−アル
コキシ−4′−シアノビフェニルの少くとも1種からな
るC成分が含有し、該C成分の含有比率が35%以下の
液晶組成物0 3)一般式 %式%(4) (こ\で、R4は炭素数8.9,10.11もしくは1
2のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルカノ
イルオキシ−4′−シアノビフェニルの少くとも1種か
らなるD成分を含有し、A成分およびB成分の合計とD
成分との比が95:5ないし45:55である液晶組成
物。
12のアルキル基を示す。)で示さ:h、る4n−アル
コキシ−4′−シアノビフェニルの少くとも1種からな
るC成分が含有し、該C成分の含有比率が35%以下の
液晶組成物0 3)一般式 %式%(4) (こ\で、R4は炭素数8.9,10.11もしくは1
2のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルカノ
イルオキシ−4′−シアノビフェニルの少くとも1種か
らなるD成分を含有し、A成分およびB成分の合計とD
成分との比が95:5ないし45:55である液晶組成
物。
4) A成分、B成分、C成分およびD成分がらなシ
、その比率が前記の比率となる液晶組成物。
、その比率が前記の比率となる液晶組成物。
本発明の液晶組成物のA成分として好ましい態様として
は、4−n−オクチル−4′−シアノビフェニル、4−
n−ノニル−4′−シアノビフェニルから選ばれた少く
とも1種のA成分(1)と4−n−ドデシル−47−シ
アノビフェニル、4−n−y’シル−4′−シアノビフ
ェニルカラ選ハれた少くとも1種のA成分(2)とから
なシ、A成分(1)とA成分(2)との比が50:50
ないし90:10のものをあげることができる。
は、4−n−オクチル−4′−シアノビフェニル、4−
n−ノニル−4′−シアノビフェニルから選ばれた少く
とも1種のA成分(1)と4−n−ドデシル−47−シ
アノビフェニル、4−n−y’シル−4′−シアノビフ
ェニルカラ選ハれた少くとも1種のA成分(2)とから
なシ、A成分(1)とA成分(2)との比が50:50
ないし90:10のものをあげることができる。
本発明の液晶組成物のB成分は、4−n−アルコキシカ
ルボニルオキシ−4′−シアノビフェニルの少くとも1
種からなる。1種類を用いても融点を低下する効果はあ
るが、二種類以上使用するのが好ましい。B成分の好ま
しい態様としては4−n−オクチルオキシカルボニルオ
キシ−41−シアノビフェニル、4−n−ノニルオキシ
カルボニルオキシ−4′−シアノビフェニルから選ばれ
た少くとも1種からなるB成分(1)と4−n−デシル
オキシカルボニルオキシ−4′−シアノビフェニル、4
−n−ウンデシルオキシカルボニルオキシ−4′−シア
ノビフェニルおよヒ4− n−ドデシルオキシカルボニ
ルオキシ−4′−シアノビフェニルから選ばれた少くと
も1種からなるB成分(2)とからなりB成分(1)と
B成分(2)との比が40:60ないし95:5のもの
をあげることができる。
ルボニルオキシ−4′−シアノビフェニルの少くとも1
種からなる。1種類を用いても融点を低下する効果はあ
るが、二種類以上使用するのが好ましい。B成分の好ま
しい態様としては4−n−オクチルオキシカルボニルオ
キシ−41−シアノビフェニル、4−n−ノニルオキシ
カルボニルオキシ−4′−シアノビフェニルから選ばれ
た少くとも1種からなるB成分(1)と4−n−デシル
オキシカルボニルオキシ−4′−シアノビフェニル、4
−n−ウンデシルオキシカルボニルオキシ−4′−シア
ノビフェニルおよヒ4− n−ドデシルオキシカルボニ
ルオキシ−4′−シアノビフェニルから選ばれた少くと
も1種からなるB成分(2)とからなりB成分(1)と
B成分(2)との比が40:60ないし95:5のもの
をあげることができる。
本発明の第二の発明の熱書込み用液晶表示素子は、一般
式 %式%(1) (こ\で、R1は炭素数8.9.10,11゜もしくは
12のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルキ
ル−4′−シアノビフェニルの少くとも1種からなるA
成分、および−数式%式%(2) (こ\で、R2は炭素数8.9,10.11 もしく
は12のアルキル基を示す。)で示される4−n−アル
コキシカルボニルオキシ−4′−シアノビフェニルの少
くとも1種からなるB成分を含有し、A成分とB成分の
比率が25ニア5ないし95:5である液晶組成物を用
いたことを特徴とし、その実施の態様は、前記した液晶
組成物を用いた熱書込み用液晶表示素子をあげることが
できる。
式 %式%(1) (こ\で、R1は炭素数8.9.10,11゜もしくは
12のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルキ
ル−4′−シアノビフェニルの少くとも1種からなるA
成分、および−数式%式%(2) (こ\で、R2は炭素数8.9,10.11 もしく
は12のアルキル基を示す。)で示される4−n−アル
コキシカルボニルオキシ−4′−シアノビフェニルの少
くとも1種からなるB成分を含有し、A成分とB成分の
比率が25ニア5ないし95:5である液晶組成物を用
いたことを特徴とし、その実施の態様は、前記した液晶
組成物を用いた熱書込み用液晶表示素子をあげることが
できる。
本発明の液晶組成物は、各成分の式(1)、(2)、(
3)および(4)に示される化合物のアルキル基の鎖長
の短いものを使用すると融点は低くなるが、ネマチック
レンジは広くなる。これに対して鎖長の長いものを使用
すると融点は高くなるがネマチックレンジが狭くなるか
消失する。
3)および(4)に示される化合物のアルキル基の鎖長
の短いものを使用すると融点は低くなるが、ネマチック
レンジは広くなる。これに対して鎖長の長いものを使用
すると融点は高くなるがネマチックレンジが狭くなるか
消失する。
本発明におけるA成分、B成分、C成分、もしくはD成
分を単独で用いても本発明の目的であるネマチックレン
ジ2℃以下でかつ融点が0°C以下の組成物は得られな
い。
分を単独で用いても本発明の目的であるネマチックレン
ジ2℃以下でかつ融点が0°C以下の組成物は得られな
い。
本発明の組成物のA、Hの二成分において、B成分は5
〜75%が好ましく、より好ましくは10〜60%であ
る。5%未満もしくは75%をこえると、ネマチックレ
ンジの調節、融点の低下に効果が小さい。
〜75%が好ましく、より好ましくは10〜60%であ
る。5%未満もしくは75%をこえると、ネマチックレ
ンジの調節、融点の低下に効果が小さい。
本発明の液晶組成物の成分の配合において、A成分とB
成分のみでも目的を達成できるが、さらにC成分もしく
はD成分、またはC,D両成分kA成分とB成分と混用
されることにより、ネマチックレンジ、透明点の調整、
融点低下は容易となる。
成分のみでも目的を達成できるが、さらにC成分もしく
はD成分、またはC,D両成分kA成分とB成分と混用
されることにより、ネマチックレンジ、透明点の調整、
融点低下は容易となる。
本発明の組成物は、染料、コレステリック液晶、NI点
の調整などのために用いられるための高温液晶と共に用
いることができる。
の調整などのために用いられるための高温液晶と共に用
いることができる。
染料としては二色性染料、レーザー光の波長に合った二
色性染料が用いられ、アゾ系染料、アントラキノン染料
をあげることができる。その含有量は10%以下、通常
5%以下である。
色性染料が用いられ、アゾ系染料、アントラキノン染料
をあげることができる。その含有量は10%以下、通常
5%以下である。
コレステリック液晶としては、たとえば、4′−シアノ
−4−(2’−メチルブチルオキシ)ビフェニル、4′
−シアノ−4−C2’−メチルブチル)ビフェニル、4
’−(2−メチルブチルオキシ) 安息8酸−4’−シ
アノフェニル、2−クロル−1,4−ビス(4’−2−
メチルブチルオキシベンゾイルオキシ)ベンゼン、4’
−(2−メチルブチル)−4−ビフェニルカルボンe4
’−ペンチルシクロヘキシルエステルfxドアケル?−
とができる。その含有f!l:30%以下通常は20%
以下である。
−4−(2’−メチルブチルオキシ)ビフェニル、4′
−シアノ−4−C2’−メチルブチル)ビフェニル、4
’−(2−メチルブチルオキシ) 安息8酸−4’−シ
アノフェニル、2−クロル−1,4−ビス(4’−2−
メチルブチルオキシベンゾイルオキシ)ベンゼン、4’
−(2−メチルブチル)−4−ビフェニルカルボンe4
’−ペンチルシクロヘキシルエステルfxドアケル?−
とができる。その含有f!l:30%以下通常は20%
以下である。
高温液晶としては、4−n−ノニル−4”−シアノター
゛フェニル、4−n−ノニルオキシ−4“−シアノター
フェニル、4−()ランス−4−n−ノニルシクロヘキ
シル) −4’−シアノビフェニル、1− (4’ −
n−へキシルフェニル)−2−(4’−シアノ−4−ビ
フェニリル)エタン、トランス−4−n−ノニルシクロ
ヘキサンカルボン酸−4’−シアノビフェニルエステル
、1−(4’ −n−へキシルシクロヘキシル)−2−
(4′−シアノ−4−ビフェニル)エタン%)7ンスー
4−n−ノニル安息香酸−4′−シアノ−4−ビフェニ
リルエステル、トランス−4−n−ノニルオキシ安息香
酸−4′−シアノ−4−ビフェニリルエステルなどをあ
げることができる。
゛フェニル、4−n−ノニルオキシ−4“−シアノター
フェニル、4−()ランス−4−n−ノニルシクロヘキ
シル) −4’−シアノビフェニル、1− (4’ −
n−へキシルフェニル)−2−(4’−シアノ−4−ビ
フェニリル)エタン、トランス−4−n−ノニルシクロ
ヘキサンカルボン酸−4’−シアノビフェニルエステル
、1−(4’ −n−へキシルシクロヘキシル)−2−
(4′−シアノ−4−ビフェニル)エタン%)7ンスー
4−n−ノニル安息香酸−4′−シアノ−4−ビフェニ
リルエステル、トランス−4−n−ノニルオキシ安息香
酸−4′−シアノ−4−ビフェニリルエステルなどをあ
げることができる。
その含有量は30%以下、好ましくは20%以下である
。
。
(本発明の効果〕
本発明の液晶組成物および液晶素子は、極めて狭いネマ
チック相を有しかつ融点の低い相転移を有するのが特徴
であシ、熱書込み用液晶表示装置に用いるに適したもの
である。
チック相を有しかつ融点の低い相転移を有するのが特徴
であシ、熱書込み用液晶表示装置に用いるに適したもの
である。
本発明の液晶組成物は、具体的にはネマチックレンジが
2°C以下であるため表示素子の書き込み速度は速くな
り、また、投写画面などのコントラストがよくなり、表
示品位が著しく向上する。また、融点O′C以下である
ため屋内、室温で使用熱書込み型液晶表示装置に使用し
ても問題が々く、実用的に使用し得る液晶材料である。
2°C以下であるため表示素子の書き込み速度は速くな
り、また、投写画面などのコントラストがよくなり、表
示品位が著しく向上する。また、融点O′C以下である
ため屋内、室温で使用熱書込み型液晶表示装置に使用し
ても問題が々く、実用的に使用し得る液晶材料である。
以下、実施例を示す。
実施例1〜6
表2の所定の組成(重量%)に基づいて液晶組成物をN
製し、その特性を測定し、結果を表2に示す。実施例2
と実施例5で融解ピークが2つ現れる。高温側のピーク
に着目しても融点がかなり低く −20’C以下を示す
。実施例4で一摺 − は融解終了時でも一39℃である。
製し、その特性を測定し、結果を表2に示す。実施例2
と実施例5で融解ピークが2つ現れる。高温側のピーク
に着目しても融点がかなり低く −20’C以下を示す
。実施例4で一摺 − は融解終了時でも一39℃である。
比較例1〜8
実施例と同様に組成物全調製し、その特性を測定した。
結果を表3に示す。
表29表3において*は低温側融解ピーク、**は高温
側融解ピークを示す。
側融解ピークを示す。
手 続 補 正 書 (自発)1 事件の表示
昭和62年特許願第308898号
2、発明の名称
液晶組成物
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
大阪府大阪市北区中之島三丁目6番32号(〒530)
(207)チッソ株式会社 代表者野木貞雄 4、代理人 東京都新宿区新宿2丁目8番1号(〒160)5、補正
によシ増加する発明の数 なし 6、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」と1発明の詳細な説明」の
欄 7、補正の内容 1、明細書の「特許請求の範囲」の全文を別紙のとおシ
に訂正する。
(207)チッソ株式会社 代表者野木貞雄 4、代理人 東京都新宿区新宿2丁目8番1号(〒160)5、補正
によシ増加する発明の数 なし 6、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」と1発明の詳細な説明」の
欄 7、補正の内容 1、明細書の「特許請求の範囲」の全文を別紙のとおシ
に訂正する。
2、明細書の「発明の詳細な説明」の欄をりぎのように
訂正する。
訂正する。
1)第8頁下から5行目、「アイソトロピック」を「ア
イソトロピック」に訂正する。
イソトロピック」に訂正する。
2)第9頁5行目、「かなシ低く」を「かなシ低いが、
」に訂正する。
」に訂正する。
3)第13頁7行目、「4−n−ドデシル−4′−シア
ノビフェニル、」のつe’Kr4−n−ウンデシル−4
′−シアノビフェニル、」を加入する。
ノビフェニル、」のつe’Kr4−n−ウンデシル−4
′−シアノビフェニル、」を加入する。
4)第16頁10行目、「二色性染料」を[カラー表示
またはコントラスト向上等を目的とした可視領域の二色
性染料」に訂正する。
またはコントラスト向上等を目的とした可視領域の二色
性染料」に訂正する。
5)第16頁10〜11行目、「レーザー光の波長に合
った二色性染料」を「レーザー光のエネルギーを吸収し
て熱効率を向上させるために用いられるレーザー光の波
長に合った二色性染料」に訂正する。
った二色性染料」を「レーザー光のエネルギーを吸収し
て熱効率を向上させるために用いられるレーザー光の波
長に合った二色性染料」に訂正する。
6)第16頁11〜12行目、「アゾ系染料、アントラ
キノン染料」を「これらの二色性染料は通常、液晶のゲ
スト・ホスト用として使用されるものでよく、代表的な
例としてアゾ系染料、アントラキノン系染料、スクアリ
リウム系染料など」に訂正する。
キノン染料」を「これらの二色性染料は通常、液晶のゲ
スト・ホスト用として使用されるものでよく、代表的な
例としてアゾ系染料、アントラキノン系染料、スクアリ
リウム系染料など」に訂正する。
7)第17頁3行目、「含有量30%」を「含有量は3
0%」に訂正する。
0%」に訂正する。
(別 紙)
特許請求の範囲(全文)
1、一般式
(ここで、R1は炭素数8.9.10,11もしくは1
2のアルキル基を示す。) で示される4−n−アルキル−4′−シアノビフェニル
の少くとも1種からなるA成分および一般式 (ここで、R2は炭素数8.9.1o、11もしくは1
2のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルコキ
シカルボニルオキシ−4′−シアノビフェニルの少くと
も1種からなるB成分を含有し、A成分とB成分の比率
が25ニア5ないし95:5であることを特徴とする液
晶組成物。
2のアルキル基を示す。) で示される4−n−アルキル−4′−シアノビフェニル
の少くとも1種からなるA成分および一般式 (ここで、R2は炭素数8.9.1o、11もしくは1
2のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルコキ
シカルボニルオキシ−4′−シアノビフェニルの少くと
も1種からなるB成分を含有し、A成分とB成分の比率
が25ニア5ないし95:5であることを特徴とする液
晶組成物。
2、一般式
%式%(3)
(ここで、R3は炭素数8.9.10.11もしくは1
2のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルコキ
シ−47−シアノビフェニルの少くとも1種からなるC
成分を35%以下含有する特許請求の範囲第1項記載の
液晶組成物。
2のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルコキ
シ−47−シアノビフェニルの少くとも1種からなるC
成分を35%以下含有する特許請求の範囲第1項記載の
液晶組成物。
3、一般式
%式%(4)
(ここで、&は炭素数8.9.10.11もしくは12
のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルカノイ
ルオキシ−4′−シアノビフェニルの少くとも1種から
なるD成分を含有し、A成分およびB成分の合計とD成
分との比率が95:5ないし45 : 55である特許
請求の範囲第1項もしくは第2項記載の液晶組成物。
のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルカノイ
ルオキシ−4′−シアノビフェニルの少くとも1種から
なるD成分を含有し、A成分およびB成分の合計とD成
分との比率が95:5ないし45 : 55である特許
請求の範囲第1項もしくは第2項記載の液晶組成物。
4、 A成分が4−n−オクチル−4′−シアノビフ
ェニル、4−n−ノニル−4′−シアノビフエニルから
選ばれた少くとも1種のA成分(1)と4−n−ドデシ
ル−4′−シアノビフェニル、4−n−ウンデシル−4
′−シアノビフェニル、4−n−デシル−4′−シアノ
ビフェニルから選ばれた少くとも1種のA成分(2)と
からなシ、A成分(1)とA成分(2)との比率が50
: 50ないし90:10である特許請求の範囲第1
項、第2項もしくは第3項記載の液晶組成物。
ェニル、4−n−ノニル−4′−シアノビフエニルから
選ばれた少くとも1種のA成分(1)と4−n−ドデシ
ル−4′−シアノビフェニル、4−n−ウンデシル−4
′−シアノビフェニル、4−n−デシル−4′−シアノ
ビフェニルから選ばれた少くとも1種のA成分(2)と
からなシ、A成分(1)とA成分(2)との比率が50
: 50ないし90:10である特許請求の範囲第1
項、第2項もしくは第3項記載の液晶組成物。
5、一般式
(ここで、R1は炭素数8.9.10.11もしくは1
2のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルキル
−4′−シアノビフェニルの少くとも1種からなるA成
分、および一般式(ここで、R1は炭素数8.9.10
.11もしくは12のアルキル基を示す。)で示される
4−n−アルコキシカルボニルオキシ−47−シアノビ
フェニルの少くとも1種からなるB成分を含有し、A成
分とB成分の比率が25ニア5ないし95:5である液
晶組成物を用いたことを特徴とする熱書込み用液晶表示
素子。
2のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルキル
−4′−シアノビフェニルの少くとも1種からなるA成
分、および一般式(ここで、R1は炭素数8.9.10
.11もしくは12のアルキル基を示す。)で示される
4−n−アルコキシカルボニルオキシ−47−シアノビ
フェニルの少くとも1種からなるB成分を含有し、A成
分とB成分の比率が25ニア5ないし95:5である液
晶組成物を用いたことを特徴とする熱書込み用液晶表示
素子。
6、一般式
(ここで、R3は炭素数8.9.10.11もしくは1
2のアルキル基を示す。)で示される、4−n−アルコ
キシ−4′−シアノビフェニルの少くとも1種からなる
C成分を35%以下含有する液晶組成物を用いた特許請
求の範囲第5項記載の熱書込み用液晶表示素子。
2のアルキル基を示す。)で示される、4−n−アルコ
キシ−4′−シアノビフェニルの少くとも1種からなる
C成分を35%以下含有する液晶組成物を用いた特許請
求の範囲第5項記載の熱書込み用液晶表示素子。
7、一般式
(ここで、R4は炭素数8.9.10.11もしくは1
2のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルカノ
イルオキシ−47−シアノビフェニルの少くとも1種か
らなるD成分を含有し、(A成分子B成分)とD成分の
比が95:5ないし45:55である液晶組成物を用い
た特許請求の範囲第5項もしくは第6項記載の熱書込み
用液晶表示素子。
2のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルカノ
イルオキシ−47−シアノビフェニルの少くとも1種か
らなるD成分を含有し、(A成分子B成分)とD成分の
比が95:5ないし45:55である液晶組成物を用い
た特許請求の範囲第5項もしくは第6項記載の熱書込み
用液晶表示素子。
手続補正書(自発)
昭和63年4月 6日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(1) (こゝで、R_1は炭素数8、9、10、11、もしく
は12のアルキル基を示す。) で示される4−n−アルキル−4′−シアノビフェニル
の少くとも1種からなるA成分および一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(2) (こゝで、R_2は炭素数8、9、10、11もしくは
12のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルコ
キシカルボニルオキシ−4′−シアノビフェニルの少く
とも1種からなるB成分を含有し、A成分とB成分の比
率が25:75ないし95:5であることを特徴とする
液晶組成物。 2、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(3) (こゝで、R_3は炭素数8、9、10、11、もしく
は12のアルキル基を示す。)で示される4−n−アル
コキシ−4′−シアノビフェニルの少くとも1種からな
るC成分を35%以下含有する特許請求の範囲第1項記
載の液晶組成物。 3、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(4) (こゝで、R4は炭素数8、9、10、11もしくは1
2のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルカノ
イルオキシ−4′−シアノビフェニルの少くとも1種か
らなるD成分を含有し、A成分およびB成分の合計とD
成分との比率が95:5ないし45:55である特許請
求の範囲第1項もしくは第2項記載の液晶組成物。 4、A成分が4−n−オクチル−4′−シアノビフェニ
ル、4−n−ノニル−4′−シアノビフェニルから選ば
れた少くとも1種のA成分(1)と4−n−ドデシル−
4′−シアノビフェニル、4−n−デシル−4′−シア
ノビフェニルから選ばれた少くとも1種のA成分(2)
とからなり、A成分(1)とA成分(2)との比率が5
0:50ないし90:10である特許請求の範囲第1項
、第2項もしくは第3項記載の液晶組成物。 5、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(1) (こゝで、R_1は炭素数8、9、10、11、もしく
は12のアルキル基を示す。)で示される4−n−アル
キル−4′−シアノビフェニルの少くとも1種からなる
A成分、および一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(2) (こゝで、R_2は炭素数8、9、10、11もしくは
12のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルコ
キシカルボニルオキシ−4′−シアノビフェニルの少く
とも1種からなるB成分を含有し、A成分とB成分の比
率が25:75ないし95:5である液晶組成物を用い
たことを特徴とする熱書込み用液晶表示素子。 6、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(3) (こゝで、R_3は炭素数8、9、10、11、もしく
は12のアルキル基を示す。)で示される、4−n−ア
ルコキシ−4′−シアノビフェニルの少くとも1種から
なるC成分を35%以下含有する液晶組成物を用いた特
許請求の範囲第5項記載の熱書込み用液晶表示素子。 7、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(4) (こゝで、R_4は炭素数8、9、10、11もしくは
12のアルキル基を示す。)で示される4−n−アルカ
ノイルオキシ−4′−シアノビフェニルの少くとも1種
からなるD成分を含有し、(A成分+B成分)とD成分
の比が95:5ないし45:55である液晶組成物を用
いた特許請求の範囲第5項もしくは第6項記載の熱書込
み用液晶表示素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308898A JP2627629B2 (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 液晶組成物 |
| US07/392,965 US5085799A (en) | 1987-07-12 | 1988-12-07 | Liquid crystal composition |
| PCT/JP1988/001229 WO1989005337A1 (fr) | 1987-12-07 | 1988-12-07 | Compose a base de cristaux liquides |
| EP89900299A EP0345357B1 (en) | 1987-12-07 | 1988-12-07 | Liquid crystal composition |
| DE8989900299T DE3876983T2 (de) | 1987-12-07 | 1988-12-07 | Fluessigkristallzubereitung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308898A JP2627629B2 (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 液晶組成物 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149889A true JPH01149889A (ja) | 1989-06-12 |
| JP2627629B2 JP2627629B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=17986594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62308898A Expired - Lifetime JP2627629B2 (ja) | 1987-07-12 | 1987-12-07 | 液晶組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5085799A (ja) |
| EP (1) | EP0345357B1 (ja) |
| JP (1) | JP2627629B2 (ja) |
| DE (1) | DE3876983T2 (ja) |
| WO (1) | WO1989005337A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1932896B1 (en) * | 2006-12-11 | 2010-10-27 | Merck Patent GmbH | Stilbene derivatives, liquid-crystal mixtures and electro-optical displays |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1433130A (en) * | 1972-11-09 | 1976-04-22 | Secr Defence | Substituted biphenyl and polyphenyl compounds and liquid crystal materials and devices containing them |
| GB1452826A (en) * | 1973-10-17 | 1976-10-20 | Secr Defence | Liquid crystal compositions |
| NL7414352A (nl) * | 1973-11-19 | 1975-05-21 | Hoffmann La Roche | Vloeibaarkristallijne bifenylen. |
| FR2297201A1 (fr) * | 1975-01-10 | 1976-08-06 | Thomson Csf | Produits mesogenes pour cellules a cristal liquide, et procede de fabrication desdits produits |
| JPS5216488A (en) * | 1975-07-31 | 1977-02-07 | Dainippon Ink & Chem Inc | Nematic liquid crystal composite |
| JPS5216489A (en) * | 1975-07-31 | 1977-02-07 | Dainippon Ink & Chem Inc | Nematic liquid crystal composite |
| US4053451A (en) * | 1977-02-14 | 1977-10-11 | The B. F. Goodrich Company | Smoke retardant vinyl chloride and vinylidene chloride polymer compositions |
| US4253740A (en) * | 1977-09-12 | 1981-03-03 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Liquid crystal materials and devices containing them |
| DE2966302D1 (en) * | 1978-09-13 | 1983-11-17 | Secr Defence Brit | Improvements in or relating to liquid crystal materials and devices |
| US4328116A (en) * | 1979-11-01 | 1982-05-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Liquid crystal compositions for multiplexed displays |
| JPS5746952A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-17 | Chisso Corp | 4'-(beta-alkyloxyethoxy)-4-cyanobiphenyl |
| JPS59122574A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-16 | Nec Corp | 熱書込液晶素子用液晶物質 |
| EP0115693B1 (en) * | 1983-01-06 | 1987-08-26 | Chisso Corporation | Liquid crystalline compounds and mixtures thereof |
| JPS60144383A (ja) * | 1984-01-09 | 1985-07-30 | Nec Corp | 熱書込液晶素子用液晶物質 |
| JPS60252686A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-13 | Nec Corp | 熱書込液晶素子用液晶物質 |
| JPS61268790A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-28 | Nec Corp | 熱書込液晶素子用液晶組成物 |
| JPS61275385A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-12-05 | Nec Corp | 熱書込液晶素子用液晶組成物 |
| JPH0583355A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 留守番電話機 |
-
1987
- 1987-12-07 JP JP62308898A patent/JP2627629B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-12-07 US US07/392,965 patent/US5085799A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-07 WO PCT/JP1988/001229 patent/WO1989005337A1/ja not_active Ceased
- 1988-12-07 EP EP89900299A patent/EP0345357B1/en not_active Expired
- 1988-12-07 DE DE8989900299T patent/DE3876983T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5085799A (en) | 1992-02-04 |
| WO1989005337A1 (fr) | 1989-06-15 |
| EP0345357A4 (en) | 1990-03-27 |
| EP0345357A1 (en) | 1989-12-13 |
| JP2627629B2 (ja) | 1997-07-09 |
| EP0345357B1 (en) | 1992-12-23 |
| DE3876983T2 (de) | 1993-04-29 |
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