JPH01149964A - プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極Info
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- JPH01149964A JPH01149964A JP30576787A JP30576787A JPH01149964A JP H01149964 A JPH01149964 A JP H01149964A JP 30576787 A JP30576787 A JP 30576787A JP 30576787 A JP30576787 A JP 30576787A JP H01149964 A JPH01149964 A JP H01149964A
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- holes
- electrode plate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、例えば磁気ディスクの保ｒ！ＩＩＩ作成用等
に使用するプラズマＣＶＤ装置用シャワー電極に関する
ものである。
に使用するプラズマＣＶＤ装置用シャワー電極に関する
ものである。
［従来技術］
従来、プラズマＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｕｒ Ｄｅｐ。
ｏｕｒ Ｄｅｐ。
５ｉｔｉＯｎ）法により、基板上に薄膜を形成するプラ
ズマｃｖｏ＠＋ｉは、第４図に示すように、真空反応容
器１内の基板ヒータ２上に処理すべきドーナツ状基板３
を寝かせて設置し、基板３の上方には基板ヒータ２に対
向させてシャワー電極４を設置し、該シャワー電極４と
基板ヒータ２との間に高周波電源等のプラズマ電源５か
ら高周波電力を印加してプラズマを発生させ、またシャ
ワー電極４からは原料ガスをシャワー状にプラズマ中に
流出させ、該原料ガスをプラズマで反応させて基板３状
に成膜を行わせる構造になっていた。この場合、シャワ
ー電極４は、多数のガス流出孔６を分散して設けたシャ
ワー電極板７と、該シャワー電極板７の裏側にガス分配
室８を形成して該ガス分配室８に供給される原料ガスを
各ガス流出孔６に分配する分配室形成体９により構成さ
れていた。なお、１０は真空反応容器１内を真空引きす
るための配管、１１はシャワー電極４に原料ガスを供給
するための配管である。
ズマｃｖｏ＠＋ｉは、第４図に示すように、真空反応容
器１内の基板ヒータ２上に処理すべきドーナツ状基板３
を寝かせて設置し、基板３の上方には基板ヒータ２に対
向させてシャワー電極４を設置し、該シャワー電極４と
基板ヒータ２との間に高周波電源等のプラズマ電源５か
ら高周波電力を印加してプラズマを発生させ、またシャ
ワー電極４からは原料ガスをシャワー状にプラズマ中に
流出させ、該原料ガスをプラズマで反応させて基板３状
に成膜を行わせる構造になっていた。この場合、シャワ
ー電極４は、多数のガス流出孔６を分散して設けたシャ
ワー電極板７と、該シャワー電極板７の裏側にガス分配
室８を形成して該ガス分配室８に供給される原料ガスを
各ガス流出孔６に分配する分配室形成体９により構成さ
れていた。なお、１０は真空反応容器１内を真空引きす
るための配管、１１はシャワー電極４に原料ガスを供給
するための配管である。
この場合、従来のシャワー電極４におけるシャワー電極
板７には、各ガス流出孔６を第５図（Ａ）に示すように
ほぼ均一に分布させたり、あるいは第６図（Ａ＞に示す
よう外周に沿って分布させたりしていた。
板７には、各ガス流出孔６を第５図（Ａ）に示すように
ほぼ均一に分布させたり、あるいは第６図（Ａ＞に示す
よう外周に沿って分布させたりしていた。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、第５図（Ａ）に示すようにガス流出孔６
をほぼ均一にシャワー電極板７に分布させたシャワー電
極４を用いて基板３に薄膜を形成した場合には、その膜
圧の分布は第５図＜８＞に示すように基板３の中央部が
厚くなり、均一な厚さの薄膜を形成できない問題点があ
った。また、第６図（Ａ）に示すようにガス流出孔６を
シャワー電極板７の外周に沿って分布させたシャワー電
極４を用いて基板３に薄膜を形成した場合には、その膜
厚の分布は第６図（Ｂ）に示すように基板３の外周側が
厚くなり、均一な厚さの薄膜を形成できない問題点があ
った。
をほぼ均一にシャワー電極板７に分布させたシャワー電
極４を用いて基板３に薄膜を形成した場合には、その膜
圧の分布は第５図＜８＞に示すように基板３の中央部が
厚くなり、均一な厚さの薄膜を形成できない問題点があ
った。また、第６図（Ａ）に示すようにガス流出孔６を
シャワー電極板７の外周に沿って分布させたシャワー電
極４を用いて基板３に薄膜を形成した場合には、その膜
厚の分布は第６図（Ｂ）に示すように基板３の外周側が
厚くなり、均一な厚さの薄膜を形成できない問題点があ
った。
本発〜明の目的は、均一な厚さの薄膜を形成できるプラ
ズマＣＶＤ装置用シャワー電極を提供することにある。
ズマＣＶＤ装置用シャワー電極を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
上記の目的を達成するための本発明の詳細な説明すると
、本発明は多数のガス流出孔を分散して設けたシャワー
電極板と、前記シャワー電極板の裏側にガス分配室を形
成して該ガス分配室に供給されるガスを前記各ガス流出
孔に分配する分配室形成体とを備えたプラズマＣＶＤ装
置用シャワー電極において、半径Ｒの前記シャワー電極
板に同心状にｎ段に前記ガス流出孔を設けるに際し、各
段の前記各ガス流出孔の前記シャワー電極板の中心から
の孔位＠ｒ、（ただし、ｋは前記ｎ段のうち前記シャワ
ー電極板の外周側から数えた段数であって１≦ｋ≦ｎ）
は ｒ、−Ｒ（１−に２／ （１＋ｎ） ２）とし、各段の
前記各ガス流出孔の孔径り、はＤｋ″ｒ（ とし、各段の前記各ガス流出孔の周方向の孔の数Ｎ、は Ｎｋｏｃｒｋ’ とすることを特徴とする。
、本発明は多数のガス流出孔を分散して設けたシャワー
電極板と、前記シャワー電極板の裏側にガス分配室を形
成して該ガス分配室に供給されるガスを前記各ガス流出
孔に分配する分配室形成体とを備えたプラズマＣＶＤ装
置用シャワー電極において、半径Ｒの前記シャワー電極
板に同心状にｎ段に前記ガス流出孔を設けるに際し、各
段の前記各ガス流出孔の前記シャワー電極板の中心から
の孔位＠ｒ、（ただし、ｋは前記ｎ段のうち前記シャワ
ー電極板の外周側から数えた段数であって１≦ｋ≦ｎ）
は ｒ、−Ｒ（１−に２／ （１＋ｎ） ２）とし、各段の
前記各ガス流出孔の孔径り、はＤｋ″ｒ（ とし、各段の前記各ガス流出孔の周方向の孔の数Ｎ、は Ｎｋｏｃｒｋ’ とすることを特徴とする。
［作用］
このようにガス流出孔を分布させて設けると、シャワー
電極板の中心から外周に向うにつれて、孔の大きさが大
きくなり、隣接する段間の間隔が狭くなり、且つ各段の
周方向の孔の数が多くなるので、−様にガスを流出でき
て、−様な厚さで基板に膜を形成できる。
電極板の中心から外周に向うにつれて、孔の大きさが大
きくなり、隣接する段間の間隔が狭くなり、且つ各段の
周方向の孔の数が多くなるので、−様にガスを流出でき
て、−様な厚さで基板に膜を形成できる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。第１図に示すように本実施例のシャワー電極４におい
ては、半径Ｒのシャワー電極板７に同心状にｎ段にガス
流出孔８を設けるに際し、各段の各ガス流出孔８のシャ
ワー電極板７の中心からの孔位置ｒｋ （ただし、ｋは
前記ｎ段のうちシャワー電極板７の外周側から数えた段
数であって１≦ｋ≦ｎ）は ｒｋ＝Ｒ（１ｋ２／（１＋ｎ＞２） とし、各段のガス流出孔８の孔径ＤｋはＤｋ∝ｒｋ とし、各段の各ガス流出孔８の周方向の孔数Ｎ。
。第１図に示すように本実施例のシャワー電極４におい
ては、半径Ｒのシャワー電極板７に同心状にｎ段にガス
流出孔８を設けるに際し、各段の各ガス流出孔８のシャ
ワー電極板７の中心からの孔位置ｒｋ （ただし、ｋは
前記ｎ段のうちシャワー電極板７の外周側から数えた段
数であって１≦ｋ≦ｎ）は ｒｋ＝Ｒ（１ｋ２／（１＋ｎ＞２） とし、各段のガス流出孔８の孔径ＤｋはＤｋ∝ｒｋ とし、各段の各ガス流出孔８の周方向の孔数Ｎ。
は
Ｎ ｋ” ｒ Ｂ ’
とする。
具体的には、Ｒ＝７０ｍｍ、ｎ＝４とした場合、表１の
ようにする。
ようにする。
表 １
表１では、Ｄは最大孔径を１．０ｍｍとし、ｒに比例配
分した。また、Ｎは最小孔数を４とし、ｒ３に対して比
例配分した。
分した。また、Ｎは最小孔数を４とし、ｒ３に対して比
例配分した。
この結果、第２図に示すように基板３の面の約９６％に
わたって±５％の誤差でほぼ一様な膜厚分布が得られた
。
わたって±５％の誤差でほぼ一様な膜厚分布が得られた
。
第３図は本発明のシャワー電極４の他の例を示したもの
である。本実施例のシャワー電極４は、前述したように
ガス流出孔８が設けられたシャワー電極板７が分配室形
成体９に対して交換可能にネジ１２で取付けられている
例を示したものである。
である。本実施例のシャワー電極４は、前述したように
ガス流出孔８が設けられたシャワー電極板７が分配室形
成体９に対して交換可能にネジ１２で取付けられている
例を示したものである。
［発明の効果］
以上説明したように本発明に係るプラズマＣＶＤ装置用
シャワー電極では、半径Ｒのシャワー電極板に同心状に
ｎ段にガス流出孔を設けるに際し、各段の各ガス流出孔
のシャワー電極板の中心からの孔位１ｒｋ （他だし、
ｋはｎ段のうちシャワー電極板の外周側から数えた段数
）は ｒｋ−Ｒ（１−に２ ／ （１＋ｎ） ２）とし、各段
のガス流出孔の孔径Ｄｋは Ｄｋ∝ｒｋ とし、各段の各ガス流出孔の孔の周方向の孔の数Ｎｋは Ｎｋ∝ｒｋ３ としたので、シャワー電極板の中心から外周に向うにつ
れて、孔の大きさが大きくなり、隣接する段間の孔の間
隔が狭くなり、且つ各段の周方向の孔の数が多くなるの
で、各段からほぼ一様にガスを流出させることができて
、−様な厚さで基板に膜を形成できる利点がある。
シャワー電極では、半径Ｒのシャワー電極板に同心状に
ｎ段にガス流出孔を設けるに際し、各段の各ガス流出孔
のシャワー電極板の中心からの孔位１ｒｋ （他だし、
ｋはｎ段のうちシャワー電極板の外周側から数えた段数
）は ｒｋ−Ｒ（１−に２ ／ （１＋ｎ） ２）とし、各段
のガス流出孔の孔径Ｄｋは Ｄｋ∝ｒｋ とし、各段の各ガス流出孔の孔の周方向の孔の数Ｎｋは Ｎｋ∝ｒｋ３ としたので、シャワー電極板の中心から外周に向うにつ
れて、孔の大きさが大きくなり、隣接する段間の孔の間
隔が狭くなり、且つ各段の周方向の孔の数が多くなるの
で、各段からほぼ一様にガスを流出させることができて
、−様な厚さで基板に膜を形成できる利点がある。
第１図は本発明に係るシャワー電極の一実施例における
シャワー電極板の部分正面図、第２図は第１図に示すシ
ャワー電極を用いたときに径方向の膜厚分布図、第３図
は本発明に係るシャワー電極の他の実施例の縦断面図、
第４図は従来のプラズマＣＶＤ装置の縦断面図、第５図
（Ａ＞（Ｂ）は従来のシャワー電極の一例の正面図及び
該シャワー電極を用いたときの基板に対する膜厚分布図
、第６図（Ａ）（Ｂ）は従来のシャワー電極の他の例の
正面図及び該シャワー電極を用いたときの基板に対する
膜厚分布図である。 ４・・・シャワー電極、６・・・ガス流出孔、７・・・
シャワー電極板、８・・・ガス分配室。 手続補正書く自制 昭和６３年 ２月２６日 １、事件の表示 特願昭６２−３０５７６７号２、発明
の名称 プラズマＣＶＤ装置用シャワー電極 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （５２９）古河電気工業株式会社 ４、代理人 東京都港区新橋４−３１−６ 文山ビル６階松本特許
事務所（電話４３７−５７８１番）図面の第１図及び第
４図 ６、補正の内容 図面の「第１図」及び「第４図」を別紙の通り訂正する
。 ＠１ 図 、
シャワー電極板の部分正面図、第２図は第１図に示すシ
ャワー電極を用いたときに径方向の膜厚分布図、第３図
は本発明に係るシャワー電極の他の実施例の縦断面図、
第４図は従来のプラズマＣＶＤ装置の縦断面図、第５図
（Ａ＞（Ｂ）は従来のシャワー電極の一例の正面図及び
該シャワー電極を用いたときの基板に対する膜厚分布図
、第６図（Ａ）（Ｂ）は従来のシャワー電極の他の例の
正面図及び該シャワー電極を用いたときの基板に対する
膜厚分布図である。 ４・・・シャワー電極、６・・・ガス流出孔、７・・・
シャワー電極板、８・・・ガス分配室。 手続補正書く自制 昭和６３年 ２月２６日 １、事件の表示 特願昭６２−３０５７６７号２、発明
の名称 プラズマＣＶＤ装置用シャワー電極 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （５２９）古河電気工業株式会社 ４、代理人 東京都港区新橋４−３１−６ 文山ビル６階松本特許
事務所（電話４３７−５７８１番）図面の第１図及び第
４図 ６、補正の内容 図面の「第１図」及び「第４図」を別紙の通り訂正する
。 ＠１ 図 、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 多数のガス流出孔を分散して設けたシャワー電極板と
、前記シャワー電極板の裏側にガス分配室を形成して該
ガス分配室に供給されるガスを前記各ガス流出孔に分配
する分配室形成体とを備えたプラズマＣＶＤ装置用シャ
ワー電極において、半径Ｒの前記シャワー電極板に同心
状にｎ段に前記ガス流出孔を設けるに際し、 各段の前記各ガス流出孔の前記シャワー電極板の中心か
らの孔位置ｒ＿ｋ（ただし、ｋは前記ｎ段のうち前記シ
ャワー電極板の外周側から数えた段数であつて１≦ｋ≦
ｎ）は ｒ＿ｋ＝Ｒ｛１−ｋ＾２／（１＋ｎ）＾２｝とし、 各段の前記各ガス流出孔の孔径Ｄ＿ｋは Ｄ＿ｋ∝ｒ＿ｋ とし、 各段の前記各ガス流出孔の周方向の孔の数Ｎ＿ｋは Ｎ＿ｋ∝ｒ＿ｋ＾３ とすることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置用シャワー
電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30576787A JPH01149964A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30576787A JPH01149964A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149964A true JPH01149964A (ja) | 1989-06-13 |
| JPH0431023B2 JPH0431023B2 (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=17949102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30576787A Granted JPH01149964A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01149964A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03120371A (ja) * | 1989-10-01 | 1991-05-22 | Hirano Tecseed Co Ltd | 薄膜製造法 |
| GB2241250A (en) * | 1990-01-26 | 1991-08-28 | Fuji Electric Co Ltd | RF plasma CVD employing an electrode with a shower supply surface |
| US5423936A (en) * | 1992-10-19 | 1995-06-13 | Hitachi, Ltd. | Plasma etching system |
| US5451290A (en) * | 1989-08-14 | 1995-09-19 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system |
| US6379466B1 (en) | 1992-01-17 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled gas distribution plate |
| JP2004190132A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-08 | Kyocera Corp | ホットワイヤｃｖｄ装置 |
| WO2006017136A3 (en) * | 2004-07-12 | 2006-09-21 | Applied Materials Inc | Plasma uniformity control by gas diffuser curvature |
| KR100712172B1 (ko) * | 2004-03-01 | 2007-04-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | 플라스마 처리장치 및 그의 설계방법 |
| CN100373535C (zh) * | 2005-03-10 | 2008-03-05 | 三星电子株式会社 | 半导体制造装置 |
| WO2010003093A3 (en) * | 2008-07-03 | 2010-04-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatuses for atomic layer deposition |
| US7785672B2 (en) | 2004-04-20 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films |
| EP2453244A1 (en) * | 2010-11-15 | 2012-05-16 | Rosemount Aerospace Inc. | Static port apparatus |
| US9200368B2 (en) | 2004-05-12 | 2015-12-01 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
| JP2017028220A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用電極板 |
| US9580804B2 (en) | 2007-06-22 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Diffuser support |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP30576787A patent/JPH01149964A/ja active Granted
Cited By (22)
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| US9200368B2 (en) | 2004-05-12 | 2015-12-01 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
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| WO2006017136A3 (en) * | 2004-07-12 | 2006-09-21 | Applied Materials Inc | Plasma uniformity control by gas diffuser curvature |
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| US8293015B2 (en) | 2008-07-03 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatuses and methods for atomic layer deposition |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0431023B2 (ja) | 1992-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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