JPH0431023B2 - - Google Patents
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- JPH0431023B2 JPH0431023B2 JP30576787A JP30576787A JPH0431023B2 JP H0431023 B2 JPH0431023 B2 JP H0431023B2 JP 30576787 A JP30576787 A JP 30576787A JP 30576787 A JP30576787 A JP 30576787A JP H0431023 B2 JPH0431023 B2 JP H0431023B2
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- shower electrode
- electrode plate
- gas
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- hole
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- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、例えば磁気デイスクの保護膜作成用
等に使用するプラズマCVD装置用シヤワー電極
に関するものである。 ［従来技術］ 従来、プラズマCVD（Chemical Vapour
Deposition）法により、基板上に薄膜を形成する
プラズマCVD装置は、第４図に示すように、真
空反応容器１内の基板ヒータ２上に処理すべきド
ーナツ状基板３を寝かせて設置し、基板３の上方
には基板ヒータ２に対向させてシヤワー電極４を
設置し、該シヤワー電極４と基板ヒータ２との間
に高周波電源等のプラズマ電源５から高周波電力
を印加してプラズマを発生させ、またシヤワー電
極４からは原料ガスをシヤワー状にプラズマ中に
流出させ、該原料ガスをプラズマで反応させて基
板３状に成膜を行わせる構造になつていた。この
場合、シヤワー電極４は、多数のガス流出孔６を
分散して設けたシヤワー電極板７と、該シヤワー
電極板７の裏側にガス分配室８を形成して該ガス
分配室８に供給される原料ガスを各ガス流出孔６
に分配する分配室形成体９により構成されてい
た。なお、１０は真空反応容器１内を真空引きす
るための配管、１１はシヤワー電極４に原料ガス
を供給するための配管である。 この場合、従来のシヤワー電極４におけるシヤ
ワー電極板７には、各ガス流出孔６を第５図Ａに
示すようにほぼ均一に分布させたり、あるいは第
６図Ａに示すよう外周に沿つて分布させたりして
いた。 ［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、第５図Ａに示すようにガス流出
孔６をほぼ均一にシヤワー電極板７に分布させた
シヤワー電極４を用いて基板３に薄膜を形成した
場合には、その膜圧の分布は第５図Ｂに示すよう
に基板３の中央部が厚くなり、均一な厚さの薄膜
を形成できない問題点があつた。また、第６図Ａ
に示すようにガス流出孔６をシヤワー電極板７の
外周に沿つて分布させたシヤワー電極４を用いて
基板３に薄膜を形成した場合には、その薄厚の分
布は第６図Ｂに示すように基板３の外周側が厚く
なり、均一な厚さの薄膜を形成できない問題点が
あつた。 本発明の目的は、均一な厚さの薄膜を形成でき
るプラズマCVD装置用シヤワー電極を提供する
ことにある。 ［問題点を解決するための手段］ 上記の目的を達成するための本発明の構成を説
明すると、本発明は多数のガス流出孔を分散して
設けたシヤワー電極板と、前記シヤワー電極板の
裏側にガス分配室を形成して該ガス分配室に供給
されるガスを前記各ガス流出孔に分配する分配室
形成体とを備えたプラズマCVD装置用シヤワー
電極において、半径Ｒの前記シヤワー電極板に同
心状にｎ段に前記ガス流出孔を設けるに際し、各
段の前記各ガス流出孔の前記シヤワー電極板の中
心からの孔位置rk（ただし、ｋは前記ｎ段のうち
前記シヤワー電極板の外周側から数えた段数であ
つて１≦ｋ≦ｎ）は rk＝Ｒ｛１−k2／（１＋ｎ）2｝ とし、各段の前記各ガス流出孔の孔径Dkは Dk∝rk とし、各段の前記各ガス流出孔の周方向の孔の数
Nkは Nk∝rk 3 とすることを特徴とする。 ［作用］ このようにガス流出孔を分布させて設けると、
シヤワー電極板の中心から外周に向うにつれて、
孔の大きさが大きくなり、隣接する段間の間隔が
狭くなり、且つ各段の周方向の孔の数が多くなる
ので、一様にガスを流出できて、一様な厚さで基
板に膜を形成できる。 ［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に
説明する。第１図に示すように本実施例のシヤワ
ー電極４においては、半径Ｒのシヤワー電極板７
に同心状にｎ段にガス流出孔８を設けるに際し、
各段の各ガス流出孔８のシヤワー電極板７の中心
からの孔位置rk（ただし、ｋは前記ｎ段のうちシ
ヤワー電極板７の外周側から数えた段数であつて
１≦ｋ≦ｎ）は rk＝Ｒ｛１−k2／（１＋ｎ）2｝ とし、各段のガス流出孔８の孔径Dkは Dk∝rk とし、各段の各ガス流出孔８の周方向の孔の数
Nkは Nk∝rk 3 とする。 具体的には、Ｒ＝70mm、ｎ＝４とした場合、表
１のようにする。
等に使用するプラズマCVD装置用シヤワー電極
に関するものである。 ［従来技術］ 従来、プラズマCVD（Chemical Vapour
Deposition）法により、基板上に薄膜を形成する
プラズマCVD装置は、第４図に示すように、真
空反応容器１内の基板ヒータ２上に処理すべきド
ーナツ状基板３を寝かせて設置し、基板３の上方
には基板ヒータ２に対向させてシヤワー電極４を
設置し、該シヤワー電極４と基板ヒータ２との間
に高周波電源等のプラズマ電源５から高周波電力
を印加してプラズマを発生させ、またシヤワー電
極４からは原料ガスをシヤワー状にプラズマ中に
流出させ、該原料ガスをプラズマで反応させて基
板３状に成膜を行わせる構造になつていた。この
場合、シヤワー電極４は、多数のガス流出孔６を
分散して設けたシヤワー電極板７と、該シヤワー
電極板７の裏側にガス分配室８を形成して該ガス
分配室８に供給される原料ガスを各ガス流出孔６
に分配する分配室形成体９により構成されてい
た。なお、１０は真空反応容器１内を真空引きす
るための配管、１１はシヤワー電極４に原料ガス
を供給するための配管である。 この場合、従来のシヤワー電極４におけるシヤ
ワー電極板７には、各ガス流出孔６を第５図Ａに
示すようにほぼ均一に分布させたり、あるいは第
６図Ａに示すよう外周に沿つて分布させたりして
いた。 ［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、第５図Ａに示すようにガス流出
孔６をほぼ均一にシヤワー電極板７に分布させた
シヤワー電極４を用いて基板３に薄膜を形成した
場合には、その膜圧の分布は第５図Ｂに示すよう
に基板３の中央部が厚くなり、均一な厚さの薄膜
を形成できない問題点があつた。また、第６図Ａ
に示すようにガス流出孔６をシヤワー電極板７の
外周に沿つて分布させたシヤワー電極４を用いて
基板３に薄膜を形成した場合には、その薄厚の分
布は第６図Ｂに示すように基板３の外周側が厚く
なり、均一な厚さの薄膜を形成できない問題点が
あつた。 本発明の目的は、均一な厚さの薄膜を形成でき
るプラズマCVD装置用シヤワー電極を提供する
ことにある。 ［問題点を解決するための手段］ 上記の目的を達成するための本発明の構成を説
明すると、本発明は多数のガス流出孔を分散して
設けたシヤワー電極板と、前記シヤワー電極板の
裏側にガス分配室を形成して該ガス分配室に供給
されるガスを前記各ガス流出孔に分配する分配室
形成体とを備えたプラズマCVD装置用シヤワー
電極において、半径Ｒの前記シヤワー電極板に同
心状にｎ段に前記ガス流出孔を設けるに際し、各
段の前記各ガス流出孔の前記シヤワー電極板の中
心からの孔位置rk（ただし、ｋは前記ｎ段のうち
前記シヤワー電極板の外周側から数えた段数であ
つて１≦ｋ≦ｎ）は rk＝Ｒ｛１−k2／（１＋ｎ）2｝ とし、各段の前記各ガス流出孔の孔径Dkは Dk∝rk とし、各段の前記各ガス流出孔の周方向の孔の数
Nkは Nk∝rk 3 とすることを特徴とする。 ［作用］ このようにガス流出孔を分布させて設けると、
シヤワー電極板の中心から外周に向うにつれて、
孔の大きさが大きくなり、隣接する段間の間隔が
狭くなり、且つ各段の周方向の孔の数が多くなる
ので、一様にガスを流出できて、一様な厚さで基
板に膜を形成できる。 ［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に
説明する。第１図に示すように本実施例のシヤワ
ー電極４においては、半径Ｒのシヤワー電極板７
に同心状にｎ段にガス流出孔８を設けるに際し、
各段の各ガス流出孔８のシヤワー電極板７の中心
からの孔位置rk（ただし、ｋは前記ｎ段のうちシ
ヤワー電極板７の外周側から数えた段数であつて
１≦ｋ≦ｎ）は rk＝Ｒ｛１−k2／（１＋ｎ）2｝ とし、各段のガス流出孔８の孔径Dkは Dk∝rk とし、各段の各ガス流出孔８の周方向の孔の数
Nkは Nk∝rk 3 とする。 具体的には、Ｒ＝70mm、ｎ＝４とした場合、表
１のようにする。
【表】
表１では、Ｄは最大孔径を1.0mmとし、ｒに比
例配分した。また、Ｎは最小孔数を４とし、r3に
対して比例配分した。 この結果、第２図に示すように基板３の面の約
96％にわたつて±５％の誤差でほぼ一様な膜厚分
布が得られた。 第３図は本発明のシヤワー電極４の他の例を示
したものである。本実施例のシヤワー電極４は、
前述したようにガス流出孔８が設けられたシヤワ
ー電極板７が分配室形成体９に対して交換可能に
ネジ１２で取付けられている例を示したものであ
る。 ［発明の効果］ 以上説明したように本発明に係るプラズマ
CVD装置用シヤワー電極では、半径Ｒのシヤワ
ー電極板に同心状にｎ段にガス流出孔を設けるに
際し、各段の各ガス流出孔のシヤワー電極板の中
心からの孔位置rk（ただし、ｋはｎ段のうちシヤ
ワー電極板の外周側から数えた段数）は rk＝Ｒ｛１−k2／（１＋ｎ）2｝ とし、各段の各ガス流出孔の孔径Dkは Dk∝rk とし、各段の各ガス流出孔の周方向の孔の数Nk
は Nk∝rk 3 としたので、シヤワー電極板の中心から外周に向
うにつれて、孔の大きさが大きくなり、隣接する
段間の孔の間隔が狭くなり、且つ各段の周方向の
孔の数が多くなるので、各段からほぼ一様にガス
を流出させることができて、一様な厚さで基板に
膜を形成できる利点がある。
例配分した。また、Ｎは最小孔数を４とし、r3に
対して比例配分した。 この結果、第２図に示すように基板３の面の約
96％にわたつて±５％の誤差でほぼ一様な膜厚分
布が得られた。 第３図は本発明のシヤワー電極４の他の例を示
したものである。本実施例のシヤワー電極４は、
前述したようにガス流出孔８が設けられたシヤワ
ー電極板７が分配室形成体９に対して交換可能に
ネジ１２で取付けられている例を示したものであ
る。 ［発明の効果］ 以上説明したように本発明に係るプラズマ
CVD装置用シヤワー電極では、半径Ｒのシヤワ
ー電極板に同心状にｎ段にガス流出孔を設けるに
際し、各段の各ガス流出孔のシヤワー電極板の中
心からの孔位置rk（ただし、ｋはｎ段のうちシヤ
ワー電極板の外周側から数えた段数）は rk＝Ｒ｛１−k2／（１＋ｎ）2｝ とし、各段の各ガス流出孔の孔径Dkは Dk∝rk とし、各段の各ガス流出孔の周方向の孔の数Nk
は Nk∝rk 3 としたので、シヤワー電極板の中心から外周に向
うにつれて、孔の大きさが大きくなり、隣接する
段間の孔の間隔が狭くなり、且つ各段の周方向の
孔の数が多くなるので、各段からほぼ一様にガス
を流出させることができて、一様な厚さで基板に
膜を形成できる利点がある。
第１図は本発明に係るシヤワー電極の一実施例
におけるシヤワー電極板の部分正面図、第２図は
第１図に示すシヤワー電極を用いたときに径方向
の膜厚分布図、第３図は本発明に係るシヤワー電
極の他の実施例の縦断面図、第４図は従来のプラ
ズマCVD装置の縦断面図、第５図Ａ，Ｂは従来
のシヤワー電極の一例の正面図及び該シヤワー電
極を用いたときの基板に対する膜厚分布図、第６
図Ａ，Ｂは従来のシヤワー電極の他の例の正面図
及び該シヤワー電極を用いたときの基板に対する
膜厚分布図である。 ４……シヤワー電極、６……ガス流出孔、７…
…シヤワー電極板、８……ガス分配室。
におけるシヤワー電極板の部分正面図、第２図は
第１図に示すシヤワー電極を用いたときに径方向
の膜厚分布図、第３図は本発明に係るシヤワー電
極の他の実施例の縦断面図、第４図は従来のプラ
ズマCVD装置の縦断面図、第５図Ａ，Ｂは従来
のシヤワー電極の一例の正面図及び該シヤワー電
極を用いたときの基板に対する膜厚分布図、第６
図Ａ，Ｂは従来のシヤワー電極の他の例の正面図
及び該シヤワー電極を用いたときの基板に対する
膜厚分布図である。 ４……シヤワー電極、６……ガス流出孔、７…
…シヤワー電極板、８……ガス分配室。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 多数のガス流出孔を分散して設けたシヤワー
電極板と、前記シヤワー電極板の裏側にガス分配
室を形成して該ガス分配室に供給されるガスを前
記各ガス流出孔に分配する分配室形成体とを備え
たプラズマCVD装置用シヤワー電極において、
半径Ｒの前記シヤワー電極板に同心状にｎ段に前
記ガス流出孔を設けるに際し、 各段の前記各ガス流出孔の前記シヤワー電極板
の中心からの孔位置rk（ただし、ｋは前記ｎ段の
うち前記シヤワー電極板の外周側から数えた段数
であつて１≦ｋ≦ｎ）は rk＝Ｒ｛１−k2／（１＋ｎ）2｝ とし、 各段の前記各ガス流出孔の孔径Dkは Dk∝rk とし、 各段の前記各ガス流出孔の周方向の孔の数Nk
は Nk∝rk 3 とすることを特徴とするプラズマCVD装置用シ
ヤワー電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30576787A JPH01149964A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30576787A JPH01149964A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149964A JPH01149964A (ja) | 1989-06-13 |
| JPH0431023B2 true JPH0431023B2 (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=17949102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30576787A Granted JPH01149964A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01149964A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0413239B1 (en) * | 1989-08-14 | 1996-01-10 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system and method of using said system |
| JPH03120371A (ja) * | 1989-10-01 | 1991-05-22 | Hirano Tecseed Co Ltd | 薄膜製造法 |
| GB2241250A (en) * | 1990-01-26 | 1991-08-28 | Fuji Electric Co Ltd | RF plasma CVD employing an electrode with a shower supply surface |
| US6379466B1 (en) | 1992-01-17 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled gas distribution plate |
| KR100276093B1 (ko) * | 1992-10-19 | 2000-12-15 | 히가시 데쓰로 | 플라스마 에칭방법 |
| JP2004190132A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-08 | Kyocera Corp | ホットワイヤｃｖｄ装置 |
| JP2005251803A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Canon Inc | プラズマ処理装置およびその設計方法 |
| US7785672B2 (en) | 2004-04-20 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films |
| US8083853B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
| CN101871099B (zh) * | 2004-07-12 | 2013-09-25 | 应用材料公司 | 通过气体分散器弯曲性的等离子体均匀度控制 |
| KR101110635B1 (ko) * | 2005-03-10 | 2012-02-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장치 |
| US20080317973A1 (en) | 2007-06-22 | 2008-12-25 | White John M | Diffuser support |
| US8291857B2 (en) * | 2008-07-03 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatuses and methods for atomic layer deposition |
| US8365591B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-02-05 | Rosemount Aerospace Inc. | Static port apparatus |
| JP6485270B2 (ja) * | 2015-07-28 | 2019-03-20 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用電極板 |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP30576787A patent/JPH01149964A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01149964A (ja) | 1989-06-13 |
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Legal Events
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