JPH0115202B2 - - Google Patents
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- JPH0115202B2 JPH0115202B2 JP58071047A JP7104783A JPH0115202B2 JP H0115202 B2 JPH0115202 B2 JP H0115202B2 JP 58071047 A JP58071047 A JP 58071047A JP 7104783 A JP7104783 A JP 7104783A JP H0115202 B2 JPH0115202 B2 JP H0115202B2
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- current mirror
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はラテラルPNPトランジスタによつて
構成されるカレントミラー回路に関する。
構成されるカレントミラー回路に関する。
従来よりカレントミラー回路は、オペアンプ、
コンパレータ、A/D、D/A変換器などのアナ
ログ回路に用いられており、バイアス回路、信号
伝達回路、又アクテイブロード回路として有効で
ある。
コンパレータ、A/D、D/A変換器などのアナ
ログ回路に用いられており、バイアス回路、信号
伝達回路、又アクテイブロード回路として有効で
ある。
第1図aは、PNPトランジスタを使用したカ
レントミラーの簡単な表記法であり端子2は入
力、端子3は出力端子を表わす。ブロツク1は、
トランジスタと抵抗で構成されるミラー回路、
V1は電源、4はGNDを、I1は入力電流、I2は出
力電流を表わす。I1とI2の電流比は、ブロツク1
内のトランジスタのデイメンシヨン、抵抗値を調
整する事により所望の比に設定できる。第1図b
は、ミラー回路の具体的な構成の一例を示す。第
1図(1)と対応する部分は同じ記号で表わされてい
る。R1、R2はI1とI2の比を決定する為の抵抗、Q1
〜Q4はPNPトランジスタを表わす。今、簡単に
R1とR2の比が1、Q1〜Q4のトランジスタがすべ
て同じ大きさでありかつhfeが同一であるとする
と仮定すると、入力I1と出力I2の比は、次のよう
になる。
レントミラーの簡単な表記法であり端子2は入
力、端子3は出力端子を表わす。ブロツク1は、
トランジスタと抵抗で構成されるミラー回路、
V1は電源、4はGNDを、I1は入力電流、I2は出
力電流を表わす。I1とI2の電流比は、ブロツク1
内のトランジスタのデイメンシヨン、抵抗値を調
整する事により所望の比に設定できる。第1図b
は、ミラー回路の具体的な構成の一例を示す。第
1図(1)と対応する部分は同じ記号で表わされてい
る。R1、R2はI1とI2の比を決定する為の抵抗、Q1
〜Q4はPNPトランジスタを表わす。今、簡単に
R1とR2の比が1、Q1〜Q4のトランジスタがすべ
て同じ大きさでありかつhfeが同一であるとする
と仮定すると、入力I1と出力I2の比は、次のよう
になる。
I2/I1=1−2/hf2e+2hfe+2 (1)
通常hfeは50以上あるので(1)式の第2項の誤差
は、0.0008即ち0.08%で極めて小さく無視できる
ので入力電流I1の流れる方向を全く反転してしか
も同一の値でもつてI2に出力できる。しかしなが
ら、集積回路で一般に用いられるラテラルPNP
トランジスタで上記のカレントミラーを構成した
場合は、問題が生じる。第2図は、ラテラル
PNPの断面図を示す。図で5はエミツタ電極、
6はコレクタ電極、7はベース電極、8はN+拡
散ベース領域、9はP拡散コレクタ領域、16は
同じくP拡散でエミツタ領域、10はN-エピ・
ベース領域である。又15はP拡散絶縁領域、1
2はN+埋込領域、13はP型基板領域、11は
Nエピと絶縁領域の境界面、14はNエピとP型
基板との境界面を表わす。又、17はエミツタよ
り注入されたホールを表わす。エミツタ16から
注入されたホールは、大方がコレクタ9に到達す
るが、一部は境界面11,14を通過して、絶縁
領域から基板に漏れる。別な言い方をすれば基板
が第2のコレクターとして働く。漏れの程度は、
約2%であり、なお都合の悪い事に、この漏れ電
流はラテラルPNPトランジスタのコレクタ、エ
ミツタ電圧VCEに大きく依存する。例えば、VCE
を2Vから22V程度変化させると基板への漏れは、
1%程度減る。なぜならば、VCEを増加させると
ベース・コレクタ間も同じだけ増加しベース・コ
レクタ間の電界が強くなる。この強電界により、
ベース・コレクタ間の空乏層がN-エピ10領域へ
深く浸入し、エミツタより注入されたホールの基
板へ漏れる分が減少する。その減少分だけ、コレ
クタ9に到達する電流が増加するのである。
は、0.0008即ち0.08%で極めて小さく無視できる
ので入力電流I1の流れる方向を全く反転してしか
も同一の値でもつてI2に出力できる。しかしなが
ら、集積回路で一般に用いられるラテラルPNP
トランジスタで上記のカレントミラーを構成した
場合は、問題が生じる。第2図は、ラテラル
PNPの断面図を示す。図で5はエミツタ電極、
6はコレクタ電極、7はベース電極、8はN+拡
散ベース領域、9はP拡散コレクタ領域、16は
同じくP拡散でエミツタ領域、10はN-エピ・
ベース領域である。又15はP拡散絶縁領域、1
2はN+埋込領域、13はP型基板領域、11は
Nエピと絶縁領域の境界面、14はNエピとP型
基板との境界面を表わす。又、17はエミツタよ
り注入されたホールを表わす。エミツタ16から
注入されたホールは、大方がコレクタ9に到達す
るが、一部は境界面11,14を通過して、絶縁
領域から基板に漏れる。別な言い方をすれば基板
が第2のコレクターとして働く。漏れの程度は、
約2%であり、なお都合の悪い事に、この漏れ電
流はラテラルPNPトランジスタのコレクタ、エ
ミツタ電圧VCEに大きく依存する。例えば、VCE
を2Vから22V程度変化させると基板への漏れは、
1%程度減る。なぜならば、VCEを増加させると
ベース・コレクタ間も同じだけ増加しベース・コ
レクタ間の電界が強くなる。この強電界により、
ベース・コレクタ間の空乏層がN-エピ10領域へ
深く浸入し、エミツタより注入されたホールの基
板へ漏れる分が減少する。その減少分だけ、コレ
クタ9に到達する電流が増加するのである。
一般に第1図に述べたカレントミラーにおい
て、入出力端子間の電圧は大きく異なり、その差
は10〜20Vにも達する。従つて、第1図のカレン
トミラーにおいて、抵抗R1とR2の比精度、Q1〜
Q4のトランジスタ整合性をいくらよくしても、
仮に完全に整合がとれたとしても、上述したコレ
クタ・エミツタ間電圧差による基板への漏れ電流
が存在し、そのオーダが1%にも達するのでは、
高精度なミラー回路が構成できない事を意味し、
従来から大きな問題となつていた。第1図bでは
Q1とQ2のCE間電圧は約0.7Vで等しいが、Q4が
0.7Vに対しQ3のCE間電圧が10〜20Vにも達する。
入出力端子間のこの電圧差が問題なのである。
て、入出力端子間の電圧は大きく異なり、その差
は10〜20Vにも達する。従つて、第1図のカレン
トミラーにおいて、抵抗R1とR2の比精度、Q1〜
Q4のトランジスタ整合性をいくらよくしても、
仮に完全に整合がとれたとしても、上述したコレ
クタ・エミツタ間電圧差による基板への漏れ電流
が存在し、そのオーダが1%にも達するのでは、
高精度なミラー回路が構成できない事を意味し、
従来から大きな問題となつていた。第1図bでは
Q1とQ2のCE間電圧は約0.7Vで等しいが、Q4が
0.7Vに対しQ3のCE間電圧が10〜20Vにも達する。
入出力端子間のこの電圧差が問題なのである。
本発明は上述のようにミラー回路の入出力間電
圧が10〜20Vに達し、基板への漏れ電流差が生じ
ても、これを完全に補償し、高精度なミラー回路
を提供するものである。
圧が10〜20Vに達し、基板への漏れ電流差が生じ
ても、これを完全に補償し、高精度なミラー回路
を提供するものである。
第3図に本発明を示す。25はラテラルPNP
を使用しているカレントミラー回路、26は
NPNトランジスタを使用したカレントミラー回
路であり例えば第4図の如き構成が考えられる。
対応を明確する為に第3図と対応するところは同
じ記号で表わしてある。電源V3に同じ電流増幅
率hfeをもつNPNトランジスタQ5とQ6とのエミツ
タを接続し、これらNPNトランジスタQ5とQ6の
ベース同志とNPNトランジスタQ5のコレクタと
を共通に接続し、NPNトランジスタQ5のコレク
タ・ベース共通接続点を入力端子22、NPNト
ランジスタQ6のコレクタを出力端子23として
いる。これらNPNトランジスタQ5とQ6の電流増
幅率hfeが十分大きいと入力電流I5と出力電流I6と
はほぼ等しくなる。またNPNトランジスタQ5と
Q6とは通常縦型トランジスタで形成されるので
基板への漏れ電流はない。今、電流源I3がカレン
トミラー入力端子36に入り出力端子35より流
れ出て、電源V4に入る電流I11をI3にできるだけ
一致させたい場合を考える。前述したように端子
36と35の電位差は大きいので端子35より流
れ出る電流I7は、I3と比し、基板に漏れる電流が
減つた分だけ大きい。又カレントミラー26に供
給される電圧V3をV4により約0.7V下げておけば
端子22,23の電圧はほぼ等しい。従つてカレ
ントミラー25の第2の出力端子34より流れ出
る電流I8はI7と等しい。前述のCE間電圧差による
カレントミラーの出力端子電流差をεとおくと、
(ε>0)I7、I3、I8は次のような関係にある。
を使用しているカレントミラー回路、26は
NPNトランジスタを使用したカレントミラー回
路であり例えば第4図の如き構成が考えられる。
対応を明確する為に第3図と対応するところは同
じ記号で表わしてある。電源V3に同じ電流増幅
率hfeをもつNPNトランジスタQ5とQ6とのエミツ
タを接続し、これらNPNトランジスタQ5とQ6の
ベース同志とNPNトランジスタQ5のコレクタと
を共通に接続し、NPNトランジスタQ5のコレク
タ・ベース共通接続点を入力端子22、NPNト
ランジスタQ6のコレクタを出力端子23として
いる。これらNPNトランジスタQ5とQ6の電流増
幅率hfeが十分大きいと入力電流I5と出力電流I6と
はほぼ等しくなる。またNPNトランジスタQ5と
Q6とは通常縦型トランジスタで形成されるので
基板への漏れ電流はない。今、電流源I3がカレン
トミラー入力端子36に入り出力端子35より流
れ出て、電源V4に入る電流I11をI3にできるだけ
一致させたい場合を考える。前述したように端子
36と35の電位差は大きいので端子35より流
れ出る電流I7は、I3と比し、基板に漏れる電流が
減つた分だけ大きい。又カレントミラー26に供
給される電圧V3をV4により約0.7V下げておけば
端子22,23の電圧はほぼ等しい。従つてカレ
ントミラー25の第2の出力端子34より流れ出
る電流I8はI7と等しい。前述のCE間電圧差による
カレントミラーの出力端子電流差をεとおくと、
(ε>0)I7、I3、I8は次のような関係にある。
I7=I3+ε (2)
I8=I3+ε (3)
又、I3と同じ値の電流I4を端子22に流す。こ
れは、NPNトランジスタを用いたカレントミラ
ーで容易に構成できる。するとカレントミラー2
6に流れ込む電流I5は、次のようになる。
れは、NPNトランジスタを用いたカレントミラ
ーで容易に構成できる。するとカレントミラー2
6に流れ込む電流I5は、次のようになる。
I5=I8−I4 (4)
=ε (5)
カレントミラーの性質より
I5=I6 (6)
なのでI11は次のようになる。
I11=I7−I6 (7)
=I3+ε−ε (8)
=I3 (9)
即ち当初、所望のI3と全く同一の値が得られ
る。説明が遅れたが第3図中、2出力端子を有す
るカレントミラー25は第5図に示すように第1
図の構成を少し変更すれば、容易に構成できる。
第3図と対応するものは同一の記号で表わしてい
る。R3〜R5は値が同一の抵抗、Q7〜Q12は同一形
状のラテラルPNPトランジスタ、D1はダイオー
ド、Q13,Q14はバーテイカルPNPでV-は最低電
位を表わす。ラテラルPNPトランジスタQ7,
Q8,Q9の各ベースは共通に接続され、各エミツ
タはそれぞれ抵抗R3,R4,R5を介して正の電源
V2に接続されている。また、これらラテラル
PNPトランジスタQ7,Q8,Q9の各コレクタはや
はりベースが共通に接続されたラテラルPNPト
ランジスタQ10,Q11,Q12の各エミツタにそれぞ
れ接続されており、ラテラルNPNトランジスタ
Q12のベース・コレクタ間にはラテラルPNPトラ
ンジスタQ14のベース・エミツタ間が接続されて
いる。このラテラルPNPトランジスタQ12のコレ
クタはラテラルPNPトランジスタQ13のベース・
エミツタ接合とダイオードD1を介してラテラル
PNPトランジスタQ7,Q8,Q9の共通ベース接続
点に接続されている。ラテラルPNPトランジス
タQ13とQ14とのコレクタは共に相対的に負の電
源V-に接続されている。ラテラルPNPトランジ
スタQ12のコレクタは入力端子36として入力電
流I3を受けている。ラテラルPNPトランジスタ
Q11とQ10との各コレクタはそれぞれ第1および
第2の出力端子35,34に接続されている。構
成トランジスタはラテラルPNPトランジスタで
あるので、基板への漏れ電流が生じ、入力電流I3
と出力電流I7,I8とは必ずしも等しくならない
が、出力電流I7とI8とは等しくなる。
る。説明が遅れたが第3図中、2出力端子を有す
るカレントミラー25は第5図に示すように第1
図の構成を少し変更すれば、容易に構成できる。
第3図と対応するものは同一の記号で表わしてい
る。R3〜R5は値が同一の抵抗、Q7〜Q12は同一形
状のラテラルPNPトランジスタ、D1はダイオー
ド、Q13,Q14はバーテイカルPNPでV-は最低電
位を表わす。ラテラルPNPトランジスタQ7,
Q8,Q9の各ベースは共通に接続され、各エミツ
タはそれぞれ抵抗R3,R4,R5を介して正の電源
V2に接続されている。また、これらラテラル
PNPトランジスタQ7,Q8,Q9の各コレクタはや
はりベースが共通に接続されたラテラルPNPト
ランジスタQ10,Q11,Q12の各エミツタにそれぞ
れ接続されており、ラテラルNPNトランジスタ
Q12のベース・コレクタ間にはラテラルPNPトラ
ンジスタQ14のベース・エミツタ間が接続されて
いる。このラテラルPNPトランジスタQ12のコレ
クタはラテラルPNPトランジスタQ13のベース・
エミツタ接合とダイオードD1を介してラテラル
PNPトランジスタQ7,Q8,Q9の共通ベース接続
点に接続されている。ラテラルPNPトランジス
タQ13とQ14とのコレクタは共に相対的に負の電
源V-に接続されている。ラテラルPNPトランジ
スタQ12のコレクタは入力端子36として入力電
流I3を受けている。ラテラルPNPトランジスタ
Q11とQ10との各コレクタはそれぞれ第1および
第2の出力端子35,34に接続されている。構
成トランジスタはラテラルPNPトランジスタで
あるので、基板への漏れ電流が生じ、入力電流I3
と出力電流I7,I8とは必ずしも等しくならない
が、出力電流I7とI8とは等しくなる。
従つて、第3図に第4図および第5図のカレン
トミラー回路を適用すると、第5頁20行目から第
7頁8行目で説明したように、入力電流I3と出力
電流I11とはラテラルトランジスタの基板への漏
洩電流にかかわらず等しくなる。又、今までの説
明はカレントミラー回路の入出力電流比が1:1
の場合についてに限つたが、本発明が、入出力電
流比が1:n(nは実数)の場合にも有効である
事は言うまでもない。即ちカレントミラー比を決
定する抵抗比(第1図のR1=R2)を1:nに選
びかつQ1とQ2,Q3とQ4のデイメンシヨン比を
n:1に選べばよい。
トミラー回路を適用すると、第5頁20行目から第
7頁8行目で説明したように、入力電流I3と出力
電流I11とはラテラルトランジスタの基板への漏
洩電流にかかわらず等しくなる。又、今までの説
明はカレントミラー回路の入出力電流比が1:1
の場合についてに限つたが、本発明が、入出力電
流比が1:n(nは実数)の場合にも有効である
事は言うまでもない。即ちカレントミラー比を決
定する抵抗比(第1図のR1=R2)を1:nに選
びかつQ1とQ2,Q3とQ4のデイメンシヨン比を
n:1に選べばよい。
こうして本発明は、モノリシツクICの構造に
帰因する。一見、どう補償する事もできないラテ
ラルPNPの基板への漏れ電流を、カレントミラ
ーを巧みに使用し、回路的に補償する事を可能に
した。これにより高精度な、ラテラルNPNカレ
ントミラーが提供できた。
帰因する。一見、どう補償する事もできないラテ
ラルPNPの基板への漏れ電流を、カレントミラ
ーを巧みに使用し、回路的に補償する事を可能に
した。これにより高精度な、ラテラルNPNカレ
ントミラーが提供できた。
第1図aはPNPカレントミラー図、第1図b
はミラー回路の一例を示す図、第2図はラテラル
PNPトランジスタの断面図、第3図は本発明の
カレントミラー回路ブロツク図、第4図は第3図
中NPNカレントミラー回路26の一例を示す図、
第5図は第3図中ラテラルPNPカレントミラー
回路25の回路の一例を示す図である。 Q1〜Q4……トランジスタ。
はミラー回路の一例を示す図、第2図はラテラル
PNPトランジスタの断面図、第3図は本発明の
カレントミラー回路ブロツク図、第4図は第3図
中NPNカレントミラー回路26の一例を示す図、
第5図は第3図中ラテラルPNPカレントミラー
回路25の回路の一例を示す図である。 Q1〜Q4……トランジスタ。
Claims (1)
- 1 一方の電源に共通端子が接続され、入力端子
に入力電流を受け、同じ電流値の出力電流を生じ
る第1および第2の出力端子を有する横型トラン
ジスタを含んで構成される第1のカレントミラー
回路と、他方の電源ラインに共通端子が接続さ
れ、出力端子に前記第1のカレントミラー回路の
前記第1の出力端子が接続され、入力端子に前記
第1のカレントミラー回路の前記第2の出力端子
が接続されて横型トランジスタを含まずに構成さ
れる第2のカレントミラー回路と、前記第1のカ
レントミラー回路の前記第2の出力端子と前記第
1のカレントミラー回路の前記入力端子との接続
点に前記入力電流と等しい電流を供給する手段
と、前記第1のカレントミラー回路の前記第1の
出力端子と前記第2のカレントミラー回路の前記
出力端子との接続点から出力電流を取り出す手段
とを含むことを特徴とするカレントミラー回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58071047A JPS59196612A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | カレントミラ−回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58071047A JPS59196612A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | カレントミラ−回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59196612A JPS59196612A (ja) | 1984-11-08 |
| JPH0115202B2 true JPH0115202B2 (ja) | 1989-03-16 |
Family
ID=13449215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58071047A Granted JPS59196612A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | カレントミラ−回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59196612A (ja) |
-
1983
- 1983-04-22 JP JP58071047A patent/JPS59196612A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59196612A (ja) | 1984-11-08 |
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