JPH01155674A - 光ファイバ結合レーザモジュール - Google Patents
光ファイバ結合レーザモジュールInfo
- Publication number
- JPH01155674A JPH01155674A JP31358887A JP31358887A JPH01155674A JP H01155674 A JPH01155674 A JP H01155674A JP 31358887 A JP31358887 A JP 31358887A JP 31358887 A JP31358887 A JP 31358887A JP H01155674 A JPH01155674 A JP H01155674A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical fiber
- laser element
- window glass
- reflected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ファイバ結合レーザモジュールに関し、特に
モニタ出力特性の良い光ファイバ結合レーザモジュール
に関する。
モニタ出力特性の良い光ファイバ結合レーザモジュール
に関する。
従来、光ファイバ結合モジュールは第２図に示すように
、開口部に光ファイバ１６を固着したケース１４内に開
口部の中心線にレーザ光出射端面の中心を合せてヒート
シンク上にマウントした半導体レーザ素子１１が設置さ
れ、半導体レーザ素子ｌの後方にモニタ用フォトダイオ
ード１７が設置されて、光ファイバ１６と光結合する主
ビーム１２を出力している半導体レーザ素子１１の端面
と逆の端面から出力するモニタ光をモニタ用フォトダイ
オード１７でモニタするようになっていた。
、開口部に光ファイバ１６を固着したケース１４内に開
口部の中心線にレーザ光出射端面の中心を合せてヒート
シンク上にマウントした半導体レーザ素子１１が設置さ
れ、半導体レーザ素子ｌの後方にモニタ用フォトダイオ
ード１７が設置されて、光ファイバ１６と光結合する主
ビーム１２を出力している半導体レーザ素子１１の端面
と逆の端面から出力するモニタ光をモニタ用フォトダイ
オード１７でモニタするようになっていた。
上述した従来の光ファイバ結合レーザモジュールでは、
半導体レーザ素子として半導体レーザ素子の片端面を全
反射または９０％以上の反射率にし、高出力又は低駆動
電流等の高性能の半導体レーザ素°子を使用するとき、
モニタ光は小さくなリ、モニタ用フォトダイオードの出
力であるモニタ電流が小さくなりモニタ特性が劣化する
。この結果、半導体レーザ素子の制御に支障をきたし、
光ファイバ結合レーザモジュールの出力特性が劣化する
欠点がある。
半導体レーザ素子として半導体レーザ素子の片端面を全
反射または９０％以上の反射率にし、高出力又は低駆動
電流等の高性能の半導体レーザ素°子を使用するとき、
モニタ光は小さくなリ、モニタ用フォトダイオードの出
力であるモニタ電流が小さくなりモニタ特性が劣化する
。この結果、半導体レーザ素子の制御に支障をきたし、
光ファイバ結合レーザモジュールの出力特性が劣化する
欠点がある。
本発明の光ファイバ結合モジュールは、開口部に光ファ
イバを固着したケース内に、ヒートシンクにマウントし
た半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子前方に半
導体レーザ素子と光軸を一致させた配置した集光レンズ
と、集光レンズと光フィアバとの間に光軸に対して斜め
に設置した反射率１０％以上の窓ガラスと、半導体レー
ザ素子から出射した光が窓ガラスで反射した反射光が集
まる位置に設置したモニタ用フォトダイオードとを備え
た構造となっている。
イバを固着したケース内に、ヒートシンクにマウントし
た半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子前方に半
導体レーザ素子と光軸を一致させた配置した集光レンズ
と、集光レンズと光フィアバとの間に光軸に対して斜め
に設置した反射率１０％以上の窓ガラスと、半導体レー
ザ素子から出射した光が窓ガラスで反射した反射光が集
まる位置に設置したモニタ用フォトダイオードとを備え
た構造となっている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の一実施例の断面図である。
は本発明の一実施例の断面図である。
開口部に光ファイバ６が固着されたケース４内に半導体
レーザ素子１が設置されている。半導体レーザ素子１か
ら出力された主ビーム２は半導体レーザ素子の前方に設
置されたレンズ３で集光され、ケース４から外に光を出
すための窓ガラス５を通り光ファイバ６に集光入射され
る。窓ガラス５は反射光が半導体レーザ素子１にもどら
ないなめ光軸に対して斜めに設置されており、半導体レ
ーザ素子側の面の反射率が１０％になるように多層膜が
コーティングされている。ガラス窓から反射した光が集
光する位置にモニタ用フォトダイオード７を設置する。
レーザ素子１が設置されている。半導体レーザ素子１か
ら出力された主ビーム２は半導体レーザ素子の前方に設
置されたレンズ３で集光され、ケース４から外に光を出
すための窓ガラス５を通り光ファイバ６に集光入射され
る。窓ガラス５は反射光が半導体レーザ素子１にもどら
ないなめ光軸に対して斜めに設置されており、半導体レ
ーザ素子側の面の反射率が１０％になるように多層膜が
コーティングされている。ガラス窓から反射した光が集
光する位置にモニタ用フォトダイオード７を設置する。
この構造の光ファイバ結合モジュールでは、半導体レー
ザ素子から出た光がレンズ３で集光され、その光は窓ガ
ラス５で分割され一部は光ファイバ６に入射され、他は
モニタ用フォトダイオード７に入射される。このように
主ビームの一部をモニタ光として用いるため、従来と異
なり、半導体レーザ素子が高出力なものになるほどモニ
タ光は強くなり、モニタ特性が損なわれにくくなって光
ファイバ結合レーザモジュールの出力特性の劣化が妨げ
る。
ザ素子から出た光がレンズ３で集光され、その光は窓ガ
ラス５で分割され一部は光ファイバ６に入射され、他は
モニタ用フォトダイオード７に入射される。このように
主ビームの一部をモニタ光として用いるため、従来と異
なり、半導体レーザ素子が高出力なものになるほどモニ
タ光は強くなり、モニタ特性が損なわれにくくなって光
ファイバ結合レーザモジュールの出力特性の劣化が妨げ
る。
尚、実施例では窓ガラスの反射率を１０％をとしたが、
モニタ特性及び当モジュールの出力特性を損なわない範
囲で反射率を適当に変えてもよい。
モニタ特性及び当モジュールの出力特性を損なわない範
囲で反射率を適当に変えてもよい。
また、ケースは第１図では密閉状に描いであるが、蓋付
のもの、あるいは通気孔のあるもの等、どのようなもの
でもい。
のもの、あるいは通気孔のあるもの等、どのようなもの
でもい。
以上説明したように本発明は、光学系の一部の窓ガラス
に１０％以上の反射率をもたせ、その反射光が集光する
位置にモニタ用フォトダイオードをおくことにより、モ
ニタ光がない又は小さい半導体レーザ素子を使った光フ
ァイバ結合モジュールのモニタ電流を大きくし特性を向
上させることができる。
に１０％以上の反射率をもたせ、その反射光が集光する
位置にモニタ用フォトダイオードをおくことにより、モ
ニタ光がない又は小さい半導体レーザ素子を使った光フ
ァイバ結合モジュールのモニタ電流を大きくし特性を向
上させることができる。
第１図は本発明の光ファイバ結合モジュールの一実施例
の断面図で、第２図は従来の光ファイバ結合モジュール
の断面図である。 １．１１・・・半導体レーザ素子、２，１２・・・主ビ
ーム、３・・・レンズ、４，１４・・・ケース、５・・
・窓ガラス、６，１６・・・光ファイバ、７，１７・・
・モニタ用フォトダイオード。
の断面図で、第２図は従来の光ファイバ結合モジュール
の断面図である。 １．１１・・・半導体レーザ素子、２，１２・・・主ビ
ーム、３・・・レンズ、４，１４・・・ケース、５・・
・窓ガラス、６，１６・・・光ファイバ、７，１７・・
・モニタ用フォトダイオード。
Claims (1)
- 開口部に光ファイバを固着したケース内に、ヒートシン
クにマウントした半導体レーザ素子と、前記半導体レー
ザが素子と光軸を一致させて前記半導体レーザ素子前方
に配置した集光レンズと、前記集光レンズと前記光フィ
アバとの間に光軸に対して斜めに設置した反射率１０％
以上の窓ガラスと、前記半導体レーザ素子から出射して
前記窓ガラスで反射した反射光が集光する位置に設置し
たモニタ用フォトダイオードとを備えた構造を有する光
ファイバ結合レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31358887A JPH01155674A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 光ファイバ結合レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31358887A JPH01155674A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 光ファイバ結合レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01155674A true JPH01155674A (ja) | 1989-06-19 |
Family
ID=18043121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31358887A Pending JPH01155674A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 光ファイバ結合レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01155674A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5438208A (en) * | 1993-01-27 | 1995-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mirror coupled monolithic laser diode and photodetector |
| JPH0980274A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
| JP2003086830A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Sunx Ltd | レーザセンサ |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP31358887A patent/JPH01155674A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5438208A (en) * | 1993-01-27 | 1995-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mirror coupled monolithic laser diode and photodetector |
| JPH0980274A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
| JP2003086830A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Sunx Ltd | レーザセンサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5408559A (en) | Optoelectronic device | |
| KR950006734A (ko) | 광학장치 | |
| KR950014912A (ko) | 쌍방향 전송용 광모듈 | |
| JP2009265090A (ja) | 光センサー装置 | |
| JP2786322B2 (ja) | 反射軽減集成装置 | |
| JP3847618B2 (ja) | 双方向光通信モジュール | |
| EP1033793A4 (en) | SEMICONDUCTOR LASER DEVICE | |
| EP1450100A4 (en) | LIGHTING DEVICE, HEADLIGHTS AND ASSEMBLING METHOD OF LIGHTING DEVICE | |
| JP2018525799A (ja) | 車両ヘッドライトのための照明デバイス | |
| KR890005491A (ko) | 작은 면적 대역상의 물체의 곡률을 변화시키는 광학 시스템 | |
| AU733167B2 (en) | Light projection device for a photoelectric smoke sensor | |
| JPS6088486A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| US6879784B1 (en) | Bi-directional optical/electrical transceiver module | |
| JP3032485B2 (ja) | 光電式煙感知器の投光装置 | |
| JP2000137151A (ja) | 双方向の光通信用モジュール | |
| JPS5988672A (ja) | 光フアイバセンサ | |
| KR100711873B1 (ko) | 프레넬 렌즈와 격벽을 이용한 적외선 감시카메라의 야간감시 성능 개선 | |
| CN201177183Y (zh) | 光二极管集光装置 | |
| RU2078349C1 (ru) | Оптико-электронный прибор визуализации изображения | |
| JP3032486B2 (ja) | 光電式煙感知器の投光装置 | |
| JPS6251514B2 (ja) | ||
| JPH05297233A (ja) | 光導波路モジュールのモニタ構造 | |
| CN221378367U (zh) | 基于抛物面镜的光束会聚装置 | |
| JPH04360593A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS61145876A (ja) | 発光素子用パツケ−ジ |