JPH04360593A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH04360593A JPH04360593A JP16358491A JP16358491A JPH04360593A JP H04360593 A JPH04360593 A JP H04360593A JP 16358491 A JP16358491 A JP 16358491A JP 16358491 A JP16358491 A JP 16358491A JP H04360593 A JPH04360593 A JP H04360593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor laser
- package
- cap
- stem
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信用機器、光情報
処理装置あるいは光センサ等の光源として用いられる半
導体レーザ装置に関する。
処理装置あるいは光センサ等の光源として用いられる半
導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、この種従来の半導体レーザ装置
の破砕断面図である。同図において、１は半導体レーザ
素子、２は半導体レーザ素子が搭載されるサブマウント
、３はサブマウント２およびリード４を保持するステム
、５は光透過部分に透明板６を有し、半導体レーザ素子
を気密封止するキャップである。
の破砕断面図である。同図において、１は半導体レーザ
素子、２は半導体レーザ素子が搭載されるサブマウント
、３はサブマウント２およびリード４を保持するステム
、５は光透過部分に透明板６を有し、半導体レーザ素子
を気密封止するキャップである。
【０００３】ここで、サブマウントはＳｉ等によって形
成されており、ステムおよびキャップ５はコバーやニッ
ケル等の素材を用い、その表面に金メッキを施したもの
である。また、透明板６にはサファイヤのような安定し
た材料のものが用いられている。
成されており、ステムおよびキャップ５はコバーやニッ
ケル等の素材を用い、その表面に金メッキを施したもの
である。また、透明板６にはサファイヤのような安定し
た材料のものが用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
レーザ装置では、ステムおよびキャップの表面が金、ニ
ッケル等の材料で形成されているためパッケージ内面で
の反射率が極めて高い。半導体レーザ素子の共振器端面
から放出される前方出射光は透明板６に向かうが一部は
そこで反射される。また、後方出射光は直接あるいはサ
ブマウントの表面で反射された後，ステムの表面に到達
しここで反射される。また、レーザ素子の出射光の一部
は直接あるいは他の部分で反射された後、キャップの内
側表面に到達しここで反射される。これら反射光はレー
ザ素子の主出射光とともに透明板を透過して出力される
のであるが、従来例ではパッケージ内面が反射率の高い
材料で形成されているため、反射光成分のレベルが極め
て高いものとなる。そのため、従来のレーザ装置では雑
音レベルが高く正確な出力光を得ることが困難であった
。
レーザ装置では、ステムおよびキャップの表面が金、ニ
ッケル等の材料で形成されているためパッケージ内面で
の反射率が極めて高い。半導体レーザ素子の共振器端面
から放出される前方出射光は透明板６に向かうが一部は
そこで反射される。また、後方出射光は直接あるいはサ
ブマウントの表面で反射された後，ステムの表面に到達
しここで反射される。また、レーザ素子の出射光の一部
は直接あるいは他の部分で反射された後、キャップの内
側表面に到達しここで反射される。これら反射光はレー
ザ素子の主出射光とともに透明板を透過して出力される
のであるが、従来例ではパッケージ内面が反射率の高い
材料で形成されているため、反射光成分のレベルが極め
て高いものとなる。そのため、従来のレーザ装置では雑
音レベルが高く正確な出力光を得ることが困難であった
。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、半導体レーザ素子の気密封止用ステムの内側の面
および／またはキャップの内側の面に前記レーザ素子の
光出力を吸収する被膜を形成したものである。
置は、半導体レーザ素子の気密封止用ステムの内側の面
および／またはキャップの内側の面に前記レーザ素子の
光出力を吸収する被膜を形成したものである。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の一実施例を示す破砕断面
図である。同図において、１は半導体レーザ素子、３は
サブマウント２およびリード４を支持するステム、５は
透明板６を有するキャップ、７はステム３及びキャップ
５の内面に形成された、カーボンを含有する黒色樹脂に
よる光吸収膜である。
て説明する。図１は、本発明の一実施例を示す破砕断面
図である。同図において、１は半導体レーザ素子、３は
サブマウント２およびリード４を支持するステム、５は
透明板６を有するキャップ、７はステム３及びキャップ
５の内面に形成された、カーボンを含有する黒色樹脂に
よる光吸収膜である。
【０００７】図１の実施例において、半導体レーザ素子
１の後方から出射された光は直接あるいはサブマウント
２の表面で反射されてステム３に向かい、その表面に設
けられた光吸収膜７によって吸収される。また、キャッ
プ５の内側表面に進行した光もここで吸収される。よっ
て、上記構成により、従来例で数十％含まれていた反射
光成分を１％以下に低減させることができた。
１の後方から出射された光は直接あるいはサブマウント
２の表面で反射されてステム３に向かい、その表面に設
けられた光吸収膜７によって吸収される。また、キャッ
プ５の内側表面に進行した光もここで吸収される。よっ
て、上記構成により、従来例で数十％含まれていた反射
光成分を１％以下に低減させることができた。
【０００８】図２は、本発明の他の実施例を示す破砕断
面図である。同図において、図１の部分と同等の部分に
は同一の参照番号が付されているので重複する説明は省
略する。本実施例では、光吸収膜７が、透明板６内面の
主射出光透過部分を除く部分に塗布されている。
面図である。同図において、図１の部分と同等の部分に
は同一の参照番号が付されているので重複する説明は省
略する。本実施例では、光吸収膜７が、透明板６内面の
主射出光透過部分を除く部分に塗布されている。
【０００９】この構成により、半導体レーザ素子１から
の光出力のうち反射により透明板６から出ていく分を少
なくすることができ、また、透明板６からの再反射を防
ぐことができる。
の光出力のうち反射により透明板６から出ていく分を少
なくすることができ、また、透明板６からの再反射を防
ぐことができる。
【００１０】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、例え
ば、光吸収膜７の材料としては樹脂塗布膜に代えて金属
化合物膜を用いることができる。また、レーザ素子１の
後方に、後方出射光を受光するモニタ受光素子を配置し
てもよいし、また、レーザ素子を複数個配置してマルチ
ビームレーザ装置を構成するようにしてもよい。
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、例え
ば、光吸収膜７の材料としては樹脂塗布膜に代えて金属
化合物膜を用いることができる。また、レーザ素子１の
後方に、後方出射光を受光するモニタ受光素子を配置し
てもよいし、また、レーザ素子を複数個配置してマルチ
ビームレーザ装置を構成するようにしてもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、半導体
レーザ素子を気密封止するパッケージの内壁に光吸収膜
を形成したものであるので、本発明によれば、パッケー
ジ内部での反射によって放出される迷光のレベルを抑制
することができ、雑音の少ない光源を提供することがで
きる。
レーザ素子を気密封止するパッケージの内壁に光吸収膜
を形成したものであるので、本発明によれば、パッケー
ジ内部での反射によって放出される迷光のレベルを抑制
することができ、雑音の少ない光源を提供することがで
きる。
【図１】本発明の一実施例を示す破砕断面図。
【図２】本発明の他の実施例を示す破砕断面図。
【図３】従来例の破砕断面図。
１…半導体レーザ素子
２…サブマウント
３…ステム
４…リード
５…キャップ
６…透明板
７…光吸収膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子と、一部が光透過部
材によって構成され、前記半導体レーザ素子を気密封止
するパッケージと、を有する半導体レーザ装置において
、前記半導体レーザ素子の出力光を取り出す部分を除く
前記パッケージの内側には光吸収膜が形成されているこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16358491A JPH04360593A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16358491A JPH04360593A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04360593A true JPH04360593A (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=15776692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16358491A Pending JPH04360593A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04360593A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002026439A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Denso Corp | 半導体発光素子 |
| JP2003086830A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Sunx Ltd | レーザセンサ |
| JP2008085259A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光双方向通信モジュール |
| JP2018170454A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体装置 |
| WO2022185970A1 (ja) | 2021-03-05 | 2022-09-09 | 株式会社堀場製作所 | 半導体レーザ装置 |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP16358491A patent/JPH04360593A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002026439A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Denso Corp | 半導体発光素子 |
| JP2003086830A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Sunx Ltd | レーザセンサ |
| JP2008085259A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光双方向通信モジュール |
| JP2018170454A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体装置 |
| WO2022185970A1 (ja) | 2021-03-05 | 2022-09-09 | 株式会社堀場製作所 | 半導体レーザ装置 |
| US12542415B2 (en) | 2021-03-05 | 2026-02-03 | Horiba, Ltd. | Semiconductor laser device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5353294A (en) | Semiconductor laser device and semiconductor laser module | |
| US7822090B2 (en) | Semiconductor device | |
| US5068866A (en) | Semiconductor laser apparatus | |
| US5105237A (en) | Semiconductor light-emitting device with partial encapsulation | |
| US12191627B2 (en) | Optical module | |
| JPH0794761A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPH10321900A (ja) | 光モジュール | |
| JPH04360593A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US20020044323A1 (en) | Module for optical communication | |
| JPH04207091A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2556821Y2 (ja) | 発光装置 | |
| JPS6039880A (ja) | 発光装置 | |
| KR930018792A (ko) | 반도체레이저장치 | |
| JPH10290050A (ja) | 光モジュール | |
| JPH10341062A (ja) | 発光素子モジュール及びその製造方法 | |
| WO2022255146A1 (ja) | 発光装置および測距装置 | |
| JP2002026439A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS61145876A (ja) | 発光素子用パツケ−ジ | |
| JPH01155674A (ja) | 光ファイバ結合レーザモジュール | |
| JPH11177125A (ja) | 光通信用デバイスとその製造方法 | |
| JPH10107372A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP3191823B2 (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPH0521899A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6079782A (ja) | 光結合器 | |
| JPH0214592A (ja) | 半導体レーザ |