JPH01155675A - 半導体レーザー装置 - Google Patents
半導体レーザー装置Info
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- JPH01155675A JPH01155675A JP31419787A JP31419787A JPH01155675A JP H01155675 A JPH01155675 A JP H01155675A JP 31419787 A JP31419787 A JP 31419787A JP 31419787 A JP31419787 A JP 31419787A JP H01155675 A JPH01155675 A JP H01155675A
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- laser device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、直線偏光方向および発振波長の異なる複数の
レーザー光を発振しつる、光計測、光多重伝送、光メモ
リー等に適したモノシリツクな半導体レーザー装置に関
する。
レーザー光を発振しつる、光計測、光多重伝送、光メモ
リー等に適したモノシリツクな半導体レーザー装置に関
する。
［従来の技術］
従来、偏光方向または発振波長の異なる複数のレーザー
光を得る方法としては、大別して（１）別々に作製した
複数の半導体レーザーをハイブリッド実装化した半導体
レーザー装置を用いる方法、 （２）エピタキシャル薄膜を基板北に成長させた後、加
工を行ない、その後、さらに再成長を行なう等の複雑な
プロセスを経て作製されたマルチビーム半導体レーザー
装置を用いる方法、（３）複数の半導体レーザーを使用
する光学系の光路上で組み合わせた半導体レーザー装置
を用いる方法等が知られている。
光を得る方法としては、大別して（１）別々に作製した
複数の半導体レーザーをハイブリッド実装化した半導体
レーザー装置を用いる方法、 （２）エピタキシャル薄膜を基板北に成長させた後、加
工を行ない、その後、さらに再成長を行なう等の複雑な
プロセスを経て作製されたマルチビーム半導体レーザー
装置を用いる方法、（３）複数の半導体レーザーを使用
する光学系の光路上で組み合わせた半導体レーザー装置
を用いる方法等が知られている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記（１）の方法では、ハイブリッド化
実装に際して各半導体レーザーの位置合わせに高い積度
が要求される。
実装に際して各半導体レーザーの位置合わせに高い積度
が要求される。
（２）の方法では、膜成長後加工し、さらに再成長させ
るという種々の工程を含むプロセスは複雑であり、その
ため、高技術を要し、生産性に欠ける。
るという種々の工程を含むプロセスは複雑であり、その
ため、高技術を要し、生産性に欠ける。
（３）の方法では、光路長が大きく複雑になり、半導体
レーザー装置と周辺機器との距離が長くなるという欠点
がある。
レーザー装置と周辺機器との距離が長くなるという欠点
がある。
本発明は、かかる問題点を解決する半導体レーザー装置
を提供することにある。
を提供することにある。
［問題点を解決するための手段コ
本発明の半導体レーザー装置は、
直線偏光の異なる複数のレーザー光を発振する半導体レ
ーザー発振体において、 加工によって異なる面指数に複数表面を備えた基板の２
つ以上の当該表面上に、気相エピタキシャル成長による
活性層を有する半導体レーザーが２つ以上積層されて成
ることを特徴としている。
ーザー発振体において、 加工によって異なる面指数に複数表面を備えた基板の２
つ以上の当該表面上に、気相エピタキシャル成長による
活性層を有する半導体レーザーが２つ以上積層されて成
ることを特徴としている。
［作用］
このように、あらかじめ加工を行なった基板上にエピタ
キシャル成長（成長操作は１回で十分）が行なわれると
、後に詳述するように、複数であるが、モノリシック化
された半導体レーザー装置が得られる。これによって、
非常に発光点の近い複数のレーザー光を出射可能である
とともに、加工基板の形状に起因して、これらレーザー
光の直線偏光の方向が異なるものである。
キシャル成長（成長操作は１回で十分）が行なわれると
、後に詳述するように、複数であるが、モノリシック化
された半導体レーザー装置が得られる。これによって、
非常に発光点の近い複数のレーザー光を出射可能である
とともに、加工基板の形状に起因して、これらレーザー
光の直線偏光の方向が異なるものである。
次に、本発明の詳細な説明する。
深さ、幅が数１０ｐの溝が形成されるようなウェットエ
ツチング、ドライエツチング等の加工をあらかじめ行な
った基板には面指数の異なる複数面が表面に現れつるが
、この基板の上に分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）
を行なうと、当該面指数の異なる複数の面に平行に、ま
たは特定の面に優先的に結晶成長し、いくつかの結晶面
が形成される。一般にＭＢＥでは、成長温度が低い場合
には、基板表面に吸着した原子の拡散長が短いために、
結晶は加工基板の面に平行に成長する。
ツチング、ドライエツチング等の加工をあらかじめ行な
った基板には面指数の異なる複数面が表面に現れつるが
、この基板の上に分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）
を行なうと、当該面指数の異なる複数の面に平行に、ま
たは特定の面に優先的に結晶成長し、いくつかの結晶面
が形成される。一般にＭＢＥでは、成長温度が低い場合
には、基板表面に吸着した原子の拡散長が短いために、
結晶は加工基板の面に平行に成長する。
例えば、加工前の基板の上面が（００１）面を向いてお
り、この（００１）面に対して４５°の角度をもつ（０
１１）面が表面に出るように加工した場合、（０１１）
面上への成膜中のフラックス量は、（００１）面上と比
較すると、ＣＯ５４５°〜０．７１倍となり、結果的に
成膜速度も０．７１倍となる。
り、この（００１）面に対して４５°の角度をもつ（０
１１）面が表面に出るように加工した場合、（０１１）
面上への成膜中のフラックス量は、（００１）面上と比
較すると、ＣＯ５４５°〜０．７１倍となり、結果的に
成膜速度も０．７１倍となる。
また、成長温度が高い場合には、基板表面に吸着した原
子の拡散長は長くなり、ある特定の面指数をもつ面が成
長速度を律速し、いくつかの面が優先的に現れてくる。
子の拡散長は長くなり、ある特定の面指数をもつ面が成
長速度を律速し、いくつかの面が優先的に現れてくる。
例えば、（００１）基板上おいて、（ＴＩＯ）に垂直で
（００１）面に対して５５°の角度をもつような面を形
成した場合、その面上への成膜後半では（１１１）面が
表面に現れて平坦な面を作ることができる。このように
、気相エピタキシャル成長では、面指数によって成長速
度が異なり、成長速度の遅い面は成長速度を律速し、晶
形として成長表面に現れ、安定な面になる。このような
安定な面としては（１００）（４１１） （１１１）
などがＳｍ１ｔｈらによりＡｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ
ｔ、４７（７）、Ｐ７１２ （１９８５）に報告されて
いる。
（００１）面に対して５５°の角度をもつような面を形
成した場合、その面上への成膜後半では（１１１）面が
表面に現れて平坦な面を作ることができる。このように
、気相エピタキシャル成長では、面指数によって成長速
度が異なり、成長速度の遅い面は成長速度を律速し、晶
形として成長表面に現れ、安定な面になる。このような
安定な面としては（１００）（４１１） （１１１）
などがＳｍ１ｔｈらによりＡｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ
ｔ、４７（７）、Ｐ７１２ （１９８５）に報告されて
いる。
以上かられかるように、あらかじめ加工された基板に、
活性層を結晶成長により形成すると、それらの層の膜厚
等は各断金て同一となるわけではない。
活性層を結晶成長により形成すると、それらの層の膜厚
等は各断金て同一となるわけではない。
また、本発明の１つの特徴として、活性層には量子井戸
構造が用いられているが、この構造の場合単一量子井戸
構造、多重量子井戸構造にかかわらず、その量子井戸幅
によって、発振波長は変化するということが一般に知ら
れている。したがって、本発明の半導体レーザー装置で
は、発振波長等の異なるレーザーが発振できる。
構造が用いられているが、この構造の場合単一量子井戸
構造、多重量子井戸構造にかかわらず、その量子井戸幅
によって、発振波長は変化するということが一般に知ら
れている。したがって、本発明の半導体レーザー装置で
は、発振波長等の異なるレーザーが発振できる。
また、フォトルミネセンスの発光波長λとそのエネルギ
ーΔＥｎ％および量子井戸幅Ｌ２との関係は次式で示さ
れる。
ーΔＥｎ％および量子井戸幅Ｌ２との関係は次式で示さ
れる。
△Ｅｎ＝ｈｘＣ／λ”、 （ｈ２／ ２ｍ”） （ｒｔ
・ｎ／ Ｌ、） ”（ｎ−１，２，３・・・）ただし
、Ｃは電子または正孔の有効質量、ｈはブランク定数、
Ｃは光速である。すなわち、Ｌ２が減少するとともに、
電子の量子準位が電動体または価電子帯の底から上昇し
、再結合エネルギーは増大するので、発光波長λは減少
することになる。
・ｎ／ Ｌ、） ”（ｎ−１，２，３・・・）ただし
、Ｃは電子または正孔の有効質量、ｈはブランク定数、
Ｃは光速である。すなわち、Ｌ２が減少するとともに、
電子の量子準位が電動体または価電子帯の底から上昇し
、再結合エネルギーは増大するので、発光波長λは減少
することになる。
例えば、ＧａＡｓの井戸幅１００人のときの室温におけ
るフォトルミネンスの発光波長は０．８４ｐであり、井
戸幅５０人のときには０．７８７ｕである。なお、室温
におけるレーザー光の波長は、室温におけるフォトルミ
ネセンスの発光波長に比べて約０．０１μ大きくなるが
、上記のことはそのままあてはまる。
るフォトルミネンスの発光波長は０．８４ｐであり、井
戸幅５０人のときには０．７８７ｕである。なお、室温
におけるレーザー光の波長は、室温におけるフォトルミ
ネセンスの発光波長に比べて約０．０１μ大きくなるが
、上記のことはそのままあてはまる。
［実施例］
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の半導体レーザー装置の一実施例を示す
一部分の模式断面図である。
一部分の模式断面図である。
Ｐ”−ＧａＡｓ基板２１上に順次、ｐ”−ＧａＡｓバッ
ファ層２０、ｐ−− Ａ １ｘＧａｐ−ＸＡｓ下部クラッド層１９、ＡＩ、Ｇ
ａ１−、Ａｓ下部光閉じ込め層１８、量子井戸構造活性
層（井戸： Ａ １．ａａ、−、Ａｓ、障壁：Ａ１．Ｇ
ａｐ−、Ａｓ）１７、 ＡＩ、Ｇａｐ−、Ａｓ上部光閉じ込め層１６、ｎ◆−Ａ
ＩＸＧａ＋−、Ａｓ上部クラッド層１５、ｎ−−ＧａＡ
ｓキャップ層１４．５ｉ０２層１２が積層されている。
ファ層２０、ｐ−− Ａ １ｘＧａｐ−ＸＡｓ下部クラッド層１９、ＡＩ、Ｇ
ａ１−、Ａｓ下部光閉じ込め層１８、量子井戸構造活性
層（井戸： Ａ １．ａａ、−、Ａｓ、障壁：Ａ１．Ｇ
ａｐ−、Ａｓ）１７、 ＡＩ、Ｇａｐ−、Ａｓ上部光閉じ込め層１６、ｎ◆−Ａ
ＩＸＧａ＋−、Ａｓ上部クラッド層１５、ｎ−−ＧａＡ
ｓキャップ層１４．５ｉ０２層１２が積層されている。
さらに、Ｐ” −、ＧａＡｓ基板２１の下面、５ｉ０２
層１２の上面には、それぞれＰ側電極１３、Ｎ側電極１
１が設けられている。また、［Ｉ］、［■］近傍にそれ
ぞれ半導体レーザーが存在しており、異なる量子井戸幅
をもつ活性層から出射されるレーザー光の波長は、互い
に異なり、またレーザー光の直線偏光の方向は加工基板
の形状に起因して異なっている。
層１２の上面には、それぞれＰ側電極１３、Ｎ側電極１
１が設けられている。また、［Ｉ］、［■］近傍にそれ
ぞれ半導体レーザーが存在しており、異なる量子井戸幅
をもつ活性層から出射されるレーザー光の波長は、互い
に異なり、またレーザー光の直線偏光の方向は加工基板
の形状に起因して異なっている。
次に、本発明の半導体レーザー装置の代表的製造方法を
第２図（ａ）〜（ｊ）を参照して説明する。
第２図（ａ）〜（ｊ）を参照して説明する。
（００１）面が上面となるＰ” −ＧａＡｓ基板２１上
にレジストを塗布し、レジスト膜２３を形成する。露光
後、レジストの膜２３の一部分をはく離する（第２図（
ａ）〕。
にレジストを塗布し、レジスト膜２３を形成する。露光
後、レジストの膜２３の一部分をはく離する（第２図（
ａ）〕。
次に、レジスト膜２３の付いていない基板２１をウェッ
トエツチングにより、他の部分における基板２１と４５
°の角度をなすように切り込み、その後、レジスト膜２
３を除去する。なお、本実施例では、切り込みの深さは
３０μ、幅は６０−である〔第２図（ｂ）〕。
トエツチングにより、他の部分における基板２１と４５
°の角度をなすように切り込み、その後、レジスト膜２
３を除去する。なお、本実施例では、切り込みの深さは
３０μ、幅は６０−である〔第２図（ｂ）〕。
ＭＢＥによりエピタキシャル膜２４を形成する〔第２図
（Ｃ）〕。エピタキシャル膜２４は、第１図に示したよ
うに、Ｐ“−ＧａＡｓ基板２１上にＰ”−ＧａＡｓバッ
ファ層２０、ｐ−−Ａ１．Ｇａｐ−ＸＡｓクラッド層１
９、ＡＩ、Ｇａ、−、Ａｓ光閉じ込め層１８、量子井戸
構造活性層（井戸：Ａｌ、Ｇａ、−、Ａｓ、障壁：Ａｌ
ｙ Ｇ、ａ＋−ｙ Ａｓ）１７、ＡＩ、Ｇａ、−、Ａｓ
光閉じ込め層１６、ｎ”−Ａ１．Ｇａｐ−、Ａｓクラッ
ド層１５、ｎ−−ＧａＡｓキャップ層１４が順次、積層
された構成を有している。
（Ｃ）〕。エピタキシャル膜２４は、第１図に示したよ
うに、Ｐ“−ＧａＡｓ基板２１上にＰ”−ＧａＡｓバッ
ファ層２０、ｐ−−Ａ１．Ｇａｐ−ＸＡｓクラッド層１
９、ＡＩ、Ｇａ、−、Ａｓ光閉じ込め層１８、量子井戸
構造活性層（井戸：Ａｌ、Ｇａ、−、Ａｓ、障壁：Ａｌ
ｙ Ｇ、ａ＋−ｙ Ａｓ）１７、ＡＩ、Ｇａ、−、Ａｓ
光閉じ込め層１６、ｎ”−Ａ１．Ｇａｐ−、Ａｓクラッ
ド層１５、ｎ−−ＧａＡｓキャップ層１４が順次、積層
された構成を有している。
エピタキシャル膜２４を形成後、金属マスクＡ１２５を
蒸着し、その上にレジスト膜２６を形成し、露光後、エ
ツチングし所定部以外のレジスト膜を除去する（第２図
（ｄ）〕。
蒸着し、その上にレジスト膜２６を形成し、露光後、エ
ツチングし所定部以外のレジスト膜を除去する（第２図
（ｄ）〕。
残ワているレジス・ト膜２６をマスクとして、ケミカル
エツチングにより所定部以外の金属マスクＡ１２５を除
去した後、マスクとなっていたレジスト膜２６を除去す
る。次に、ＺｎＡｓ２を用い、石英封管法でＺｎを拡散
させＺｎ拡散領域２２を形成し、ｎ影領域をＰ＋形に変
える。このＺｎ拡散領域２２は電流狭窄としてばかりで
なく、量子井戸構造の無秩序化による屈折率の低下を生
じさせ、半導体レーザーの導波型を屈折率導波型にして
いる〔第２図（ｅ）〕。
エツチングにより所定部以外の金属マスクＡ１２５を除
去した後、マスクとなっていたレジスト膜２６を除去す
る。次に、ＺｎＡｓ２を用い、石英封管法でＺｎを拡散
させＺｎ拡散領域２２を形成し、ｎ影領域をＰ＋形に変
える。このＺｎ拡散領域２２は電流狭窄としてばかりで
なく、量子井戸構造の無秩序化による屈折率の低下を生
じさせ、半導体レーザーの導波型を屈折率導波型にして
いる〔第２図（ｅ）〕。
金属マスクＡ１２５を酸により除去した後、５ｉ０２層
１２をＣＶＤにより成膜する〔第２図（ｆ）〕。
１２をＣＶＤにより成膜する〔第２図（ｆ）〕。
ＳｉＯ□層１２上にレジストを塗布し、電流注入窓を形
成する部分のみを露光し除去後、ケミカルエツチングに
より露出した電流注入窓部のＳｉＯ□層１２を除去し、
その後レジストをとり除く（第２図（ｇ））。
成する部分のみを露光し除去後、ケミカルエツチングに
より露出した電流注入窓部のＳｉＯ□層１２を除去し、
その後レジストをとり除く（第２図（ｇ））。
次に、Ａ ｕ ／ Ａ ｕ −Ｇ ｅ層１１ａを蒸着し
、その上にレジスト膜２７を形成し露光後、レジスト膜
２７の不要な部分をはく離する〔第２図（ｈ））。
、その上にレジスト膜２７を形成し露光後、レジスト膜
２７の不要な部分をはく離する〔第２図（ｈ））。
エ、７チングにより、Ａ ｕ ／ Ａ ｕ −Ｇ ｅ層
１１ａを分離し、ｎ側型８ｉ１１を形成し、その後、レ
ジスト膜２７を除去する〔第２図（ｉ）〕。
１１ａを分離し、ｎ側型８ｉ１１を形成し、その後、レ
ジスト膜２７を除去する〔第２図（ｉ）〕。
基板２１の下面にＣｒ ／ Ａ ｕを蒸着し、Ｐ側電極
１３を形成する〔第２図（ｊ）〕。このように作製した
レーザー構造をもつクエへを（ＴＩＯ）方向にへき開し
て発振器を作製し、Ｖ字溝の底でスクライブを行ないチ
ップ化する。 第１図の実施例では、エピタキシャル膜
成長時の基板温度は約４００℃であり、低い場合の例で
あって加工基板の形状がそのまま成長にも保たれること
になる。このような条件下では、加工によって表面とな
った面へのフラックスの供給量が結晶成長速度を決定す
るので、あらゆる面で半導体レーザー構造を形成するこ
とができる。
１３を形成する〔第２図（ｊ）〕。このように作製した
レーザー構造をもつクエへを（ＴＩＯ）方向にへき開し
て発振器を作製し、Ｖ字溝の底でスクライブを行ないチ
ップ化する。 第１図の実施例では、エピタキシャル膜
成長時の基板温度は約４００℃であり、低い場合の例で
あって加工基板の形状がそのまま成長にも保たれること
になる。このような条件下では、加工によって表面とな
った面へのフラックスの供給量が結晶成長速度を決定す
るので、あらゆる面で半導体レーザー構造を形成するこ
とができる。
第３図は本発明の第２の実施例の一部分の模式断面図で
ある。
ある。
第１図の実施例に比較して、第３図の実施例では５加工
基板はその曲率が大きく徐々に曲っており、ＭＢＥ成膜
時の基板温度は約５００℃であり、高い場合の例である
。このような場合、（００１）、（１１４）、（１１１
）面が表面を形成することになる。これらの面は他の面
に比べて、結晶成長速度が小さいためエピタキシャル膜
成長を律速し、成長が進むにつれて次第に晶癖を示して
くる。このことによって、活性層は平坦になるため、散
乱損失の少ない良質の活性層を得ることができる。（Ｏ
Ｏ’ １ ）、（１１４）、（１１１）面上での成長速
度の比は、もちろん成長温度に応じて変化するが、およ
そ１：０．９５：０．９０である。この比に（００１）
面を基準面とした場合の、それぞれの角度の傾きによる
単位１ｆｉｌｉ積あたりのフラックス比１：０．９４：
０．５８を掛けると１ ：０．８９：０．５２となる。
基板はその曲率が大きく徐々に曲っており、ＭＢＥ成膜
時の基板温度は約５００℃であり、高い場合の例である
。このような場合、（００１）、（１１４）、（１１１
）面が表面を形成することになる。これらの面は他の面
に比べて、結晶成長速度が小さいためエピタキシャル膜
成長を律速し、成長が進むにつれて次第に晶癖を示して
くる。このことによって、活性層は平坦になるため、散
乱損失の少ない良質の活性層を得ることができる。（Ｏ
Ｏ’ １ ）、（１１４）、（１１１）面上での成長速
度の比は、もちろん成長温度に応じて変化するが、およ
そ１：０．９５：０．９０である。この比に（００１）
面を基準面とした場合の、それぞれの角度の傾きによる
単位１ｆｉｌｉ積あたりのフラックス比１：０．９４：
０．５８を掛けると１ ：０．８９：０．５２となる。
これが第３図の各面に対する成長速度の比である。この
ように、ＭＢＨにおいて、フラックスの方向にある角度
をもたすことによって、［Ｉ］、［ＩＩ］、［Ｉ［＋］
近傍のそれぞれの半導体レーザーでは、その量子井戸幅
が１：０．８９：０．５２となり、［Ｉ］近傍の半導体
レーザーで０．８４μの波長設定で作製したとき、［１
１］近傍の半導体レーザーでは０．８３１ｍ、［ｍ］近
傍の半導体レーザーでは０．８１ｐとなる。このように
ＭＢＥ成膜時の温度、Ｇ ａ ／ Ａ ｓフラックス比
、加工基板の形状を最適化することによって、発掘波長
、直線偏光の方向を調整してマルチレーサーを作製する
ことができる。
ように、ＭＢＨにおいて、フラックスの方向にある角度
をもたすことによって、［Ｉ］、［ＩＩ］、［Ｉ［＋］
近傍のそれぞれの半導体レーザーでは、その量子井戸幅
が１：０．８９：０．５２となり、［Ｉ］近傍の半導体
レーザーで０．８４μの波長設定で作製したとき、［１
１］近傍の半導体レーザーでは０．８３１ｍ、［ｍ］近
傍の半導体レーザーでは０．８１ｐとなる。このように
ＭＢＥ成膜時の温度、Ｇ ａ ／ Ａ ｓフラックス比
、加工基板の形状を最適化することによって、発掘波長
、直線偏光の方向を調整してマルチレーサーを作製する
ことができる。
第４図は本発明の第３の実施例の一部分の模式断面図で
ある。
ある。
本実施例では、あらかじめ基板加工は左右対称になるよ
うに（００１）基板との角度２０°、または５５°をな
すように用意し、その後、第２図に示した様ようにレー
ザー構造を作製する。第４図は（１１１）、（ＴＴＩ）
面が表われるように加工を行フた場合のマルチレーザー
を表わしている。［Ｉ］、［１］近傍上の結晶成長速度
は共に同じであるために、量子井戸幅は等しくなり、発
振波長は同じになる。しかし、本実施例では直線偏光の
方向が異なるので、発振波長は同じであって、偏光方向
が異なる必要のある用途、例えば、光ヘッドやレーザー
ビームプリンター等などに広く使用できる。
うに（００１）基板との角度２０°、または５５°をな
すように用意し、その後、第２図に示した様ようにレー
ザー構造を作製する。第４図は（１１１）、（ＴＴＩ）
面が表われるように加工を行フた場合のマルチレーザー
を表わしている。［Ｉ］、［１］近傍上の結晶成長速度
は共に同じであるために、量子井戸幅は等しくなり、発
振波長は同じになる。しかし、本実施例では直線偏光の
方向が異なるので、発振波長は同じであって、偏光方向
が異なる必要のある用途、例えば、光ヘッドやレーザー
ビームプリンター等などに広く使用できる。
上記全ての実施例では、レーザー構造は同じであるが、
特定の構造に本発明が、限定されるわけではなく、量子
井戸構造からなる活性層をもつ構造であればまた、本発
明は、以上説明した実施例の他にも、種々の応用が可能
である。例えば、半導体レーザーを構成する材料として
実施例のＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系に限らず、ＩｎＰ／
Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ系を用いることもできる。
特定の構造に本発明が、限定されるわけではなく、量子
井戸構造からなる活性層をもつ構造であればまた、本発
明は、以上説明した実施例の他にも、種々の応用が可能
である。例えば、半導体レーザーを構成する材料として
実施例のＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系に限らず、ＩｎＰ／
Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ系を用いることもできる。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明では、あらかじめ加工され
た基板上に一連のエピタキシャル成長が行なわれること
によって、複数の異なる面指数の膜が成長し、異なる量
子井戸幅の活性層が形成されるので、直線偏光の方向お
よび波長の異なるレーザー光を得ることができる。した
がって、ハイブリッド実装化における高精度、従来の製
造プロセスにおける高技術が不要となるため、歩留りか
向上し、生産性が高まるとともに小型化が達成できる。
た基板上に一連のエピタキシャル成長が行なわれること
によって、複数の異なる面指数の膜が成長し、異なる量
子井戸幅の活性層が形成されるので、直線偏光の方向お
よび波長の異なるレーザー光を得ることができる。した
がって、ハイブリッド実装化における高精度、従来の製
造プロセスにおける高技術が不要となるため、歩留りか
向上し、生産性が高まるとともに小型化が達成できる。
第１図は本発明の半導体レーザー装置の一実施例の一部
分の模式断面図、第２図は第１図の半導体レーザー装置
の製造方法を示す模式図、第３図は第２の実施例の一部
分を示す模式断面図、第４は第３の実施例の一部分を示
す模式断面図である。 １１・−ｎ側電極、 １１ ａ・・・ＡＵ／ＡＵ−Ｇｅ層、 １２ ・” ３１０２層、 １３・”ｐ側電極、 １４−−−ｎ−−ＧａＡｓキャップ層 １５−−−ｎ”−ＡＩＸＧａ＋−、Ａｓ上部クラッド層
１６・＝Ａ Ｉ、Ｇａ、−ｙＡｓＡｓ上部光透め層１７
−・・量子井戸構造活性層 （井戸＋ Ａ １ ｚ Ｇ ａ ｌ −Ｚ Ａ ｓ 。 障壁：Ａ１．Ｇａｐ−、Ａｓ）、 １８−Ａ Ｉ、Ｇａｐ−ｙＡｓＡｓ下部光透め層、１９
−Ｐ−−Ａ１．Ｇａ、−ＸＡｓ下部クラッド層２０・・
・Ｐ” −ＧａＡｓバッファ層、２１−Ｐ” −ＧａＡ
ｓ基板、 ２２・＝ Ｚ ｎ拡散領域、 ２３．２６．２７・・・レジスト膜、 ２４・・・エピタキシャル膜、 ２５・・・金属マスクＡｔ０
分の模式断面図、第２図は第１図の半導体レーザー装置
の製造方法を示す模式図、第３図は第２の実施例の一部
分を示す模式断面図、第４は第３の実施例の一部分を示
す模式断面図である。 １１・−ｎ側電極、 １１ ａ・・・ＡＵ／ＡＵ−Ｇｅ層、 １２ ・” ３１０２層、 １３・”ｐ側電極、 １４−−−ｎ−−ＧａＡｓキャップ層 １５−−−ｎ”−ＡＩＸＧａ＋−、Ａｓ上部クラッド層
１６・＝Ａ Ｉ、Ｇａ、−ｙＡｓＡｓ上部光透め層１７
−・・量子井戸構造活性層 （井戸＋ Ａ １ ｚ Ｇ ａ ｌ −Ｚ Ａ ｓ 。 障壁：Ａ１．Ｇａｐ−、Ａｓ）、 １８−Ａ Ｉ、Ｇａｐ−ｙＡｓＡｓ下部光透め層、１９
−Ｐ−−Ａ１．Ｇａ、−ＸＡｓ下部クラッド層２０・・
・Ｐ” −ＧａＡｓバッファ層、２１−Ｐ” −ＧａＡ
ｓ基板、 ２２・＝ Ｚ ｎ拡散領域、 ２３．２６．２７・・・レジスト膜、 ２４・・・エピタキシャル膜、 ２５・・・金属マスクＡｔ０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）直線偏光の異なる複数のレーザー光を発振する半導
体レーザー装置において、 加工によって異なる面指数の複数表面を備えた基板の２
つ以上の当該表面上に、気相エピタキシャル成長による
活性層を有する半導体レーザーが２つ以上積層されて成
ることを特徴とする半導体レーザー装置。 ２）前記活性層は量子井戸構造を有しており、それぞれ
の前記半導体レーザーにおける活性層中の井戸幅は異な
り、それぞれの前記活性層から異なる波長のレーザー光
が出射される特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ
ー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31419787A JPH01155675A (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 半導体レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31419787A JPH01155675A (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 半導体レーザー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01155675A true JPH01155675A (ja) | 1989-06-19 |
Family
ID=18050438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31419787A Pending JPH01155675A (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 半導体レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01155675A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04234185A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH06326341A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Nec Corp | 光検出器および光発信器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61185993A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多波長半導体レーザ装置 |
| JPS6212179A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-21 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JPS6364384A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Hitachi Ltd | 光半導体集積装置 |
| JPS6373685A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
-
1987
- 1987-12-14 JP JP31419787A patent/JPH01155675A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61185993A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多波長半導体レーザ装置 |
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| JPS6364384A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Hitachi Ltd | 光半導体集積装置 |
| JPS6373685A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04234185A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH06326341A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Nec Corp | 光検出器および光発信器 |
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