JPH01155676A - 半導体レーザー装置 - Google Patents
半導体レーザー装置Info
- Publication number
- JPH01155676A JPH01155676A JP62314198A JP31419887A JPH01155676A JP H01155676 A JPH01155676 A JP H01155676A JP 62314198 A JP62314198 A JP 62314198A JP 31419887 A JP31419887 A JP 31419887A JP H01155676 A JPH01155676 A JP H01155676A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor laser
- light shielding
- laser
- photodetecting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体レーザーアレイから出射される複数本の
レーザー光の光出力をそれぞれ独立にモニターする機能
を備えた半導体レーザー装置に関するものである。
レーザー光の光出力をそれぞれ独立にモニターする機能
を備えた半導体レーザー装置に関するものである。
［従来の技術］
半導体レーザー素子は、小型、軽量、高効率で駆動電流
による直接変調が可能であるなど多くの長所を有してお
り、光通信、光情報処理など光源として有望である。と
ころが半導体レーザー素子は、その特性上温度変化によ
る光出力の変動や特性劣化による光出力の変動など不具
合な面をもっている。そのため光出力を絶えず測定し所
定の光出力が得られているかどうかをモニターする受光
素子を内蔵する半導体レーザー装置が考え出されている
。この種の半導体装置では、受光素子により光出力を光
電変換することにより得られた電流は増幅器で増幅され
、この後、レーザー駆動回路へフィードバックされ、常
に受光素子の出力が一定になるように、駆動電流が負帰
還制御される。このような光モニタ機能は、半導体レー
ザアレイでも必要である。
による直接変調が可能であるなど多くの長所を有してお
り、光通信、光情報処理など光源として有望である。と
ころが半導体レーザー素子は、その特性上温度変化によ
る光出力の変動や特性劣化による光出力の変動など不具
合な面をもっている。そのため光出力を絶えず測定し所
定の光出力が得られているかどうかをモニターする受光
素子を内蔵する半導体レーザー装置が考え出されている
。この種の半導体装置では、受光素子により光出力を光
電変換することにより得られた電流は増幅器で増幅され
、この後、レーザー駆動回路へフィードバックされ、常
に受光素子の出力が一定になるように、駆動電流が負帰
還制御される。このような光モニタ機能は、半導体レー
ザアレイでも必要である。
［発明が解決しようとする問題点コ
従来の半導体レーザーアレイの問題点が第４図に示され
る。
る。
複数のストライプ（活性層）１１を有する半導体レーザ
ーアレイ３から後方に出射された光は、モニター用受光
素子５ａ〜５ｄによって受光される。この場合、それぞ
れのストライプから出射されるレーザー光は、広がり角
θを有しているため、受光素子の５ａ〜５ｄの受光面に
は、対応したストライプ以外に隣接した他のストライプ
からの光が漏れ込んでくることになり、正確なレーザー
光出力のモニターが困難であった。
ーアレイ３から後方に出射された光は、モニター用受光
素子５ａ〜５ｄによって受光される。この場合、それぞ
れのストライプから出射されるレーザー光は、広がり角
θを有しているため、受光素子の５ａ〜５ｄの受光面に
は、対応したストライプ以外に隣接した他のストライプ
からの光が漏れ込んでくることになり、正確なレーザー
光出力のモニターが困難であった。
［問題点を解決するための手段］
本発明の半導体レーザー装置は、複数の受光素子の受光
面間に、光を透過しない材質の遮光部材が設けられてい
る。
面間に、光を透過しない材質の遮光部材が設けられてい
る。
［作用］
遮光部材により、対応のストライプ以外のストライプか
ら出射されたレーザー光はカットされるため、正確なモ
ニタリングが可能となる。
ら出射されたレーザー光はカットされるため、正確なモ
ニタリングが可能となる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
［実施例１］
第１図（ａ）は本発明の半導体レーザー装置の第１の実
施例の斜視図、同図（ｂ）は遮光板の斜視図である。
施例の斜視図、同図（ｂ）は遮光板の斜視図である。
本実施例では、放熱性が良好な支持基台ｉ上に、レーザ
ー光出射領域ストライプ４．〜４ｄを有する半導体レー
ザーアレイ３が接着、材等により固定され、支持体２上
に受光素子５．〜５ｄが固定されている。さらに、半導
体レーザーアレイ３と受光素子５ａ〜５ｄとの間の空間
は、各受光素子の境界位置において第１図（ｂ）に示さ
れるような無反射コートされた遮光体６ａ （６ｂ〜６
ｄ）により区切られている。この遮光体６゜（６ｂ〜Ｓ
Ｃ＋）は、支持部７の裏面を支持基台１上に接着剤等を
用いて密着固定されいる。半導体レーザーアレイ３を構
成する半導体レーザー素子の配列ピッチおよび受光素子
の配列ピッチを１ｍｍ、レーザー光の広がり角θを３０
°、半導体レーザー素子との距離を２ｍｍとすると、遮
光体６．（６ｂ〜６ｄ）のサイズは、厚さ０．２ｍｍ、
幅１．８ｍｍ、高さ１ｍｍ程度である。この程度の遮光
体の設計は容易であり、実際に実施するにあたり、さし
たる問題もない。
ー光出射領域ストライプ４．〜４ｄを有する半導体レー
ザーアレイ３が接着、材等により固定され、支持体２上
に受光素子５．〜５ｄが固定されている。さらに、半導
体レーザーアレイ３と受光素子５ａ〜５ｄとの間の空間
は、各受光素子の境界位置において第１図（ｂ）に示さ
れるような無反射コートされた遮光体６ａ （６ｂ〜６
ｄ）により区切られている。この遮光体６゜（６ｂ〜Ｓ
Ｃ＋）は、支持部７の裏面を支持基台１上に接着剤等を
用いて密着固定されいる。半導体レーザーアレイ３を構
成する半導体レーザー素子の配列ピッチおよび受光素子
の配列ピッチを１ｍｍ、レーザー光の広がり角θを３０
°、半導体レーザー素子との距離を２ｍｍとすると、遮
光体６．（６ｂ〜６ｄ）のサイズは、厚さ０．２ｍｍ、
幅１．８ｍｍ、高さ１ｍｍ程度である。この程度の遮光
体の設計は容易であり、実際に実施するにあたり、さし
たる問題もない。
［実施例２］
第２図（ａ）は本発明の第２の実施例の斜視図、同図（
ｂ）は遮光ユニットの斜視図である。
ｂ）は遮光ユニットの斜視図である。
本実施例は、第１の実施例における遮光体６１〜６ｄの
代わりに、第２図（ｂ）に示されるような遮光ユニット
８を使用したものである。このため、遮光体を、半導体
レーザー素子および受光素子の境界位置に個別に配置す
る必要がなく、位置決め回数が減少するゆえに実装効率
が向上している。
代わりに、第２図（ｂ）に示されるような遮光ユニット
８を使用したものである。このため、遮光体を、半導体
レーザー素子および受光素子の境界位置に個別に配置す
る必要がなく、位置決め回数が減少するゆえに実装効率
が向上している。
［実施例３］
第３図（ａ）は、本発明の第３図の実施例の斜視図、同
図（ｂ）は受光ユニットの斜視図である。
図（ｂ）は受光ユニットの斜視図である。
本実施例は１つの受光素子５．（５ｂ〜５ｄ）と遮光部
材９．（９ｂ〜９ｄ）とを一体的に形成した受光ユニッ
トを、半導体レーザーアレイ３の後方に個別に配置した
ものである。本実施例では、受光素子と遮光部材１０の
位置決めの必要がなく、組立てが容易である。
材９．（９ｂ〜９ｄ）とを一体的に形成した受光ユニッ
トを、半導体レーザーアレイ３の後方に個別に配置した
ものである。本実施例では、受光素子と遮光部材１０の
位置決めの必要がなく、組立てが容易である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は、遮光部材を用いて不必要
な、もれ込みレーザー光を完全に遮断することにより、
半導体レーザーアレイから出射される複数のレーザー光
１本１本について、独立に、かつ正確にモニタリングを
行うことができ、この結果、適正なオートマチックパワ
ーコントロール（ＡＰＣ）制御が可能となる効果がある
。
な、もれ込みレーザー光を完全に遮断することにより、
半導体レーザーアレイから出射される複数のレーザー光
１本１本について、独立に、かつ正確にモニタリングを
行うことができ、この結果、適正なオートマチックパワ
ーコントロール（ＡＰＣ）制御が可能となる効果がある
。
第１図（ａ）は本発明の半導体レーザー装置の第１の実
施例の斜視図、同図（ｂ）は遮光体の斜視図、 第２図（ａ）は本発明に第２の実施例の斜視図、同図（
ｂ）は遮光ユニットの斜視図、第３図（ａ）は本発明の
第３の実施例の斜視図、同図（ｂ）は遮光ユニットの斜
視図、第４図は従来例の問題点を説明するための図であ
る。 １−−−−−−−−−一支持基台、 ２−−−−−−−−−−−・・・支持体、３−−−−−
−−−−−−・・・半導体レーザーアレイ、４．〜４．
−レーザー光出射領域、 ５ａ〜５．−受光素子、 ６１〜６ｄ＋＋＋遮光体、 ７−−−−−−−−−−−−−−−遮光体の支持部、８
−−−−−−・・・・・・・−遮光ユニット、９ａ〜９
ｄ・−受光ユニット、 １０−−−−−−−一遮光部材、 １１−−−一・・・・・・ストライブ（活性層）。
施例の斜視図、同図（ｂ）は遮光体の斜視図、 第２図（ａ）は本発明に第２の実施例の斜視図、同図（
ｂ）は遮光ユニットの斜視図、第３図（ａ）は本発明の
第３の実施例の斜視図、同図（ｂ）は遮光ユニットの斜
視図、第４図は従来例の問題点を説明するための図であ
る。 １−−−−−−−−−一支持基台、 ２−−−−−−−−−−−・・・支持体、３−−−−−
−−−−−−・・・半導体レーザーアレイ、４．〜４．
−レーザー光出射領域、 ５ａ〜５．−受光素子、 ６１〜６ｄ＋＋＋遮光体、 ７−−−−−−−−−−−−−−−遮光体の支持部、８
−−−−−−・・・・・・・−遮光ユニット、９ａ〜９
ｄ・−受光ユニット、 １０−−−−−−−一遮光部材、 １１−−−一・・・・・・ストライブ（活性層）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数のレーザー光出射領域が一列に配列され、それぞ
れのレーザー光出射領域から出射されたレーザー光を受
ける受光素子が、該レーザー光出射領域に対応して配置
されている半導体レーザー装置において、 前記受光素子の受光面間に遮光部材が設けられているこ
とを特徴とする半導体レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62314198A JPH01155676A (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 半導体レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62314198A JPH01155676A (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 半導体レーザー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01155676A true JPH01155676A (ja) | 1989-06-19 |
Family
ID=18050449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62314198A Pending JPH01155676A (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 半導体レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01155676A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0492666U (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-12 | ||
| JP2016178218A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 日本オクラロ株式会社 | 光送信モジュール |
| JP2021093514A (ja) * | 2019-12-02 | 2021-06-17 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
-
1987
- 1987-12-14 JP JP62314198A patent/JPH01155676A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0492666U (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-12 | ||
| JP2016178218A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 日本オクラロ株式会社 | 光送信モジュール |
| JP2021093514A (ja) * | 2019-12-02 | 2021-06-17 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
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