JPH0654824B2 - アレイ型半導体レ−ザ装置 - Google Patents
アレイ型半導体レ−ザ装置Info
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- JPH0654824B2 JPH0654824B2 JP62206109A JP20610987A JPH0654824B2 JP H0654824 B2 JPH0654824 B2 JP H0654824B2 JP 62206109 A JP62206109 A JP 62206109A JP 20610987 A JP20610987 A JP 20610987A JP H0654824 B2 JPH0654824 B2 JP H0654824B2
- Authority
- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- array type
- type semiconductor
- light
- heat sink
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体レーザによる光源装置に関し、特にアレ
イ型のレーザ装置に関するものである。
イ型のレーザ装置に関するものである。
（従来の技術） 半導体レーザは小型であるから、光ディスク装置などの
光源としてガスレーザに代って広く用いられている。ま
た、近年複数の独立駆動が可能な発光源を備えたアレイ
型の半導体レーザが開発されている。このようなレーザ
を用いることにより、従来の装置より優れた特性を得る
ことが可能となり、例えば光ディスク装置においてはデ
ータ転送速度が増す。
光源としてガスレーザに代って広く用いられている。ま
た、近年複数の独立駆動が可能な発光源を備えたアレイ
型の半導体レーザが開発されている。このようなレーザ
を用いることにより、従来の装置より優れた特性を得る
ことが可能となり、例えば光ディスク装置においてはデ
ータ転送速度が増す。
アレイ型の半導体レーザにおいては、個々の発光源を独
立に駆動するだけでなく、発光源の出力を独立にモニタ
することが実用上重要である。発光出力をレンズ系を介
して結像し、結像点で各発光源の出力をモニタすること
も考えられるが、この方式では光学系が必要であるから
光源が大型化してしまう。
立に駆動するだけでなく、発光源の出力を独立にモニタ
することが実用上重要である。発光出力をレンズ系を介
して結像し、結像点で各発光源の出力をモニタすること
も考えられるが、この方式では光学系が必要であるから
光源が大型化してしまう。
第５図は従来のモニタ方式のアレイ型半導体レーザ装置
を示す斜視図である。ヒートシンク基板１に予め受光面
６を作りつけておき、アレイ型半導体レーザ２を図のよ
うに設置する。各発光源７からの出力をそれぞれの受光
面で受光し出力のモニタを行なう。また、第６図は従来
の他のモニタ方式のアレイ型半導体レーザ装置を示す側
面図である。この方式では、ヒートシンク基板１上に設
けたアレイ型半導体レーザ２の裏面に近接して複数の受
光面６を備えたアレイ型ディテクタ３が設置してある。
を示す斜視図である。ヒートシンク基板１に予め受光面
６を作りつけておき、アレイ型半導体レーザ２を図のよ
うに設置する。各発光源７からの出力をそれぞれの受光
面で受光し出力のモニタを行なう。また、第６図は従来
の他のモニタ方式のアレイ型半導体レーザ装置を示す側
面図である。この方式では、ヒートシンク基板１上に設
けたアレイ型半導体レーザ２の裏面に近接して複数の受
光面６を備えたアレイ型ディテクタ３が設置してある。
（発明が解決しようとする問題点） 第５図の例ではヒートシンク基板１上に受光面６が設け
てあるから、アレイ型半導体レーザ２をヒートシンク基
板１に接着するときに接着材として用いる金属などが受
光面６にはみ出すことがないように注意する必要があ
る。また、各レーザを独立に駆動するためのレーザ電極
５をヒートシンク基板１上に設ける場合、受光面６と重
ならないようにするために引出す電極の幅が制限され
る。半導体レーザは通常数10mA〜100mA以上の電流を必
要とするから、電極が細いと電極抵抗値などの影響を受
けてしまう。
てあるから、アレイ型半導体レーザ２をヒートシンク基
板１に接着するときに接着材として用いる金属などが受
光面６にはみ出すことがないように注意する必要があ
る。また、各レーザを独立に駆動するためのレーザ電極
５をヒートシンク基板１上に設ける場合、受光面６と重
ならないようにするために引出す電極の幅が制限され
る。半導体レーザは通常数10mA〜100mA以上の電流を必
要とするから、電極が細いと電極抵抗値などの影響を受
けてしまう。
また第６図の例では、レーザ出射端面に平行に受光面６
が設けられているから受光面６からの反射光がレーザに
戻り、出力レベルや雑音特性を不安定にしてしまう。
が設けられているから受光面６からの反射光がレーザに
戻り、出力レベルや雑音特性を不安定にしてしまう。
本発明の目的は上記のような問題点を生じることがな
い。モニタ機能付のアレイ型半導体レーザ装置を得るこ
とにある。
い。モニタ機能付のアレイ型半導体レーザ装置を得るこ
とにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明のアレイ型半導体レーザ装置は、ヒートシンク基
板と、複数の発光源を有するアレイ型半導体レーザと、
このアレイ型半導体レーザの発光源とほぼ等しい間隔で
独立な受光面を有するアレイ型ディテクタとを有し、前
記ヒートシンク基板上面に前記アレイ型半導体レーザが
設置してあり、このアレイ型半導体レーザの片側端面に
近接して、前記受光面と前記ヒートシンク基板上面とが
所定の間隔を持って互いに向かい合う状態で、かつ前記
半導体レーザの発光位置が前記所定の間隔の中に存在す
るように前記アレイ型ディテクタが設置されていること
を特徴とする。
板と、複数の発光源を有するアレイ型半導体レーザと、
このアレイ型半導体レーザの発光源とほぼ等しい間隔で
独立な受光面を有するアレイ型ディテクタとを有し、前
記ヒートシンク基板上面に前記アレイ型半導体レーザが
設置してあり、このアレイ型半導体レーザの片側端面に
近接して、前記受光面と前記ヒートシンク基板上面とが
所定の間隔を持って互いに向かい合う状態で、かつ前記
半導体レーザの発光位置が前記所定の間隔の中に存在す
るように前記アレイ型ディテクタが設置されていること
を特徴とする。
（作用） 第２図に本発明の基本的な構成例を側面図で示す。アレ
イ型ディテクタ３は受光面６が下向きにヒートシンク基
板１と間を空けて設置されている。受光面６の高さは、
アレイ型半導体レーザ２の発光源７より上であればよ
い。レーザの端面からの出射光の一部は受光面６に吸収
され、残りはヒートシンク基板１上面のディテクタ３下
面で反射をする。本発明の配置であれば反射光が発光源
に戻ることはないためレーザ出力を不安定にすることな
く出力モニタが可能となる。第３図のように受光面６と
ヒートシンク基板１の上面は平行である必要はなく、出
射光が発光源に戻らない角度であればよい。
イ型ディテクタ３は受光面６が下向きにヒートシンク基
板１と間を空けて設置されている。受光面６の高さは、
アレイ型半導体レーザ２の発光源７より上であればよ
い。レーザの端面からの出射光の一部は受光面６に吸収
され、残りはヒートシンク基板１上面のディテクタ３下
面で反射をする。本発明の配置であれば反射光が発光源
に戻ることはないためレーザ出力を不安定にすることな
く出力モニタが可能となる。第３図のように受光面６と
ヒートシンク基板１の上面は平行である必要はなく、出
射光が発光源に戻らない角度であればよい。
第４図は、第２図のアレイ型半導体レーザ装置における
レーザ出射光に対する受光面６の位置を示す平面図であ
る。各発光源からの出射光が重ならない位置に受光面を
設けることで各出射光を独立に受光することが出来る。
本図では４個のアレイの例を示しているが、本発明では
アレイの数に制限はない。またアレイの間隔が付均一で
あっても原理的には同じように各出射光を独立に受光す
ることができる。
レーザ出射光に対する受光面６の位置を示す平面図であ
る。各発光源からの出射光が重ならない位置に受光面を
設けることで各出射光を独立に受光することが出来る。
本図では４個のアレイの例を示しているが、本発明では
アレイの数に制限はない。またアレイの間隔が付均一で
あっても原理的には同じように各出射光を独立に受光す
ることができる。
（実施例） 第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。この実
施例では、ヒートシンク基板１上にアレイ型半導体レー
ザ２とスペーサ４を介してアレイ型ディテクタ３が設け
られている。レーザ電極５はディテクタ３の受光面の下
にも設けることができるから、十分な幅を確保すること
ができる。電極５へのボンディング位置は散乱光を避け
るためにできるだけ横の方がよい。
施例では、ヒートシンク基板１上にアレイ型半導体レー
ザ２とスペーサ４を介してアレイ型ディテクタ３が設け
られている。レーザ電極５はディテクタ３の受光面の下
にも設けることができるから、十分な幅を確保すること
ができる。電極５へのボンディング位置は散乱光を避け
るためにできるだけ横の方がよい。
ディテクタ３の保持の構造は実施のものに限られない。
例えばディテクタ３の表面に予めスペーサとなるような
凹凸を設けておいてもよい。また各受光面の間に遮光効
果のあるようなスペーサを設け、隣接発光源からのクロ
ストークをさらに低減することもできる。
例えばディテクタ３の表面に予めスペーサとなるような
凹凸を設けておいてもよい。また各受光面の間に遮光効
果のあるようなスペーサを設け、隣接発光源からのクロ
ストークをさらに低減することもできる。
ディテクタ３の電極は、スペーサを介してヒートシンク
基板１上に導く構成としてもよい。
基板１上に導く構成としてもよい。
（発明の効果） 本発明により、レーザ特性に影響を与えることなく独立
にモニタが可能なアレイ型半導体レーザ装置を得ること
ができる。
にモニタが可能なアレイ型半導体レーザ装置を得ること
ができる。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図〜第４
図は本発明の構成を説明する図、第５図および第６図は
従来例を示す図である。 １……ヒートシンク基板、２……アレイ型半導体レー
ザ、３……アレイ型ディテクタ、４……スペーサ、５…
…レーザ電極、６……受光面、７……発光源。
図は本発明の構成を説明する図、第５図および第６図は
従来例を示す図である。 １……ヒートシンク基板、２……アレイ型半導体レー
ザ、３……アレイ型ディテクタ、４……スペーサ、５…
…レーザ電極、６……受光面、７……発光源。
Claims (1)
- 【請求項１】ヒートシンク基板と、複数の発光源を有す
るアレイ型半導体レーザと、このアレイ型半導体レーザ
の発光源とほぼ等しい間隔で独立な受光面を有するアレ
イ型ディテクタとを有し、前記ヒートシンク基板上面に
前記アレイ型半導体レーザが設置してあり、このアレイ
型半導体レーザの片側端面に近接して、前記受光面と前
記ヒートシンク基板上面とが所定の間隔を持って互いに
向かい合う状態で、かつ前記半導体レーザの発光位置が
前記所定の間隔の中に存在するように前記アレイ型ディ
テクタが設置してあることを特徴とするアレイ型半導体
レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62206109A JPH0654824B2 (ja) | 1987-08-19 | 1987-08-19 | アレイ型半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62206109A JPH0654824B2 (ja) | 1987-08-19 | 1987-08-19 | アレイ型半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6449291A JPS6449291A (en) | 1989-02-23 |
| JPH0654824B2 true JPH0654824B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=16517950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62206109A Expired - Lifetime JPH0654824B2 (ja) | 1987-08-19 | 1987-08-19 | アレイ型半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654824B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19614526A1 (de) * | 1996-04-12 | 1997-10-16 | Sick Ag | Laseranordnung zur Erzeugung eines Haupt- und eines Referenzlichtstrahls |
| JP2012094765A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置および光装置 |
| JP5779214B2 (ja) * | 2013-10-01 | 2015-09-16 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
-
1987
- 1987-08-19 JP JP62206109A patent/JPH0654824B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6449291A (en) | 1989-02-23 |
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