JPH01156082A - 発光素子駆動装置 - Google Patents
発光素子駆動装置Info
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- JPH01156082A JPH01156082A JP62316432A JP31643287A JPH01156082A JP H01156082 A JPH01156082 A JP H01156082A JP 62316432 A JP62316432 A JP 62316432A JP 31643287 A JP31643287 A JP 31643287A JP H01156082 A JPH01156082 A JP H01156082A
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- 238000005070 sampling Methods 0.000 abstract description 5
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- 101150073536 FET3 gene Proteins 0.000 description 3
- 101150015217 FET4 gene Proteins 0.000 description 3
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、発光素子駆動装置に関し、詳しくは、LE
Dプリンタに使用される複数のLEDアレイをそれぞれ
駆動するドライブ回路の改良に関する。
Dプリンタに使用される複数のLEDアレイをそれぞれ
駆動するドライブ回路の改良に関する。
[従来の技術]
最近では、小型、軽量化、高速化を実現するプリンタと
して光プリンタが注目されているが、これは、64〜2
56個程度のLED等で構成される発光素子のモノリシ
ックを1チツプに集積化した発光素子アレイを使用する
ものであって、この発光素子アレイは、記録用紙の幅方
向に直線杖に複数配列されて、光プリンタの光源として
使用される。
して光プリンタが注目されているが、これは、64〜2
56個程度のLED等で構成される発光素子のモノリシ
ックを1チツプに集積化した発光素子アレイを使用する
ものであって、この発光素子アレイは、記録用紙の幅方
向に直線杖に複数配列されて、光プリンタの光源として
使用される。
光プリンタの光源は、印字濃度、ドツト径等に直接影響
を与える関係ですべての発光素子の発光量がほぼ均一で
あることが要求されるが、LEDアレイ等の発光素子で
は、製造ロフトの相違とか、製造工程の不均一性などか
ら素子間に性能のばらつきが発生し、しかも、それがL
EDアレイ間相互においても輝度にばらつきを生じさせ
る。
を与える関係ですべての発光素子の発光量がほぼ均一で
あることが要求されるが、LEDアレイ等の発光素子で
は、製造ロフトの相違とか、製造工程の不均一性などか
ら素子間に性能のばらつきが発生し、しかも、それがL
EDアレイ間相互においても輝度にばらつきを生じさせ
る。
このようなばらつきを抑制する方法の1つとして、各発
光素子を駆動するドライブ回路の電流値を平均化するこ
とが行われる。第3図は、このような従来のLEDアレ
イのドライブ回路の一例を示すものであって、10,1
1. ・・・は、各LED素子21,22. ・・
・を駆動するドライブ回路である。これらは、電流ミラ
ー回路を構成するダイオード接続されたFETIとドラ
イバFET2とからなる。なお、ドライブ回路io、t
t。
光素子を駆動するドライブ回路の電流値を平均化するこ
とが行われる。第3図は、このような従来のLEDアレ
イのドライブ回路の一例を示すものであって、10,1
1. ・・・は、各LED素子21,22. ・・
・を駆動するドライブ回路である。これらは、電流ミラ
ー回路を構成するダイオード接続されたFETIとドラ
イバFET2とからなる。なお、ドライブ回路io、t
t。
・φ・と各LED素子21,22. ・・・とは、そ
れぞれドライバFET2の出力端子10a、11aw
・・・を介して接続されている。
れぞれドライバFET2の出力端子10a、11aw
・・・を介して接続されている。
各FETIには、FET3がパラレルに接続されていて
、各FET3のオン(以下0N)−オフ(以下0FF)
に応じて、各ドライバFET2がそれぞれ独立に0FF
−ONされる関係にある。
、各FET3のオン(以下0N)−オフ(以下0FF)
に応じて、各ドライバFET2がそれぞれ独立に0FF
−ONされる関係にある。
ここで、FET3は、発光素子点灯データに対応するデ
ータ入力をそのゲートに受ける。そこで、このデータに
応じてドライバFET2が0N−OFFされることにな
る。
ータ入力をそのゲートに受ける。そこで、このデータに
応じてドライバFET2が0N−OFFされることにな
る。
ここで、各ドライバFET2に流れる電流値は、制御側
の、各FET1のゲートに流入する電流により決定され
、それは、各FETIの下流に直列に接続された電流値
設定用の各FET4に流れる電ff1Iによりそれぞれ
設定されることになる。
の、各FET1のゲートに流入する電流により決定され
、それは、各FETIの下流に直列に接続された電流値
設定用の各FET4に流れる電ff1Iによりそれぞれ
設定されることになる。
各FET4のゲートは、電圧設定抵抗分圧回路5に共通
に接続されていて、その抵抗値を選択することにより各
ドライブ回路10.11. ・・・に流れる電流値が
設定される。
に接続されていて、その抵抗値を選択することにより各
ドライブ回路10.11. ・・・に流れる電流値が
設定される。
すなわち、ドライバFET2に流れる電流値の設定は、
これがONしたときに流れる電流値のばらつきを平均化
するためにそれぞれのドライバFET2がONしたとき
に流れる電流値の平均値になるように選択され、この選
択的な電圧設定が電圧設定抵抗分圧回路5の抵抗値を選
択することで行われる。
これがONしたときに流れる電流値のばらつきを平均化
するためにそれぞれのドライバFET2がONしたとき
に流れる電流値の平均値になるように選択され、この選
択的な電圧設定が電圧設定抵抗分圧回路5の抵抗値を選
択することで行われる。
なお、第3図におけるFET1.2.3はPチャンネル
FET1FET4は、NチャンネルFETである。
FET1FET4は、NチャンネルFETである。
[解決しようとする問題点コ
そのため電圧設定抵抗分圧回路5の設定電圧を前記のよ
うな適切な値に設定するために、従来は、出力端子10
at 11 as ・・・に電流計を接続してド
ライブ回路10.11. ・・ΦをそれぞれON状態
にして、その電流値を電流計で読取り、そこから平均値
を算出している。
うな適切な値に設定するために、従来は、出力端子10
at 11 as ・・・に電流計を接続してド
ライブ回路10.11. ・・ΦをそれぞれON状態
にして、その電流値を電流計で読取り、そこから平均値
を算出している。
その結果、電圧設定抵抗分圧回路5の電圧設定は、作業
性が悪く、手間がかかるものとなっている。その上、電
圧設定抵抗分圧回路の抵抗値が一度選択されると、以後
のドライブ回路に対する電流値の調整はできないことに
なり、組立て後にLEDアレイの輝度を調整することが
不可能となる。
性が悪く、手間がかかるものとなっている。その上、電
圧設定抵抗分圧回路の抵抗値が一度選択されると、以後
のドライブ回路に対する電流値の調整はできないことに
なり、組立て後にLEDアレイの輝度を調整することが
不可能となる。
しかも、ドライブ回路は経年変化によりその特性が変わ
ったり、他の同様な回路との関係で組qて後の調整が必
要とされることも多い。
ったり、他の同様な回路との関係で組qて後の調整が必
要とされることも多い。
この発明は、このような従来技術の問題点を解決するも
のであって、各ドライブ回路の平均電流値に対応する電
流値を組立て前後にかかわらず、容易に検出することが
きるような発光素子駆動回路を提供することを目的とす
る。
のであって、各ドライブ回路の平均電流値に対応する電
流値を組立て前後にかかわらず、容易に検出することが
きるような発光素子駆動回路を提供することを目的とす
る。
[問題点を解決するための手段]
このような目的を達成するためのこの発明の発光素子駆
動装置の構成は、発光素子を駆動する駆動回路を複数搭
載したICにおいて、ドレイン領域、ゲート領域及びソ
ース領域又はコレクタ領域。
動装置の構成は、発光素子を駆動する駆動回路を複数搭
載したICにおいて、ドレイン領域、ゲート領域及びソ
ース領域又はコレクタ領域。
ベース領域及びエミッタ領域をそれぞれ有し、複数の各
駆動回路をそれぞれ構成する複数のセルと、これら各セ
ルの前記ドレイン領域者しくはソース領域又はコレクタ
領域若しくはエミッタ領域の一部に残りの領域に流れる
電流をモニタするためのモニタエリアとを備えていて、
複数の各セルのモニタエリアを共通に配線して複数のセ
ル全体の残りの領域に流れる電流値の平均値に対応する
電流値を検出するものである。
駆動回路をそれぞれ構成する複数のセルと、これら各セ
ルの前記ドレイン領域者しくはソース領域又はコレクタ
領域若しくはエミッタ領域の一部に残りの領域に流れる
電流をモニタするためのモニタエリアとを備えていて、
複数の各セルのモニタエリアを共通に配線して複数のセ
ル全体の残りの領域に流れる電流値の平均値に対応する
電流値を検出するものである。
[作用コ
このように、各LED素子を駆動する回路を構成するセ
ルにその電流値をサンプリングするモニタエリアを設け
て、各モニタエリアを共通に接続しておけば、容易に平
均値に対応する電流値が得られ、この共通配線から得ら
れる電流値をドライブ回路の電流値を制御する電流とす
れば、自動的に平均値設定ができる。
ルにその電流値をサンプリングするモニタエリアを設け
て、各モニタエリアを共通に接続しておけば、容易に平
均値に対応する電流値が得られ、この共通配線から得ら
れる電流値をドライブ回路の電流値を制御する電流とす
れば、自動的に平均値設定ができる。
また、この共通配線をICの外部接続ピンに接続するよ
うにすれば、後からその電流値を利用することができ、
LEDアレイの輝度に対する調整が後からできる。しか
も、他の同様なドライブ回路のチップ間においてドライ
ブ電流の調整をする場合にも利用できる。
うにすれば、後からその電流値を利用することができ、
LEDアレイの輝度に対する調整が後からできる。しか
も、他の同様なドライブ回路のチップ間においてドライ
ブ電流の調整をする場合にも利用できる。
[実施例コ
以下、この発明の一実施例について図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第1図(a)、(b)は、この発明の発光素子駆動装置
の一実施例のチップ内部の説明図及びその等価回路図で
あり、第2図は、その平均値に対応する検出電流値をド
ライブ回路の電流値制御に利用した具体例の説明図であ
る。なお、第3図と同等のものは同一の符号で示す。
の一実施例のチップ内部の説明図及びその等価回路図で
あり、第2図は、その平均値に対応する検出電流値をド
ライブ回路の電流値制御に利用した具体例の説明図であ
る。なお、第3図と同等のものは同一の符号で示す。
第1図(a)において、30,30.−−−は、IC内
部に形成されたセルであって、このセル30のそれぞれ
は、LED素子を駆動するドライブ回路のドライバFE
、Tを構成している。各セ゛ル30は、ここでは、Pチ
ャンネルFETを形成しているものとし、31がそのド
レイン領域、32がそのソース領域、33がそのゲート
である。
部に形成されたセルであって、このセル30のそれぞれ
は、LED素子を駆動するドライブ回路のドライバFE
、Tを構成している。各セ゛ル30は、ここでは、Pチ
ャンネルFETを形成しているものとし、31がそのド
レイン領域、32がそのソース領域、33がそのゲート
である。
ここで、ドレイン領域31にはモニタエリア31aが設
けられていて、このエリアの大きさは、ドレイン領域3
1のエリア面積をN(正の整数)とすると、モニタエリ
ア31aは、その1/Hの面積1となっている。このモ
ニタエリア31aには端子34が接続されていて、各セ
ル30,30゜拳φ・の端子34は、共通の配線ライン
35に接続されている。また、本来のドレイン領域31
には端子36が接続され、ソース領域32側は、抵抗R
を介して、VDDの電源ラインに接続されている。なお
、説明の都合上、各領域及びモニタエリアに接続される
金属端子部分を端子として図では線で示しているが、こ
れは、直接各領域及びモニタエリアに形成されるアルミ
ニウム蒸着等による電極金属端子層又はそこからアルミ
ニウム配線等の配線層に接触させる配線を含めてのもの
を意味している。
けられていて、このエリアの大きさは、ドレイン領域3
1のエリア面積をN(正の整数)とすると、モニタエリ
ア31aは、その1/Hの面積1となっている。このモ
ニタエリア31aには端子34が接続されていて、各セ
ル30,30゜拳φ・の端子34は、共通の配線ライン
35に接続されている。また、本来のドレイン領域31
には端子36が接続され、ソース領域32側は、抵抗R
を介して、VDDの電源ラインに接続されている。なお
、説明の都合上、各領域及びモニタエリアに接続される
金属端子部分を端子として図では線で示しているが、こ
れは、直接各領域及びモニタエリアに形成されるアルミ
ニウム蒸着等による電極金属端子層又はそこからアルミ
ニウム配線等の配線層に接触させる配線を含めてのもの
を意味している。
このドライブ回路のセル30に対する等価回路は、同図
(b)に見るような回路となり、各FETがONしてそ
のソース領域−ドレイン領域間に電流I1.12.
・・・が流れているとすると、各モニタエリア31aに
は、それぞれその面積比に対応して、I7 Xi/ (
N+1)、I2 Xi/(N+1)、 ・・・となり
、これらを総計した電流が共通の配線ライン35に流れ
、このラインと接地間に電流計37を接続することで、
各ドライブ回路の平均電流値に比例した電流値=ΣIi
/(N+1)を得ることができる。ただし、iは、■か
ら各ドライブ回路のドライバFET部分を形成するセル
の総数までの値を採る。) その結果、各FETをONさせてこの電流値を測定する
ことだけで平均電流値を算出することができる。
(b)に見るような回路となり、各FETがONしてそ
のソース領域−ドレイン領域間に電流I1.12.
・・・が流れているとすると、各モニタエリア31aに
は、それぞれその面積比に対応して、I7 Xi/ (
N+1)、I2 Xi/(N+1)、 ・・・となり
、これらを総計した電流が共通の配線ライン35に流れ
、このラインと接地間に電流計37を接続することで、
各ドライブ回路の平均電流値に比例した電流値=ΣIi
/(N+1)を得ることができる。ただし、iは、■か
ら各ドライブ回路のドライバFET部分を形成するセル
の総数までの値を採る。) その結果、各FETをONさせてこの電流値を測定する
ことだけで平均電流値を算出することができる。
第2図は、この検出されたモニタ電流値を各ドライブ回
路の電流の平均値調整に利用した回路である。
路の電流の平均値調整に利用した回路である。
図中、FET7,7. ・・・で示す回路が前記モニ
タエリア31aに対応して形成されたPチャンネルFE
Tの部分であり、ドライバFET6がその残りのドレイ
ン領域により形成されるFETであって、このドライバ
FET8が第3図におけるドライバFET2に対応して
いる。そして、これらドライバFET6とFET7とが
第1図のセル30により形成される回路である。
タエリア31aに対応して形成されたPチャンネルFE
Tの部分であり、ドライバFET6がその残りのドレイ
ン領域により形成されるFETであって、このドライバ
FET8が第3図におけるドライバFET2に対応して
いる。そして、これらドライバFET6とFET7とが
第1図のセル30により形成される回路である。
第2図のドライブ回路は、このドライバFET6とFE
T7とをドライブ回路の一部として、第3図と同様に他
のFE’rのセルとこのセル30とを接続して電流ミラ
ー回路を構成したものであって、各FET7のドレイン
領域に共通に接続されている配線ライン35が電流スイ
ッチを構成するFETのアナログスイッチ38を介して
コンデンサCの端子に接続されている。したがって、ド
ライバFET6をON状態として前記アナログスイッチ
38をONさせ、そのときの平均電流値に比例する電流
値を電圧値に変換してコンデンサCに記憶させることが
できる。
T7とをドライブ回路の一部として、第3図と同様に他
のFE’rのセルとこのセル30とを接続して電流ミラ
ー回路を構成したものであって、各FET7のドレイン
領域に共通に接続されている配線ライン35が電流スイ
ッチを構成するFETのアナログスイッチ38を介して
コンデンサCの端子に接続されている。したがって、ド
ライバFET6をON状態として前記アナログスイッチ
38をONさせ、そのときの平均電流値に比例する電流
値を電圧値に変換してコンデンサCに記憶させることが
できる。
このコンデンサCの端子電圧は、コンパレータ39に人
力されて、比較電圧発生回路40の設定電圧と比較され
る。そこで、平均値に対応するコンデンサCの電圧と比
較電圧とに差が生じたときに、これを補正するような制
御信号がコンパレータ39から出力されて、これが各F
ET4のゲートに共通に加えられる。このようにするこ
とで、その経年的な変化等によるLEDアレイの輝度変
化に対応させた補正制御を行うことができる。なお、こ
の場合の比較電圧発生回路40の設定電圧は、最初の組
立て時点で配線ライン35から検出された電流値により
設定されることになる。
力されて、比較電圧発生回路40の設定電圧と比較され
る。そこで、平均値に対応するコンデンサCの電圧と比
較電圧とに差が生じたときに、これを補正するような制
御信号がコンパレータ39から出力されて、これが各F
ET4のゲートに共通に加えられる。このようにするこ
とで、その経年的な変化等によるLEDアレイの輝度変
化に対応させた補正制御を行うことができる。なお、こ
の場合の比較電圧発生回路40の設定電圧は、最初の組
立て時点で配線ライン35から検出された電流値により
設定されることになる。
ここで、コンパレータ39をオペアンプ等の増幅回路に
置き換えて、コンデンサCの端子電圧を単にオペアンプ
等の増幅回路で増幅してその出力を各FET4のゲート
に加えれば、FET4の制御電流値を平均電圧値に設定
することができる。
置き換えて、コンデンサCの端子電圧を単にオペアンプ
等の増幅回路で増幅してその出力を各FET4のゲート
に加えれば、FET4の制御電流値を平均電圧値に設定
することができる。
なお、以上の場合には、コンデンサCの電荷が時間の経
過とともに放電するので、ある程度周期的にサンプリン
グパルスをアナログスイッチ38に加えて、平均電流値
をサンプリングすることが必要となる。このようにする
ことで、コンデンサCに平均値電流に対応する電圧が常
時記憶されるようにすることができる。また、このよう
なアナログスイッチ38のサンプリング処理は、LED
素子が印刷動作に関与していない空き時間を利用して行
うとよい。
過とともに放電するので、ある程度周期的にサンプリン
グパルスをアナログスイッチ38に加えて、平均電流値
をサンプリングすることが必要となる。このようにする
ことで、コンデンサCに平均値電流に対応する電圧が常
時記憶されるようにすることができる。また、このよう
なアナログスイッチ38のサンプリング処理は、LED
素子が印刷動作に関与していない空き時間を利用して行
うとよい。
以上説明してきたが、実施例における第2図の回路は一
例であって、電流ミラー回路のような構成を採る必要は
ない。要するに、この発明は、LED素子を駆動する駆
動回路(ドライバ)の電流平均値を利用するような回路
であればどのような回路でも適用することができる。
例であって、電流ミラー回路のような構成を採る必要は
ない。要するに、この発明は、LED素子を駆動する駆
動回路(ドライバ)の電流平均値を利用するような回路
であればどのような回路でも適用することができる。
また、実施例では、PチャンネルFETを例としている
が、これはNチャンネルFETの場合も同様であり、バ
イポーラトランジスタにあっても同様に適用できる。
が、これはNチャンネルFETの場合も同様であり、バ
イポーラトランジスタにあっても同様に適用できる。
[発明の効果コ
以」−の説明から理解できるように、この発明にあって
は、各LED素子を駆動する回路を構成するセルにその
電流値をサンプリングするモニタエリアを設けて、各モ
ニタエリアを共通に接続しておけば、容易に平均値に対
応する電流値が得られ、この共通配線から得られる電流
値をドライブ回路の電流値を制御する電流とすれば、自
動的に平均値設定ができる。
は、各LED素子を駆動する回路を構成するセルにその
電流値をサンプリングするモニタエリアを設けて、各モ
ニタエリアを共通に接続しておけば、容易に平均値に対
応する電流値が得られ、この共通配線から得られる電流
値をドライブ回路の電流値を制御する電流とすれば、自
動的に平均値設定ができる。
また、この共通配線をICの外部接続ピンに接続するよ
うにすれば、後からその電流値を利用することができ、
LEDアレイの輝度に対する調整が後からできる。しか
も、他の同様なドライブ回路のチップ間においてドライ
ブ電流の調整をする場合にも利用できる。
うにすれば、後からその電流値を利用することができ、
LEDアレイの輝度に対する調整が後からできる。しか
も、他の同様なドライブ回路のチップ間においてドライ
ブ電流の調整をする場合にも利用できる。
第1図(a)、(b)は、この発明の発光素子駆動装置
の一実施例のチップ内部の説明図及びその等価回路図、
第2図は、その平均値に対応する検出電流値をドライブ
回路の電流値制御に利用した具体例の説明図、第3図は
、従来のドライブ回路の電流値制御の説明図である。 1.3・・・PチャンネルFET。 4・・・NチャンネルFET。 2.6・・・LED素子のドライブFET110.11
・・・ドライブ回路、 30・・・・・・セル(ドライバFETに対応)31・
・・ドレイン領域、31a・・・モニタエリア、32・
・・ソース領域、33・・・ゲート、35・・・配線ラ
イン、38・・・アナログスイッチ、39・・・コンパ
レータ、40・・・比較電圧設定回路。
の一実施例のチップ内部の説明図及びその等価回路図、
第2図は、その平均値に対応する検出電流値をドライブ
回路の電流値制御に利用した具体例の説明図、第3図は
、従来のドライブ回路の電流値制御の説明図である。 1.3・・・PチャンネルFET。 4・・・NチャンネルFET。 2.6・・・LED素子のドライブFET110.11
・・・ドライブ回路、 30・・・・・・セル(ドライバFETに対応)31・
・・ドレイン領域、31a・・・モニタエリア、32・
・・ソース領域、33・・・ゲート、35・・・配線ラ
イン、38・・・アナログスイッチ、39・・・コンパ
レータ、40・・・比較電圧設定回路。
Claims (2)
- (1)発光素子を駆動する駆動回路を複数搭載したIC
において、ドレイン領域、ゲート領域及びソース領域又
はコレクタ領域、ベース領域及びエミッタ領域をそれぞ
れ有し、前記複数の各駆動回路をそれぞれ構成する複数
のセルと、これら各セルの前記ドレイン領域若しくはソ
ース領域又はコレクタ領域若しくはエミッタ領域の一部
に残りの領域に流れる電流をモニタするためのモニタエ
リアとを備え、複数の各前記セルの前記モニタエリアを
共通に配線して複数のセル全体の前記残りの領域に流れ
る電流値の平均値に対応する電流値を検出することを特
徴とする発光素子駆動装置。 - (2)複数の各セルのモニタエリアを共通に配線して複
数のセル全体の残りの領域に流れる電流値の平均値に対
応する電流値を検出するとともに、検出した電流値を前
記残りの領域に流れる電流値の制御信号とすることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の発光素子駆動装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31643287A JPH0798401B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 発光素子駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31643287A JPH0798401B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 発光素子駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01156082A true JPH01156082A (ja) | 1989-06-19 |
| JPH0798401B2 JPH0798401B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=18077016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31643287A Expired - Fee Related JPH0798401B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 発光素子駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0798401B2 (ja) |
-
1987
- 1987-12-15 JP JP31643287A patent/JPH0798401B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0798401B2 (ja) | 1995-10-25 |
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