JPH02218183A - Ｌｅｄ駆動用ｍｏｓ集積回路 - Google Patents
Ｌｅｄ駆動用ｍｏｓ集積回路Info
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- JPH02218183A JPH02218183A JP1038661A JP3866189A JPH02218183A JP H02218183 A JPH02218183 A JP H02218183A JP 1038661 A JP1038661 A JP 1038661A JP 3866189 A JP3866189 A JP 3866189A JP H02218183 A JPH02218183 A JP H02218183A
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- circuit
- current
- voltage
- integrated circuit
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば電子写真プリンタの印字光源に用い
るＬＥＤアレイヘッドのＬＥＤ駆動用ＭＯＳ集積回路に
関するものである。
るＬＥＤアレイヘッドのＬＥＤ駆動用ＭＯＳ集積回路に
関するものである。
第３図は、例えば特開昭６０−１９８８７２号公報に示
された従来のＬＥＤ駆動用ＭＯＳ集積回路の構成図であ
る。
された従来のＬＥＤ駆動用ＭＯＳ集積回路の構成図であ
る。
ＬＥＤアレイヘッドでは、数十個のＬＥＤ（発光ダイオ
ード）を駆動するため、第３図に示されるような構成の
集積回路を数１０個用いており、１つの集積回路には３
２個〜６４個の駆動回路があり、ＬＥＤを一対で駆動し
ている。
ード）を駆動するため、第３図に示されるような構成の
集積回路を数１０個用いており、１つの集積回路には３
２個〜６４個の駆動回路があり、ＬＥＤを一対で駆動し
ている。
第３図において、ＬＥＤ駆動用ＭＯＳ集積回路ｌは直流
電源２によって駆動される発光ダイオード３３〜３ｃ（
以下、ＬＥＤという）に供給される電力を、その輝度が
所定値を保つように制御側るための回路であり、単一の
基板上に集積回路として形成されている。
電源２によって駆動される発光ダイオード３３〜３ｃ（
以下、ＬＥＤという）に供給される電力を、その輝度が
所定値を保つように制御側るための回路であり、単一の
基板上に集積回路として形成されている。
この集積回路１は、ＬＥＤ３３〜３ｃに流れる電流値を
制限する目的で、ＬＥＤ３ａ〜３ｃと直列に接続される
ＭＯＳ）ランジスタ４が電流制限素子として設けられて
おり、ＭＯＳ）ランジスタ４は更に抵抗器５を介して直
列電源２の正極に接続されている。従って、ＭＯＳ）ラ
ンジスタ４によって制限された所要のＬＥＤ駆動電流は
、抵抗器５を介して流れ、抵抗器５の両端には、ＬＥＤ
３ａ〜３ｃに流れる駆動電流の大きさに従ったレベルの
検出電圧■１が生じる。検出電圧Ｖ、は、電圧比較器６
の十入力端子に印加されている。
制限する目的で、ＬＥＤ３ａ〜３ｃと直列に接続される
ＭＯＳ）ランジスタ４が電流制限素子として設けられて
おり、ＭＯＳ）ランジスタ４は更に抵抗器５を介して直
列電源２の正極に接続されている。従って、ＭＯＳ）ラ
ンジスタ４によって制限された所要のＬＥＤ駆動電流は
、抵抗器５を介して流れ、抵抗器５の両端には、ＬＥＤ
３ａ〜３ｃに流れる駆動電流の大きさに従ったレベルの
検出電圧■１が生じる。検出電圧Ｖ、は、電圧比較器６
の十入力端子に印加されている。
直流電源２の端子電圧■。のレベルに向わず所要の一定
レベルの基準電圧を取出すため、ゲート電極がソース、
電極に共通接続されているデプレッション型ＭＯＳ）ラ
ンジスタフのドレイン電極が抵抗器８を介して直流電源
２の正極に接続されている。
レベルの基準電圧を取出すため、ゲート電極がソース、
電極に共通接続されているデプレッション型ＭＯＳ）ラ
ンジスタフのドレイン電極が抵抗器８を介して直流電源
２の正極に接続されている。
ドレイン電流！、が抵抗器８を流れることによって抵抗
器８の両端に生じる電圧ｖｒは、電圧比較器６の一入力
端子に印加されている。
器８の両端に生じる電圧ｖｒは、電圧比較器６の一入力
端子に印加されている。
従って、電圧比較器６の出力からは、検出電圧■、と基
準電圧■、との差分に応じた出力電圧■。
準電圧■、との差分に応じた出力電圧■。
が出力され、この出力電圧ＶＧによってトランジスタ４
の導通度が制御される。この結果、Ｖｌ〈ｖｌとなると
、出力電圧ＶＧが正の方向に増大してトランジスタ４の
ドレイン電流が増大し、抵抗器５における電圧降下が増
大する。即ち検出電圧■１の値が増大する。逆に、Ｖ、
＞Ｖ、となると、出力電圧■。が負の方向に増大してト
ランジスタ４のドレイン電流が減少するので、抵抗器５
における電圧降下が減少する。即ち検出電圧Ｖ１が減少
する。このようにして、Ｖ、＝Ｖ、となるようにトラン
ジスタ４の導通度が制御され、この結果、基準電圧■、
のレベルに応じた電流がトランジスタ４を介してＬ Ｅ
Ｄ ３ ａ 〜３ ｃに流れ、Ｌ、ＥＤ３ａ〜３ｃは
定電流駆動される。
の導通度が制御される。この結果、Ｖｌ〈ｖｌとなると
、出力電圧ＶＧが正の方向に増大してトランジスタ４の
ドレイン電流が増大し、抵抗器５における電圧降下が増
大する。即ち検出電圧■１の値が増大する。逆に、Ｖ、
＞Ｖ、となると、出力電圧■。が負の方向に増大してト
ランジスタ４のドレイン電流が減少するので、抵抗器５
における電圧降下が減少する。即ち検出電圧Ｖ１が減少
する。このようにして、Ｖ、＝Ｖ、となるようにトラン
ジスタ４の導通度が制御され、この結果、基準電圧■、
のレベルに応じた電流がトランジスタ４を介してＬ Ｅ
Ｄ ３ ａ 〜３ ｃに流れ、Ｌ、ＥＤ３ａ〜３ｃは
定電流駆動される。
各ＬＥＤ３ａ、３ｂ、３ｃに対しては選択的に駆動する
ようトランジスタ４の各ゲートとアース間にスイッチン
グトランジスタ９を設けており、制御’１１回路１０か
らの信号を応じ、各スイッチングトランジスタ９の動作
が制御され、これによって各ＬＥＤの発光が制御される
ようにしている。
ようトランジスタ４の各ゲートとアース間にスイッチン
グトランジスタ９を設けており、制御’１１回路１０か
らの信号を応じ、各スイッチングトランジスタ９の動作
が制御され、これによって各ＬＥＤの発光が制御される
ようにしている。
従来のＬＥＤ駆動用集積回路は、以上の様に構成されて
おり抵抗器５．８は拡散抵抗又はポリシリコン抵抗で同
時に形成されるため、１つの集積回路内の抵抗値のばら
つきは少ない。しかし、製造条件により集積回路毎のば
らつきが±３５％以上生じるため集積回路毎の出力電流
ばらつきも同程度以上、即ち、２倍以上の差が生じてい
る。
おり抵抗器５．８は拡散抵抗又はポリシリコン抵抗で同
時に形成されるため、１つの集積回路内の抵抗値のばら
つきは少ない。しかし、製造条件により集積回路毎のば
らつきが±３５％以上生じるため集積回路毎の出力電流
ばらつきも同程度以上、即ち、２倍以上の差が生じてい
る。
他方、プリンタの画像品質はＬＥＤヘッドの光出力の均
一性に依存しているためＬＥＤヘッドでは光出力の均一
化（例えば±２０％以下）を図る必要があるが、光出力
のばらつきを生じる主な要因には、ＬＥＤ駆動用集積回
路の他、記述していないがＬＥＤアレイヘッド、集束性
レンズがある。
一性に依存しているためＬＥＤヘッドでは光出力の均一
化（例えば±２０％以下）を図る必要があるが、光出力
のばらつきを生じる主な要因には、ＬＥＤ駆動用集積回
路の他、記述していないがＬＥＤアレイヘッド、集束性
レンズがある。
従って光出力を均一化するためには少なくとも集積回路
毎の駆動電源のばらつきを例えば±５％以下と低い値に
抑える必要がある。これを実現するため集積回路毎に出
力電源を測定し、ランク分けするという選別作業が必要
であり、コストアンプの最大要因となっていた。
毎の駆動電源のばらつきを例えば±５％以下と低い値に
抑える必要がある。これを実現するため集積回路毎に出
力電源を測定し、ランク分けするという選別作業が必要
であり、コストアンプの最大要因となっていた。
またＬＥＤの発光出力は、温度に依存し、温度上昇に伴
なって出力値が低下するためＬＥＤ駆動電流の温度に応
じた制御が必要である。従来の集積回路（１）では、駆
動電流を温度制御するため基準電圧Ｖ、をデプレッショ
ン型ＭＯＳトランジスタ（７）を用いて発生するように
していたが、■、の値は、集積回路の一定化できない製
造条件によりばらつきが生じており、かつ任意のＬＥＤ
駆動電流値制御ができないため、使用できる集積回路の
歩留りが悪く高価なものとなっていた。
なって出力値が低下するためＬＥＤ駆動電流の温度に応
じた制御が必要である。従来の集積回路（１）では、駆
動電流を温度制御するため基準電圧Ｖ、をデプレッショ
ン型ＭＯＳトランジスタ（７）を用いて発生するように
していたが、■、の値は、集積回路の一定化できない製
造条件によりばらつきが生じており、かつ任意のＬＥＤ
駆動電流値制御ができないため、使用できる集積回路の
歩留りが悪く高価なものとなっていた。
この発明は、上記のような課題を解消するためになされ
たもので、集積回路毎の出力電流値を簡単に高精度化で
き、集積回路及びＬＥＤアレイヘッドの製造コストを小
さ（でき安価な製品を提供することを目的とするもので
ある。
たもので、集積回路毎の出力電流値を簡単に高精度化で
き、集積回路及びＬＥＤアレイヘッドの製造コストを小
さ（でき安価な製品を提供することを目的とするもので
ある。
この発明に係る集積回路は、発光ダイオードと直列に電
流制御素子を接続するとともに発光ダイオードと直列に
該発光ダイオードに流れる電流値を検出するための検出
素子を接続し、且つ基準電圧と検出素子からの検出電圧
とに応答して動作し発光ダイオードに流れる駆動電流が
所定値に維持されるよう電流制御素子を駆動する駆動回
路を設けて成る第１の定電流回路と、この第１の定電流
回路の基準電圧入力部に接続され該第１の定電流回路と
同様な構成の第２の定電流回路とでミラー回路を構成し
た上、第２の定電流回路における検出素子は基準素子と
複数の調整用素子を有し、これらの調整用素子は選択回
路により選択される構成としたものである。
流制御素子を接続するとともに発光ダイオードと直列に
該発光ダイオードに流れる電流値を検出するための検出
素子を接続し、且つ基準電圧と検出素子からの検出電圧
とに応答して動作し発光ダイオードに流れる駆動電流が
所定値に維持されるよう電流制御素子を駆動する駆動回
路を設けて成る第１の定電流回路と、この第１の定電流
回路の基準電圧入力部に接続され該第１の定電流回路と
同様な構成の第２の定電流回路とでミラー回路を構成し
た上、第２の定電流回路における検出素子は基準素子と
複数の調整用素子を有し、これらの調整用素子は選択回
路により選択される構成としたものである。
この発明における集積回路は、第２の定電流回路におけ
る電流制御素子の負荷を調整可能したので、基準検出素
子の値にバラツキがあっても、第１の定電流回路の基準
電圧を生ずる電圧降下素子に流れる電流が高精度に所定
値となり、この第１の定電流回路により該第１の定電流
回路の電流制御素子が制御され、第１の定電流回路の出
力電流値、即ち発光ダイオードの駆動電流が所定値に維
持される。
る電流制御素子の負荷を調整可能したので、基準検出素
子の値にバラツキがあっても、第１の定電流回路の基準
電圧を生ずる電圧降下素子に流れる電流が高精度に所定
値となり、この第１の定電流回路により該第１の定電流
回路の電流制御素子が制御され、第１の定電流回路の出
力電流値、即ち発光ダイオードの駆動電流が所定値に維
持される。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は、この発明の集積回路の基本的回路構成を示す
もので、４ａ〜４ｃは電流制御素子で同一性能のＭＯＳ
）ランジスタから成っている。
もので、４ａ〜４ｃは電流制御素子で同一性能のＭＯＳ
）ランジスタから成っている。
６３〜６ｂは電流制御素子を駆動する回路で同一構成の
電圧比較器にて構成されている。５ａは電流検出素子で
あって拡散抵抗又はポリシリコン抵抗から成る抵抗器（
抵抗ＲＩＮ）、５ｂは第１の基準電圧を得るための電圧
降下素子であって抵抗器５ａと同様の負荷抵抗器（抵抗
ＲＩＮ）、５ｃは電流検出素子として用いられ抵抗器５
ａとほぼ同一値の基準抵抗器（抵抗ＲＥ）である。電圧
比較器５ａ、抵抗器５ａは、夫々第３図のＭＯＳトラン
ジスタ４．電圧比較器６．抵抗器５に対応し、Ｂ点の電
圧を基準電圧とする第１の定電流回路を形成しており、
スイッチ９によりＬＥＤ３を駆動制御している。またＭ
ＯＳ）ランジスタ４ｂ、電圧比較器６ｂ、抵抗器５Ｃは
電圧Ｖｒｌを第２の基準電圧とする第２の定電流回路を
形成しており・、上述の第１の定電流回路とでミラー回
路構成とすることで負荷抵抗器５Ｃに流れる電流Ｉ。と
ＬＥＤ３の駆動電流Ｉ２とをほぼ同様にすることができ
る。なお、この集積回路においては外部の直流電源（図
示せず）から電圧ＶＤＤが与えられている。
電圧比較器にて構成されている。５ａは電流検出素子で
あって拡散抵抗又はポリシリコン抵抗から成る抵抗器（
抵抗ＲＩＮ）、５ｂは第１の基準電圧を得るための電圧
降下素子であって抵抗器５ａと同様の負荷抵抗器（抵抗
ＲＩＮ）、５ｃは電流検出素子として用いられ抵抗器５
ａとほぼ同一値の基準抵抗器（抵抗ＲＥ）である。電圧
比較器５ａ、抵抗器５ａは、夫々第３図のＭＯＳトラン
ジスタ４．電圧比較器６．抵抗器５に対応し、Ｂ点の電
圧を基準電圧とする第１の定電流回路を形成しており、
スイッチ９によりＬＥＤ３を駆動制御している。またＭ
ＯＳ）ランジスタ４ｂ、電圧比較器６ｂ、抵抗器５Ｃは
電圧Ｖｒｌを第２の基準電圧とする第２の定電流回路を
形成しており・、上述の第１の定電流回路とでミラー回
路構成とすることで負荷抵抗器５Ｃに流れる電流Ｉ。と
ＬＥＤ３の駆動電流Ｉ２とをほぼ同様にすることができ
る。なお、この集積回路においては外部の直流電源（図
示せず）から電圧ＶＤＤが与えられている。
符号５ｄ、５ｅ、７ｄ、７ｅおよび８の要素ニラいては
後述する。
後述する。
次に動作について説明する。まず第２の定電流回路にお
いて所定の基準電圧Ｖ １１に対し、抵抗器５ａ、５ｂ
とほぼ同等の値の抵抗器５Ｃを接続し、を得ている。こ
のときＭＯＳトランジスタ４Ｃはゲート電圧ＶＧＩを印
加されている。ＭＯＳ）ランジスタ４Ｃと同一性能とし
て形成されたＭＯＳトランジスタ４ｂにゲート電圧ＶＧ
Ｉが印加されると負荷抵抗器５ｂに流れる電流！、は、
第２の定電流回路の電流値■。と同一値となり第１の定
電流回路の電圧比較器６ａのＢ点基準電圧■、は■。
いて所定の基準電圧Ｖ １１に対し、抵抗器５ａ、５ｂ
とほぼ同等の値の抵抗器５Ｃを接続し、を得ている。こ
のときＭＯＳトランジスタ４Ｃはゲート電圧ＶＧＩを印
加されている。ＭＯＳ）ランジスタ４Ｃと同一性能とし
て形成されたＭＯＳトランジスタ４ｂにゲート電圧ＶＧ
Ｉが印加されると負荷抵抗器５ｂに流れる電流！、は、
第２の定電流回路の電流値■。と同一値となり第１の定
電流回路の電圧比較器６ａのＢ点基準電圧■、は■。
基準電圧とする第１の定電流回路において電流検出素子
である抵抗器５ａに流れる電流■、は、ＬＥＤ３の駆動
電流Ｉ２は、集積回路の抵抗器５Ｃにより決定されるこ
とになる。
である抵抗器５ａに流れる電流■、は、ＬＥＤ３の駆動
電流Ｉ２は、集積回路の抵抗器５Ｃにより決定されるこ
とになる。
ここに示した集積回路内の抵抗器５ａ、５ｂの抵抗値の
ばらつき前述したように、回路設計値に対し、集積回路
毎に ３５％以上も生じるが、１つの集積回路内での個
々のばらつきは極めて小さい、従って、集積回路毎の電
流値のばらつきを小さくするためには抵抗器５ｃを高精
度なものとする必要がある。
ばらつき前述したように、回路設計値に対し、集積回路
毎に ３５％以上も生じるが、１つの集積回路内での個
々のばらつきは極めて小さい、従って、集積回路毎の電
流値のばらつきを小さくするためには抵抗器５ｃを高精
度なものとする必要がある。
抵抗器５ｃを高精度化する方法としては、トリミングや
、外付けする方法があるが、その為の製造工程を必要と
し、高価となるという問題がある。
、外付けする方法があるが、その為の製造工程を必要と
し、高価となるという問題がある。
そこで、本実施例では、第２のトランジスタ４Ｃの負荷
抵抗値と駆動電流Ｉ２の関係（第２図に示す）を利用し
、抵抗器５ｃに対して並列に、抵抗値調整用の抵抗器を
設けている。第２図から明らかなように、駆動電流Ｉ！
は上記負荷抵抗値に応じて、例えば、２０〜３０％の範
囲で安定に制御することができる。
抵抗値と駆動電流Ｉ２の関係（第２図に示す）を利用し
、抵抗器５ｃに対して並列に、抵抗値調整用の抵抗器を
設けている。第２図から明らかなように、駆動電流Ｉ！
は上記負荷抵抗値に応じて、例えば、２０〜３０％の範
囲で安定に制御することができる。
即ち、５ｄと５ｅは抵抗値調整用の抵抗器であって、例
えば、抵抗器５ｃの抵抗値の１０倍程度の抵抗値を有し
ている。抵抗器５ｄと５８はスイッチング素子（この例
ではトランジスタ）７ｄ１７ｅヲ介して抵抗器５ｃに並
列に接続されている８は選択回路（この例では、ランチ
回路）であって、ラッチ信号ＬＡＴＣＨを受けて、デー
タｄ、 、ｄ、を記憶し、スイッチング素子７ｄ、７ｅ
をオン／オフ制御する。
えば、抵抗器５ｃの抵抗値の１０倍程度の抵抗値を有し
ている。抵抗器５ｄと５８はスイッチング素子（この例
ではトランジスタ）７ｄ１７ｅヲ介して抵抗器５ｃに並
列に接続されている８は選択回路（この例では、ランチ
回路）であって、ラッチ信号ＬＡＴＣＨを受けて、デー
タｄ、 、ｄ、を記憶し、スイッチング素子７ｄ、７ｅ
をオン／オフ制御する。
従って、トランジスタ４Ｃの負荷抵抗の値は、スイッチ
ング素子７ｄ、７ｅが共にオン、共にオフ、スイッチン
グ素子７ｄと７ｄのいずれか一方がオンの４種類となり
、制御データｄ、 、ｄ、により上記負荷抵抗値の値を
４段階に調整することができ、基準抵抗器５Ｃの抵抗値
のバラツキを補正することができるので、集積回路の駆
動電流のばらつきを極めて小さ（でき、且つ任意の駆動
電流値を得ることができる。従って、抵抗器５Ｃとして
、トリミングや外付は等による高精度化した抵抗器を用
いなくて済む。
ング素子７ｄ、７ｅが共にオン、共にオフ、スイッチン
グ素子７ｄと７ｄのいずれか一方がオンの４種類となり
、制御データｄ、 、ｄ、により上記負荷抵抗値の値を
４段階に調整することができ、基準抵抗器５Ｃの抵抗値
のバラツキを補正することができるので、集積回路の駆
動電流のばらつきを極めて小さ（でき、且つ任意の駆動
電流値を得ることができる。従って、抵抗器５Ｃとして
、トリミングや外付は等による高精度化した抵抗器を用
いなくて済む。
なお、この実施例では、調整用抵抗器の数は２個である
が、３個以上にすれば、調整段階数を増やすことができ
るから、調整精度を向上することができる。
が、３個以上にすれば、調整段階数を増やすことができ
るから、調整精度を向上することができる。
またＬＥＤの発光出力は、温度に依存し、温度上昇に伴
って出力値が低下するためのＬＥＤ駆動電流の温度に応
じた制御が必要であるが第１図のごとく基準電圧Ｖｒｌ
を集積回路の外部から入力する構成とすることで複数の
集積回路の駆動電流値の一定化及び任意の駆動電流値を
得るよう制御が可能である。
って出力値が低下するためのＬＥＤ駆動電流の温度に応
じた制御が必要であるが第１図のごとく基準電圧Ｖｒｌ
を集積回路の外部から入力する構成とすることで複数の
集積回路の駆動電流値の一定化及び任意の駆動電流値を
得るよう制御が可能である。
以上に述べたごとく、この発明のＬＥＤ駆動用ＭＯＳ集
積回路では、集積回路毎の駆動電流値の一定化を極めて
容易にでき、また、駆動電流値の制御を外部から行う構
成にすることで複数の集積回路を用いるＬＥＤアレイヘ
ッドにおいて、均一で安定した光出力を得ることができ
、第２の定電流回路の負荷を調整可能としたので、高価
な費用をかけることなく上記効果を得ることができ、安
価な集積回路及びＬＥＤアレイヘッドを提供することが
可能となる。
積回路では、集積回路毎の駆動電流値の一定化を極めて
容易にでき、また、駆動電流値の制御を外部から行う構
成にすることで複数の集積回路を用いるＬＥＤアレイヘ
ッドにおいて、均一で安定した光出力を得ることができ
、第２の定電流回路の負荷を調整可能としたので、高価
な費用をかけることなく上記効果を得ることができ、安
価な集積回路及びＬＥＤアレイヘッドを提供することが
可能となる。
第１図は、この発明の一実施例によるＬＥＤ駆動用ＭＯ
Ｓ集積回路を示す回路図、第２図は駆動電流と負荷抵抗
値との関係を示す図、第３図は従来のＬＥＤ駆動用ＭＯ
Ｓ集積回路を示す回路図である。 ３・・・発光ダイオード（ＬＥＤ） 、４・−・電流制
御素子（ＭＯＳ）ランジスタ）、５ａ、５ｃ・・−検出
素子（抵抗器）、５ｂ−・電圧降下素子（抵抗器）、５
ｄ、５ｅ・−・調整用抵抗器、６ａ、６ｂ−電流制御素
子を駆動する回路（を圧比較器）、７ｄ、７ｅ・−スイ
ッチング素子、８・・−調整回路。 なお、図中、同一符号は同一もしくは相当部分を示す。
Ｓ集積回路を示す回路図、第２図は駆動電流と負荷抵抗
値との関係を示す図、第３図は従来のＬＥＤ駆動用ＭＯ
Ｓ集積回路を示す回路図である。 ３・・・発光ダイオード（ＬＥＤ） 、４・−・電流制
御素子（ＭＯＳ）ランジスタ）、５ａ、５ｃ・・−検出
素子（抵抗器）、５ｂ−・電圧降下素子（抵抗器）、５
ｄ、５ｅ・−・調整用抵抗器、６ａ、６ｂ−電流制御素
子を駆動する回路（を圧比較器）、７ｄ、７ｅ・−スイ
ッチング素子、８・・−調整回路。 なお、図中、同一符号は同一もしくは相当部分を示す。
Claims (1)
- 発光ダイオードと直列に接続された第１の電流制御素子
と、前記発光ダイオードに流れる電流値を検出するため
前記発光ダイオードと直列に接続された第１の検出素子
と、前記第１の検出素子からの検出電圧と第１の基準電
圧とに応答して動作し前記発光ダイオードに流れる駆動
電流が所定値に維持されるよう前記第１の電流制御素子
を駆動する第１の駆動回路とから成る第１の定電流回路
を有するＬＥＤ駆動用ＭＯＳ集積回路において、前記第
１の基準電圧を生じる電圧降下素子に直流電源から流れ
る電流を制御するため該電圧降下素子と直列に接続され
た第２の電流制御素子と、直流電源に接続され所定の電
流が流れる第２の検出素子からの検出電圧と第２の基準
電圧とに応答して動作し前記電圧降下素子に流れる電流
が所定値に維持されるよう前記第２の電流制御素子を駆
動する第２の駆動回路とから成る第２の定電流回路を設
け、前記第１の定電流回路と該第２の定電流回路とでミ
ラー回路を構成し、上記第２の検出素子は基準素子と複
数の調整用素子を有し、これらの調整用素子は選択回路
により選択されることを特徴とするＬＥＤ駆動用ＭＯＳ
集積回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038661A JPH02218183A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | Ｌｅｄ駆動用ｍｏｓ集積回路 |
| DE68921020T DE68921020T2 (de) | 1988-05-20 | 1989-05-02 | Integrierte MOS-Schaltung zum Steuern von lichtermittierenden Dioden. |
| EP89304411A EP0342814B1 (en) | 1988-05-20 | 1989-05-02 | Mos integrated circuit for driving light-emitting diodes |
| US07/347,492 US5061861A (en) | 1988-05-20 | 1989-05-04 | Mos integrated circuit for driving light-emitting diodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038661A JPH02218183A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | Ｌｅｄ駆動用ｍｏｓ集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02218183A true JPH02218183A (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=12531451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1038661A Pending JPH02218183A (ja) | 1988-05-20 | 1989-02-17 | Ｌｅｄ駆動用ｍｏｓ集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02218183A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2741742A1 (fr) * | 1995-11-27 | 1997-05-30 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit de commande de diodes electroluminescentes |
| KR100446694B1 (ko) * | 2001-07-16 | 2004-09-01 | 주식회사 자스텍 | 전류미러를 이용한 전계발광 표시소자의 전류구동장치 |
| JP2005536771A (ja) * | 2002-08-21 | 2005-12-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 表示装置 |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1038661A patent/JPH02218183A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2741742A1 (fr) * | 1995-11-27 | 1997-05-30 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit de commande de diodes electroluminescentes |
| US5966110A (en) * | 1995-11-27 | 1999-10-12 | Stmicroelectronics S.A. | Led driver |
| KR100446694B1 (ko) * | 2001-07-16 | 2004-09-01 | 주식회사 자스텍 | 전류미러를 이용한 전계발광 표시소자의 전류구동장치 |
| JP2005536771A (ja) * | 2002-08-21 | 2005-12-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 表示装置 |
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