JPH01157410A - 窒化アルミニウムの製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウムの製造方法Info
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- JPH01157410A JPH01157410A JP63228285A JP22828588A JPH01157410A JP H01157410 A JPH01157410 A JP H01157410A JP 63228285 A JP63228285 A JP 63228285A JP 22828588 A JP22828588 A JP 22828588A JP H01157410 A JPH01157410 A JP H01157410A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 title 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 71
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 67
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 9
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 79
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 30
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 29
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229940063656 aluminum chloride Drugs 0.000 claims description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000012717 electrostatic precipitator Substances 0.000 claims description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical group N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 claims description 2
- IZMHKHHRLNWLMK-UHFFFAOYSA-M chloridoaluminium Chemical compound Cl[Al] IZMHKHHRLNWLMK-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 3
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 claims 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004079 fireproofing Methods 0.000 abstract 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010011878 Deafness Diseases 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- -1 aluminum halide Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001570 bauxite Inorganic materials 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- UETQVDZZPKAQIC-UHFFFAOYSA-N chlorane Chemical compound Cl.Cl.Cl.Cl UETQVDZZPKAQIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 231100000895 deafness Toxicity 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 208000016354 hearing loss disease Diseases 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012716 precipitator Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、微粒子状窒化アルミニウムの製造方法に、さ
らに詳しくは、非常に高純度で次粒子サイズの窒化アル
ミニウムを製造するに適する方法に関する。
らに詳しくは、非常に高純度で次粒子サイズの窒化アル
ミニウムを製造するに適する方法に関する。
(従来技術)
本性にかかる窒化アルミニウム利用の実例的分野として
、電子工学的に適用するためのチップ用窒化アルミニウ
ム基板製造があり、これは例えば、サイリスク、ダイオ
ード、超大規模集積回路(VLSI)チップ等のコンピ
ュータ装置に使用されるものである。現在、このような
チップにはアルミナ基板が圧倒的に多く使用されている
が、アルミナはその低熱伝導性ゆえに、活性装置の高記
憶密度を有するチップ、または逆に、操作時に比較的大
量の熱を発生しやすいチップを過熱してしまうという問
題があった。酸化ベリリウム(Bed)は、これに代わ
るチップ基板材料として提案されたものであり、アルミ
ナの約7〜8倍の熱伝導性を有するが、一方では、不都
合な熱膨張特性、シリコンに対する弱い付着塵、毒性、
コスト高、低有効性に由来するその他の問題が存在する
。
、電子工学的に適用するためのチップ用窒化アルミニウ
ム基板製造があり、これは例えば、サイリスク、ダイオ
ード、超大規模集積回路(VLSI)チップ等のコンピ
ュータ装置に使用されるものである。現在、このような
チップにはアルミナ基板が圧倒的に多く使用されている
が、アルミナはその低熱伝導性ゆえに、活性装置の高記
憶密度を有するチップ、または逆に、操作時に比較的大
量の熱を発生しやすいチップを過熱してしまうという問
題があった。酸化ベリリウム(Bed)は、これに代わ
るチップ基板材料として提案されたものであり、アルミ
ナの約7〜8倍の熱伝導性を有するが、一方では、不都
合な熱膨張特性、シリコンに対する弱い付着塵、毒性、
コスト高、低有効性に由来するその他の問題が存在する
。
窒化アルミニウムは、チップ基板に使用するのに潜在的
に好ましい特性を有していて、高電気抵抗、アルミナの
7〜IO倍の熱伝導性および低熱膨張係数を有する。き
わめて有利なこととして、温度的200℃までは、その
熱膨張係数は、シリコンのそれとほぼ合致することであ
る。しかし、現在市販されている窒化アルミニウムは、
チップ用基板に使用するためには純度が低すぎるという
問題がある。窒化アルミニウムの熱伝導性は材料の純度
に直接的に関連することは、低純度材料の持つ問題点の
原因となっている。また、基板に使用するに適した窒化
アルミニウム体は、非常に細かい窒化アルミニウム粒子
を焼結することにより製造され、本目的に適切な純度お
よび微粒子サイズを公知の方法によって簡便かつ経済的
に得ることはできな(°)。
に好ましい特性を有していて、高電気抵抗、アルミナの
7〜IO倍の熱伝導性および低熱膨張係数を有する。き
わめて有利なこととして、温度的200℃までは、その
熱膨張係数は、シリコンのそれとほぼ合致することであ
る。しかし、現在市販されている窒化アルミニウムは、
チップ用基板に使用するためには純度が低すぎるという
問題がある。窒化アルミニウムの熱伝導性は材料の純度
に直接的に関連することは、低純度材料の持つ問題点の
原因となっている。また、基板に使用するに適した窒化
アルミニウム体は、非常に細かい窒化アルミニウム粒子
を焼結することにより製造され、本目的に適切な純度お
よび微粒子サイズを公知の方法によって簡便かつ経済的
に得ることはできな(°)。
例として、従来の窒化アルミニウム製造プロセスには、
窒化後に行なう窒化アルミニウムのカーボサーミック還
元法(carbothermic reduction
)がある。その製造物は約98.5〜99.0%の純度
を有する窒化アルミニウムであり、残りの1〜1.5%
は不活性アルミナと炭素である。これとその他公知のプ
ロセスは高純度の出発材料を要する上、その製造物を粉
砕・研磨しなければならず、それにより、チップ用基板
を形成するために焼結するよう充分に細かい粒子サイズ
を有する窒化アルミニウムを得る。粉砕および研磨が必
要なのでプロセスはコスト高になり、研磨媒体等の異物
が研削された窒化粒子を汚染することとなる。
窒化後に行なう窒化アルミニウムのカーボサーミック還
元法(carbothermic reduction
)がある。その製造物は約98.5〜99.0%の純度
を有する窒化アルミニウムであり、残りの1〜1.5%
は不活性アルミナと炭素である。これとその他公知のプ
ロセスは高純度の出発材料を要する上、その製造物を粉
砕・研磨しなければならず、それにより、チップ用基板
を形成するために焼結するよう充分に細かい粒子サイズ
を有する窒化アルミニウムを得る。粉砕および研磨が必
要なのでプロセスはコスト高になり、研磨媒体等の異物
が研削された窒化粒子を汚染することとなる。
極微粒で高純度のAQNがプラズマ反応器により製造さ
れることが知られており、これは、温度約7000°K
においてAI2蒸気と窒素気体が直接反応することによ
るものである。しかし、本プロセスは非常に高価、低効
率で、また技術的問題もあり、未だ商業化されていない
。
れることが知られており、これは、温度約7000°K
においてAI2蒸気と窒素気体が直接反応することによ
るものである。しかし、本プロセスは非常に高価、低効
率で、また技術的問題もあり、未だ商業化されていない
。
同様の製造物は、温度500〜!200℃の範囲内にて
アンモニア気体を使用しAQCQ3を直接還元させる方
法によって製造されることも知られている。反応は吸熱
型であるのでエネルギー消費的である。また、これに必
要な高純度のAl2cc3を得ることは困難で、反応に
使用されるA(ICg3は完全に消費され、リサイクル
することができない。したがってプロセスは不経済なも
のとなり、本出願人の知る限りにおいては、未だ商業的
には使用されていない。
アンモニア気体を使用しAQCQ3を直接還元させる方
法によって製造されることも知られている。反応は吸熱
型であるのでエネルギー消費的である。また、これに必
要な高純度のAl2cc3を得ることは困難で、反応に
使用されるA(ICg3は完全に消費され、リサイクル
することができない。したがってプロセスは不経済なも
のとなり、本出願人の知る限りにおいては、未だ商業的
には使用されていない。
米国特許番号第3477812号および第360701
4号は窒化アルミニウムの単結晶の製造過程を述べてい
る。それによると、アルミニウム−塩化物(AQCQ)
等の気体−価アルミニウムハロゲン化物をN2等の気体
窒化媒体に接触させ、−方では結晶が形成可能な不活性
面を供給している。
4号は窒化アルミニウムの単結晶の製造過程を述べてい
る。それによると、アルミニウム−塩化物(AQCQ)
等の気体−価アルミニウムハロゲン化物をN2等の気体
窒化媒体に接触させ、−方では結晶が形成可能な不活性
面を供給している。
これらの特許に示されている例において、1ICCはA
(!4C3,CaCQ*、およびCの反応により形成さ
れ、そして温度約1700℃でN、と反応させ、AQc
(lx気体およびAQN結晶が製造される。結晶は通常
半径約1〜15ミクロンで、通常約500〜2500の
L/D比を有していると言われている。これらの比較的
大きな結晶ではチップ基板を製造するために焼結するこ
とができないという問題点がある。
(!4C3,CaCQ*、およびCの反応により形成さ
れ、そして温度約1700℃でN、と反応させ、AQc
(lx気体およびAQN結晶が製造される。結晶は通常
半径約1〜15ミクロンで、通常約500〜2500の
L/D比を有していると言われている。これらの比較的
大きな結晶ではチップ基板を製造するために焼結するこ
とができないという問題点がある。
(発明の目的)
本発明の目的は、第1の位置において、昇温下のアルミ
ニウム三塩化物基体およびアルミニウム−塩化物よりな
る雰囲気に、窒化アルミニウムを製造するために一塩化
物と反応させる気体窒素源を、その第1位置において、
窒化アルミニウムが固体微粒子を形成するような条件に
導入し、次いで、窒化アルミニウム微粒子を連行するア
ルミニウム三塩化物よりなる気体の流れを第1位置から
第2位置へと誘導し、 その第2位置では、搬送された窒化アルミニウムが固体
微粒子形状を保持しながら分離・回収される工程より構
成される窒化アルミニウムの製造方法を提供することに
ある。
ニウム三塩化物基体およびアルミニウム−塩化物よりな
る雰囲気に、窒化アルミニウムを製造するために一塩化
物と反応させる気体窒素源を、その第1位置において、
窒化アルミニウムが固体微粒子を形成するような条件に
導入し、次いで、窒化アルミニウム微粒子を連行するア
ルミニウム三塩化物よりなる気体の流れを第1位置から
第2位置へと誘導し、 その第2位置では、搬送された窒化アルミニウムが固体
微粒子形状を保持しながら分離・回収される工程より構
成される窒化アルミニウムの製造方法を提供することに
ある。
本発明によると、ある重要な観点において、昇温下にお
いてアルミニウム三塩化物気体をアルミニウム含有金属
材料に接触させて、金属材料中のアルミニウムと三塩化
物のいくらかを反応させ、アルミニウム−塩化物を形成
し、それにより金属材料下流位置において気体の流れを
作り出し、その混合気体がアルミニウム−塩化物および
不反応アルミニウム三塩化物よりなるようにする工程と
、 第1位置において、例えば、N、あるいはNH3等の気
体窒素源を上記気体の流れに投入して一塩化物と窒素を
反応させ、その気体の流れに連行される微粒子状態の窒
化アルミニウムを形成する工程と、 アルミニウム窒化粒子を有するアルミニウム三塩化物よ
りなる気体の流れを第1位置から第2位置へと誘導する
工程と、 第2位置では、流れの中に存するアルミニウム三塩化物
から窒化アルミニウム分子を分離し回収する工程より構
成される。
いてアルミニウム三塩化物気体をアルミニウム含有金属
材料に接触させて、金属材料中のアルミニウムと三塩化
物のいくらかを反応させ、アルミニウム−塩化物を形成
し、それにより金属材料下流位置において気体の流れを
作り出し、その混合気体がアルミニウム−塩化物および
不反応アルミニウム三塩化物よりなるようにする工程と
、 第1位置において、例えば、N、あるいはNH3等の気
体窒素源を上記気体の流れに投入して一塩化物と窒素を
反応させ、その気体の流れに連行される微粒子状態の窒
化アルミニウムを形成する工程と、 アルミニウム窒化粒子を有するアルミニウム三塩化物よ
りなる気体の流れを第1位置から第2位置へと誘導する
工程と、 第2位置では、流れの中に存するアルミニウム三塩化物
から窒化アルミニウム分子を分離し回収する工程より構
成される。
本方法では、低純度、したがって低価格の金属材料を開
始材料に使用することができる点で有利であり、次粒子
サイズ、つまり1ミクロン以下で、かつ高純度、つまり
99.8%以上の純度が達成可能であると考えられ、直
ちに焼結するのに適しているので、粉砕・研削あるいは
その他の初期処理を施さずにチップ基板を形成するよう
な窒化アルミニウム製造物を供給することができる。
始材料に使用することができる点で有利であり、次粒子
サイズ、つまり1ミクロン以下で、かつ高純度、つまり
99.8%以上の純度が達成可能であると考えられ、直
ちに焼結するのに適しているので、粉砕・研削あるいは
その他の初期処理を施さずにチップ基板を形成するよう
な窒化アルミニウム製造物を供給することができる。
本発明の第2の観点では、本発明方法は、第1位置にお
いて、アルミニウム−塩化物気体、アルミニウム三塩化
物気体および気体窒素源よりなる気体の流れを、一塩化
物と窒素の反応させ、その気体中に連行される微粒子状
態の窒化アルミニウムを形成するような条件下で作り出
し、気体に連行される窒化アルミニウム微粒子を有した
アルミニウム三塩化物よりなる気体の流れを第1位置か
ら第2位置へと誘導し、 第2位置において、流れ中に存在するアルミニウム三塩
化物を凝縮してこの第2位置に凝縮したアルミニウム三
塩化物と窒化アルミニウム微粒子を蓄積させ、 定期的に凝縮したアルミニウム三塩化物を再蒸発させて
第2位置から再蒸発したアルミニウム三塩化物を誘導し
、第2位置に残存蓄積した窒化アルミニウム微粒子を回
収することにより構成される。
いて、アルミニウム−塩化物気体、アルミニウム三塩化
物気体および気体窒素源よりなる気体の流れを、一塩化
物と窒素の反応させ、その気体中に連行される微粒子状
態の窒化アルミニウムを形成するような条件下で作り出
し、気体に連行される窒化アルミニウム微粒子を有した
アルミニウム三塩化物よりなる気体の流れを第1位置か
ら第2位置へと誘導し、 第2位置において、流れ中に存在するアルミニウム三塩
化物を凝縮してこの第2位置に凝縮したアルミニウム三
塩化物と窒化アルミニウム微粒子を蓄積させ、 定期的に凝縮したアルミニウム三塩化物を再蒸発させて
第2位置から再蒸発したアルミニウム三塩化物を誘導し
、第2位置に残存蓄積した窒化アルミニウム微粒子を回
収することにより構成される。
本発明方法で併用される分離工程は高純度微粒子製品の
回収が容易である利点を備えている。
回収が容易である利点を備えている。
好都合なことは、本発明にかかる好ましい実施例におい
て、後者の分離工程は、本発明の第1観点において使用
した特定の一塩化物気体形成過程と統合されていること
である。
て、後者の分離工程は、本発明の第1観点において使用
した特定の一塩化物気体形成過程と統合されていること
である。
加えて、本発明では前述の方法による次粒子サイズの窒
化アルミニウムを提供することを意図している。
化アルミニウムを提供することを意図している。
本発明の特質および利点は以下に詳述するところから明
らかになろう。
らかになろう。
(実施例)
添付図面を参照して本発明に係る方法を説明する。第1
図に示す実施例において、アルミニウム−塩化物(A1
201りは、いわゆるアルミニウムのサブハロゲン化物
蒸留において使われる、今までに公知の過程により形成
される。このような過程は、例えば米国特許第2470
305号および第3234013号に開示されている。
図に示す実施例において、アルミニウム−塩化物(A1
201りは、いわゆるアルミニウムのサブハロゲン化物
蒸留において使われる、今までに公知の過程により形成
される。このような過程は、例えば米国特許第2470
305号および第3234013号に開示されている。
広く言われているように、アルミニウムのサブハロゲン
化物蒸留は、アルミニウムを含有する不純金属物質の気
体透過性素材を、気体アルミニウムトリハライド(例え
ば、1IC12,アルミニウム三塩化物)の流れに反応
容器中あるいはコンバータ中で接触させる一方、金属物
質を吸熱反応 AQCQs+ 2 Al2= 3 Al2C12を保持
するのに十分な高温で維持し、コンバータから相当量の
不反応AQCQ3と混合したAl2(Jよりなる熱せら
れた気体を供給する。このコンバータの下流領域におい
て、気体温度を減少させ、一塩化物を八〇c(Isとア
ルミニウム金属物質とに分解させる(即ち、上記反応を
反転させる)。この段階を行うプロセス条件の詳述は、
例えば上記2つの引用特許に示されている。
化物蒸留は、アルミニウムを含有する不純金属物質の気
体透過性素材を、気体アルミニウムトリハライド(例え
ば、1IC12,アルミニウム三塩化物)の流れに反応
容器中あるいはコンバータ中で接触させる一方、金属物
質を吸熱反応 AQCQs+ 2 Al2= 3 Al2C12を保持
するのに十分な高温で維持し、コンバータから相当量の
不反応AQCQ3と混合したAl2(Jよりなる熱せら
れた気体を供給する。このコンバータの下流領域におい
て、気体温度を減少させ、一塩化物を八〇c(Isとア
ルミニウム金属物質とに分解させる(即ち、上記反応を
反転させる)。この段階を行うプロセス条件の詳述は、
例えば上記2つの引用特許に示されている。
上述したように、本発明の以下に述べる実施例において
は、通常前述のサブハロゲン化物蒸留において使用され
ている一塩化物形成工程を利用するが、アルミニウム金
属を回収するために分解する代わりに、一塩化物を気体
窒化媒体(好ましくはN、であるが、N Hs等その他
の媒体も代わりに使用することができる。)に反応させ
、窒化アルミニウムの次粒子を形成する。これらの粒子
は気体の流れに連行され、それから以下に説明する方法
により回収される。
は、通常前述のサブハロゲン化物蒸留において使用され
ている一塩化物形成工程を利用するが、アルミニウム金
属を回収するために分解する代わりに、一塩化物を気体
窒化媒体(好ましくはN、であるが、N Hs等その他
の媒体も代わりに使用することができる。)に反応させ
、窒化アルミニウムの次粒子を形成する。これらの粒子
は気体の流れに連行され、それから以下に説明する方法
により回収される。
第1図において、図示のシステムは(最後に引用した2
つの特許に詳述されているような)公知の特性を有する
いわゆるサブハロゲン化物変換器と全体として類似した
反応器10を含み、縦に直立し、耐火性になるよう裏打
ちされた内部加熱チャンバ11を有し、そこには塊ある
いは粒状のアルミニウムを含有した不純金属物質素材1
2を含んでいる。かかる物質は反応器上部に開口する入
り口14を通ってチャンバ内に導かれ、そこでアルミニ
ウムの除去処理の後、導管15で表されている反応器下
端の出口を通ってチャンバより排出されるようになって
いる。反応器はチャンバ内の物質素材を介して通電して
電気的に抵抗加熱する手段も含んでいて、このような手
段は、!対の垂直に間隔を置いた電極16として示され
ていて、それは、チャンバ内の物質と接触するように配
設された環状またはその他の形状を有しており、適切な
電源17と接続されている。反応器のチャンバ下方に開
口する気体入口導管18と、チャンバ内上部から排気す
るように配設された気体出口導管19も設置される。以
下に述べる構造は説明のため非常に簡略化した形態であ
り、本発明と関連しうる反応器の一種を例示したもので
ある。
つの特許に詳述されているような)公知の特性を有する
いわゆるサブハロゲン化物変換器と全体として類似した
反応器10を含み、縦に直立し、耐火性になるよう裏打
ちされた内部加熱チャンバ11を有し、そこには塊ある
いは粒状のアルミニウムを含有した不純金属物質素材1
2を含んでいる。かかる物質は反応器上部に開口する入
り口14を通ってチャンバ内に導かれ、そこでアルミニ
ウムの除去処理の後、導管15で表されている反応器下
端の出口を通ってチャンバより排出されるようになって
いる。反応器はチャンバ内の物質素材を介して通電して
電気的に抵抗加熱する手段も含んでいて、このような手
段は、!対の垂直に間隔を置いた電極16として示され
ていて、それは、チャンバ内の物質と接触するように配
設された環状またはその他の形状を有しており、適切な
電源17と接続されている。反応器のチャンバ下方に開
口する気体入口導管18と、チャンバ内上部から排気す
るように配設された気体出口導管19も設置される。以
下に述べる構造は説明のため非常に簡略化した形態であ
り、本発明と関連しうる反応器の一種を例示したもので
ある。
このような反応器の操作時、反応器内部のチャンバは処
理が施される不純物質の塊と粒により実質的に満たされ
ていて、このような物質の一例として、粗いカーボサー
ミック合金があるが、これは約5゛′0重量%のアルミ
ニウムを含んでいて、ボーキサイトを直接還元すること
により製造される。
理が施される不純物質の塊と粒により実質的に満たされ
ていて、このような物質の一例として、粗いカーボサー
ミック合金があるが、これは約5゛′0重量%のアルミ
ニウムを含んでいて、ボーキサイトを直接還元すること
により製造される。
チャンバ内のこの物質は、前述の電気抵抗加熱により、
その温度は例えば約tooo℃またはそれ以上の範囲に
維持される。例えば、蒸発させられた無水AQCQ3の
ような加熱されたアルミニウム三塩化物気体は、気体の
流れとしであるいは気体の流れに含まれて、導管18を
介してチャンバへと導かれ、チャンバ上方へと通過し、
加熱された粗い合金素材の隙間を透過する。チャンバ内
で保たれている高温条件のもとで、この三基化物気体は
合金内のアルミニウムと反応し、アルミニウム−塩化物
気体を形成する。しばしば未反応合金を入口14を介し
てチャンバ内に投入する一方、消費されたアルミニウム
(実質的に廃棄アルミニウム)は残留物として出口導管
15を通ってチャンバ下端より定期的に放出され、チャ
ンバ上端から投入した未反応合金の新たな増加分を貯え
るようにする。
その温度は例えば約tooo℃またはそれ以上の範囲に
維持される。例えば、蒸発させられた無水AQCQ3の
ような加熱されたアルミニウム三塩化物気体は、気体の
流れとしであるいは気体の流れに含まれて、導管18を
介してチャンバへと導かれ、チャンバ上方へと通過し、
加熱された粗い合金素材の隙間を透過する。チャンバ内
で保たれている高温条件のもとで、この三基化物気体は
合金内のアルミニウムと反応し、アルミニウム−塩化物
気体を形成する。しばしば未反応合金を入口14を介し
てチャンバ内に投入する一方、消費されたアルミニウム
(実質的に廃棄アルミニウム)は残留物として出口導管
15を通ってチャンバ下端より定期的に放出され、チャ
ンバ上端から投入した未反応合金の新たな増加分を貯え
るようにする。
この方法で、合金素材上方の反応器チャンバ領域におい
て、未反応三基化物気体とともに、反応器内で製造され
た一塩化物気体よりなる加熱された気体が製造され、維
持される。一塩化物m=塩化物混合気体の温度は加熱手
段16により保温されている反応器温度とほぼ同じであ
り、約1000℃以上の範囲の温度である。より詳しく
は、本発明に係る方法による反応器温度の例示的で適当
な範囲は1200〜1300℃であり、最も好ましいの
は約1300℃である。これ以上高温であると、より大
きな粒子が形成されやすく不都合である。
て、未反応三基化物気体とともに、反応器内で製造され
た一塩化物気体よりなる加熱された気体が製造され、維
持される。一塩化物m=塩化物混合気体の温度は加熱手
段16により保温されている反応器温度とほぼ同じであ
り、約1000℃以上の範囲の温度である。より詳しく
は、本発明に係る方法による反応器温度の例示的で適当
な範囲は1200〜1300℃であり、最も好ましいの
は約1300℃である。これ以上高温であると、より大
きな粒子が形成されやすく不都合である。
さらに本発明によると、窒化ガス(ここではN。
で表されている)の流れは、反応器内の20で表された
部分において、反応器°チャンバ方向へ下に延びる導管
22を通り、上述の一塩化物−三塩化物混合気体に導入
される。このガスの窒素は一塩化物と発熱して反応し、
固体窒化アルミニウムの非常に細かい分子(次位子サイ
ズ)を形成し、これがチャンバ内で上方に流れる気体に
連行される。
部分において、反応器°チャンバ方向へ下に延びる導管
22を通り、上述の一塩化物−三塩化物混合気体に導入
される。このガスの窒素は一塩化物と発熱して反応し、
固体窒化アルミニウムの非常に細かい分子(次位子サイ
ズ)を形成し、これがチャンバ内で上方に流れる気体に
連行される。
反応の化学量論的必要量以上の窒素は、アルミニウム−
塩化物が完全に消費されるのを保証にするために必要で
ある。チャンバ内で発生する上述の反応は、以下の通り
に表すことができる。
塩化物が完全に消費されるのを保証にするために必要で
ある。チャンバ内で発生する上述の反応は、以下の通り
に表すことができる。
(x+ 1 )AI2CQs(g)+ 2 A12(s
)= 3 A1Al2C12(+xAI2Cf23(g
)・XAXAl2C123(+3 Al2OC(g)+
Nt(g)= 2 Al!N(s)+(x+ 1 )
Al2Cl23(g)ここで、(g)、 (s)はそれ
ぞれ、気体状態、固体状聾を示す。
)= 3 A1Al2C12(+xAI2Cf23(g
)・XAXAl2C123(+3 Al2OC(g)+
Nt(g)= 2 Al!N(s)+(x+ 1 )
Al2Cl23(g)ここで、(g)、 (s)はそれ
ぞれ、気体状態、固体状聾を示す。
上記反応式の最後に形成されるAQCQ3W1は、初め
に使用されたものと同じである。したがって、Al2C
l23は連続的にリサイクルすることが可能であり、大
量の開始材料の必要性がないので、かなりの操作経済性
をあげることができる。
に使用されたものと同じである。したがって、Al2C
l23は連続的にリサイクルすることが可能であり、大
量の開始材料の必要性がないので、かなりの操作経済性
をあげることができる。
三基化物気体は、チャンバを上方へと通る気体の流れを
作り出し維持するような方法によって反応器チャンバへ
と導かれる。このように、未反応で再構成されたアルミ
ニウム三塩化物よりなり、固体窒化アルミニウム分子を
運ぶ気体の流れは、窒化位置20より、チャンバ上部に
配した気体出口導管19を通って上方に流れる。この気
体の流れは未反応N、をも含有している。なぜならば、
超過N、が導管22を介して供給されるか、もしくはN
H3が窒化ガスとして使用された場合、それにH、を
含有し得るからである。さらに、例えばアルゴン等の不
活性ガスを反応器に流入する三塩化物の流れ中に含有さ
せてもよいので、この場合には不活性ガスも排出される
流れの中に存在することになる。
作り出し維持するような方法によって反応器チャンバへ
と導かれる。このように、未反応で再構成されたアルミ
ニウム三塩化物よりなり、固体窒化アルミニウム分子を
運ぶ気体の流れは、窒化位置20より、チャンバ上部に
配した気体出口導管19を通って上方に流れる。この気
体の流れは未反応N、をも含有している。なぜならば、
超過N、が導管22を介して供給されるか、もしくはN
H3が窒化ガスとして使用された場合、それにH、を
含有し得るからである。さらに、例えばアルゴン等の不
活性ガスを反応器に流入する三塩化物の流れ中に含有さ
せてもよいので、この場合には不活性ガスも排出される
流れの中に存在することになる。
図示のシステムにおいて、導管19はアルミニウム三塩
化物と窒化アルミニウム粒子を、上述した1あるいはそ
れ以上の付加的な気体成分が伴う出口気体流れとして運
び、反応器から実質的に室温に保たれている下流冷却チ
ャンバ24へと連行する。このチャンバの冷却温度によ
り、26に示すように、気体流れ中の三塩化物はそこで
凝縮され、連行された窒化アルミニウム分子は滞留し、
凝縮された三塩化物中に収集される。第1図においては
1つのチャンバのみを示すが、好ましくは2つあるいは
それ以上のチャンバを配置し、反応器出口に平行に接続
し、交互に使用するのかよい。
化物と窒化アルミニウム粒子を、上述した1あるいはそ
れ以上の付加的な気体成分が伴う出口気体流れとして運
び、反応器から実質的に室温に保たれている下流冷却チ
ャンバ24へと連行する。このチャンバの冷却温度によ
り、26に示すように、気体流れ中の三塩化物はそこで
凝縮され、連行された窒化アルミニウム分子は滞留し、
凝縮された三塩化物中に収集される。第1図においては
1つのチャンバのみを示すが、好ましくは2つあるいは
それ以上のチャンバを配置し、反応器出口に平行に接続
し、交互に使用するのかよい。
1つのチャンバを冷却し反応物を凝縮するとき、他方の
チャンバを、例えば図示しない適当な外部手段により穏
やかにかつ十分に加熱し、凝縮され滞留した三塩化物を
再蒸発させることができろ。
チャンバを、例えば図示しない適当な外部手段により穏
やかにかつ十分に加熱し、凝縮され滞留した三塩化物を
再蒸発させることができろ。
この再蒸発した三塩化物は気体となって、冷却チャンバ
からさらにもう1つの導管28を介して凝縮容器30へ
と導かれ、ウォータジャケット32に冷却され、受皿3
6内で凝縮、収集される。ヒユーム、N9、および/あ
るいは、その地気体成分は排気管36を介して後方の受
皿から放出されるようにしてもよい一方、収集されたA
QCQ3は反応器IOへと流入する気体の流れの中で再
度使用するのに便利な方法によりリサイクルされる。
からさらにもう1つの導管28を介して凝縮容器30へ
と導かれ、ウォータジャケット32に冷却され、受皿3
6内で凝縮、収集される。ヒユーム、N9、および/あ
るいは、その地気体成分は排気管36を介して後方の受
皿から放出されるようにしてもよい一方、収集されたA
QCQ3は反応器IOへと流入する気体の流れの中で再
度使用するのに便利な方法によりリサイクルされる。
アルミニウム三塩化物を上述したように冷却チャンバ2
4から再蒸発させるとき、蓄積したAl2N粒子は冷却
チャンバ内に残存し、そこから除去され、本方法の製造
物として回収される。図示するシステム装置では、窒化
物は、位置20における最初の形態からそれがチャンバ
24の製造物として収集されるまでの間、連続的に空気
にさらされることはない。この製造物は次粒子サイズ(
本方法によるテストで決定された通り、実例的に分子サ
イズは0.2ミクロン以下)のAσN分子であり、99
.8%以上であると考えられる純度を有し、純度および
分子サイズ両方に関し、焼結したチップ基板を製造する
ために、あるいは非常に細かく高純度のACNを要する
その他の目的に直ちに使用するのに完全に適している。
4から再蒸発させるとき、蓄積したAl2N粒子は冷却
チャンバ内に残存し、そこから除去され、本方法の製造
物として回収される。図示するシステム装置では、窒化
物は、位置20における最初の形態からそれがチャンバ
24の製造物として収集されるまでの間、連続的に空気
にさらされることはない。この製造物は次粒子サイズ(
本方法によるテストで決定された通り、実例的に分子サ
イズは0.2ミクロン以下)のAσN分子であり、99
.8%以上であると考えられる純度を有し、純度および
分子サイズ両方に関し、焼結したチップ基板を製造する
ために、あるいは非常に細かく高純度のACNを要する
その他の目的に直ちに使用するのに完全に適している。
細かなAQNを収集するために電気集塵器をチャンバ2
4の代わりに、あるいは併用してもよい。
4の代わりに、あるいは併用してもよい。
この目的で電気集塵器のみを使用する場合は、200℃
を越す温度で操作する必要がある。これは、製造物Aρ
Nとともに未反応の(副産物である)AρC12,を収
集することを回避するためである。代わりに、第2図に
示すように集塵器40を、壁冷却型チャンバ24におい
て未反応Af2Gg、とともに細かいA12Nを収集し
、A12CI23は再蒸発する第1図に示した粒子収集
設備を有する装置とともに使用してもよく、第2図に示
す装置中その他すべての要素は、第1図に示す装置中の
関連する要素と同一であり、同一の図面番号で示されて
いる。電気集塵器40は、粒子収集チャンバ24の出口
導管28で接続されていて、200〜300℃の温度で
操作され、チャンバ24には残留しなかったが導管28
中に搬送されたAl2Nを集塵器40内で収集する。
を越す温度で操作する必要がある。これは、製造物Aρ
Nとともに未反応の(副産物である)AρC12,を収
集することを回避するためである。代わりに、第2図に
示すように集塵器40を、壁冷却型チャンバ24におい
て未反応Af2Gg、とともに細かいA12Nを収集し
、A12CI23は再蒸発する第1図に示した粒子収集
設備を有する装置とともに使用してもよく、第2図に示
す装置中その他すべての要素は、第1図に示す装置中の
関連する要素と同一であり、同一の図面番号で示されて
いる。電気集塵器40は、粒子収集チャンバ24の出口
導管28で接続されていて、200〜300℃の温度で
操作され、チャンバ24には残留しなかったが導管28
中に搬送されたAl2Nを集塵器40内で収集する。
図面に示す装置のコンバータlO内の担い合金素材12
をAf2C(!aで塩素化する代わりに、溶融アルミニ
ウム金属をACCC3で塩素化してAρCQを形成し、
さらに窒素ガスと反応させてAaNを製造することも可
能である。この場合、AffC&は分離した第1反応器
中で、例えば約1000〜1400℃の温度で、溶融A
QとA12c(isを接触させて製造され、それから、
AQC(1/A(lc03混合気体として第2反応器へ
と導かれ、窒化反応を行う。
をAf2C(!aで塩素化する代わりに、溶融アルミニ
ウム金属をACCC3で塩素化してAρCQを形成し、
さらに窒素ガスと反応させてAaNを製造することも可
能である。この場合、AffC&は分離した第1反応器
中で、例えば約1000〜1400℃の温度で、溶融A
QとA12c(isを接触させて製造され、それから、
AQC(1/A(lc03混合気体として第2反応器へ
と導かれ、窒化反応を行う。
ACCCを製造するために溶融Af2をこのように塩素
化する場合の適切な装置、過程、条件は、英国特許第9
43589号に記述しである。
化する場合の適切な装置、過程、条件は、英国特許第9
43589号に記述しである。
第3図に示す顕微鏡写真は本発明に係る製造物よりなる
粒子り月ミクロンよりも細かいということを明らかに示
すものである。
粒子り月ミクロンよりも細かいということを明らかに示
すものである。
本発明に係る方法によって製造したACHの非常に細か
い粒子サイズは、AQNが最初に製造された位置および
その後で得られた温度条件に依存するものであると現在
考えられている。特に、一塩化物と反応する窒化剤は非
常に発熱的であるが、その位置におけるかなり大きな比
率の不反応三基化物気体の存在は前述のサブハロゲン化
物蒸留プロセスにおいてのコンバータ操作の特質であり
、それが稀釈剤として機能し、窒化反応を緩和させ、窒
化が生じる温度、例えば、1200℃が保持され・ると
考えられる。気相反応により製造される固体は本質的に
細かく、その成長は後の加熱により生じるということが
知られている。したがって、窒化時およびその後に、こ
のような相対的に低温を維持することで最初の非常に細
かい分子サイズを保ちやすい。
い粒子サイズは、AQNが最初に製造された位置および
その後で得られた温度条件に依存するものであると現在
考えられている。特に、一塩化物と反応する窒化剤は非
常に発熱的であるが、その位置におけるかなり大きな比
率の不反応三基化物気体の存在は前述のサブハロゲン化
物蒸留プロセスにおいてのコンバータ操作の特質であり
、それが稀釈剤として機能し、窒化反応を緩和させ、窒
化が生じる温度、例えば、1200℃が保持され・ると
考えられる。気相反応により製造される固体は本質的に
細かく、その成長は後の加熱により生じるということが
知られている。したがって、窒化時およびその後に、こ
のような相対的に低温を維持することで最初の非常に細
かい分子サイズを保ちやすい。
粒子サイズが細かくでき、後の製造物の粉砕および/あ
るいは研削を回避することができることに加え、本発明
の重要な利点は、非常に不純な開始固体材料(例えば、
粗いアルミニウム含有合金)を使用して高純度のものを
、しかも経済的に得ることができるということである。
るいは研削を回避することができることに加え、本発明
の重要な利点は、非常に不純な開始固体材料(例えば、
粗いアルミニウム含有合金)を使用して高純度のものを
、しかも経済的に得ることができるということである。
この結果は、第1の例において使用されている一塩化物
を製造する反応が非常に選択的であることによる。使用
されているような分離・回収手順により、操作、取゛
り扱いが簡便になると同時に、製造物の純度を保持する
ことができる。収集段階で窒化粒子が大気中の空気にさ
らされると、酸化が生じてしまい、水にさらされると、
アンモニアが生じ、これらどちらの場合も不都合な結果
をもたらすことになる。
を製造する反応が非常に選択的であることによる。使用
されているような分離・回収手順により、操作、取゛
り扱いが簡便になると同時に、製造物の純度を保持する
ことができる。収集段階で窒化粒子が大気中の空気にさ
らされると、酸化が生じてしまい、水にさらされると、
アンモニアが生じ、これらどちらの場合も不都合な結果
をもたらすことになる。
しかし、ある場合においては、分離・回収手順を交互に
行うことによって少なくとも相当程度本発明の利点を実
現し得る。
行うことによって少なくとも相当程度本発明の利点を実
現し得る。
また、粗い合金等を使用した「サブハライド蒸留」タイ
プの一塩化物製造工程は大規模な商業的操業で行うにも
経済的に良好であるが、非常に細かい粒子を有するAQ
N製造物が生産されるような条件下であるならば、変わ
りうる一塩化物製造工程が使用されてもよい。
プの一塩化物製造工程は大規模な商業的操業で行うにも
経済的に良好であるが、非常に細かい粒子を有するAQ
N製造物が生産されるような条件下であるならば、変わ
りうる一塩化物製造工程が使用されてもよい。
より一般的にいうと、本発明の意図は、固体微粒子形状
の窒化アルミニウムを製造する条件を有する第1位置に
おいて、窒化剤気体と、アルミニウム三塩化物およびア
ルミニウム−塩化物よりなるアルミニウム−塩化物混合
気体とを反応させ、製造された窒化粒子はアルミニウム
三塩化物よりなる気体の流れに連行され、第1位置から
第2位置へと導かれて、この第2位置において、製造さ
れた窒化物が微粒子形状を維持して分離・回収すること
にある。第1位置における微粒子製造の条件は、十分に
低い値、例えば1200〜1300℃の温度に保持する
ことを含み、これにより大きな粒子にか成長することを
阻止する。この特質は、図面の実施例中に実例を挙げて
示されていて、三塩化物−一塩化物混合気体のある第1
位置にこのような温度を設定しており、そこは、現在考
えられているように、発熱的な窒化反応が三塩化物の稀
釈剤的効果により緩和される位置である。第1位置にお
いて、表面上での窒素の蒸着・成長を回避するよう、形
成された窒素核子は分離作用をする気体の流れの中に連
行され、この流れは適切な気体の流れの条件を備えるこ
とにより発生する。
の窒化アルミニウムを製造する条件を有する第1位置に
おいて、窒化剤気体と、アルミニウム三塩化物およびア
ルミニウム−塩化物よりなるアルミニウム−塩化物混合
気体とを反応させ、製造された窒化粒子はアルミニウム
三塩化物よりなる気体の流れに連行され、第1位置から
第2位置へと導かれて、この第2位置において、製造さ
れた窒化物が微粒子形状を維持して分離・回収すること
にある。第1位置における微粒子製造の条件は、十分に
低い値、例えば1200〜1300℃の温度に保持する
ことを含み、これにより大きな粒子にか成長することを
阻止する。この特質は、図面の実施例中に実例を挙げて
示されていて、三塩化物−一塩化物混合気体のある第1
位置にこのような温度を設定しており、そこは、現在考
えられているように、発熱的な窒化反応が三塩化物の稀
釈剤的効果により緩和される位置である。第1位置にお
いて、表面上での窒素の蒸着・成長を回避するよう、形
成された窒素核子は分離作用をする気体の流れの中に連
行され、この流れは適切な気体の流れの条件を備えるこ
とにより発生する。
さらに例示として、以下の本発明にかかる方法の実験例
を参照に説明する。これら各々の実験例では、以下の範
囲以内の組成物を有する粗い合金ベッドを使用している
。
を参照に説明する。これら各々の実験例では、以下の範
囲以内の組成物を有する粗い合金ベッドを使用している
。
重量%
AQ 55±3
C4〜6
Fe 29〜31
Si 5〜6
Ti 4〜6
すべての例において、実験中粗合金ベッドの温度は13
00℃に維持され、A(IcQ5反応気体により塩素化
した。
00℃に維持され、A(IcQ5反応気体により塩素化
した。
実施例1
粗合金ベッドを上述のように塩素化し、得られるA(I
cQ含有気体を流m10 Q/mで、Ntにより窒化し
た。粗合金ベッドに供給したAQCQs反応気体量は1
35gである。反応時間は2時間30分である。
cQ含有気体を流m10 Q/mで、Ntにより窒化し
た。粗合金ベッドに供給したAQCQs反応気体量は1
35gである。反応時間は2時間30分である。
AgN粒子は未変換のA12CQ3反応体とともに収集
し、チャンバ内の反応副産物であるAQcQsは室温に
保った。AQNは、最高温度250℃で、凝縮したAl
2CI2.を昇華させ、収集チャンバ内にAl2N粒子
を残留させることにより回収した。製造物がAl2Nで
あるとの同定はフーリエ赤外線分析(FTIR)により
決定した。
し、チャンバ内の反応副産物であるAQcQsは室温に
保った。AQNは、最高温度250℃で、凝縮したAl
2CI2.を昇華させ、収集チャンバ内にAl2N粒子
を残留させることにより回収した。製造物がAl2Nで
あるとの同定はフーリエ赤外線分析(FTIR)により
決定した。
実験例2
粗合金ベッドに供給する気体AQCQ3反応休債を8体
gにしたことを除き、実験例!と同様の条件の下で粗合
金ベッドを塩素化し窒化した。未変換のA12CQ3お
よび反応副産物AQC(bとともに、AgN分子が、非
過熱/非冷却の収集チャンバ内に収納されたアルミナ製
るつぼ中に収集された。
gにしたことを除き、実験例!と同様の条件の下で粗合
金ベッドを塩素化し窒化した。未変換のA12CQ3お
よび反応副産物AQC(bとともに、AgN分子が、非
過熱/非冷却の収集チャンバ内に収納されたアルミナ製
るつぼ中に収集された。
Al2N分子は、最高温度175℃で、凝縮したA12
CQ3の昇華させ、AgN粒子を残留させることにより
回収した。製造物がAl2Nであるとの同定は、熱処理
した製造物粒子をX線回折分析することによりなされた
。
CQ3の昇華させ、AgN粒子を残留させることにより
回収した。製造物がAl2Nであるとの同定は、熱処理
した製造物粒子をX線回折分析することによりなされた
。
実験例3
この実験においては、実験例1および2の塩素化−窒化
条件を次のように変更した。すなわち、NJm 5 Q
/s、供給したAQC(Is反応体量35g、反応時間
2時間15分である。製造されたAl2N分子が、未変
換の窓体であるA12C(!sおよび反応副産物である
A(IcQ、とともに、バッフルを備え、ドライアイス
バスで囲ったチャンバ内に収集された。AQN製造物分
子を回収させるために、凝縮したAQCQsを300℃
に至る温度で昇華させ、収集チャンバ内にAl2N分子
を残留させた。
条件を次のように変更した。すなわち、NJm 5 Q
/s、供給したAQC(Is反応体量35g、反応時間
2時間15分である。製造されたAl2N分子が、未変
換の窓体であるA12C(!sおよび反応副産物である
A(IcQ、とともに、バッフルを備え、ドライアイス
バスで囲ったチャンバ内に収集された。AQN製造物分
子を回収させるために、凝縮したAQCQsを300℃
に至る温度で昇華させ、収集チャンバ内にAl2N分子
を残留させた。
製造物はFTIR分析によりAgNであると同定した。
実験例4
先例の工程をさらに修正し、窒化ガスにNH。
を使用し、流1i 5 (1/11.ベッドに供給する
Al2cps反応体量 15g、反応時間を1時間20
分にした。副産物NH,CQおよび過剰の未反応AQC
I23とともに製造されたAgN分子を、バッフルを備
え、ドライアイスバスで囲ったチャンバ内に収集された
。AgN粒子は、凝縮したNH,CI2およびAl2C
(!3を温度350℃で昇華させることにより回収し、
収集チャンバ内にAQN分子を残留させた。製造物がA
gNであるとの同定にはFTIR分析を使用した。
Al2cps反応体量 15g、反応時間を1時間20
分にした。副産物NH,CQおよび過剰の未反応AQC
I23とともに製造されたAgN分子を、バッフルを備
え、ドライアイスバスで囲ったチャンバ内に収集された
。AgN粒子は、凝縮したNH,CI2およびAl2C
(!3を温度350℃で昇華させることにより回収し、
収集チャンバ内にAQN分子を残留させた。製造物がA
gNであるとの同定にはFTIR分析を使用した。
本発明は、上述した特質および実施例に限定されるもの
ではなく、本発明を流れる概念から逸脱することなく、
その他の方法により本発明を実施してもよい。
ではなく、本発明を流れる概念から逸脱することなく、
その他の方法により本発明を実施してもよい。
第1図は本発明方法の実施に用いるシステムの概要図、
第2図は本発明方法の実施に用いる他のシステムの概要
図、第3図は本発明で得られる製品の1ミクロンバーを
重畳したtoooo倍走査電子顕微鏡写真図である。 10・・・反応器、It・・・加熱チャンバ、12・・
・不純金属物質素材、16・・・(加熱手段)電極、1
8.22・・・入口導管、19・・・出口導管24・・
・冷却チャンバ、30・・・凝縮容器40・・・集塵器 特許出願人 アルキャン・インターナショナル・リミテ
ッド 代理人W士青 山 葆 ほか2名 図面の浄m(F;容に変更なし) 第3図 手続補正書 0剣 特許庁長官殿 平成1年1月18日2
、発明の名称 窒化アルミニウムの製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 アルキャン・インターナショナル・リミテッド5
、補正命令の日付 : 昭和63年12月20日(発
送日)6、補正の対象 : 明細書の図面の簡単な説
明の欄および図面7、補正の内容 (イ)明細書の図面の簡単な説明の欄 明細書第33頁下から第5行〜第4行に「製品」とある
を、 rAQN金属組織」に訂正する。 (ロ)図面 別紙の通り (第1図および第2図を濃厚な黒色で鮮明に描いたもの
を提出しまず。第3図が写真コピーであったので、写真
原本を提出します。内容に変更なし。)
第2図は本発明方法の実施に用いる他のシステムの概要
図、第3図は本発明で得られる製品の1ミクロンバーを
重畳したtoooo倍走査電子顕微鏡写真図である。 10・・・反応器、It・・・加熱チャンバ、12・・
・不純金属物質素材、16・・・(加熱手段)電極、1
8.22・・・入口導管、19・・・出口導管24・・
・冷却チャンバ、30・・・凝縮容器40・・・集塵器 特許出願人 アルキャン・インターナショナル・リミテ
ッド 代理人W士青 山 葆 ほか2名 図面の浄m(F;容に変更なし) 第3図 手続補正書 0剣 特許庁長官殿 平成1年1月18日2
、発明の名称 窒化アルミニウムの製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 アルキャン・インターナショナル・リミテッド5
、補正命令の日付 : 昭和63年12月20日(発
送日)6、補正の対象 : 明細書の図面の簡単な説
明の欄および図面7、補正の内容 (イ)明細書の図面の簡単な説明の欄 明細書第33頁下から第5行〜第4行に「製品」とある
を、 rAQN金属組織」に訂正する。 (ロ)図面 別紙の通り (第1図および第2図を濃厚な黒色で鮮明に描いたもの
を提出しまず。第3図が写真コピーであったので、写真
原本を提出します。内容に変更なし。)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(a)第1位置において、アルミニウム三塩化物と
アルミニウム−塩化物よりなる混合気体に気体窒化剤を
、上記窒化剤と一塩化物との反応を行わせる条件下に導
入し、固体微粒子形態の窒化アルミニウムを製造し、 (b)上記製造された窒化物を連行した、アルミニウム
三塩化物よりなる気体の流れを上記第1位置から第2位
置へと誘導し、 (c)上記第2位置においては、微粒子形態に保持され
た窒化物を分離し、回収することにからなる窒化アルミ
ニウムの製造方法。 2、上記混合気体を、昇温下にアルミニウム三塩化物気
体を粗アルミニウム含有合金ベッドと反応させることに
より得る工程を有する前記第1項記載の窒化アルミニウ
ムの製造方法。 3、上記混合気体を、上記第1位置上流の、第1位置と
分離した位置において、溶融アルミニウム金属をアルミ
ニウム三塩化物で塩素化することにより得る工程を有す
る前記第1項記載の窒化アルミニウムの製造方法。 4、上記粒子形態が次粒子サイズからなる前記第1項な
いし第3項のいずれかに記載の窒化アルミニウムの製造
方法。 5、窒化剤とアルミニウム−塩化物を1200〜130
0℃の範囲で反応させる前記第1項ないし第4項のいず
れかに記載の窒化アルミニウムの製造方法。 6、(a)昇温下にアルミニウム三塩化物気体の流れと
アルミニウム含有金属物質とを接触させて金属物質中の
アルミニウムと三塩化物の一部を反応させることにより
アルミニウム一塩化物を形成し、上記金属物質下流にあ
る第1位置において、アルミニウム一塩化物とアルミニ
ウム三塩化物によりなる混合気体の流れを形成し、 (b)上記第1位置において、気体窒素源を上記流れに
導入し、窒素と一塩化物とを反応させることにより、流
れの中に連行される微粒分子状態の窒化アルミニウムを
形成し、 (c)上記窒化アルミニウム粒子を連行しているアルミ
ニウム三塩化物からなる気体の流れを上記第1位置から
第2位置へと誘導し、 (d)上記第2位置では、アルミニウム三塩化物の流れ
から上記窒化アルミニウム粒子を分離・回収することか
らなる窒化アルミニウム微粒子の製造方法。 7、上記気体の窒素源がN_2である前記第6項記載の
窒化アルミニウム微粒子の製造方法。 8、上記気体の窒素源がアンモニアである前記第6項記
載の窒化アルミニウム微粒子の製造方法。 9、上記昇温度が1200〜1300℃の範囲にある前
記第6項ないし第8項のいずれかに記載の窒化アルミニ
ウム微粒子の製造方法。 10、上記第2位置において、窒化アルミニウムを分離
・回収する工程がアルミニウム三塩化物を凝縮するため
に上記気体の流れを冷却し、凝縮されたアルミニウム三
塩化物と上記窒化アルミニウム粒子を上記第2位置に蓄
積させ、該第2位置において、凝縮された三塩化物を再
蒸発させ、上記第2位置から再蒸発した三塩化物を誘出
して該第2位置に蓄積された窒化アルミニウム分子が残
留させ、そこから回収することからなる前記第6項ない
し第9項のいずれかに記載の窒化アルミニウム微粒子の
製造方法。 11、再蒸発した三塩化物を第3位置に誘導し、該第3
の位置において再蒸発した三塩化物を再凝縮することに
より回収する工程をさらに有する前記第10項記載の窒
化アルミニウム微粒子の製造方法。 12、工程(c)が、上記第2位置をそれぞれ交互に構
成する2つのチャンバに気体の流れを交互に誘導して行
なわれ、気体の流れが誘導されるチャンバ内で三塩化物
を凝縮し、そこで凝縮された三塩化物および窒化アルミ
ニウム分子を回収し、工程(d)が、後者のチャンバか
ら2つのチャンバのうちの他方へ気体の流れを再度向け
た後、後者のチャンバ内の凝縮された三塩化物を再蒸発
させ、上記チャンバから再蒸発させた三塩化物を誘導す
ることにより行なわれる前記第10項記載の窒化アルミ
ニウム微粒子の製造方法。 13、さらに、再蒸発させた三塩化物を気体の流れとし
て電気集塵機を通し、そこで再蒸発させた三塩化物に連
行される窒化アルミニウム粒子を選択的に回収する工程
を含む前記第10項、第11項あるいは12項記載のい
ずれかに記載の窒化アルミニウム微粒子の製造方法。 14、工程(d)が、電気集塵機を介して気体の流れを
誘導し、上記気体の流れに連行される窒化アルミニウム
粒子を選択的に回収することを含む前記第6項記載の窒
化アルミニウム微粒子の製造方法。 15、工程(d)からのアルミニウム三塩化物が工程(
a)へリサイクルされる前記第6項ないし第14項のい
ずれかに記載の窒化アルミニウム微粒子の製造方法。 16、(a)第1位置において、アルミニウム一塩化物
気体、アルミニウム三塩化物気体および窒素気体源より
なる気体の流れを、上記窒素と上記一塩化物との反応が
行なわれる条件下形成して、上記流れに連行される微粒
子形態の窒化アルミニウムを形成し、 (b)窒化アルミニウム微粒子を有するアルミニウム三
塩化物よりなる上記気体の流れを、上記第1位置から第
2位置へと誘導し、 (c)上記第2位置において、上記流れのアルミニウム
三塩化物を凝縮して、上記第2位置に凝縮アルミニウム
三塩化物と上記窒化アルミニウム微粒子を蓄積させ、 (d)定期的に凝縮させたアルミニウム三塩化物を再蒸
発させ、上記第2位置から再蒸発させた三塩化物を誘導
し、上記第2位置に蓄積された上記窒化アルミニウム微
粒子を残留させ、そこから回収することより構成される
窒化アルミニウム微粒子の製造方法。 17、窒化剤とアルミニウム一塩化物を温度1200〜
1300℃の範囲で反応させる前記第16項記載の窒化
アルミニウム微粒子の製造方法。 18、上記再蒸発させた三塩化物を第3位置に誘導し、
上記第3位置において再凝縮することにより上記再蒸発
させた三塩化物を回収する前記第16項記載の窒化アル
ミニウム微粒子の製造方法。 19、工程(c)が、上記第2位置をそれぞれ交互に構
成する2つのチャンバに気体の流れを交互に誘導して行
なわれ、気体の流れが誘導されるチャンバ内で三塩化物
を凝縮し、そこで凝縮された三塩化物および窒化アルミ
ニウム分子を回収し、工程(d)が、後者のチャンバか
ら2つのチャンバのうちの他方へ気体の流れを再度向け
た後、後者のチャンバ内の凝縮された三塩化物を再蒸発
させ、上記チャンバから再蒸発させた三塩化物を誘導す
ることにより行なわれる前記第16項記載の窒化アルミ
ニウム微粒子の製造方法。 20、さらに、再蒸発させた三塩化物が気体の流れとし
て電気集塵機を通し、そこで再蒸発させた三塩化物に連
行された窒化アルミニウム粒子を選択的に回収する工程
を含む前記第16項記載の窒化アルミニウム微粒子の製
造方法。 21、上記窒化アルミニウム微粒子が1ミクロン以下の
粒子サイズを有する前記第16項ないし第20項のいず
れかに記載の窒化アルミニウム微粒子の製造方法。 22、特許請求の範囲第6項ないし第15項のいずれか
に記載の窒化アルミニウム微粒子の製造方法により製造
した次粒子サイズの窒化アルミニウム微粒子。 23、特許請求の範囲第16項ないし第21項のいずれ
かに記載の窒化アルミニウム微粒子の製造方法により製
造した次粒子サイズの窒化アルミニウム微粒子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/095,916 US4869892A (en) | 1987-09-11 | 1987-09-11 | Methods of making fine particulate aluminum nitride |
| US095,916 | 1987-09-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01157410A true JPH01157410A (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=22254187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63228285A Pending JPH01157410A (ja) | 1987-09-11 | 1988-09-12 | 窒化アルミニウムの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4869892A (ja) |
| EP (1) | EP0308116A1 (ja) |
| JP (1) | JPH01157410A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5246683A (en) * | 1991-07-03 | 1993-09-21 | Alcan Internatonal Limited | Process for producing small particles of aluminum nitride and particles so-produced |
| US7413721B2 (en) * | 2005-07-28 | 2008-08-19 | Battelle Energy Alliance, Llc | Method for forming ammonia |
| CN119822336A (zh) * | 2024-10-29 | 2025-04-15 | 浙江大学 | 一种利用等离子体制备球形纳米氮化铝的方法和装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3216820A (en) * | 1962-06-04 | 1965-11-09 | Aluminium Lab Ltd | Halide treatment and circulation in aluminum refining system |
| GB1050932A (ja) * | 1963-05-30 | |||
| US3477812A (en) * | 1967-04-27 | 1969-11-11 | Dow Chemical Co | Process for preparing metal fluoride single crystals |
| NL135128C (ja) * | 1967-05-24 | |||
| GB1199811A (en) * | 1968-03-09 | 1970-07-22 | British Titan Products | Production of Nitrogen-Containing Compounds |
| US3607014A (en) * | 1968-12-09 | 1971-09-21 | Dow Chemical Co | Method for preparing aluminum nitride and metal fluoride single crystals |
| US3979500A (en) * | 1973-05-02 | 1976-09-07 | Ppg Industries, Inc. | Preparation of finely-divided refractory powders of groups III-V metal borides, carbides, nitrides, silicides and sulfides |
| JPS5839764B2 (ja) * | 1978-03-10 | 1983-09-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム質粉末の製造方法 |
| JPS5891019A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-30 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム質粉末の製造方法 |
| EP0087798B1 (en) * | 1982-03-01 | 1987-05-06 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | A method and apparatus for making a fine powder compound of a metal and another element |
| JPS6191008A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Nec Corp | 窒化アルミニウム粉末の合成方法 |
| JPS61151006A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-09 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム質粉末の製造方法 |
| JPS61201608A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 高純度窒化アルミニウム粉末の製造方法 |
-
1987
- 1987-09-11 US US07/095,916 patent/US4869892A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-09-05 EP EP88308209A patent/EP0308116A1/en not_active Withdrawn
- 1988-09-12 JP JP63228285A patent/JPH01157410A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4869892A (en) | 1989-09-26 |
| EP0308116A1 (en) | 1989-03-22 |
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