JPH01158789A - アース構造 - Google Patents
アース構造Info
- Publication number
- JPH01158789A JPH01158789A JP62316017A JP31601787A JPH01158789A JP H01158789 A JPH01158789 A JP H01158789A JP 62316017 A JP62316017 A JP 62316017A JP 31601787 A JP31601787 A JP 31601787A JP H01158789 A JPH01158789 A JP H01158789A
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- JP
- Japan
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- circuit
- pattern
- board
- main board
- ground
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
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- Structure Of Receivers (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、衛星放送受信用超高周波ユニットに用いられ
るマイクロストリップ回路におけるアース構造に関する
ものである。
るマイクロストリップ回路におけるアース構造に関する
ものである。
(従来の技術)
従来、マイクロストリップ回路とは、誘電体基板(以下
、基板と略す)の一方の面に回路パターンを、他方の面
にアースパターンを有する回路のことである。一つの例
を第5図、第6図に示す。第5図において、金属枠体1
に基板を装着し、矢印方向にDip半田付する。そのE
−E断面を第6図に示す。同図において、アースパター
ン3と逆の面に回路パターン4があり、回路パターン4
上に回路部品5が半田付されている。また、アースパタ
ーン3はアーススルーホール6を介して金属枠体1に、
半田付部7においてアース半田付されている。ここで、
マイクロストリップ回路の回路パターンと逆面のアース
パターンにおいて、内部発振器または外部からの妨害に
対する安定度を確保するために、金属枠体との十分なる
アース接地による均一なアースレベルを有することが重
要となる。そして、小型のセラ1−動向に対応して、ユ
ニットを小さくするための高密度実装化を実現すること
が求められている。
、基板と略す)の一方の面に回路パターンを、他方の面
にアースパターンを有する回路のことである。一つの例
を第5図、第6図に示す。第5図において、金属枠体1
に基板を装着し、矢印方向にDip半田付する。そのE
−E断面を第6図に示す。同図において、アースパター
ン3と逆の面に回路パターン4があり、回路パターン4
上に回路部品5が半田付されている。また、アースパタ
ーン3はアーススルーホール6を介して金属枠体1に、
半田付部7においてアース半田付されている。ここで、
マイクロストリップ回路の回路パターンと逆面のアース
パターンにおいて、内部発振器または外部からの妨害に
対する安定度を確保するために、金属枠体との十分なる
アース接地による均一なアースレベルを有することが重
要となる。そして、小型のセラ1−動向に対応して、ユ
ニットを小さくするための高密度実装化を実現すること
が求められている。
限られたスペース内でのマイクロス1−リップ回路の高
密度実装化を目的とした中での従来のアース構造は、第
7図、第8図および第9図に示す。
密度実装化を目的とした中での従来のアース構造は、第
7図、第8図および第9図に示す。
第7図(」、)は、従来のアース構造における組立斜視
図である。第7図(2)に示すように、アースパターン
3を有し、かつその逆面の回路パターン4に回路部品5
を半田付したサブ基板8を、アースパターン3を有する
メイン基板9に足10.角孔11を介して挿入する。こ
こで、サブ基板82回路パターン4との短絡を防止する
ために、メイン基板9のアースパターン3には、にがし
12がある。
図である。第7図(2)に示すように、アースパターン
3を有し、かつその逆面の回路パターン4に回路部品5
を半田付したサブ基板8を、アースパターン3を有する
メイン基板9に足10.角孔11を介して挿入する。こ
こで、サブ基板82回路パターン4との短絡を防止する
ために、メイン基板9のアースパターン3には、にがし
12がある。
また、第7図(1)におけるメイン基板9のアースパタ
ーン3は、アーススルーホール6により逆面のアースパ
ターン3と接続されている。サブ基板8を挿入したメイ
ン基板9を、金属枠体1へ受13の位置まで挿入し、爪
14でかしめ止めして、第7図(1)の矢印方向へDi
p半田付する。
ーン3は、アーススルーホール6により逆面のアースパ
ターン3と接続されている。サブ基板8を挿入したメイ
ン基板9を、金属枠体1へ受13の位置まで挿入し、爪
14でかしめ止めして、第7図(1)の矢印方向へDi
p半田付する。
さらに、基板組立手順の詳細を第8図に示す。
同図において、サブ基板8.メイン基板9に各々回路部
品5を実装し、サブ基板8は回路部品5をDjp半田付
したのち、メイン基板9へ挿入する。
品5を実装し、サブ基板8は回路部品5をDjp半田付
したのち、メイン基板9へ挿入する。
さらに、メイン基板9とサブ基板8.メイン基板9の回
路部品を各々Dip半田付する。
路部品を各々Dip半田付する。
第7図(1)の完成品のF−F断面を第9図(1)に示
す。さらに、第9図(1)の矢視Hを第9図(2)に示
す。サブ基板8の回路パターン4とメイン基板9の回路
パターン4とは、半田付8部15で接続され、メイン基
板9の回路パターン4と同一面のアースパターン3と、
サブ基板8の回路パターン4とその逆面のアースパター
ン3とは、半田付す部16で接続され、さらに、メイン
基板9の回路パターン4と同一面のアースパターン3と
金属枠体1とは、半田付部7で接続されている。
す。さらに、第9図(1)の矢視Hを第9図(2)に示
す。サブ基板8の回路パターン4とメイン基板9の回路
パターン4とは、半田付8部15で接続され、メイン基
板9の回路パターン4と同一面のアースパターン3と、
サブ基板8の回路パターン4とその逆面のアースパター
ン3とは、半田付す部16で接続され、さらに、メイン
基板9の回路パターン4と同一面のアースパターン3と
金属枠体1とは、半田付部7で接続されている。
また、第9図(2)の矢視Hに示すように、メイン基板
9の回路パターン4とその逆面のアースパターン3はア
ーススルーホール6を通じ、メイン3一 基板9の回路パターン4と同一面のアースパターン3を
介して、半田付部7によって金属枠体1と接続されてい
る。その際、メイン基板9の回路パターン4と逆面のア
ースパターン3において、金属枠体1との十分なるアー
ス接地による均一なアースレベルを得るために、メイン
基板9の回路パターン4と逆面のアースパターン3と金
属枠体1とを接続する半田付部7は、必要なだけ設けら
れる。(第9図(2)においては2箇所設けである。)
従来例をまとめると、金属枠体1内の限られたスペース
内でのマイクロスI・リップ回路の高密度実装化という
目的に対し、メイン基板9ヘサブ基板8を立てて挿入し
、上記のような構成により、メイン基板9とサブ基板8
の双方において、マイクロス1〜リツプ回路に必要な回
路パターン4と逆面のアースパターン3のアース接地を
得ながら、高密度実装化を図ったものである。
9の回路パターン4とその逆面のアースパターン3はア
ーススルーホール6を通じ、メイン3一 基板9の回路パターン4と同一面のアースパターン3を
介して、半田付部7によって金属枠体1と接続されてい
る。その際、メイン基板9の回路パターン4と逆面のア
ースパターン3において、金属枠体1との十分なるアー
ス接地による均一なアースレベルを得るために、メイン
基板9の回路パターン4と逆面のアースパターン3と金
属枠体1とを接続する半田付部7は、必要なだけ設けら
れる。(第9図(2)においては2箇所設けである。)
従来例をまとめると、金属枠体1内の限られたスペース
内でのマイクロスI・リップ回路の高密度実装化という
目的に対し、メイン基板9ヘサブ基板8を立てて挿入し
、上記のような構成により、メイン基板9とサブ基板8
の双方において、マイクロス1〜リツプ回路に必要な回
路パターン4と逆面のアースパターン3のアース接地を
得ながら、高密度実装化を図ったものである。
(発明が解決しようとする問題点)
」二記従来の方式では、メイン基板9の回路パターン4
の逆面のアースパターン3が、任意の位置のアーススル
ーホール6を介して必要なだけアース接地が得られるの
に対し、サブ基板8の回路パターン4の逆面のアースパ
ターン3は、アース接地を得るところが足10として限
定されてしまう。
の逆面のアースパターン3が、任意の位置のアーススル
ーホール6を介して必要なだけアース接地が得られるの
に対し、サブ基板8の回路パターン4の逆面のアースパ
ターン3は、アース接地を得るところが足10として限
定されてしまう。
その結果、サブ基板8のアースパターン3のベースレベ
ルは、足10からの距離によって左右されて均一なレベ
ルが得られず、他からの妨害を受けやすい欠点があった
。
ルは、足10からの距離によって左右されて均一なレベ
ルが得られず、他からの妨害を受けやすい欠点があった
。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、サブ基板のアー
スパターンのアースレベルを均一化し、他からの妨害を
受けにくくするアース構造を提供することである。
スパターンのアースレベルを均一化し、他からの妨害を
受けにくくするアース構造を提供することである。
(問題点を解決するための手段)
本発明のアース構造は、裏面に回路パターンとアースパ
ターンを有し、表面に前記回路パターンと電気的に接続
されたアースパターンを有し、前記裏面の回路パターン
に接続され、かつ表面側に露出する回路ランドを有する
メイン基板の裏面上に、裏面に回路パターン有し、表面
に前記回路パターンと回路ランドを介して電気的に接続
されたサブ基板の表面が、前記両回路ランドの位置が互
いに一致する如く重ねられ、前記メイン基板の表面のア
ースパターンおよび回路ランドと前記サブ基板のアース
パターンおよび回路ランドがそれぞれ半田付接続さ止か
つ前記メイン基板のアースパターンと金属枠体とが半田
付接続されたものである。
ターンを有し、表面に前記回路パターンと電気的に接続
されたアースパターンを有し、前記裏面の回路パターン
に接続され、かつ表面側に露出する回路ランドを有する
メイン基板の裏面上に、裏面に回路パターン有し、表面
に前記回路パターンと回路ランドを介して電気的に接続
されたサブ基板の表面が、前記両回路ランドの位置が互
いに一致する如く重ねられ、前記メイン基板の表面のア
ースパターンおよび回路ランドと前記サブ基板のアース
パターンおよび回路ランドがそれぞれ半田付接続さ止か
つ前記メイン基板のアースパターンと金属枠体とが半田
付接続されたものである。
(作 用)
本発明は、上記構成により、メイン基板の回路パターン
と逆面のアースパターンは金属枠体に十分アース接地さ
れて、均一なアースレベルを得ることができる。さらに
、メイン基板のアースパターンとの半田付接続による十
分なアース接地の結果、サブ基板の回路パターンと逆面
のアースパターンは均一なアースレベルを得ることがで
き、マイクロストリップ回路としてのサブ基板に対する
他からの妨害を防ぐことができる。
と逆面のアースパターンは金属枠体に十分アース接地さ
れて、均一なアースレベルを得ることができる。さらに
、メイン基板のアースパターンとの半田付接続による十
分なアース接地の結果、サブ基板の回路パターンと逆面
のアースパターンは均一なアースレベルを得ることがで
き、マイクロストリップ回路としてのサブ基板に対する
他からの妨害を防ぐことができる。
(実施例)
本発明の一実施例を第1図ないし第4図に基づいて説明
する。同図において、第5図ないし第9図に示した従来
例と同じ部分については同一符号を付し、その説明を省
略する。
する。同図において、第5図ないし第9図に示した従来
例と同じ部分については同一符号を付し、その説明を省
略する。
第1図は、本発明のアース構造の概略の組立斜視図であ
る。第2図(1)、(2)にその詳細を示す。
る。第2図(1)、(2)にその詳細を示す。
同図において、回路ランド17.アースパターン3を有
し、かつその逆面の回路パターン4に回路部品5を半田
付した横置サブ基板18を、回路ランド17、アースパ
ターン3を有するメイン基板9に、各々の回路ランド1
7が互いに対向する位置に合わせながら装着する。ここ
で、回路ランド17との短絡を防ぐため、メイン基板9
のアースパターン3および第2図(2)に示す横置サブ
基板18のアースパターン3には、にがし12が設けで
ある。また、第1図におけるメイン基板9のアースパタ
ーン3は、アーススルーホール6により逆面のアースパ
ターン3と接続する。かつメイン基板9.横置サブ基板
18の各々の回路ラント17は、回路スルーホール19
により逆面の回路パターンと接続されている。そして、
横置サブ基板18を装着したメイン基板9を、金属枠体
1へ受13の位置まで挿入し、爪14でかしめ止めして
、第1図の矢印方向へDip半田付する。
し、かつその逆面の回路パターン4に回路部品5を半田
付した横置サブ基板18を、回路ランド17、アースパ
ターン3を有するメイン基板9に、各々の回路ランド1
7が互いに対向する位置に合わせながら装着する。ここ
で、回路ランド17との短絡を防ぐため、メイン基板9
のアースパターン3および第2図(2)に示す横置サブ
基板18のアースパターン3には、にがし12が設けで
ある。また、第1図におけるメイン基板9のアースパタ
ーン3は、アーススルーホール6により逆面のアースパ
ターン3と接続する。かつメイン基板9.横置サブ基板
18の各々の回路ラント17は、回路スルーホール19
により逆面の回路パターンと接続されている。そして、
横置サブ基板18を装着したメイン基板9を、金属枠体
1へ受13の位置まで挿入し、爪14でかしめ止めして
、第1図の矢印方向へDip半田付する。
さらに、基板組立手順の詳細を第3図に示す。
横置サブ基板18において、回路部品5を装着し、回路
パターン4側をDip半田付する。また、メイン基板9
にも回路部品5を装置し、アースパターン3に低温溶融
するクリーム半田20を、回路ランド17とアースパタ
ーン3の必要な面積台に対し塗布する。ここで、上記の
半田付部の横置サブ基板18を反転してから、メイン基
板9と横置サブ基板18の各々の回路ランド17が互い
に対向する位置に合わせてメイン基板9へ装着する。そ
して、メイン基板9の半田Dipをする前のプレヒート
でクリーム半田20が溶融し、メイン基板9.横置サブ
基板18の各々の対向する回路ランド17、ならびに回
路パターン4と逆面に位置するアースパターン3が必要
な面積台だけ半田付接続される。さらに、メイン基板9
の半田Dipによりメイン基板9の回路部品5が半田付
される。
パターン4側をDip半田付する。また、メイン基板9
にも回路部品5を装置し、アースパターン3に低温溶融
するクリーム半田20を、回路ランド17とアースパタ
ーン3の必要な面積台に対し塗布する。ここで、上記の
半田付部の横置サブ基板18を反転してから、メイン基
板9と横置サブ基板18の各々の回路ランド17が互い
に対向する位置に合わせてメイン基板9へ装着する。そ
して、メイン基板9の半田Dipをする前のプレヒート
でクリーム半田20が溶融し、メイン基板9.横置サブ
基板18の各々の対向する回路ランド17、ならびに回
路パターン4と逆面に位置するアースパターン3が必要
な面積台だけ半田付接続される。さらに、メイン基板9
の半田Dipによりメイン基板9の回路部品5が半田付
される。
また、第1図のA、−A断面を第4図(1)に、さらに
、第4図(1)の矢視りを第4図(2)に示す。
、第4図(1)の矢視りを第4図(2)に示す。
メイン基板9と横置サブ基板18の各々の回路パターン
4は、回路スルーホール19を介して回路ランド17に
おいて対向状態でクリーム半田20によって接続され、
また、メイン基板9.横置サブ基板18の各々の回路パ
ターン4と逆面に位置するアースパターン3も同様に、
対向状態でクリーム半田20によって必要な面積台だけ
接続されている。ここで、第4図(2)の矢視りに示す
ように、メイン基板9の回路パターン4と逆面のアース
パターン3はアーススルーホール6を通じ、メイン基板
9の回路パターン4と同一面のアースパターン3を介し
て半田付部7によって金属枠体1と接続されている。そ
の際、金属枠体1との十分なるアース接地による均一な
アースレベルを得るために、メイン基板9の回路パター
ン4と逆面のアースパターン3と金属枠体1とを接続す
る半田付部7は、必要なだけ設けられている。したがっ
て、均一なアースレベルを有するメイン基板9の回路パ
ターン4と逆面のアースパターン3とのクリーム半田2
0による必要な面積分だけ接続された結果、横置サブ基
板18の回路パターン4と逆面のアースパターン3は、
メイン基板9のそれと同じく均一なアースレベルとなる
。
4は、回路スルーホール19を介して回路ランド17に
おいて対向状態でクリーム半田20によって接続され、
また、メイン基板9.横置サブ基板18の各々の回路パ
ターン4と逆面に位置するアースパターン3も同様に、
対向状態でクリーム半田20によって必要な面積台だけ
接続されている。ここで、第4図(2)の矢視りに示す
ように、メイン基板9の回路パターン4と逆面のアース
パターン3はアーススルーホール6を通じ、メイン基板
9の回路パターン4と同一面のアースパターン3を介し
て半田付部7によって金属枠体1と接続されている。そ
の際、金属枠体1との十分なるアース接地による均一な
アースレベルを得るために、メイン基板9の回路パター
ン4と逆面のアースパターン3と金属枠体1とを接続す
る半田付部7は、必要なだけ設けられている。したがっ
て、均一なアースレベルを有するメイン基板9の回路パ
ターン4と逆面のアースパターン3とのクリーム半田2
0による必要な面積分だけ接続された結果、横置サブ基
板18の回路パターン4と逆面のアースパターン3は、
メイン基板9のそれと同じく均一なアースレベルとなる
。
(発明の効果)
本発明によれば、メイン基板の回路パターンと逆面のア
ースパターンは金属枠体に十分アース接地されて、均一
なアースレベルを得ることができる。さらに、メイン基
板のアースパターンとの必要な位置の半田付接続により
十分なアース接地が得られ、サブ基板の回路パターンと
逆面のアースパターンは均一なアースレベルを得ること
ができ、マイクロストリップ回路としてのサブ基板に対
する他からの妨害を受けることが少なくなり、その実用
上の効果は極めて大である。
ースパターンは金属枠体に十分アース接地されて、均一
なアースレベルを得ることができる。さらに、メイン基
板のアースパターンとの必要な位置の半田付接続により
十分なアース接地が得られ、サブ基板の回路パターンと
逆面のアースパターンは均一なアースレベルを得ること
ができ、マイクロストリップ回路としてのサブ基板に対
する他からの妨害を受けることが少なくなり、その実用
上の効果は極めて大である。
第1図は本発明の一実施例におけるアース構造の組立斜
視図、第2図(1)は同B−B断面図、第2図(2)は
同矢視C図、第3図は基板組立手順の詳細図、第4図(
1)は第1図のA−A断面図、第4図(2)は同矢視り
図、第5図は金属枠体の斜視図、第6図は同E−E断面
図、第7図(1)は従来のアース構造の組立斜視図、第
7図(2)は同矢視C図、第8図は同基板組立手順の詳
細図、第9図(1)は第7図のF−F断面図、第9図(
2)は同矢視H図である。 1・・・金属枠体、 2・・・基板、 3・・・アース
パターン、 4・・回路パターン、 5・・・回路部
品、 6・・・アーススルーホール、 7・・半田付
部、 8・・・サブ基板、 9・・・メイン基板、 1
0・・・足、 11・・・角孔、 12・・・にがし、
13・・・受、 14・・爪、 15・・・半田付a
部、 16・・・半田付す部、 17・・回路ランド、
18・・・横置サブ基板、 19・・・回路スルーホ
ール、 20・・・クリーム半田。 特許出願人 松下電器産業株式会社
視図、第2図(1)は同B−B断面図、第2図(2)は
同矢視C図、第3図は基板組立手順の詳細図、第4図(
1)は第1図のA−A断面図、第4図(2)は同矢視り
図、第5図は金属枠体の斜視図、第6図は同E−E断面
図、第7図(1)は従来のアース構造の組立斜視図、第
7図(2)は同矢視C図、第8図は同基板組立手順の詳
細図、第9図(1)は第7図のF−F断面図、第9図(
2)は同矢視H図である。 1・・・金属枠体、 2・・・基板、 3・・・アース
パターン、 4・・回路パターン、 5・・・回路部
品、 6・・・アーススルーホール、 7・・半田付
部、 8・・・サブ基板、 9・・・メイン基板、 1
0・・・足、 11・・・角孔、 12・・・にがし、
13・・・受、 14・・爪、 15・・・半田付a
部、 16・・・半田付す部、 17・・回路ランド、
18・・・横置サブ基板、 19・・・回路スルーホ
ール、 20・・・クリーム半田。 特許出願人 松下電器産業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 裏面に回路パターンとアースパターンを有し、表面に前
記回路パターンと電気的に接続されたアースパターンを
有し、前記裏面の回路パターンに接続され、かつ表面側
に露出する回路ランドを有するメイン基板の裏面上に、 裏面に回路パターン有し、表面に前記回路パターンと回
路ランドを介して電気的に接続されたサブ基板の表面が
、前記両回路ランドの位置が互いに一致する如く重ねら
れ、 前記メイン基板の表面のアースパターンおよび回路ラン
ドと前記サブ基板のアースパターンおよび回路ランドが
それぞれ半田付接続され、かつ前記メイン基板のアース
パターンと金属枠体とが半田付接続された ことを特徴とするアース構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31601787A JPH0775268B2 (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | アース構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31601787A JPH0775268B2 (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | アース構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158789A true JPH01158789A (ja) | 1989-06-21 |
| JPH0775268B2 JPH0775268B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=18072322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31601787A Expired - Lifetime JPH0775268B2 (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | アース構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0775268B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005035999A1 (en) * | 2003-10-11 | 2005-04-21 | Sense Good | Vacuum fixer |
| JP2008064264A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Sony Corp | 吸盤装置 |
-
1987
- 1987-12-16 JP JP31601787A patent/JPH0775268B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005035999A1 (en) * | 2003-10-11 | 2005-04-21 | Sense Good | Vacuum fixer |
| JP2008064264A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Sony Corp | 吸盤装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0775268B2 (ja) | 1995-08-09 |
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