JPH0775268B2 - アース構造 - Google Patents
アース構造Info
- Publication number
- JPH0775268B2 JPH0775268B2 JP31601787A JP31601787A JPH0775268B2 JP H0775268 B2 JPH0775268 B2 JP H0775268B2 JP 31601787 A JP31601787 A JP 31601787A JP 31601787 A JP31601787 A JP 31601787A JP H0775268 B2 JPH0775268 B2 JP H0775268B2
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- JP
- Japan
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- circuit
- pattern
- board
- ground
- main board
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Structure Of Receivers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、衛星放送受信用超高周波ユニットに用いられ
るマイクロストリップ回路におけるアース構造に関する
ものである。
るマイクロストリップ回路におけるアース構造に関する
ものである。
（従来の技術） 従来、マイクロストリップ回路とは、誘電体基板（以
下、基板と略す）の一方の面に回路パターンを、他方の
面にアースパターンを有する回路のことである。一つの
例を第５図，第６図に示す。第５図において、金属枠体
１に基板２を装着し、矢印方向にDip半田付する。その
Ｅ−Ｅ断面を第６図に示す。同図において、アースパタ
ーン３と逆の面に回路パターン４があり、回路パターン
４上に回路部品５が半田付されている。また、アースパ
ターン３はアーススルーホール６を介して金属枠体１
に、半田付部７においてアース半田付されている。ここ
で、マイクロストリップ回路の回路パターンと逆面のア
ースパターンにおいて、内部発振器または外部からの妨
害に対する安定度を確保するために、金属枠体との十分
なるアース接地による均一なアースレベルを有すること
が重要となる。そして、小型のセット動向に対応して、
ユニットを小さくするための高密度実装化を実現するこ
とが求められている。
下、基板と略す）の一方の面に回路パターンを、他方の
面にアースパターンを有する回路のことである。一つの
例を第５図，第６図に示す。第５図において、金属枠体
１に基板２を装着し、矢印方向にDip半田付する。その
Ｅ−Ｅ断面を第６図に示す。同図において、アースパタ
ーン３と逆の面に回路パターン４があり、回路パターン
４上に回路部品５が半田付されている。また、アースパ
ターン３はアーススルーホール６を介して金属枠体１
に、半田付部７においてアース半田付されている。ここ
で、マイクロストリップ回路の回路パターンと逆面のア
ースパターンにおいて、内部発振器または外部からの妨
害に対する安定度を確保するために、金属枠体との十分
なるアース接地による均一なアースレベルを有すること
が重要となる。そして、小型のセット動向に対応して、
ユニットを小さくするための高密度実装化を実現するこ
とが求められている。
限られたスペース内でのマイクロストリップ回路の高密
度実装化を目的とした中での従来のアース構造は、第７
図，第８図および第９図に示す。
度実装化を目的とした中での従来のアース構造は、第７
図，第８図および第９図に示す。
第７図（１）は、従来のアース構造における組立斜視図
である。第７図（２）に示すように、アースパターン３
を有し、かつその逆面の回路パターン４に回路部品５を
半田付したサブ基板８を、アースパターン３を有するメ
イン基板９に足10,角孔11を介して挿入する。ここで、
サブ基板8,回路パターン４との短絡を防止するために、
メイン基板９のアースパターン３には、にがし12があ
る。また、第７図（１）におけるメイン基板９のアース
パターン３は、アーススルーホール６により逆面のアー
スパターン３と接続されている。サブ基板８を挿入した
メイン基板９を、金属枠体１へ受13の位置まで挿入し、
爪14でかしめ止めして、第７図（１）の矢印方向へDip
を半田付する。
である。第７図（２）に示すように、アースパターン３
を有し、かつその逆面の回路パターン４に回路部品５を
半田付したサブ基板８を、アースパターン３を有するメ
イン基板９に足10,角孔11を介して挿入する。ここで、
サブ基板8,回路パターン４との短絡を防止するために、
メイン基板９のアースパターン３には、にがし12があ
る。また、第７図（１）におけるメイン基板９のアース
パターン３は、アーススルーホール６により逆面のアー
スパターン３と接続されている。サブ基板８を挿入した
メイン基板９を、金属枠体１へ受13の位置まで挿入し、
爪14でかしめ止めして、第７図（１）の矢印方向へDip
を半田付する。
さらに、基板組立手順の詳細を第８図に示す。同図にお
いて、サブ基板8,メイン基板９に各々回路部品５を実装
し、サブ基板８は回路部品５をDip半田付したのち、メ
イン基板９へ挿入する。さらに、メイン基板９とサブ基
板8,メイン基板９の回路部品を各々Dip半田付する。
いて、サブ基板8,メイン基板９に各々回路部品５を実装
し、サブ基板８は回路部品５をDip半田付したのち、メ
イン基板９へ挿入する。さらに、メイン基板９とサブ基
板8,メイン基板９の回路部品を各々Dip半田付する。
第７図（１）の完成品のＦ−Ｆ断面を第９図（１）に示
す。さらに、第９図（１）の矢視Ｈを第９図（２）に示
す。サブ基板８の回路パターン４とメイン基板９の回路
パターン４とは、半田付ａ部15で接続され、メイン基板
９の回路パターン４と同一面のアースパターン３と、サ
ブ基板８の回路パターン４とその逆面のアースパターン
３とは、半田付ｂ部16で接続され、さらに、メイン基板
９の回路パターン４と同一面のアースパターン３と金属
枠体１とは、半田付部７で接続されている。
す。さらに、第９図（１）の矢視Ｈを第９図（２）に示
す。サブ基板８の回路パターン４とメイン基板９の回路
パターン４とは、半田付ａ部15で接続され、メイン基板
９の回路パターン４と同一面のアースパターン３と、サ
ブ基板８の回路パターン４とその逆面のアースパターン
３とは、半田付ｂ部16で接続され、さらに、メイン基板
９の回路パターン４と同一面のアースパターン３と金属
枠体１とは、半田付部７で接続されている。
また、第９図（２）の矢視Ｈに示すように、メイン基板
９の回路パターン４とその逆面のアースパターン３はア
ーススルーホール６を通じ、メイン基板９の回路パター
ン４と同一面のアースパターン３を介して、半田付部７
によって金属枠体１と接続されている。その際、メイン
基板９の回路パターン４と逆面のアースパターン３にお
いて、金属枠体１との十分なるアース接地による均一な
アースレベルを得るために、メイン基板９の回路パター
ン４と逆面のアースパターン３と金属枠体１とを接続す
る半田付部７は、必要なだけ設けられる。｛第９図
（２）においては２箇所設けてある。｝ 従来例をまとめると、金属枠体１内の限られたスペース
内でのマイクロストリップ回路の高密度実装化という目
的に対し、メイン基板９へサブ基板８を立てて挿入し、
上記のような構成により、メイン基板９とサブ基板８の
双方において、マイクロストリップ回路に必要な回路パ
ターン４と逆面のアースパターン３のアース接地を得な
がら、高密度実装化を図ったものである。
９の回路パターン４とその逆面のアースパターン３はア
ーススルーホール６を通じ、メイン基板９の回路パター
ン４と同一面のアースパターン３を介して、半田付部７
によって金属枠体１と接続されている。その際、メイン
基板９の回路パターン４と逆面のアースパターン３にお
いて、金属枠体１との十分なるアース接地による均一な
アースレベルを得るために、メイン基板９の回路パター
ン４と逆面のアースパターン３と金属枠体１とを接続す
る半田付部７は、必要なだけ設けられる。｛第９図
（２）においては２箇所設けてある。｝ 従来例をまとめると、金属枠体１内の限られたスペース
内でのマイクロストリップ回路の高密度実装化という目
的に対し、メイン基板９へサブ基板８を立てて挿入し、
上記のような構成により、メイン基板９とサブ基板８の
双方において、マイクロストリップ回路に必要な回路パ
ターン４と逆面のアースパターン３のアース接地を得な
がら、高密度実装化を図ったものである。
（発明が解決しようとする問題点） 上記従来の方式では、メイン基板９の回路パターン４の
逆面のアースパターン３が、任意の位置のアーススルー
ホール６を介して必要なだけアース接地が得られるのに
対し、サブ基板８の回路パターン４の逆面のアースパタ
ーン３は、アース接地を得るところが足10として限定さ
れてしまう。その結果、サブ基板８のアースパターン３
のベースレベルは、足10からの距離によって左右されて
均一なレベルが得られず、他からの妨害を受けやすい欠
点があった。
逆面のアースパターン３が、任意の位置のアーススルー
ホール６を介して必要なだけアース接地が得られるのに
対し、サブ基板８の回路パターン４の逆面のアースパタ
ーン３は、アース接地を得るところが足10として限定さ
れてしまう。その結果、サブ基板８のアースパターン３
のベースレベルは、足10からの距離によって左右されて
均一なレベルが得られず、他からの妨害を受けやすい欠
点があった。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、サブ基板のアー
スパターンのアースレベルを均一化し、他からの妨害を
受けにくくするアース構造を提供することである。
スパターンのアースレベルを均一化し、他からの妨害を
受けにくくするアース構造を提供することである。
（問題点を解決するための手段） 本発明のアース構造は、裏面に回路パターンとアースパ
ターンとを有し、表面に裏面のアースパターンと電気的
に接続されたアースパターンを有し、裏面の回路パター
ンに接続され、かつ表面側に露出する回路ランドを有す
るメイン基板の表面上に、裏面に回路パターンを有し、
裏面にアースパターンを有し、裏面の回路パターンに接
続され、かつ表面側に露出する回路ランドを有するサブ
基板の表面が、両基板の回路ランドの位置が互いに一致
する如く重ねられ、前記メイン基板の表面のアースパタ
ーンおよび回路ランドに、前記サブ基板の表面のアース
パターンおよび回路ランドがそれぞれ半田付接続され、
かつ前記メイン基板の裏面のアースパターンが金属枠体
に半田付接続されたものである。
ターンとを有し、表面に裏面のアースパターンと電気的
に接続されたアースパターンを有し、裏面の回路パター
ンに接続され、かつ表面側に露出する回路ランドを有す
るメイン基板の表面上に、裏面に回路パターンを有し、
裏面にアースパターンを有し、裏面の回路パターンに接
続され、かつ表面側に露出する回路ランドを有するサブ
基板の表面が、両基板の回路ランドの位置が互いに一致
する如く重ねられ、前記メイン基板の表面のアースパタ
ーンおよび回路ランドに、前記サブ基板の表面のアース
パターンおよび回路ランドがそれぞれ半田付接続され、
かつ前記メイン基板の裏面のアースパターンが金属枠体
に半田付接続されたものである。
（作 用） 本発明は、上記構成により、メイン基板の回路パターン
と逆面のアースパターンは金属枠体に十分アース接地さ
れて、均一なアースレベルを得ることができる。さら
に、メイン基板のアースパターンとの半田付接続による
十分なアース接地の結果、サブ基板の回路パターンと逆
面のアースパターンは均一なアースレベルを得ることが
でき、マイクロストリップ回路としてのサブ基板に対す
る他からの妨害を防ぐことができる。
と逆面のアースパターンは金属枠体に十分アース接地さ
れて、均一なアースレベルを得ることができる。さら
に、メイン基板のアースパターンとの半田付接続による
十分なアース接地の結果、サブ基板の回路パターンと逆
面のアースパターンは均一なアースレベルを得ることが
でき、マイクロストリップ回路としてのサブ基板に対す
る他からの妨害を防ぐことができる。
（実施例） 本発明のアース構造における一実施例を第１図ないし第
４図に基づいて説明する。同図において、第５図ないし
第９図に示した従来例と同じ部分については同一符号を
付し、その説明を省略する。
４図に基づいて説明する。同図において、第５図ないし
第９図に示した従来例と同じ部分については同一符号を
付し、その説明を省略する。
第１図は、本発明のアース構造の概略の組立斜視図であ
る。第２図（１），（２）にその詳細を示す。尚、以下
に説明するメイン基板９および横置サブ基板18におい
て、相対向し回路ランド17が露出したそれぞれの面を表
面と、回路パターン４を有し回路部品５が実装されるそ
れぞれの面を裏面という。同図において、表面に回路ラ
ンド17,アースパターン３を有し、かつ裏面の回路パタ
ーン４に回路部品５を半田付した横置サブ基板18を、表
面に回路ランド17およびアースパターン３を有するメイ
ン基板９に、各基板の回路ランド17が互いに対向する位
置に合わせながら装着する。ここで、回路ランド17との
短絡を防ぐため、メイン基板９のアースパターン３およ
び第２図（２）に示す横置サブ基板18のアースパターン
３には、にがし12が設けてある。また、第１図における
メイン基板９において表面のアースパターン３は、アー
ススルーホール６により裏面のアースパターン３と接続
する。かつメイン基板9,横置サブ基板18の各々の回路ラ
ンド17は、回路スルーホール19により裏面の回路パター
ンと接続されている。そして、横置サブ基板18を装着し
たメイン基板９を、金属枠体１へ受13の位置まで挿入
し、爪14でかしめ止めして、第１図の矢印方向へDip半
田付する。
る。第２図（１），（２）にその詳細を示す。尚、以下
に説明するメイン基板９および横置サブ基板18におい
て、相対向し回路ランド17が露出したそれぞれの面を表
面と、回路パターン４を有し回路部品５が実装されるそ
れぞれの面を裏面という。同図において、表面に回路ラ
ンド17,アースパターン３を有し、かつ裏面の回路パタ
ーン４に回路部品５を半田付した横置サブ基板18を、表
面に回路ランド17およびアースパターン３を有するメイ
ン基板９に、各基板の回路ランド17が互いに対向する位
置に合わせながら装着する。ここで、回路ランド17との
短絡を防ぐため、メイン基板９のアースパターン３およ
び第２図（２）に示す横置サブ基板18のアースパターン
３には、にがし12が設けてある。また、第１図における
メイン基板９において表面のアースパターン３は、アー
ススルーホール６により裏面のアースパターン３と接続
する。かつメイン基板9,横置サブ基板18の各々の回路ラ
ンド17は、回路スルーホール19により裏面の回路パター
ンと接続されている。そして、横置サブ基板18を装着し
たメイン基板９を、金属枠体１へ受13の位置まで挿入
し、爪14でかしめ止めして、第１図の矢印方向へDip半
田付する。
さらに、基板組立手順の詳細を第３図に示す。横置サブ
基板18において、回路部品５を装着し、回路パターン４
側をDip半田付する。また、メイン基板９にも回路部品
５を装着し、表面の回路ランド17およびアースパターン
３に低温溶融するクリーム半田20を、回路ランド17とア
ースパターン３の必要な面積分に対し塗布する。ここ
で、上記の半田付済の横置サブ基板18を反転してから、
メイン基板９と横置サブ基板18の各々の回路ランド17が
互いに対向する位置に合わせてメイン基板９へ装着す
る。そして、メイン基板９の半田Dipをする前のプレヒ
ートでクリーム半田20が溶融し、メイン基板9,横置サブ
基板18の各々の対向する回路ランド17、ならびに回路パ
ターン４と逆面に位置するアースパターン３が必要な面
積分だけ半田付接続される。さらに、メイン基板９の半
田Dipによりメイン基板９の回路部品５が半田付され
る。
基板18において、回路部品５を装着し、回路パターン４
側をDip半田付する。また、メイン基板９にも回路部品
５を装着し、表面の回路ランド17およびアースパターン
３に低温溶融するクリーム半田20を、回路ランド17とア
ースパターン３の必要な面積分に対し塗布する。ここ
で、上記の半田付済の横置サブ基板18を反転してから、
メイン基板９と横置サブ基板18の各々の回路ランド17が
互いに対向する位置に合わせてメイン基板９へ装着す
る。そして、メイン基板９の半田Dipをする前のプレヒ
ートでクリーム半田20が溶融し、メイン基板9,横置サブ
基板18の各々の対向する回路ランド17、ならびに回路パ
ターン４と逆面に位置するアースパターン３が必要な面
積分だけ半田付接続される。さらに、メイン基板９の半
田Dipによりメイン基板９の回路部品５が半田付され
る。
また、第１図のＡ−Ａ断面を第４図（１）に、さらに、
第４図（１）の矢視Ｄを第４図（２）に示す。メイン基
板９と横置サブ基板18の各々の回路パターン４は、回路
スルーホール19を介して回路ランド17において対向状態
でクリーム半田20によって接続され、また、メイン基板
9,横置サブ基板18において各々の回路パターン４と逆面
に位置するアースパターン３も同様に、対向状態でクリ
ーム半田20によって必要な面積分だけ接続されている。
ここで、第４図（２）の矢視Ｄに示すように、メイン基
板９において回路パターン４と逆面のアースパターン３
はアーススルーホール６を通じ、メイン基板９の回路パ
ターン４と同一面のアースパターン３を介して半田付部
７によって金属枠体１と接続されている。その際、金属
枠体１との十分なるアース接地による均一なアースレベ
ルを得るために、メイン基板９の回路パターン４と逆面
のアースパターン３と金属枠体１とを接続する半田付部
７は、必要なだけ設けられている。したがって、均一な
アースレベルを有するメイン基板９の回路パターン４と
逆面のアースパターン３とのクリーム半田20による必要
な面積分だけ接続された結果、横置サブ基板18の回路パ
ターン４と逆面のアースパターン３は、メイン基板９の
それと同じく均一なアースレベルとなる。
第４図（１）の矢視Ｄを第４図（２）に示す。メイン基
板９と横置サブ基板18の各々の回路パターン４は、回路
スルーホール19を介して回路ランド17において対向状態
でクリーム半田20によって接続され、また、メイン基板
9,横置サブ基板18において各々の回路パターン４と逆面
に位置するアースパターン３も同様に、対向状態でクリ
ーム半田20によって必要な面積分だけ接続されている。
ここで、第４図（２）の矢視Ｄに示すように、メイン基
板９において回路パターン４と逆面のアースパターン３
はアーススルーホール６を通じ、メイン基板９の回路パ
ターン４と同一面のアースパターン３を介して半田付部
７によって金属枠体１と接続されている。その際、金属
枠体１との十分なるアース接地による均一なアースレベ
ルを得るために、メイン基板９の回路パターン４と逆面
のアースパターン３と金属枠体１とを接続する半田付部
７は、必要なだけ設けられている。したがって、均一な
アースレベルを有するメイン基板９の回路パターン４と
逆面のアースパターン３とのクリーム半田20による必要
な面積分だけ接続された結果、横置サブ基板18の回路パ
ターン４と逆面のアースパターン３は、メイン基板９の
それと同じく均一なアースレベルとなる。
（発明の効果） 本発明によれば、メイン基板の回路パターンと逆面のア
ースパターンは金属枠体に十分アース接地されて、均一
なアースレベルを得ることができる。さらに、メイン基
板のアースパターンとの必要な位置の半田付接続により
十分なアース接地が得られ、サブ基板の回路パターと逆
面のアースパターンは均一なアースレベルを得ることが
でき、マイクロストリップ回路としてのサブ基板に対す
る他からの妨害を受けることが少なくなり、その実用上
の効果は極めて大である。
ースパターンは金属枠体に十分アース接地されて、均一
なアースレベルを得ることができる。さらに、メイン基
板のアースパターンとの必要な位置の半田付接続により
十分なアース接地が得られ、サブ基板の回路パターと逆
面のアースパターンは均一なアースレベルを得ることが
でき、マイクロストリップ回路としてのサブ基板に対す
る他からの妨害を受けることが少なくなり、その実用上
の効果は極めて大である。
第１図は本発明の一実施例におけるアース構造の組立斜
視図、第２図（１）は同Ｂ−Ｂ断面図、第２図（２）は
同矢視Ｃ図、第３図は基板組立手順の詳細図、第４図
（１）は第１図のＡ−Ａ断面図、第４図（２）は同矢視
Ｄ図、第５図は金属枠体の斜視図、第６図は同Ｅ−Ｅ断
面図、第７図（１）は従来のアース構造の組立斜視図、
第７図（２）は同矢視Ｇ図、第８図は同基板組立手順の
詳細図、第９図（１）は第７図のＦ−Ｆ断面図、第９図
（２）は同矢視Ｈ図である。 １……金属枠体、２……基板、３……アースパターン、
４……回路パターン、５……回路部品、６……アースス
ルーホール、７……半田付部、８……サブ基板、９……
メイン基板、10……足、11……角孔、12……にがし、13
……受、14……爪、15……半田付ａ部、16……半田付ｂ
部、17……回路ランド、18……横置サブ基板、19……回
路スルーホール、20……クリーム半田。
視図、第２図（１）は同Ｂ−Ｂ断面図、第２図（２）は
同矢視Ｃ図、第３図は基板組立手順の詳細図、第４図
（１）は第１図のＡ−Ａ断面図、第４図（２）は同矢視
Ｄ図、第５図は金属枠体の斜視図、第６図は同Ｅ−Ｅ断
面図、第７図（１）は従来のアース構造の組立斜視図、
第７図（２）は同矢視Ｇ図、第８図は同基板組立手順の
詳細図、第９図（１）は第７図のＦ−Ｆ断面図、第９図
（２）は同矢視Ｈ図である。 １……金属枠体、２……基板、３……アースパターン、
４……回路パターン、５……回路部品、６……アースス
ルーホール、７……半田付部、８……サブ基板、９……
メイン基板、10……足、11……角孔、12……にがし、13
……受、14……爪、15……半田付ａ部、16……半田付ｂ
部、17……回路ランド、18……横置サブ基板、19……回
路スルーホール、20……クリーム半田。
Claims (1)
- 【請求項１】裏面に回路パターンとアースパターンとを
有し、表面に裏面のアースパターンと電気的に接続され
たアースパターンを有し、裏面の回路パターンに接続さ
れ、かつ表面側に露出する回路ランドを有するメイン基
板の表面上に、 裏面に回路パターンを有し、裏面にアースパターンを有
し、裏面の回路パターンに接続され、かつ表面側に露出
する回路ランドを有するサブ基板の表面が、両基板の回
路ランドの位置が互いに一致する如く重ねられ、 前記メイン基板の表面のアースパターンおよび回路ラン
ドに、前記サブ基板の表面のアースパターンおよび回路
ランドがそれぞれ半田付接続され、かつ前記メイン基板
の裏面のアースパターンが金属枠体に半田付接続された ことを特徴とするアース構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31601787A JPH0775268B2 (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | アース構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31601787A JPH0775268B2 (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | アース構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158789A JPH01158789A (ja) | 1989-06-21 |
| JPH0775268B2 true JPH0775268B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=18072322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31601787A Expired - Lifetime JPH0775268B2 (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | アース構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0775268B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200338320Y1 (ko) * | 2003-10-11 | 2004-01-13 | 최민우 | 흡착구 |
| JP2008064264A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Sony Corp | 吸盤装置 |
-
1987
- 1987-12-16 JP JP31601787A patent/JPH0775268B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01158789A (ja) | 1989-06-21 |
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Legal Events
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