JPH0115910B2 - - Google Patents
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- JPH0115910B2 JPH0115910B2 JP55187258A JP18725880A JPH0115910B2 JP H0115910 B2 JPH0115910 B2 JP H0115910B2 JP 55187258 A JP55187258 A JP 55187258A JP 18725880 A JP18725880 A JP 18725880A JP H0115910 B2 JPH0115910 B2 JP H0115910B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- pattern
- pad pattern
- detection window
- pad
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
- G06V10/20—Image preprocessing
- G06V10/24—Aligning, centring, orientation detection or correction of the image
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Image Input (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパターン位置検出方法に係り、特に映
像データ・メモリーを検出窓により切し出し、該
検出窓内のパターンを認識することによりパター
ンの絶対位置を高速に且つ正確に検出するように
したパターン位置検出方法に関する。
像データ・メモリーを検出窓により切し出し、該
検出窓内のパターンを認識することによりパター
ンの絶対位置を高速に且つ正確に検出するように
したパターン位置検出方法に関する。
半導体ICやハイブリツドICを組み立てる際の
自動ワイヤ・ボンデイング工程に於ては、半導体
ICチツプ上に形成されているボンデイング・パ
ツド・パターンの位置を精度良く然かも高速で検
出することが、上記ICの組立て歩留まりや組み
立て能率を向上せしめる上で極めて重要なことで
ある。
自動ワイヤ・ボンデイング工程に於ては、半導体
ICチツプ上に形成されているボンデイング・パ
ツド・パターンの位置を精度良く然かも高速で検
出することが、上記ICの組立て歩留まりや組み
立て能率を向上せしめる上で極めて重要なことで
ある。
従来上記パツド・パターンを認識する際には、
被処理物体例えば半導体ICチツプ全体を１視野
内に映し出し、所望の１スライス・レベルを有す
る２値化信号によりパツド・パターンの位置を直
接認識する方法が一般に用いられていたが、該従
来方法に於ては処理データ量が膨大になるために
認識時間が長くかかり、又複数個のパツド・パタ
ーンが垂直及び水平の両方向に整列形成されてい
ない場合、或るいはパツド・パターン近傍にパツ
ド・パターンの幅に類似した幅を有する配線パタ
ーン等が配設されている場合等に於ては、所望の
パツド・パターンを誤認することなく適確に認識
することが困難になる等の問題点があつた。
被処理物体例えば半導体ICチツプ全体を１視野
内に映し出し、所望の１スライス・レベルを有す
る２値化信号によりパツド・パターンの位置を直
接認識する方法が一般に用いられていたが、該従
来方法に於ては処理データ量が膨大になるために
認識時間が長くかかり、又複数個のパツド・パタ
ーンが垂直及び水平の両方向に整列形成されてい
ない場合、或るいはパツド・パターン近傍にパツ
ド・パターンの幅に類似した幅を有する配線パタ
ーン等が配設されている場合等に於ては、所望の
パツド・パターンを誤認することなく適確に認識
することが困難になる等の問題点があつた。
本発明は上記問題点を除去するために、ICチ
ツプの部分的な情報を検知することにより被処理
物体の位置及び形状を検出し、そのデータに基づ
いてICチツプ上の所定の位置に検出窓を設定し、
該検出窓内のボンデイング・パツド・パターンを
認識することにより処理データ量を大幅に削減す
ると同時にパツドパターンの誤認を防止したパタ
ーン位置検出方法を提供する。
ツプの部分的な情報を検知することにより被処理
物体の位置及び形状を検出し、そのデータに基づ
いてICチツプ上の所定の位置に検出窓を設定し、
該検出窓内のボンデイング・パツド・パターンを
認識することにより処理データ量を大幅に削減す
ると同時にパツドパターンの誤認を防止したパタ
ーン位置検出方法を提供する。
即ち本発明はレンズ系を具備する撮像系と、該
撮像系からの映像出力信号に対する２値化処理回
路と、物体上のパターン認識系とでICチツプ上
のパツドパターン位置を検出する方法に於いて、
ICチツプ上に配設されたパツドパターンの絶対
座標系における位置の認識を行うに際して、IC
チツプの絶対座標系における位置及び傾きによる
ずれ量を、該ICチツプの周囲との弁別が可能な
低位の第１のスライス・レベルで映像信号を２値
化して検出する工程、予め定められているICチ
ツプとパツドパターン間の相対位置情報及びパツ
ドパターンの外形情報とにより、設定される検出
窓を上記ICチツプの絶対座標系における位置及
び傾きによるずれ量の情報に基いて上記座標系の
Ｘ、Ｙ方向にぞれぞれ平行移動させて、パツドパ
ターンを認識する際に用いる検出窓を算定する工
程、ICチツプ上のパツドパターンの情報を該検
出窓により切り出してパツドパターンとICチツ
プとの弁別が可能な前記第１のスライス・レベル
より高位の第２のスライス・レベルで２値化する
工程を有することを特徴とする。
撮像系からの映像出力信号に対する２値化処理回
路と、物体上のパターン認識系とでICチツプ上
のパツドパターン位置を検出する方法に於いて、
ICチツプ上に配設されたパツドパターンの絶対
座標系における位置の認識を行うに際して、IC
チツプの絶対座標系における位置及び傾きによる
ずれ量を、該ICチツプの周囲との弁別が可能な
低位の第１のスライス・レベルで映像信号を２値
化して検出する工程、予め定められているICチ
ツプとパツドパターン間の相対位置情報及びパツ
ドパターンの外形情報とにより、設定される検出
窓を上記ICチツプの絶対座標系における位置及
び傾きによるずれ量の情報に基いて上記座標系の
Ｘ、Ｙ方向にぞれぞれ平行移動させて、パツドパ
ターンを認識する際に用いる検出窓を算定する工
程、ICチツプ上のパツドパターンの情報を該検
出窓により切り出してパツドパターンとICチツ
プとの弁別が可能な前記第１のスライス・レベル
より高位の第２のスライス・レベルで２値化する
工程を有することを特徴とする。
以下本発明を図を用いて実施例により詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例に用いる物体情報認
識装置の構成図、第２図ａ乃至ｄは本発明の一実
施例の工程パターン図、第３図は本発明の一実施
例に於るフローチヤート、第４図は本発明の一実
施例に於て物体情報認識装置に入力しておくデー
タ図、第５図ａ及びｂは本発明の一実施例に於け
るチツプ映像検出手順の説明図、第６図、第７
図、第８図は本発明の一実施例に於ける検出窓切
り出し手順説明図、第９図ａ及びｂは本発明の一
実施例に於けるパツド・パターン認識手順の説明
図、第１０図ａ乃至ｂ及び第１１図ａ乃至ｂ及び
第１２図はチツプの位置を検出する手順の他の実
施例の説明図、第１３図はチツプの位置及び傾き
を検出する手順の他の実施例の説明図である。
識装置の構成図、第２図ａ乃至ｄは本発明の一実
施例の工程パターン図、第３図は本発明の一実施
例に於るフローチヤート、第４図は本発明の一実
施例に於て物体情報認識装置に入力しておくデー
タ図、第５図ａ及びｂは本発明の一実施例に於け
るチツプ映像検出手順の説明図、第６図、第７
図、第８図は本発明の一実施例に於ける検出窓切
り出し手順説明図、第９図ａ及びｂは本発明の一
実施例に於けるパツド・パターン認識手順の説明
図、第１０図ａ乃至ｂ及び第１１図ａ乃至ｂ及び
第１２図はチツプの位置を検出する手順の他の実
施例の説明図、第１３図はチツプの位置及び傾き
を検出する手順の他の実施例の説明図である。
先ず本発明の方法を半導体ICチツプ上のパツ
ド・パターンを認識する際の例について説明す
る。
ド・パターンを認識する際の例について説明す
る。
本発明の方法に用いる物体情報認識装置は第１
図に示すように載物台１、レンズ系２を具備する
撮像系３、２値化信号処理系４、チツプ位置検出
系５、検出窓算定回路系６及びパツド・パターン
認識系７を有してなつており、載物台１上に固持
された被処理物体である半導体ICチツプ８はレ
ンズ系２を経て撮像系３で撮像される。そしてそ
の映像信号は２値化信号処理系４により先ず特定
のスライス・レベルでチツプ８の外観が２値化処
理（雑音処理を含む）され、該チツプ８外観の２
値化情報と、あらたに送入されるか、或るいは予
めメモリーに格納された検出窓サイズ・データに
基づいて検出窓算定回路系６により検出窓の位置
及び大きさが算定され、次いで該検出窓により切
り取られた所望の領域に於けるパツド・パターン
の映像信号が、２値化信号処理系４により前記チ
ツプ検出の際と異なる所定のスライス・レベルで
２値化処理（雑音処理を含む）されて、パツド・
パターンの外形及び位置の認識がなされる。
図に示すように載物台１、レンズ系２を具備する
撮像系３、２値化信号処理系４、チツプ位置検出
系５、検出窓算定回路系６及びパツド・パターン
認識系７を有してなつており、載物台１上に固持
された被処理物体である半導体ICチツプ８はレ
ンズ系２を経て撮像系３で撮像される。そしてそ
の映像信号は２値化信号処理系４により先ず特定
のスライス・レベルでチツプ８の外観が２値化処
理（雑音処理を含む）され、該チツプ８外観の２
値化情報と、あらたに送入されるか、或るいは予
めメモリーに格納された検出窓サイズ・データに
基づいて検出窓算定回路系６により検出窓の位置
及び大きさが算定され、次いで該検出窓により切
り取られた所望の領域に於けるパツド・パターン
の映像信号が、２値化信号処理系４により前記チ
ツプ検出の際と異なる所定のスライス・レベルで
２値化処理（雑音処理を含む）されて、パツド・
パターンの外形及び位置の認識がなされる。
上記工程をパターン図で示したのが第２図ａ乃
至ｄで第２図ａは被処理半導体ICチツプの上面
図を示し、図に於て８は半導体ICチツプ、９は
パツド・パターンを表わす。又第２図ｂは撮像系
で読み取られた映像信号パターンを示し８′はチ
ツプの映像信号、９′はパツド・パターンの映像
信号を表わす。そして第２図ｃは前記映像信号を
特定のスライス・レベルで２値化処理を行つた後
のチツプ信号８″を示したもので、図に於て斜線
を施した領域１０はチツプ外部の信号領域であ
る。そして更に第２図ｄは前記映像信号に於ける
検出窓１１によつて切り出された領域を、前記チ
ツプの場合と異なる所望のスライス・レベルで２
値化処理を行つて後のパツド・パターン信号９″
を示したもので、検出窓１１の外側の領域１２は
認識を行わない領域（不認識領域）を示し、９は
不認識領域に存在するパツド・パターン映像信号
を表わす。
至ｄで第２図ａは被処理半導体ICチツプの上面
図を示し、図に於て８は半導体ICチツプ、９は
パツド・パターンを表わす。又第２図ｂは撮像系
で読み取られた映像信号パターンを示し８′はチ
ツプの映像信号、９′はパツド・パターンの映像
信号を表わす。そして第２図ｃは前記映像信号を
特定のスライス・レベルで２値化処理を行つた後
のチツプ信号８″を示したもので、図に於て斜線
を施した領域１０はチツプ外部の信号領域であ
る。そして更に第２図ｄは前記映像信号に於ける
検出窓１１によつて切り出された領域を、前記チ
ツプの場合と異なる所望のスライス・レベルで２
値化処理を行つて後のパツド・パターン信号９″
を示したもので、検出窓１１の外側の領域１２は
認識を行わない領域（不認識領域）を示し、９は
不認識領域に存在するパツド・パターン映像信号
を表わす。
次に本実施例のパターン位置検出方法を第３図
に示すフローチヤートを用いて説明する。なお第
３図に於て１３は撮像信号、１４は２値化信号処
理、１５はチツプ映像の検出、１６はチツプとパ
ツド・パターンの相対アドレス・データ、１７は
窓サイズ・データ、１８は検出窓算定、１９はパ
ツド・パターン映像の検出、２０はパツド位置の
認識を示す。即ち被処理半導体ICチツプの撮像
信号１３は２値化信号処理１４により所望のスラ
イス・レベルで２値化信号化されチツプ映像の検
出がなされる。次いで該チツプ映像データ（位置
と傾き）と、該パターン認識装置に例えば予め入
力されているチツプとパツドとの相対アドレス・
データ１６及び窓サイズ・データ１７とを用いて
検出窓算定１８がなされ検出窓の位置が決めら
れ、撮像信号１３に於ける該検出窓により切り出
された領域を前記チツプ検出の場合と異なる所望
のスライス・レベルで信号２値化を行い、検出窓
内のパツド・パターン映像の検出がなされ、該パ
ツド・パターン映像からパツド・パターン位置の
認識２０がなされる。なお第４図はセルフ・テイ
ーチングと称する公知の手入力手段の一部を示す
もので、パターン認識装置に予め入力しておくチ
ツプとパツド・パターンの相対位置及び検出窓の
データを示すもので、これらデータは例えばチツ
プ２１のコーナC1からパツド・パターンP1の中
心（検出窓の中心に相当する）まで距離（x1、
y1）及びチツプ２１のコーナC2からパツド・パタ
ーンP2の中心（検出窓の中心に相当する）まで
距離（x2、y2）及び検出窓の各辺の長さxp1、
yp1、xp2、yp2及びチツプ２１の各辺の長さxcと
yc等のビツト・データである。そして検出窓の
大きさは該窓内に表出されるパツド・パターンに
±10〔度〕程度の傾きがあつても検出窓内にパツ
ド・パターンが収容しきれるような大きさに設定
しておく必要がある。
に示すフローチヤートを用いて説明する。なお第
３図に於て１３は撮像信号、１４は２値化信号処
理、１５はチツプ映像の検出、１６はチツプとパ
ツド・パターンの相対アドレス・データ、１７は
窓サイズ・データ、１８は検出窓算定、１９はパ
ツド・パターン映像の検出、２０はパツド位置の
認識を示す。即ち被処理半導体ICチツプの撮像
信号１３は２値化信号処理１４により所望のスラ
イス・レベルで２値化信号化されチツプ映像の検
出がなされる。次いで該チツプ映像データ（位置
と傾き）と、該パターン認識装置に例えば予め入
力されているチツプとパツドとの相対アドレス・
データ１６及び窓サイズ・データ１７とを用いて
検出窓算定１８がなされ検出窓の位置が決めら
れ、撮像信号１３に於ける該検出窓により切り出
された領域を前記チツプ検出の場合と異なる所望
のスライス・レベルで信号２値化を行い、検出窓
内のパツド・パターン映像の検出がなされ、該パ
ツド・パターン映像からパツド・パターン位置の
認識２０がなされる。なお第４図はセルフ・テイ
ーチングと称する公知の手入力手段の一部を示す
もので、パターン認識装置に予め入力しておくチ
ツプとパツド・パターンの相対位置及び検出窓の
データを示すもので、これらデータは例えばチツ
プ２１のコーナC1からパツド・パターンP1の中
心（検出窓の中心に相当する）まで距離（x1、
y1）及びチツプ２１のコーナC2からパツド・パタ
ーンP2の中心（検出窓の中心に相当する）まで
距離（x2、y2）及び検出窓の各辺の長さxp1、
yp1、xp2、yp2及びチツプ２１の各辺の長さxcと
yc等のビツト・データである。そして検出窓の
大きさは該窓内に表出されるパツド・パターンに
±10〔度〕程度の傾きがあつても検出窓内にパツ
ド・パターンが収容しきれるような大きさに設定
しておく必要がある。
次に第５図ａ及びｂを用いてチツプ映像検出の
手順を示す。第５図ａはチツプ２１の左上部のチ
ツプ・コーナC1、第５図ｂはチツプ２１の右下
部のチツプ・コーナC2の検出手順を表わしてい
るが、該検出の手順は例えば先ず第５図ａに示す
ように予めセルフテイーチの際に指示したデータ
に基づき映像エリア（ABCD）の左上のコーナ
Ａから該映像エリアを斜め方向に矢印しのように
走査し、チツプ信号にぶつかつたアドレスC1を
左上のチツプ・コーナとし、次いだ第５図ｂに示
すように映像エリア（ABCD）の右下のコーナ
Ｃから該映像エリアを斜め方向に矢印しに示すよ
うに走査し、チツプ信号にぶつかつたアドレス
C2を右下のチツプ・コーナとしてチツプ位置の
検出を行う。
手順を示す。第５図ａはチツプ２１の左上部のチ
ツプ・コーナC1、第５図ｂはチツプ２１の右下
部のチツプ・コーナC2の検出手順を表わしてい
るが、該検出の手順は例えば先ず第５図ａに示す
ように予めセルフテイーチの際に指示したデータ
に基づき映像エリア（ABCD）の左上のコーナ
Ａから該映像エリアを斜め方向に矢印しのように
走査し、チツプ信号にぶつかつたアドレスC1を
左上のチツプ・コーナとし、次いだ第５図ｂに示
すように映像エリア（ABCD）の右下のコーナ
Ｃから該映像エリアを斜め方向に矢印しに示すよ
うに走査し、チツプ信号にぶつかつたアドレス
C2を右下のチツプ・コーナとしてチツプ位置の
検出を行う。
次に第６図、第７図及び第８図を用いて検出窓
切り出しの手順を示す。即ち先ず第６図に示すよ
うにチツプ・コーナC1を基点として予め入力さ
れているチツプ・コーナから検出窓の中心までの
距離（x1y1）離れた位置を中心として予め入力さ
れている大きさ（xp1yp1）を有する検出窓１１
を設定する。次いで第７図に示すようにチツプ・
コーナC1に於て、該チツプ・コーナC1から右側
へ所定の距離lx1離れた位置で垂直方向へ、又C1
から下側へ所定の距離ly1離れた位置で水平方向
へチツプ信号を走査し、チツプの傾きによるずれ
量Δx1及びΔy1を検出する。次いで第６図の手順
により設定された検出窓１１の位置を上記チツプ
の傾きによるずれ量Δx1及びΔy1を用いて第８図
に示すように補正して検出窓の切り出しを行う。
即ち該補正を行うことによりチツプ・コーナC1
からｘ方向にx1−Δx1、ｙ方向にy1＋Δy1へだた
つた位置に中心Ｏを有しxp1、yp1の辺を有する
検出窓１１が切り出される。なお同図に於て点線
で示したのは補正前の検出窓１１′である。又該
検出窓１１の補正に於ては、チツプの傾きに応じ
て検出窓を傾けることはしないが、前述したよう
に検出窓の大きさはパツド・パターンが±10〔度〕
程度傾いても収容しきれるような大きさに予め設
定されているので問題はない。更に又C1以外の
チツプ・コーナに近い位置のパツド・パターンに
対する検出窓を切り出す際には、該パツド・パタ
ーンに近いチツプ・コーナ位置を検出し、該チツ
プ・コーナを基準にして同様の手順により検出窓
の切り出しが行われる。そして次いで該検出窓内
のパツド・パターンの認識がなされる。
切り出しの手順を示す。即ち先ず第６図に示すよ
うにチツプ・コーナC1を基点として予め入力さ
れているチツプ・コーナから検出窓の中心までの
距離（x1y1）離れた位置を中心として予め入力さ
れている大きさ（xp1yp1）を有する検出窓１１
を設定する。次いで第７図に示すようにチツプ・
コーナC1に於て、該チツプ・コーナC1から右側
へ所定の距離lx1離れた位置で垂直方向へ、又C1
から下側へ所定の距離ly1離れた位置で水平方向
へチツプ信号を走査し、チツプの傾きによるずれ
量Δx1及びΔy1を検出する。次いで第６図の手順
により設定された検出窓１１の位置を上記チツプ
の傾きによるずれ量Δx1及びΔy1を用いて第８図
に示すように補正して検出窓の切り出しを行う。
即ち該補正を行うことによりチツプ・コーナC1
からｘ方向にx1−Δx1、ｙ方向にy1＋Δy1へだた
つた位置に中心Ｏを有しxp1、yp1の辺を有する
検出窓１１が切り出される。なお同図に於て点線
で示したのは補正前の検出窓１１′である。又該
検出窓１１の補正に於ては、チツプの傾きに応じ
て検出窓を傾けることはしないが、前述したよう
に検出窓の大きさはパツド・パターンが±10〔度〕
程度傾いても収容しきれるような大きさに予め設
定されているので問題はない。更に又C1以外の
チツプ・コーナに近い位置のパツド・パターンに
対する検出窓を切り出す際には、該パツド・パタ
ーンに近いチツプ・コーナ位置を検出し、該チツ
プ・コーナを基準にして同様の手順により検出窓
の切り出しが行われる。そして次いで該検出窓内
のパツド・パターンの認識がなされる。
上記検出窓内に切り出されたパツド・パターン
映像は２値化処理されているので、パツド・パタ
ーンの認識は第９図ａに示すように該パツド・パ
ターンの２値化信号像P1′をｘ軸及びｙ軸へ投影
し、その信号ビツト数からパターン幅及びその中
心を求めることによつてなされる。なお同図に於
て、１１は検出窓、２２はＰ−Ｐきず、Z1及びZ2
は認識不要の２値化信号パターン、１０は無信号
領域、Ｘはｘ軸投影パターン、Ｙはｙ軸投影パタ
ーンを示す。そして上記投影を行つてパターン幅
を求める手順は第９図ｂにｘ軸投影パターンの例
をとつて示すように、投影ビツト信号X′の上方
からｘ軸に沿つた方向に連続したビツト列の長さ
を例えばl1、l2のように計数する。そして該ビツ
ト列の長さが予め入力してあるパツド・パターン
幅l0より大きくない場合は１〔ライン〕下方へず
らして再び連続したビツト列の長さ例えばm1、
m2、m3を計数し、これらをl0と比較する。この
ような操作を繰り返えし、始めてl0より大きい連
続ビツト列例えばn1が得られた時に、このn1をパ
ツド・パターン幅と認識する。そして更にビツト
列n1の始点アドレスxiと終点アドレスxi＋n1から
その中間値〔xi＋xi＋ｎ／２〕としてパツド・パタ ーンのｘ座標中央点アドレスを求める。又ｙ軸投
影パターンについても同様の方法でｙ軸方向のパ
ツド・パターン幅とｙ座標中央点アドレスを求
め、該ｙ座標中央点アドレスと前記ｘ座標中央点
アドレスからパツド・パターンの中心アドレスを
認識する。
映像は２値化処理されているので、パツド・パタ
ーンの認識は第９図ａに示すように該パツド・パ
ターンの２値化信号像P1′をｘ軸及びｙ軸へ投影
し、その信号ビツト数からパターン幅及びその中
心を求めることによつてなされる。なお同図に於
て、１１は検出窓、２２はＰ−Ｐきず、Z1及びZ2
は認識不要の２値化信号パターン、１０は無信号
領域、Ｘはｘ軸投影パターン、Ｙはｙ軸投影パタ
ーンを示す。そして上記投影を行つてパターン幅
を求める手順は第９図ｂにｘ軸投影パターンの例
をとつて示すように、投影ビツト信号X′の上方
からｘ軸に沿つた方向に連続したビツト列の長さ
を例えばl1、l2のように計数する。そして該ビツ
ト列の長さが予め入力してあるパツド・パターン
幅l0より大きくない場合は１〔ライン〕下方へず
らして再び連続したビツト列の長さ例えばm1、
m2、m3を計数し、これらをl0と比較する。この
ような操作を繰り返えし、始めてl0より大きい連
続ビツト列例えばn1が得られた時に、このn1をパ
ツド・パターン幅と認識する。そして更にビツト
列n1の始点アドレスxiと終点アドレスxi＋n1から
その中間値〔xi＋xi＋ｎ／２〕としてパツド・パタ ーンのｘ座標中央点アドレスを求める。又ｙ軸投
影パターンについても同様の方法でｙ軸方向のパ
ツド・パターン幅とｙ座標中央点アドレスを求
め、該ｙ座標中央点アドレスと前記ｘ座標中央点
アドレスからパツド・パターンの中心アドレスを
認識する。
この中央点アドレスを求める際、ｘ及びｙ軸
（第９図ｂ）の投影ビツト信号に於て、下方から
順次計数しl0より小さくなつたビツト列が得られ
たとき、一列下方のビツト例をパツド・パターン
幅と認識しても同様の効果が得られる。
（第９図ｂ）の投影ビツト信号に於て、下方から
順次計数しl0より小さくなつたビツト列が得られ
たとき、一列下方のビツト例をパツド・パターン
幅と認識しても同様の効果が得られる。
なお投影パターンでパツド・パターンの中心ア
ドレスを求める際に、上方ないし下方から順にビ
ツト列の長さを計数し予め指示したパツド・パタ
ーン幅値l0より大きくなつた時点ないし小さくな
つた時点で一列下方のビツト列でパツドを定義す
ることによる利点は、(1)パツド・パターン上にＰ
−Ｐ傷があつても正しいパツド幅の検出が可能で
ある、(2)パツド・パターン周辺に在存する認識不
要パターン（例えば配線パターン等）があつても
誤つて読み取ることがない等の点であり、このこ
とは第９図ａ及びｂから明らかである。
ドレスを求める際に、上方ないし下方から順にビ
ツト列の長さを計数し予め指示したパツド・パタ
ーン幅値l0より大きくなつた時点ないし小さくな
つた時点で一列下方のビツト列でパツドを定義す
ることによる利点は、(1)パツド・パターン上にＰ
−Ｐ傷があつても正しいパツド幅の検出が可能で
ある、(2)パツド・パターン周辺に在存する認識不
要パターン（例えば配線パターン等）があつても
誤つて読み取ることがない等の点であり、このこ
とは第９図ａ及びｂから明らかである。
次に本発明の方法に於ける各工程に適用できる
上記実施例と異なる方法を羅列して説明する。
上記実施例と異なる方法を羅列して説明する。
チツプ位置の検出について、その一方法である
外接四角形で検知する方法は本発明者等が既に出
願している（特願昭55−28597）。他の方法として
充分画素容量の大きい撮像系で映像が読み取れる
場合は、第１０図ａに示ように映像エリア
ABCDのコーアＡ及びＣの２点から斜方向へ矢
印しで示すように走査してチツプ・コーナC1及
びC2を検出する方法、及び第１０図ｂに示すよ
うに映像エリアABCDの各コーナから斜方向へ
矢印に示すように走査してチツプ・コーナC1、
C2、C3及びC4を検出する方法も適用できる。更
に又第１１図ａに示すようにチツプ・コーナの一
部を含み且つ０〜±θまでの種々な傾き角度を有
する１つ或るいは複数のテンプレート・データ
C1−θ、C1＋０、C1＋θ、C2−θ、C2＋０、C2
＋θ等を用意して置いて、第１１図ｂに示すよう
にチツプ映像21データが蓄積されたメモリー面上
を走査し、チツプ映像の所望のコーナC1と前記
テンプレート・データ例えばC1−θとパター
ン・マツチングしてチツプ・コーナ位置を検出す
ることもできる。そして画素容量が充分に大きい
撮像系が用いられる場合には、第１２図に示すよ
うにチツプ全周を含み、且つ０〜±θまでの種々
な傾き角度を有する複数のテンプレート・データ
例えばＣ−θ、C0及びＣ＋θを用意し、チツプ
映像全周とテンプレート・データのパターン・マ
ツチングを行うことによりチツプ位置を検出する
こともできる。なお上記パターン・マツチングを
行う際にはパターン・マツチング回路が必要であ
る。
外接四角形で検知する方法は本発明者等が既に出
願している（特願昭55−28597）。他の方法として
充分画素容量の大きい撮像系で映像が読み取れる
場合は、第１０図ａに示ように映像エリア
ABCDのコーアＡ及びＣの２点から斜方向へ矢
印しで示すように走査してチツプ・コーナC1及
びC2を検出する方法、及び第１０図ｂに示すよ
うに映像エリアABCDの各コーナから斜方向へ
矢印に示すように走査してチツプ・コーナC1、
C2、C3及びC4を検出する方法も適用できる。更
に又第１１図ａに示すようにチツプ・コーナの一
部を含み且つ０〜±θまでの種々な傾き角度を有
する１つ或るいは複数のテンプレート・データ
C1−θ、C1＋０、C1＋θ、C2−θ、C2＋０、C2
＋θ等を用意して置いて、第１１図ｂに示すよう
にチツプ映像21データが蓄積されたメモリー面上
を走査し、チツプ映像の所望のコーナC1と前記
テンプレート・データ例えばC1−θとパター
ン・マツチングしてチツプ・コーナ位置を検出す
ることもできる。そして画素容量が充分に大きい
撮像系が用いられる場合には、第１２図に示すよ
うにチツプ全周を含み、且つ０〜±θまでの種々
な傾き角度を有する複数のテンプレート・データ
例えばＣ−θ、C0及びＣ＋θを用意し、チツプ
映像全周とテンプレート・データのパターン・マ
ツチングを行うことによりチツプ位置を検出する
こともできる。なお上記パターン・マツチングを
行う際にはパターン・マツチング回路が必要であ
る。
チツプの位置及び傾きを検出する方法としては
次の様な方法もある。即ち第１３図に示すように
直交する２〔組〕（４本）の走査線イ，ロ，ハ，ニ
を用いてチツプ映像２１のメモリー・パターン上
を走査し走査線とチツプの各辺との交点アドレス
C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18を検出
し、11 16、12 15、13 18、14 17の中点Ｅ
、
Ｆ、Ｇ、Ｈを算出し、該中点のアドレスからチツ
プの中心アドレス０を求め、更にチツプの傾き及
びコーナ・アドレスC1、C2、C3、C4を求める。
次の様な方法もある。即ち第１３図に示すように
直交する２〔組〕（４本）の走査線イ，ロ，ハ，ニ
を用いてチツプ映像２１のメモリー・パターン上
を走査し走査線とチツプの各辺との交点アドレス
C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18を検出
し、11 16、12 15、13 18、14 17の中点Ｅ
、
Ｆ、Ｇ、Ｈを算出し、該中点のアドレスからチツ
プの中心アドレス０を求め、更にチツプの傾き及
びコーナ・アドレスC1、C2、C3、C4を求める。
チツプの傾きの検出は上記方法以外に前述した
特願昭55−28597、第１０図に示す方法、第１１
図に示す方法を用いても可能である。
特願昭55−28597、第１０図に示す方法、第１１
図に示す方法を用いても可能である。
以上説明したような方法によりパツド・パター
ンの認識を行う際にチツプ外形を検出する精度は
パツド・パターンの中心を認識する精度ほど高精
度である必要はない。従つてチツプ外形を検出す
る際の１ビツトの表わすパターン・データ・サイ
ズを、パツド・パターンを認識する際のビツト表
示データ・サイズよりも粗くし、両者の分解能を
異ならせることにより、パターン認識の効率を更
に向上させることができる。
ンの認識を行う際にチツプ外形を検出する精度は
パツド・パターンの中心を認識する精度ほど高精
度である必要はない。従つてチツプ外形を検出す
る際の１ビツトの表わすパターン・データ・サイ
ズを、パツド・パターンを認識する際のビツト表
示データ・サイズよりも粗くし、両者の分解能を
異ならせることにより、パターン認識の効率を更
に向上させることができる。
なお本発明の方法は上記実施例に示すに一回の
検出窓を用いる場合に限らず、検出窓で切り出し
た領域を更に微小な検出窓を用いて更に微小領域
に切り出す等、該操作を複数回繰り返えす際にも
適用できる。
検出窓を用いる場合に限らず、検出窓で切り出し
た領域を更に微小な検出窓を用いて更に微小領域
に切り出す等、該操作を複数回繰り返えす際にも
適用できる。
以上説明したように本発明によれば、ICチツ
プの外形を簡単な操作で検出した上で、その位置
からパツドパターンを含む狭い領域の検出窓を切
り出し、該検出窓内でパターン位置の認識がなさ
れるので、パターン認識を最少データ処理により
行うことができ、パターン認識の速度が向上する
と同時に、パツドパターンをその近傍にある他の
パターンと誤認することがなくなり、認識の信頼
性が向上する。
プの外形を簡単な操作で検出した上で、その位置
からパツドパターンを含む狭い領域の検出窓を切
り出し、該検出窓内でパターン位置の認識がなさ
れるので、パターン認識を最少データ処理により
行うことができ、パターン認識の速度が向上する
と同時に、パツドパターンをその近傍にある他の
パターンと誤認することがなくなり、認識の信頼
性が向上する。
従つて本発明の方法を用いれば半導体ICやハ
イブリツドIC等のワイヤ・ボンデング工程に於
ける能率及び歩留まりの向上が図れる。
イブリツドIC等のワイヤ・ボンデング工程に於
ける能率及び歩留まりの向上が図れる。
第１図は本発明の一実施例に用いる物体情報認
識装置の構成図、第２図ａ乃至ｄは本発明の一実
施例の工程パターン図、第３図は本発明の一実施
例に於けるフローチヤート、第４図は本発明の一
実施例に於て物体情報認識装置に入力しておくデ
ータ図、第５図ａ及びｂは本発明の一実施例に於
けるチツプ映像検出手順の説明図、第６図、第７
図、第８図は本発明の一実施例に於ける検出窓切
り出し手順説明図、第９図ａ及びｂは本発明の一
実施例に於けるパツド・パターン認識手順の説明
図、第１０図ａ乃至ｂ及び第１１図ａ乃至ｂ及び
第１２図はチツプの位置を検出する手順の他の実
施例の説明図、第１３図はチツプの位置及び傾き
を検出する手順の他の実施例の説明図である。 図に於て１は載物台、２はレンズ系、３は撮像
系、４は２値化信号処理系、５はチツプ検出系、
６は検出窓算定回路系、７はパツド・パターン認
識系、８は半導体ICチツプ、８′はチツプの映像
信号、８″は２値化処理後のチツプ信号、９はパ
ツド・パターン、９′はパツド・パターンの映像
信号、９″は２値化処理後のパツド・パターン信
号、９は不認識領域にあるパツド・パターンの映
像信号、１０は無信号領域、１１は検出窓、１２
は検出窓の外側領域（不認識領域）、１３は撮像
信号、１４は２値化信号処理、１５はチツプ映像
の検出、１６はチツプとパツド・パターンの相対
アドレスデータ、１７は窓サイズ・データ、１８
は検出窓算定、１９はパツド・パターン映像の検
出、２０はパツド位置の認識、２１はチツプ映
像、２２はＰ−Ｐきずを示す。
識装置の構成図、第２図ａ乃至ｄは本発明の一実
施例の工程パターン図、第３図は本発明の一実施
例に於けるフローチヤート、第４図は本発明の一
実施例に於て物体情報認識装置に入力しておくデ
ータ図、第５図ａ及びｂは本発明の一実施例に於
けるチツプ映像検出手順の説明図、第６図、第７
図、第８図は本発明の一実施例に於ける検出窓切
り出し手順説明図、第９図ａ及びｂは本発明の一
実施例に於けるパツド・パターン認識手順の説明
図、第１０図ａ乃至ｂ及び第１１図ａ乃至ｂ及び
第１２図はチツプの位置を検出する手順の他の実
施例の説明図、第１３図はチツプの位置及び傾き
を検出する手順の他の実施例の説明図である。 図に於て１は載物台、２はレンズ系、３は撮像
系、４は２値化信号処理系、５はチツプ検出系、
６は検出窓算定回路系、７はパツド・パターン認
識系、８は半導体ICチツプ、８′はチツプの映像
信号、８″は２値化処理後のチツプ信号、９はパ
ツド・パターン、９′はパツド・パターンの映像
信号、９″は２値化処理後のパツド・パターン信
号、９は不認識領域にあるパツド・パターンの映
像信号、１０は無信号領域、１１は検出窓、１２
は検出窓の外側領域（不認識領域）、１３は撮像
信号、１４は２値化信号処理、１５はチツプ映像
の検出、１６はチツプとパツド・パターンの相対
アドレスデータ、１７は窓サイズ・データ、１８
は検出窓算定、１９はパツド・パターン映像の検
出、２０はパツド位置の認識、２１はチツプ映
像、２２はＰ−Ｐきずを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レンズ系を具備する撮像系と、該撮像系から
の映像出力信号に対する２値化処理回路と、物体
上のパターン認識系とでICチツプ上のパツドパ
ターン位置を検出する方法に於いて、 ICチツプ上に配設されたパツドパターンの絶
対座標系における位置の認識を行うに際して、 ICチツプの絶対座標系における位置及び傾き
によるずれ量を、該ICチツプの周囲との弁別が
可能な低位の第１のスライス・レベルで映像信号
を２値化して検出する工程、 予め定められているICチツプとパツドパター
ン間の相対位置情報及びパツドパターンの外形情
報とにより、設定される検出窓を上記ICチツプ
の絶対座標系における位置及び傾きによるずれ量
の情報に基いて上記座標系のＸ、Ｙ方向にぞれぞ
れ平行移動させて、パツドパターンを認識する際
に用いる検出窓を算定する工程、 ICチツプ上のパツドパターンの情報を該検出
窓により切り出してパツドパターンとICチツプ
との弁別が可能な前記第１のスライス・レベルよ
り高位の第２のスライス・レベルで２値化する工
程を有することを特徴とするパターン位置検出方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55187258A JPS57111781A (en) | 1980-12-29 | 1980-12-29 | Pattern location detecting method |
| DE8181302575T DE3175773D1 (en) | 1980-06-10 | 1981-06-10 | Pattern position recognition apparatus |
| EP81302575A EP0041870B1 (en) | 1980-06-10 | 1981-06-10 | Pattern position recognition apparatus |
| US06/272,368 US4450579A (en) | 1980-06-10 | 1981-06-10 | Recognition method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55187258A JPS57111781A (en) | 1980-12-29 | 1980-12-29 | Pattern location detecting method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57111781A JPS57111781A (en) | 1982-07-12 |
| JPH0115910B2 true JPH0115910B2 (ja) | 1989-03-22 |
Family
ID=16202819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55187258A Granted JPS57111781A (en) | 1980-06-10 | 1980-12-29 | Pattern location detecting method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57111781A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59139486A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 図形読取装置 |
| JPS615385A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-11 | Omron Tateisi Electronics Co | 二次元視覚認識装置 |
| JPS615384A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-11 | Omron Tateisi Electronics Co | 二次元視覚認識装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5125936A (ja) * | 1974-08-28 | 1976-03-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | |
| JPS55119782A (en) * | 1979-03-09 | 1980-09-13 | Daihen Corp | Pattern automatic inspection method |
-
1980
- 1980-12-29 JP JP55187258A patent/JPS57111781A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57111781A (en) | 1982-07-12 |
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