JPH0115926B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0115926B2 JPH0115926B2 JP55164643A JP16464380A JPH0115926B2 JP H0115926 B2 JPH0115926 B2 JP H0115926B2 JP 55164643 A JP55164643 A JP 55164643A JP 16464380 A JP16464380 A JP 16464380A JP H0115926 B2 JPH0115926 B2 JP H0115926B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- lift
- conductor
- forming
- conductor coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜技術を用いて磁気ヘツド素子を作
製することに係り、特に、磁気コア内に導体コイ
ルを多数回巻線する方法を提供することに関す
る。
製することに係り、特に、磁気コア内に導体コイ
ルを多数回巻線する方法を提供することに関す
る。
従来薄膜磁気ヘツドの導体コイルを形成するた
めには、通常のホトエツチング法、エレクトロホ
ーミング法およびマスク蒸着法が利用されてい
る。しかし、通常のホトエツチング法で導体コイ
ルを形成しようとすると、化学エツチング法で
は、アンダーカツトが大きいため、約100μｍ程
度の磁気コア内に１〜3μｍ程度の導体コイルを
６〜12本巻回させた導体コイルを再現よく形成で
きなかつた。これをさけるため、プラズマエツチ
ング法、リアクテイブスパツタエツチング法を用
いたドライプロセスによる導体コイルパターン形
成が試みられている。しかし、これらの方法で
は、Cuのように導電性が高く、しかもエレクト
ロマイグレーシヨンのおそれがない材料をパター
ニングできないことが多いという問題があり、エ
ツチング法の適用には限界があつた。
めには、通常のホトエツチング法、エレクトロホ
ーミング法およびマスク蒸着法が利用されてい
る。しかし、通常のホトエツチング法で導体コイ
ルを形成しようとすると、化学エツチング法で
は、アンダーカツトが大きいため、約100μｍ程
度の磁気コア内に１〜3μｍ程度の導体コイルを
６〜12本巻回させた導体コイルを再現よく形成で
きなかつた。これをさけるため、プラズマエツチ
ング法、リアクテイブスパツタエツチング法を用
いたドライプロセスによる導体コイルパターン形
成が試みられている。しかし、これらの方法で
は、Cuのように導電性が高く、しかもエレクト
ロマイグレーシヨンのおそれがない材料をパター
ニングできないことが多いという問題があり、エ
ツチング法の適用には限界があつた。
エレクトロホーミング法は、めつき用下地膜を
あらかじめ形成した後に、ホトレジスト等のパタ
ーンをその上に形成し、そのパターンをマスクに
して導体コイルを形成する方法であり、IBMが
薄膜磁気ヘツドの作製に利用したといわれてい
る。しかしこの方法は、工程が多く、しかもめつ
きの際の工程管理を始めとするノウハウが多く、
多数の磁気ヘツドを一括して生産する場合には、
コストが高くなるという欠点がある。
あらかじめ形成した後に、ホトレジスト等のパタ
ーンをその上に形成し、そのパターンをマスクに
して導体コイルを形成する方法であり、IBMが
薄膜磁気ヘツドの作製に利用したといわれてい
る。しかしこの方法は、工程が多く、しかもめつ
きの際の工程管理を始めとするノウハウが多く、
多数の磁気ヘツドを一括して生産する場合には、
コストが高くなるという欠点がある。
マスク蒸着法は、プロセスは簡単であり、量産
化は容易であるが、約100μｍの磁気コア内に多
数の導体コイルパターンを形成できないという問
題があり、実用化は因難である。導体コイルの他
の形成方法として、例えば、特開昭53−33356号
公報には、支持部材上にリフトオフ膜を形成し、
写真蝕刻法によりリフトオフ膜及び支持部材を、
順次、所望形状に蝕刻した後、蝕刻された部分及
びリフトオフ膜上に、導体コイルとなる導体膜を
形成し、支持部材を溶解することにより、リフト
オフ膜と共に導体膜を除去し、導体コイルを形成
することが記載されている。
化は容易であるが、約100μｍの磁気コア内に多
数の導体コイルパターンを形成できないという問
題があり、実用化は因難である。導体コイルの他
の形成方法として、例えば、特開昭53−33356号
公報には、支持部材上にリフトオフ膜を形成し、
写真蝕刻法によりリフトオフ膜及び支持部材を、
順次、所望形状に蝕刻した後、蝕刻された部分及
びリフトオフ膜上に、導体コイルとなる導体膜を
形成し、支持部材を溶解することにより、リフト
オフ膜と共に導体膜を除去し、導体コイルを形成
することが記載されている。
前記従来技術では、支持部材に溶解液が接触す
る狭い部分から徐々に溶解が進行していくので、
支持部材を溶解除去するのに長時間を要する。
る狭い部分から徐々に溶解が進行していくので、
支持部材を溶解除去するのに長時間を要する。
また、リフトオフ膜上に形成された導体膜が溶
解液中に浮き上がり、一部が再び導体コイルの周
囲に付いて、短絡してしまう。
解液中に浮き上がり、一部が再び導体コイルの周
囲に付いて、短絡してしまう。
本発明の目的は、約100μｍの磁気コア内に、
導体コイルを多数回巻く新規で、簡単なプロセス
を提供することにある。
導体コイルを多数回巻く新規で、簡単なプロセス
を提供することにある。
本発明の特徴点は、導体コイルを形成する際に
リフトオフ法を用い、リフトオフ材上に堆積した
導体コイル用金属膜を電解エツチング法で取り除
くことにより、プロセスが容易で、再現性があり
しかも高精度の多巻回導体コイルを形成する方法
を提供するにある。
リフトオフ法を用い、リフトオフ材上に堆積した
導体コイル用金属膜を電解エツチング法で取り除
くことにより、プロセスが容易で、再現性があり
しかも高精度の多巻回導体コイルを形成する方法
を提供するにある。
以下本発明の詳細を、実施例とともに説明す
る。
る。
第１図は、本発明によつて多巻回平面構造薄膜
磁気ヘツドを作製する工程を示す。
磁気ヘツドを作製する工程を示す。
基板１上に下部磁性体２を形成した段階をｂに
示す。ついで、磁気ギヤツプ長となる絶縁膜３を
形成し、磁気ヘツドのバツクギヤツプとなる４の
部分の絶縁膜を除去する。ついで、被膜５を形成
した後、導体コイルを形成しようとする部分６を
選択的にエツチング、除去する。その際、第２図
ａのように、２層構造にしておき、上の層を下の
層より大きくし、上の層１１がその下の層１２よ
りも大きく、いわゆる“ひさし”を形成するよう
にしておく。その際１１あるいは１２の少くとも
一方が絶縁性の被膜であることが要求される。こ
の上に導体コイルを形成する導体膜を堆積する。
その際導体コイルとなる１４の部分と、前述の２
層膜上に堆積した導体膜１３の部分とは分離され
る。この工程まで進めたところを第１図のｅに示
す。ついで、導体コイル部以外の導体部を電解エ
ツチングする。第２図で示したように、導体コイ
ルを形成しようとする部分は被覆１１および１２
によつて絶縁分離されている。従つて、導体コイ
ルパターン８を残して、必要としない７の部分だ
けが選択的にエツチングされ、導体コイルが完成
する。
示す。ついで、磁気ギヤツプ長となる絶縁膜３を
形成し、磁気ヘツドのバツクギヤツプとなる４の
部分の絶縁膜を除去する。ついで、被膜５を形成
した後、導体コイルを形成しようとする部分６を
選択的にエツチング、除去する。その際、第２図
ａのように、２層構造にしておき、上の層を下の
層より大きくし、上の層１１がその下の層１２よ
りも大きく、いわゆる“ひさし”を形成するよう
にしておく。その際１１あるいは１２の少くとも
一方が絶縁性の被膜であることが要求される。こ
の上に導体コイルを形成する導体膜を堆積する。
その際導体コイルとなる１４の部分と、前述の２
層膜上に堆積した導体膜１３の部分とは分離され
る。この工程まで進めたところを第１図のｅに示
す。ついで、導体コイル部以外の導体部を電解エ
ツチングする。第２図で示したように、導体コイ
ルを形成しようとする部分は被覆１１および１２
によつて絶縁分離されている。従つて、導体コイ
ルパターン８を残して、必要としない７の部分だ
けが選択的にエツチングされ、導体コイルが完成
する。
ついで、リフトオフ膜５を除去する。（第１図
ｆ）ついで、上部磁性体と導体コイルとを絶縁分
離するための被覆９を形成し、第１図ｇの形状に
する。最後に、上部磁性体１０を堆積し、AA′の
部分まで切断、研摩することによつて薄膜磁気ヘ
ツドを完成する。
ｆ）ついで、上部磁性体と導体コイルとを絶縁分
離するための被覆９を形成し、第１図ｇの形状に
する。最後に、上部磁性体１０を堆積し、AA′の
部分まで切断、研摩することによつて薄膜磁気ヘ
ツドを完成する。
本発明によつて薄膜磁気ヘツドを作製する上で
最も大きな課題は、第１図ｄに示したリフトオフ
材パターンをいかに精度よく、しかも再現よく形
成するかという点にある。これを具体化する１つ
の方法としては、膜厚２〜4μｍの有機膜上に0.1
〜0.2μｍ程度の金属膜を形成しておき、通常のホ
トエツチング法で前記金属膜を精度よくパターニ
ングする。ついで、この金属膜をマスクにして、
有機膜を酸素プラズマ中でスパツタエツチングす
る。この際、有機膜は垂直に近い形状にエツチン
グされる。エツチング時間の経過とともに、有機
膜はアンダーカツトされるが、アンダーカツト幅
は有機膜を５時間程度オーバーエツチングしても
0.1〜0.3μｍ程度である。従つて、本方式を採用
することによつて、２〜4μｍ程度の厚い膜を高
精度にパターニングでき、第１図に示したプロセ
スで、約100μｍの長さの磁気コア内に６〜12タ
ーン程度の導体コイルを容易に形成できる。
最も大きな課題は、第１図ｄに示したリフトオフ
材パターンをいかに精度よく、しかも再現よく形
成するかという点にある。これを具体化する１つ
の方法としては、膜厚２〜4μｍの有機膜上に0.1
〜0.2μｍ程度の金属膜を形成しておき、通常のホ
トエツチング法で前記金属膜を精度よくパターニ
ングする。ついで、この金属膜をマスクにして、
有機膜を酸素プラズマ中でスパツタエツチングす
る。この際、有機膜は垂直に近い形状にエツチン
グされる。エツチング時間の経過とともに、有機
膜はアンダーカツトされるが、アンダーカツト幅
は有機膜を５時間程度オーバーエツチングしても
0.1〜0.3μｍ程度である。従つて、本方式を採用
することによつて、２〜4μｍ程度の厚い膜を高
精度にパターニングでき、第１図に示したプロセ
スで、約100μｍの長さの磁気コア内に６〜12タ
ーン程度の導体コイルを容易に形成できる。
本発明の変形例を第３図に示す。形成工程は、
第１図ｇまでは同じである。第１図ｆでは、第１
図ｄに示したリフトオフ材５もとり去つた状況を
示しているが、リフトオフ材として電気絶縁性の
ある膜を用いた場合には、第３図f′のようにその
絶縁膜を残しておきその上に新たに絶縁膜１５を
形成し、ついで第３図g′に示すように絶縁膜をパ
ターニングし、ついでh′に示すように上部磁性体
１０を形成し、AA′部まで切断、加工することに
よつて磁気ヘツドを作ることもできる。
第１図ｇまでは同じである。第１図ｆでは、第１
図ｄに示したリフトオフ材５もとり去つた状況を
示しているが、リフトオフ材として電気絶縁性の
ある膜を用いた場合には、第３図f′のようにその
絶縁膜を残しておきその上に新たに絶縁膜１５を
形成し、ついで第３図g′に示すように絶縁膜をパ
ターニングし、ついでh′に示すように上部磁性体
１０を形成し、AA′部まで切断、加工することに
よつて磁気ヘツドを作ることもできる。
本発明の他の変形例を第４図に示す。リフトオ
フ材としてホトレジスト膜１６を用い、光が斜方
からも入るようにして露光すると、第４図ａのよ
うにホトレジストパターンの上部よりも下部の方
が狭くなる。その上に導体材料を蒸着すると第４
図ｂに示すように導体はホトレジスト膜１６上に
堆積した導体膜１７とホトレジスト膜を除去した
部分に堆積した導体膜１８とに分離される。つい
で電解エツチング法でホトレジスト膜上の導体の
みを選択的に電解エツチングすることにより、第
４図ｃに示すように高精度の導体コイルパターン
を形成できる。
フ材としてホトレジスト膜１６を用い、光が斜方
からも入るようにして露光すると、第４図ａのよ
うにホトレジストパターンの上部よりも下部の方
が狭くなる。その上に導体材料を蒸着すると第４
図ｂに示すように導体はホトレジスト膜１６上に
堆積した導体膜１７とホトレジスト膜を除去した
部分に堆積した導体膜１８とに分離される。つい
で電解エツチング法でホトレジスト膜上の導体の
みを選択的に電解エツチングすることにより、第
４図ｃに示すように高精度の導体コイルパターン
を形成できる。
本発明の、少くとも１層以上の絶縁膜を用いて
リフトオフ材を形成後その上に導体コイルを形成
後、リフトオフ材上の導体膜を電解エツチング法
で除去する方法を採用すると、リフトオフ法の最
大の課題の１つである、リフトオフ材の除去が、
リフトオフ材と溶解液との接触面積が広くなるた
め、容易となる。さらに、本発明では、リフトオ
フ材上の導体膜を予め除去するので、特開昭53−
33356号公報のように、リフトオフ時に悪影響を
及ぼすこともない。
リフトオフ材を形成後その上に導体コイルを形成
後、リフトオフ材上の導体膜を電解エツチング法
で除去する方法を採用すると、リフトオフ法の最
大の課題の１つである、リフトオフ材の除去が、
リフトオフ材と溶解液との接触面積が広くなるた
め、容易となる。さらに、本発明では、リフトオ
フ材上の導体膜を予め除去するので、特開昭53−
33356号公報のように、リフトオフ時に悪影響を
及ぼすこともない。
第１図は、本発明の方法によつて薄膜磁気ヘツ
ドを作るためのプロセスを示す概略図、第２図
は、少なくとも２層以上のリフトオフ材を用い、
上側の膜に“ひさし”を形成し、導体コイル部
と、リフトオフ材上の導体膜とを分離したことを
示すモデル図、第３図は、リフトオフ用の膜の１
部を、磁気ヘツド用構成材料としても使用するこ
とを示すモデル図、第４図は、ホトレジスト膜を
使用したリフトオフ法の概略を示すモデル図であ
る。 １……基板、２……下部磁性体、３……磁気ギ
ヤツプ形成材、４……バツクギヤツプ、５……リ
フトオフ材、６……導体コイル用パターン、７…
…導体膜、８……導体コイル、９……絶縁膜、１
０……上部磁性体、１１……“ひさし”材、１２
……リフトオフ材、１３……導体コイル、１４…
…導体膜、１５……絶縁膜、１６……ホトレジス
トパターン、１７……導体膜、１８……導体コイ
ル。
ドを作るためのプロセスを示す概略図、第２図
は、少なくとも２層以上のリフトオフ材を用い、
上側の膜に“ひさし”を形成し、導体コイル部
と、リフトオフ材上の導体膜とを分離したことを
示すモデル図、第３図は、リフトオフ用の膜の１
部を、磁気ヘツド用構成材料としても使用するこ
とを示すモデル図、第４図は、ホトレジスト膜を
使用したリフトオフ法の概略を示すモデル図であ
る。 １……基板、２……下部磁性体、３……磁気ギ
ヤツプ形成材、４……バツクギヤツプ、５……リ
フトオフ材、６……導体コイル用パターン、７…
…導体膜、８……導体コイル、９……絶縁膜、１
０……上部磁性体、１１……“ひさし”材、１２
……リフトオフ材、１３……導体コイル、１４…
…導体膜、１５……絶縁膜、１６……ホトレジス
トパターン、１７……導体膜、１８……導体コイ
ル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に下部磁性体を形成し、該下部磁性体
表面に磁気ギヤツプ長となる絶縁膜を形成し、該
絶縁膜上に導体コイルを形成する工程を含む薄膜
磁気ヘツド作成方法において、 前記下部磁性体表面に磁気ギヤツプ長となる絶
縁膜を形成後、該絶縁膜上に、絶縁材を含む少な
くとも一層以上よりなるリフトオフ膜を形成する
こと、 前記リフトオフ膜を選択的に、エツチング除去
し、“ひさし”のついたリフトオフ膜とすること、 前記リフトオフ膜をエツチング除去した部分お
よび前記リフトオフ膜上に、前記導体コイルとな
る導体膜を堆積し、この際に、前記リフトオフ膜
を除去した部分に堆積した導体膜と前記リフトオ
フ膜上に堆積した導体膜とを接触させないこと、 前記リフトオフ膜上に堆積した導体膜を電解エ
ツチングにより選択的に除去すること、を特徴と
する薄膜磁気ヘツド作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16464380A JPS5788518A (en) | 1980-11-25 | 1980-11-25 | Manufacture for thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16464380A JPS5788518A (en) | 1980-11-25 | 1980-11-25 | Manufacture for thin film magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5788518A JPS5788518A (en) | 1982-06-02 |
| JPH0115926B2 true JPH0115926B2 (ja) | 1989-03-22 |
Family
ID=15797076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16464380A Granted JPS5788518A (en) | 1980-11-25 | 1980-11-25 | Manufacture for thin film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5788518A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850013B2 (ja) * | 1976-09-10 | 1983-11-08 | 株式会社日立製作所 | 多回巻コイルの製造方法 |
-
1980
- 1980-11-25 JP JP16464380A patent/JPS5788518A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5788518A (en) | 1982-06-02 |
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