JPH01159374A - 磁性膜形成装置 - Google Patents
磁性膜形成装置Info
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/351—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using a magnetic field in close vicinity to the substrate
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/50—Substrate holders
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は磁性膜形成装置に関するものである。
〈従来の技術〉
スパッタリングの手段によって、基板上に成膜材料より
なるターゲットからの成膜材を付着させることによって
、磁性膜を形成する磁性膜形成装置では１通常は基板面
に平行磁場を印加して、磁区な基板面に平行な所定方向
に配向させながらスパッタを行なう必要がある。
なるターゲットからの成膜材を付着させることによって
、磁性膜を形成する磁性膜形成装置では１通常は基板面
に平行磁場を印加して、磁区な基板面に平行な所定方向
に配向させながらスパッタを行なう必要がある。
この場合、平行磁場を発生する手段としては、永久磁石
による方法と励磁コイルによる方法とがあるが、磁場特
性が経年変化を起すことがな（、また磁場特性を調整可
能であるという点では励磁コイルを用いる方式が有利で
ある。
による方法と励磁コイルによる方法とがあるが、磁場特
性が経年変化を起すことがな（、また磁場特性を調整可
能であるという点では励磁コイルを用いる方式が有利で
ある。
しかし、励磁コイルを用いる方式では、基板面全体にわ
たって均−且つ平行な磁場を印加することが難かしいと
いう難点がある。
たって均−且つ平行な磁場を印加することが難かしいと
いう難点がある。
この難点を解決するために、特開昭５７−７８１２３号
公報において、磁性板を使用して基板に印加される磁場
を修正する方式の磁性膜形成装置が提案されている。
公報において、磁性板を使用して基板に印加される磁場
を修正する方式の磁性膜形成装置が提案されている。
一般に、この種の磁性膜形成装置には成膜材料からなる
ターゲット及び磁場発生装置を具備する成膜室と、この
成膜室との間をゲート弁で開閉可能に仕切られた予備室
とが設けられている。
ターゲット及び磁場発生装置を具備する成膜室と、この
成膜室との間をゲート弁で開閉可能に仕切られた予備室
とが設けられている。
そして、通常は成膜室に複数の予備室がそれぞれのゲー
ト弁を介し【接続され、それぞれの予備室では、基板の
予備加熱、除冷部、急冷却或は仕込み、取り出しなど各
種の予備処理が、成膜室間とのゲート弁を閉じた状態で
、被成膜基板に対して行なわれるようになっている。
ト弁を介し【接続され、それぞれの予備室では、基板の
予備加熱、除冷部、急冷却或は仕込み、取り出しなど各
種の予備処理が、成膜室間とのゲート弁を閉じた状態で
、被成膜基板に対して行なわれるようになっている。
このようにして、予備室内で基板ホルダに保持された状
態で、所定の予備処理が行なわれた基板は、基板ホルダ
の搬送手段によって開かれたゲート弁を介して成膜室に
移送される。
態で、所定の予備処理が行なわれた基板は、基板ホルダ
の搬送手段によって開かれたゲート弁を介して成膜室に
移送される。
成膜室においては、基板ホルダに保持された基板に対し
て、磁場発生装置から基板面に対して所定の方向の磁場
が印加され、このように磁場が印加された状態で、スパ
ッタリングの手段によって、ターゲットから基板面に成
膜材が放出され、基板面に磁性膜が形成される。
て、磁場発生装置から基板面に対して所定の方向の磁場
が印加され、このように磁場が印加された状態で、スパ
ッタリングの手段によって、ターゲットから基板面に成
膜材が放出され、基板面に磁性膜が形成される。
第３図は、前述の特開昭５７−７８１２３号公報での提
案に係る磁性膜形成装置の成膜室の要部構成を断面的に
示したもので、成膜室内に成膜材料からなるターゲット
１０が投げられ、このターゲット１０には電極９が取り
付けられている。
案に係る磁性膜形成装置の成膜室の要部構成を断面的に
示したもので、成膜室内に成膜材料からなるターゲット
１０が投げられ、このターゲット１０には電極９が取り
付けられている。
また、成膜室内にはへルムホルツコイル３が配設すれ、
このヘルムホルツコイル３に挾まれるような位置に、予
備室から搬送手段によって基板ホルダ４ｂが搬送され、
ターゲット１０の上方に配設されている。
このヘルムホルツコイル３に挾まれるような位置に、予
備室から搬送手段によって基板ホルダ４ｂが搬送され、
ターゲット１０の上方に配設されている。
この基板ホルダ４ｂには開口１５が形成され、この開口
１５”ｋ被うように基板ホルダ４ｂに基板５が保持され
、この基板５を挟むようにして基板ホルダ４ｂに、例え
ばターゲット１０と同一材質の磁性材で形成された磁性
板６が固定されている。
１５”ｋ被うように基板ホルダ４ｂに基板５が保持され
、この基板５を挟むようにして基板ホルダ４ｂに、例え
ばターゲット１０と同一材質の磁性材で形成された磁性
板６が固定されている。
そして、基板ホルダ４ｂは基板５と磁性板６を保持した
状態で、搬送手段によって予備室から成膜室に搬送され
るように構成されている。
状態で、搬送手段によって予備室から成膜室に搬送され
るように構成されている。
第３図に示す前述の提案に係る方式では、先ず成膜室と
の間のゲート弁を閉じておいて、予備室内で基板ホルダ
４ｂに固定されている磁性板６間に基板５を配置し、こ
の基板５に対して所定の予備処理が行なわれる。
の間のゲート弁を閉じておいて、予備室内で基板ホルダ
４ｂに固定されている磁性板６間に基板５を配置し、こ
の基板５に対して所定の予備処理が行なわれる。
この予備処理を行なった後に、磁性板６が固定されこの
磁性板６間に基板５が保持された基板ホルダ４ｂが、搬
送手段によって予備室から開放さ・ れたゲート弁を介
して成膜室に搬送される。
磁性板６間に基板５が保持された基板ホルダ４ｂが、搬
送手段によって予備室から開放さ・ れたゲート弁を介
して成膜室に搬送される。
次いで、成膜室と予備室間のゲート弁が閉じられ、磁場
発生装置により基板５の表面に平行に所定方向に磁場を
印加しながら、アルゴンガス雰囲気中でスパッタリング
の手段によって、基板５の表面に開口１５を介してター
ゲット１０から成膜材、例えばパーマロイが放出される
。
発生装置により基板５の表面に平行に所定方向に磁場を
印加しながら、アルゴンガス雰囲気中でスパッタリング
の手段によって、基板５の表面に開口１５を介してター
ゲット１０から成膜材、例えばパーマロイが放出される
。
このようにして、ターゲット１０から放出された磁性材
は、基板５の表［Ｋ達して基板５０表面に、同一方向に
磁化された磁性膜が形成される。
は、基板５の表［Ｋ達して基板５０表面に、同一方向に
磁化された磁性膜が形成される。
前述の提案に係る方式では、ヘルムホルツコイル３間に
おいて、基板ホルダ４ｂ上に基板５を挟んで、例えばパ
ーマロイからなる磁性板６が配設され【いるので、第３
図に矢印Ｈで示すようにヘルムホルツコイル３を主構成
素子とする磁場発生装置で形成される磁場を、磁性板６
に集中させて基板５の表面に平行で、磁束密度が高く均
一に修正することが出来る。
おいて、基板ホルダ４ｂ上に基板５を挟んで、例えばパ
ーマロイからなる磁性板６が配設され【いるので、第３
図に矢印Ｈで示すようにヘルムホルツコイル３を主構成
素子とする磁場発生装置で形成される磁場を、磁性板６
に集中させて基板５の表面に平行で、磁束密度が高く均
一に修正することが出来る。
また、通常はａ性膜形成の作業処理能力を向上させるた
めに、第３図と同一部分に同一符号を付した第４図に示
すように、共通の基板ホルダ４ｂ上に、複数の基板５を
保持させることにより、同時に複数の基板５に対して磁
性膜全形成するようＫＬ”Ｃいる。
めに、第３図と同一部分に同一符号を付した第４図に示
すように、共通の基板ホルダ４ｂ上に、複数の基板５を
保持させることにより、同時に複数の基板５に対して磁
性膜全形成するようＫＬ”Ｃいる。
このようにして、前述の提案に係る方式によると、基板
ホルダ４ｂＫａ性板６を固定することにより、ヘルムホ
ルツコイル３を主構成素子とする磁場発生装置で形成さ
れる磁場を、磁性板６で修正して基板面に平行で高磁束
密度で均一な磁場とし、基板５に対して高品質な磁性膜
を生産性よく形成することが出来る。
ホルダ４ｂＫａ性板６を固定することにより、ヘルムホ
ルツコイル３を主構成素子とする磁場発生装置で形成さ
れる磁場を、磁性板６で修正して基板面に平行で高磁束
密度で均一な磁場とし、基板５に対して高品質な磁性膜
を生産性よく形成することが出来る。
〈発明が解決しようとする問題点〉
前述の提案に係る方式では、基板ホルダ４ｂに磁性板６
が固定されているので、基板ホルダ４ｂが大型化し、こ
の基板ホルダ４ｂが搬送手段によって、予備室と成膜室
間を搬送される構造となっている。
が固定されているので、基板ホルダ４ｂが大型化し、こ
の基板ホルダ４ｂが搬送手段によって、予備室と成膜室
間を搬送される構造となっている。
このため、予備室も成膜室と同様に大型の基板ホルダ４
ｂが収容されるスペースが必要となり、磁性膜形成装置
全体が大型化するという難点がある。
ｂが収容されるスペースが必要となり、磁性膜形成装置
全体が大型化するという難点がある。
本発明は、前述したようなこの種の磁性膜形成装置の現
状に鑑みてなされたものであり、その目的は全体が大＃
ＡＫ小屋化され、高品質の磁性膜を基板上に生産効率よ
く形成することか出来る磁性膜形成装置を提供すること
にある。
状に鑑みてなされたものであり、その目的は全体が大＃
ＡＫ小屋化され、高品質の磁性膜を基板上に生産効率よ
く形成することか出来る磁性膜形成装置を提供すること
にある。
〈問題点を解決するための手段〉
前述の目的を達成するために、本発明では成膜材料から
なるターゲット及び磁場発生装置を具備する成膜室と、
この成膜室との間をゲート弁で開閉可能に仕切られた予
備室とを有し、前記ゲート弁を閉じた状態で、前記予備
室内で基板ホルダに保持され予備処理された基板が、前
記基板ホルダの搬送手段によって、開放状態とされた前
記ゲート弁を介して前記成膜室に搬送され、前記基板近
傍に配されるａ場修正用の磁性板を通る磁場が、前記磁
場発生装置により前記基板面上に印加され。
なるターゲット及び磁場発生装置を具備する成膜室と、
この成膜室との間をゲート弁で開閉可能に仕切られた予
備室とを有し、前記ゲート弁を閉じた状態で、前記予備
室内で基板ホルダに保持され予備処理された基板が、前
記基板ホルダの搬送手段によって、開放状態とされた前
記ゲート弁を介して前記成膜室に搬送され、前記基板近
傍に配されるａ場修正用の磁性板を通る磁場が、前記磁
場発生装置により前記基板面上に印加され。
前記ターゲットから前記基板面上に成膜材料が放出され
、前記基板面に前記成膜材料の磁性膜が形成される磁性
膜形成装置において、前記磁性板か前記成膜室内に設け
られた構成となっている。
、前記基板面に前記成膜材料の磁性膜が形成される磁性
膜形成装置において、前記磁性板か前記成膜室内に設け
られた構成となっている。
く作 用〉
本発明では、基板ホルダには基板の入が保持され、予備
室内でこの基板ホルダに保持された基板に対して、各種
の予備処理が行なわれる。
室内でこの基板ホルダに保持された基板に対して、各種
の予備処理が行なわれる。
この予備処理完了後に、予備室と成膜室間のゲート弁が
開放され、予備処理が完了した基板を保持した基板ホル
ダが、搬送手段によって予備室からゲート弁を介して成
膜室内に搬送される。
開放され、予備処理が完了した基板を保持した基板ホル
ダが、搬送手段によって予備室からゲート弁を介して成
膜室内に搬送される。
このようにして、基板ホルダが搬送された成膜室内には
、搬送された基板ホルダに保持されている基板を挟むよ
うＫして磁性板が配設され、また前述の基板と対向する
位置にターゲットが設けられ、さらに磁場発生装置か具
備されている。
、搬送された基板ホルダに保持されている基板を挟むよ
うＫして磁性板が配設され、また前述の基板と対向する
位置にターゲットが設けられ、さらに磁場発生装置か具
備されている。
前述したように基板ホルダが搬送された成膜室に予備室
との間に設けられているガイド弁が閉じられ、磁場発生
装置により基板面に磁場が印加され１例えばアルゴン雰
囲気とされた成膜室で、スパッタリングの手段によって
成膜材がターゲットから基板面に放出される。
との間に設けられているガイド弁が閉じられ、磁場発生
装置により基板面に磁場が印加され１例えばアルゴン雰
囲気とされた成膜室で、スパッタリングの手段によって
成膜材がターゲットから基板面に放出される。
この場合、磁場発生装置で形成される磁場は。
基板近傍に配設されている磁性板によって１例えば基板
面に平行に一定方向に集束し、磁束密度の基板近傍に配
設されている磁性板によって、例えば基板面に平行に一
定方向に集束し、磁束密度の高い均一性に優れた磁場に
修正される。
面に平行に一定方向に集束し、磁束密度の基板近傍に配
設されている磁性板によって、例えば基板面に平行に一
定方向に集束し、磁束密度の高い均一性に優れた磁場に
修正される。
このために、ターゲットから放出される成膜材は、基板
面に同一方向に磁化された高品質の磁性膜を形成する。
面に同一方向に磁化された高品質の磁性膜を形成する。
〈実施例〉
以下１本発明の実施例を第１図及び第２図を用いて詳細
に説明する。
に説明する。
ここで、第１図は本発明の実施例の構成を示す切開平面
図、第２図は本発明の実施例の構成を示す切開正面図で
ある。
図、第２図は本発明の実施例の構成を示す切開正面図で
ある。
第１図及び第２図に示すように、密封構造の成膜室ｌと
予備Ｎ２とが、ゲート弁７によって仕切られ、このゲー
ト弁７はゲート弁駆動装置１３によって開閉可能になつ
ズいる。
予備Ｎ２とが、ゲート弁７によって仕切られ、このゲー
ト弁７はゲート弁駆動装置１３によって開閉可能になつ
ズいる。
また、成膜室１の底板には電極９が覗り付けられ、この
電極９Ｋ例えばパーマロイからなるターゲット１０が固
定されている。
電極９Ｋ例えばパーマロイからなるターゲット１０が固
定されている。
さらに、成膜室１内には同一形状の例えばパーマロイか
らなる磁性板６が、同一高さを保持し所定の距離を保っ
て支持具１２により固定されている。
らなる磁性板６が、同一高さを保持し所定の距離を保っ
て支持具１２により固定されている。
そして、成膜室１の外側において、成膜室１の両端近傍
にヘルムホルツコイル３が配設されている。
にヘルムホルツコイル３が配設されている。
また、成８１１Ｉｉ！１及び予備室２にわたって、搬送
用モータ１１で駆動され、基板５を保持した基板ホルダ
４が搬送される搬送具８が取り付けられている。
用モータ１１で駆動され、基板５を保持した基板ホルダ
４が搬送される搬送具８が取り付けられている。
この搬送具８の搬送位置は、図示しない調整手段によっ
て搬送方向に対し【垂直に調整可能となっていて、第２
図においては、この搬送具８の搬送位置カー、前述の磁
性板６の保持位置より僅かに高い位置に設定した場合が
示されている。
て搬送方向に対し【垂直に調整可能となっていて、第２
図においては、この搬送具８の搬送位置カー、前述の磁
性板６の保持位置より僅かに高い位置に設定した場合が
示されている。
このような構成の本発明の実施例において、ヘルムホル
ツコイル３か磁場発生装置の主要部を構成し、搬送用モ
ータ１１及び搬送具８が搬送手段を構成している。
ツコイル３か磁場発生装置の主要部を構成し、搬送用モ
ータ１１及び搬送具８が搬送手段を構成している。
以上に述ぺた構成の本発明の実施例について、その動作
を次に説明する。
を次に説明する。
第１図及び第２図において、ゲート弁駆動装置１３によ
りゲート弁７を閉じた状態とし、予備室２内の基板ホル
ダ４に図示せぬ搬入手段によって基板５が保持され、図
示せぬ排気手段により予備室２内が真空状態とされる。
りゲート弁７を閉じた状態とし、予備室２内の基板ホル
ダ４に図示せぬ搬入手段によって基板５が保持され、図
示せぬ排気手段により予備室２内が真空状態とされる。
この予備室で予備加熱が行なわれる場合を説明すれば、
前述のようにして予備室２内の基板ホルダ４に保持され
た基板５に対して、予め設定された所定の温度で一定時
間の間予偏加熱が行なわれる。
前述のようにして予備室２内の基板ホルダ４に保持され
た基板５に対して、予め設定された所定の温度で一定時
間の間予偏加熱が行なわれる。
次に、真空状態とされた成膜室１に通じるゲート弁７を
ゲート弁駆動装置１３の作動により開放し、搬送用モー
タ１１を駆動させることにより搬送具８を作動させて、
基板５を保持した基板ホルダ４を、第１図に実線で示す
ように予備室２から成膜室ｌ内に搬送させる。
ゲート弁駆動装置１３の作動により開放し、搬送用モー
タ１１を駆動させることにより搬送具８を作動させて、
基板５を保持した基板ホルダ４を、第１図に実線で示す
ように予備室２から成膜室ｌ内に搬送させる。
この搬送によって、基板５を保持した基板ホルダ４は、
成膜室ｌ内においてａ柱板６間に磁性板６より僅かに高
い位置に、位置決めされた状態で配設される。
成膜室ｌ内においてａ柱板６間に磁性板６より僅かに高
い位置に、位置決めされた状態で配設される。
このようにして、基板５を保持した基板ホルダ４ｙ！−
成膜室１内で位置決めした後に、ゲート弁現動装置１３
を駆動させてゲート弁７を閉じる。
成膜室１内で位置決めした後に、ゲート弁現動装置１３
を駆動させてゲート弁７を閉じる。
そして、密封状態とされた成膜室１をアルゴンガス雰囲
気とし、図示せぬヒータを作動させ基板５の温度を例え
ば３００℃とするようにＷ熱が行なわれる。
気とし、図示せぬヒータを作動させ基板５の温度を例え
ば３００℃とするようにＷ熱が行なわれる。
このようにして、成膜室１内に配肯された基板５の温度
が所定温度に達したことが確認されると、磁場発生装置
が作動され、ヘルムホルツコイル３Ｋ［ｌ５１Ｅが流さ
れて基板５に対して、ヘルムホルツコイル３で形成され
る出湯が印加される。
が所定温度に達したことが確認されると、磁場発生装置
が作動され、ヘルムホルツコイル３Ｋ［ｌ５１Ｅが流さ
れて基板５に対して、ヘルムホルツコイル３で形成され
る出湯が印加される。
この磁場は磁性板６によって修正され、第２図に矢印Ｈ
で示すように磁性板６に集中し、基板５０面に平行にａ
束密度の高い、均一性に優れた磁場に修正される。
で示すように磁性板６に集中し、基板５０面に平行にａ
束密度の高い、均一性に優れた磁場に修正される。
同時に、電極９によりターゲット１０に対して高周波電
力が供給され、スパッタリングの手段によってターゲッ
ト１０から成膜材として、例えばパーマロイが基板ホル
ダ４に保持されている基板５０表面に放出される。
力が供給され、スパッタリングの手段によってターゲッ
ト１０から成膜材として、例えばパーマロイが基板ホル
ダ４に保持されている基板５０表面に放出される。
このようにして、ターゲット１０から放出されたパーマ
ロイは、前述したように基板５０表面に平行に形成され
る均一な磁場によって、基板５の表面に平行な所定方向
に磁化されて基板５０表面に薄膜を作り、基板５の表面
には高品質の磁性膜か形成される。
ロイは、前述したように基板５０表面に平行に形成され
る均一な磁場によって、基板５の表面に平行な所定方向
に磁化されて基板５０表面に薄膜を作り、基板５の表面
には高品質の磁性膜か形成される。
この種の磁性膜形成装置では、基板５上への＄性膜形成
を生産性よく行なうために、予備室２の数が増加し且つ
共通の基板ホルダ４に保持される基板５の枚数が増加し
た構成となる傾向がある。
を生産性よく行なうために、予備室２の数が増加し且つ
共通の基板ホルダ４に保持される基板５の枚数が増加し
た構成となる傾向がある。
前述したように本発明の実施例によると、磁性板６が成
膜室１内に固定されているので、基板ホルダ４が小屋化
し、この基板ホルダ４の小型化によって磁性膜形成装置
が大幅に小型化される。
膜室１内に固定されているので、基板ホルダ４が小屋化
し、この基板ホルダ４の小型化によって磁性膜形成装置
が大幅に小型化される。
このために１本発明の実施例によると予備室２の増加と
、共通の基板ホルダ４に保持される基板５の枚数の増加
で生じる装置の大型化の問題を、解決することが可能と
なる。
、共通の基板ホルダ４に保持される基板５の枚数の増加
で生じる装置の大型化の問題を、解決することが可能と
なる。
また、本発明の実施例によると同時に成膜処理される基
板５の枚数が増加すると共に、多種類の予備処理を１回
の工程で処理可能な構成とすることが出来るので、磁性
膜形成の生産性を大幅に向上させることが出来る。
板５の枚数が増加すると共に、多種類の予備処理を１回
の工程で処理可能な構成とすることが出来るので、磁性
膜形成の生産性を大幅に向上させることが出来る。
本発明の実施例においては、基板の面に平行な方向に磁
化されたａ性ｉを形成する場合を説明したが１本発明は
実施例に限定されろものでなく、ヘルムホルツコイルと
磁性板の配憶方向を変化させることにより、基板の面に
垂直方向に磁化されたいわゆる垂直出代膜を形成するこ
とも出来る。
化されたａ性ｉを形成する場合を説明したが１本発明は
実施例に限定されろものでなく、ヘルムホルツコイルと
磁性板の配憶方向を変化させることにより、基板の面に
垂直方向に磁化されたいわゆる垂直出代膜を形成するこ
とも出来る。
また、本発明の実施例においては、予備室を一つだけ有
する構成のものを説明したが、本発明は実施例に限定さ
れるものでなく、各種の予備処理が行なわれる複数の予
備室を有する構成とすることも出来る。
する構成のものを説明したが、本発明は実施例に限定さ
れるものでなく、各種の予備処理が行なわれる複数の予
備室を有する構成とすることも出来る。
さらに９本発明の実施例においては、調整手段によって
搬送具を搬送方向に垂直に調整することにより、基板ホ
ルダが基板の搬送方向に垂直に移動可能な構成のものを
説明したが、本発明は実施例に限定されるものでなく、
搬送具の位置が固定されている構成のものとすることも
出来る。
搬送具を搬送方向に垂直に調整することにより、基板ホ
ルダが基板の搬送方向に垂直に移動可能な構成のものを
説明したが、本発明は実施例に限定されるものでなく、
搬送具の位置が固定されている構成のものとすることも
出来る。
〈発明の効果〉
以上詳細に説明したように、本発明によると基板に対し
て高品質の母性膜を、生産性を大幅に向上させて形成す
ることができ、且つ装置全体を大幅に小屋化することが
可能な磁性膜形成装置を提供することが出来る。
て高品質の母性膜を、生産性を大幅に向上させて形成す
ることができ、且つ装置全体を大幅に小屋化することが
可能な磁性膜形成装置を提供することが出来る。
第１図は本発明の実施例の構成を示す切開平面図、第２
図は本発明の実施例の構成を示す切開正面図、第３図は
従来の磁性膜形成装置の構成を示す断面図、第４図は従
来の磁性膜形成装置の構成を示す平面図である。 １・・・・・・成膜室、２・・・・・・予備室、３・・
・・・・ヘルムホルツコイル、４・・・・・・基板ホル
ダ、５・・・・・・基板、６・・・・・・磁性板、７・
・・・・・ゲート弁、８・・・・・・搬送具。 １０・・・・・・ターゲット。 ＠１ 図 ６：届１生坂 第 ２ 図 ７：τ−ト手ト
１（、ｌ ソ ＩＺ 第３面 第４図
図は本発明の実施例の構成を示す切開正面図、第３図は
従来の磁性膜形成装置の構成を示す断面図、第４図は従
来の磁性膜形成装置の構成を示す平面図である。 １・・・・・・成膜室、２・・・・・・予備室、３・・
・・・・ヘルムホルツコイル、４・・・・・・基板ホル
ダ、５・・・・・・基板、６・・・・・・磁性板、７・
・・・・・ゲート弁、８・・・・・・搬送具。 １０・・・・・・ターゲット。 ＠１ 図 ６：届１生坂 第 ２ 図 ７：τ−ト手ト
１（、ｌ ソ ＩＺ 第３面 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、成膜材料からなるターゲット及び磁場発生装置を具
備する成膜室と、この成膜室との間をゲート弁で開閉可
能に仕切られた予備室とを有し、前記ゲート弁を閉じた
状態で、前記予備室内で基板ホルダに保持され予備処理
された基板が、前記基板ホルダの搬送手段によつて、開
放状態とされた前記ゲート弁を介して前記成膜室に搬送
され、前記基板近傍に配される磁場修正用の磁性板を通
る磁場が、前記磁場発生装置により前記基板面上に印加
され、前記ターゲットから前記基板面上に成膜材料が放
出され、前記基板面に前記成膜材料の磁性膜が形成され
る磁性膜形成装置において、前記磁性板が前記成膜室内
に設けられてなることを特徴とする磁性膜形成装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載において、磁性板がター
ゲットと同一材質であることを特徴とする磁性膜形成装
置。 ３、特許請求の範囲第１項記載において、基板ホルダが
基板の搬送方向に対して、垂直に移動可能に構成されて
なることを特徴とする磁性膜形成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317518A JPH0649937B2 (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 磁性膜形成装置 |
| US07/281,777 US4911815A (en) | 1987-12-17 | 1988-12-09 | Sputtering apparatus for production of thin films of magnetic materials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317518A JPH0649937B2 (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 磁性膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01159374A true JPH01159374A (ja) | 1989-06-22 |
| JPH0649937B2 JPH0649937B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=18089132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62317518A Expired - Fee Related JPH0649937B2 (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 磁性膜形成装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4911815A (ja) |
| JP (1) | JPH0649937B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008512565A (ja) * | 2004-09-03 | 2008-04-24 | 日本板硝子株式会社 | 断続的コンベヤシステムを有するコータ |
| CN119194388A (zh) * | 2024-11-26 | 2024-12-27 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 磁控溅射镀膜设备 |
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|---|---|---|---|---|
| US5382126A (en) * | 1992-03-30 | 1995-01-17 | Leybold Ag | Multichamber coating apparatus |
| US5290416A (en) * | 1992-07-10 | 1994-03-01 | Read-Rite Corporation | Unidirectional field generator |
| US6491802B2 (en) | 1992-10-28 | 2002-12-10 | Hitachi, Ltd. | Magnetic film forming system |
| US6290824B1 (en) * | 1992-10-28 | 2001-09-18 | Hitachi, Ltd. | Magnetic film forming system |
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| JPH08273207A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-10-18 | Canon Inc | 光情報記録媒体搬送用キヤリア、該キヤリアを用いた光情報記録媒体の製造方法及び製造装置 |
| US5804041A (en) * | 1996-06-10 | 1998-09-08 | Sony Corporation | Method and apparatus for forming a magnetically oriented thin film |
| US8591710B2 (en) * | 2005-06-02 | 2013-11-26 | Seagate Tchnology LLC | Method and apparatus for formation of oriented magnetic films for magnetic recording media |
| CN101994097B (zh) * | 2009-08-25 | 2013-08-21 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 镀膜装置 |
| US9459174B1 (en) | 2013-09-18 | 2016-10-04 | WD Media, LLC | Bellows leakage tester and methods for testing bellows |
| US10525690B2 (en) | 2016-09-07 | 2020-01-07 | General Electric Company | Additive manufacturing-based low-profile inductor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5778123A (en) * | 1980-11-04 | 1982-05-15 | Hitachi Ltd | Manufacture of anisotropic thin magnetic film |
| JPS6274073A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
-
1987
- 1987-12-17 JP JP62317518A patent/JPH0649937B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-12-09 US US07/281,777 patent/US4911815A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008512565A (ja) * | 2004-09-03 | 2008-04-24 | 日本板硝子株式会社 | 断続的コンベヤシステムを有するコータ |
| CN119194388A (zh) * | 2024-11-26 | 2024-12-27 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 磁控溅射镀膜设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0649937B2 (ja) | 1994-06-29 |
| US4911815A (en) | 1990-03-27 |
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|---|---|---|---|
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