JPH0116046B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0116046B2 JPH0116046B2 JP56156000A JP15600081A JPH0116046B2 JP H0116046 B2 JPH0116046 B2 JP H0116046B2 JP 56156000 A JP56156000 A JP 56156000A JP 15600081 A JP15600081 A JP 15600081A JP H0116046 B2 JPH0116046 B2 JP H0116046B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polarization
- waveguide
- electromagnetic waves
- wave
- main
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
- H01P1/2138—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using hollow waveguide filters
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、多周波数帯の電磁波を円偏波で導
入する一次放射器の改良に関するものである。
入する一次放射器の改良に関するものである。
なお、ここでは説明を簡単にするために、二つ
の周波数帯に限定し、この二つの周波数帯の低い
周波数帯の電磁波をL、高い周波数帯の電磁波を
Hとして説明する。
の周波数帯に限定し、この二つの周波数帯の低い
周波数帯の電磁波をL、高い周波数帯の電磁波を
Hとして説明する。
従来のこの種一次放射器としては第１図に示す
ものがあつた。
ものがあつた。
図において、１はLを導入する方形導波管、２
は直交した偏波のL８ａとH８ｂを分波する偏分
波器、３は主導波管、４は方形導波管の低域遮断
特性を用いた高域通過導波管、５はH８ｂを導入
する方形導波管、６はL８ａ，H８ｂの直線偏波
と円偏波との偏波を変換する偏波変換器、７は電
磁ホーンである。
は直交した偏波のL８ａとH８ｂを分波する偏分
波器、３は主導波管、４は方形導波管の低域遮断
特性を用いた高域通過導波管、５はH８ｂを導入
する方形導波管、６はL８ａ，H８ｂの直線偏波
と円偏波との偏波を変換する偏波変換器、７は電
磁ホーンである。
いま、Lを送信波８ａ，Hを受信波８ｂとして
偏分波器２に導入された場合、Lの電磁波は偏波
変換器６により円偏波に変換され電磁ホーン７か
らアンテナに給電される。ところで、この電磁ホ
ーン７は開口部の寸法をLの周波数帯の波長に比
べて十分大きくとれない場合が通常であるため
に、開口部において反射波を生じる。開口部にお
けるLの反射波は逆の円偏波となつて反射され、
偏波変換器６により直線偏波に変換されHと同じ
偏波として主導波管３を伝搬し高域通過導波管４
に至る。しかしながら、方形導波管５には受信波
としてHのみ導入する必要性から、Lの周波数帯
で遮断域となるようにＨ面横断面寸法９を選定し
た高域通過導波管４によりLは反射され偏波変換
器６に至る。したがつて、偏波変換器には位相の
異なる２個のLの電磁波が導入されるために、楕
円偏波率が劣化する原因となる。
偏分波器２に導入された場合、Lの電磁波は偏波
変換器６により円偏波に変換され電磁ホーン７か
らアンテナに給電される。ところで、この電磁ホ
ーン７は開口部の寸法をLの周波数帯の波長に比
べて十分大きくとれない場合が通常であるため
に、開口部において反射波を生じる。開口部にお
けるLの反射波は逆の円偏波となつて反射され、
偏波変換器６により直線偏波に変換されHと同じ
偏波として主導波管３を伝搬し高域通過導波管４
に至る。しかしながら、方形導波管５には受信波
としてHのみ導入する必要性から、Lの周波数帯
で遮断域となるようにＨ面横断面寸法９を選定し
た高域通過導波管４によりLは反射され偏波変換
器６に至る。したがつて、偏波変換器には位相の
異なる２個のLの電磁波が導入されるために、楕
円偏波率が劣化する原因となる。
この従来の一次放射器は、以上のように構成さ
れているので、所望の楕円偏波率を得るために
は、電磁ホーンの反射を少なくしなければなら
ず、特に電磁ホーンの開口寸法を小さくすること
が必要な場合には、整合素子を用いても広帯域に
わたつて反射を少なくすることができないため所
望の楕円偏波率を得ることができないという欠点
があつた。
れているので、所望の楕円偏波率を得るために
は、電磁ホーンの反射を少なくしなければなら
ず、特に電磁ホーンの開口寸法を小さくすること
が必要な場合には、整合素子を用いても広帯域に
わたつて反射を少なくすることができないため所
望の楕円偏波率を得ることができないという欠点
があつた。
この発明は、この欠点を解決するためになされ
たもので、電磁ホーンの開口寸法が小さくて、か
つ電磁ホーンに整合素子を用いることなく、所望
の楕円偏波率を得ることができる一次放射器を提
供するものである。
たもので、電磁ホーンの開口寸法が小さくて、か
つ電磁ホーンに整合素子を用いることなく、所望
の楕円偏波率を得ることができる一次放射器を提
供するものである。
以下、第２図に示すこの発明の一実施例につい
て説明する。
て説明する。
第２図において、１はLを導入する方形導波
管、２は偏分波器、３は主導波管、４は高域通過
導波管、５はHを導入する方形導波管、６は偏波
変換器、７は電磁ホーン、１１は主導波管３のＥ
面に設けえられた結合孔、１２は共振素子、１３
は分岐導波管、１４は分岐導波管に設けられた電
波吸収体である。
管、２は偏分波器、３は主導波管、４は高域通過
導波管、５はHを導入する方形導波管、６は偏波
変換器、７は電磁ホーン、１１は主導波管３のＥ
面に設けえられた結合孔、１２は共振素子、１３
は分岐導波管、１４は分岐導波管に設けられた電
波吸収体である。
いま、主導波管３にHと電磁ホーン７の反射さ
れたLの波が伝搬している場合、結合孔１１に取
りつけられた共振素子１２はLの波に対しては、
ほとんど影響しないが、Hの波に対しては直列共
振状態になるような寸法になつている。一方高域
通過導波管４はＨ面横断面寸法９がLの周波数で
遮断域となるように選定されており、さらに高域
通過導波管４は結合孔１１からの位置がLの波に
対してほぼ近似的に λL／４（１＋2N） ただし、 λL：Lの周波数帯の中心周波数での管内波長 Ｎ：０または任意の正の整数 なる寸法１０だけ離して配置している。
れたLの波が伝搬している場合、結合孔１１に取
りつけられた共振素子１２はLの波に対しては、
ほとんど影響しないが、Hの波に対しては直列共
振状態になるような寸法になつている。一方高域
通過導波管４はＨ面横断面寸法９がLの周波数で
遮断域となるように選定されており、さらに高域
通過導波管４は結合孔１１からの位置がLの波に
対してほぼ近似的に λL／４（１＋2N） ただし、 λL：Lの周波数帯の中心周波数での管内波長 Ｎ：０または任意の正の整数 なる寸法１０だけ離して配置している。
したがつて、主導波管３に導入されたLの波は
高域通過導波管４で反射され結合孔１１を介し
て、分岐導波管１３に入る。
高域通過導波管４で反射され結合孔１１を介し
て、分岐導波管１３に入る。
また、分岐導波管１３には電波吸収体１４を設
けているので、分岐導波管に入つたLの波は吸収
される。一方、主導波管３に導入されたHの波に
対しては結合孔１１の共振素子１２の位置で電気
的に短絡された状態になり、Hの波は結合孔１１
の影響をほとんど受けずに高域通過導波管４に至
り方形導波管５に導入される。
けているので、分岐導波管に入つたLの波は吸収
される。一方、主導波管３に導入されたHの波に
対しては結合孔１１の共振素子１２の位置で電気
的に短絡された状態になり、Hの波は結合孔１１
の影響をほとんど受けずに高域通過導波管４に至
り方形導波管５に導入される。
この発明による一次放射器はこのような動作を
するので、電磁ホーン７で反射波を生じても楕円
偏波率を劣化することなく所望の楕円偏波率を得
る一次放射器が実現でどきるとともに、電磁ホー
ン７の開口寸法を小さくすることができ、かつ整
合素子を用いる必要もないという効果を有してい
る。
するので、電磁ホーン７で反射波を生じても楕円
偏波率を劣化することなく所望の楕円偏波率を得
る一次放射器が実現でどきるとともに、電磁ホー
ン７の開口寸法を小さくすることができ、かつ整
合素子を用いる必要もないという効果を有してい
る。
第３図はこの発明の他の実施例を示すもので、
第２図に示した結合孔１１を主導波管３のＥ面に
設けるかわりに、主導波管３のＨ面に設けたもの
であり、同様な効果を有している。
第２図に示した結合孔１１を主導波管３のＥ面に
設けるかわりに、主導波管３のＨ面に設けたもの
であり、同様な効果を有している。
なお、以上は主導波管３と高域通過導波管４が
方形導波管の場合について説明しているが、円形
導波管の場合でも高域通過導波管の内径寸法がL
の周波数に対して遮断域となるように選定されて
いれば同様な効果が得られる。
方形導波管の場合について説明しているが、円形
導波管の場合でも高域通過導波管の内径寸法がL
の周波数に対して遮断域となるように選定されて
いれば同様な効果が得られる。
また、共振素子１２のかわりに通過帯域がL、
阻止帯域がHとなるように選定されたワツフル形
波器を用いても同じような効果が得られる。
阻止帯域がHとなるように選定されたワツフル形
波器を用いても同じような効果が得られる。
さらに、以上は電磁ホーン７が１個の場合につ
いて説明しているが、複数の電磁ホーンを用いた
構成の場合にも同様の効果が得られる。
いて説明しているが、複数の電磁ホーンを用いた
構成の場合にも同様の効果が得られる。
第１図は従来の一次放射器を示す図、第２図、
第３図はこの発明による各実施例を示す図であ
る。図中、１，５は方形導波管、２は偏分波器、
３は主導波管、４は高域通過導波管、６は偏波変
換器、７は電磁ホーン、１１は結合孔、１２は共
振素子、１３は分岐導波管、１４は電波吸収体で
ある。なお、図中、同一あるいは相当部分には同
一符号を付して示してある。
第３図はこの発明による各実施例を示す図であ
る。図中、１，５は方形導波管、２は偏分波器、
３は主導波管、４は高域通過導波管、６は偏波変
換器、７は電磁ホーン、１１は結合孔、１２は共
振素子、１３は分岐導波管、１４は電波吸収体で
ある。なお、図中、同一あるいは相当部分には同
一符号を付して示してある。
Claims (1)
- １ 多周波帯の低い周波数帯の電磁波Lと高い周
波数帯の電磁波Hを導入し、直交した偏波の電磁
波LとHを分波する偏分波器と、上記偏分波器に
設けられた結合孔に接続され、上記電磁波Lを導
入する方形導波管と、上記偏分波器の一端に接続
され、直線偏波と円偏波との偏波を変換する偏波
変換器と、上記偏波変換器に接続された電磁ホー
ンと、上記偏分波器の他端に接続された主導波管
とから構成される一次放射器において、上記主導
波管を伝搬する多周波数帯の同じ偏波の電磁波か
ら低い周波数帯の電磁波を分波し、かつ吸収する
ように、上記主導波管に結合孔を設け、上記主導
波管の結合孔から低い周波数帯の電磁波に対して
遮断域となる高域通過導波管を上記主導波管の管
内波長の４分の１、またはその奇数倍に近い長さ
だけ離して設けるとともに、上記主導波管の結合
孔を介して接続された分岐導波管部に波器と電
波吸収体を設けたことを特徴とする一次放射器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15600081A JPS5857803A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 一次放射器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15600081A JPS5857803A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 一次放射器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857803A JPS5857803A (ja) | 1983-04-06 |
| JPH0116046B2 true JPH0116046B2 (ja) | 1989-03-22 |
Family
ID=15618139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15600081A Granted JPS5857803A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 一次放射器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857803A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2488055A1 (fr) * | 1980-07-31 | 1982-02-05 | Thomson Csf | Transducteur d'antenne pour antenne d'emission-reception et source primaire d'antenne equipee d'un tel transducteur |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15600081A patent/JPS5857803A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5857803A (ja) | 1983-04-06 |
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