JPH01161619A - 超電導体薄膜の製造方法 - Google Patents
超電導体薄膜の製造方法Info
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- JPH01161619A JPH01161619A JP62320405A JP32040587A JPH01161619A JP H01161619 A JPH01161619 A JP H01161619A JP 62320405 A JP62320405 A JP 62320405A JP 32040587 A JP32040587 A JP 32040587A JP H01161619 A JPH01161619 A JP H01161619A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は酸化物超電導体を使用した超電導体薄膜の製造
方法に関する。
方法に関する。
（従来の技術）
近年、Ｂａ −Ｌａ −Ｃｕ −０系の層状ペロブスカ
イト型の酸化物が高い臨界温度を有する可能性のあるこ
とが発表されて以来、各所で酸化物超電導体の研究が行
なわれている。その中でもＹ−Ｂａ −Ｃｕ −０系で
代表される酸素欠陥を有する欠陥ペロブスカイト型（Ｌ
ｎ Ｂ ａ２ｃ ＬＩ＊Ｏｔ−ａ型）（は酸素欠陥を
表わし通常１以下の数、ＡはＹｌＬａ、５ｃＳＮｄｓ
Ｓｓ、Ｅｕｓ Ｇｄ５ＤＹ％Ｈｏ ｓ Ｅ ｒ ５ＴＩ
Ｉｓ ＹｂおよびＬｕから選ハレタ少なくとも１種の元
素、Ｂａの一部はＳｒなどで置換可能）の酸化物超電導
体は、臨界温度が９０に以上と液体窒素の沸点以上の高
い温度を示すため非常に有望な材料として注目されてい
る。
イト型の酸化物が高い臨界温度を有する可能性のあるこ
とが発表されて以来、各所で酸化物超電導体の研究が行
なわれている。その中でもＹ−Ｂａ −Ｃｕ −０系で
代表される酸素欠陥を有する欠陥ペロブスカイト型（Ｌ
ｎ Ｂ ａ２ｃ ＬＩ＊Ｏｔ−ａ型）（は酸素欠陥を
表わし通常１以下の数、ＡはＹｌＬａ、５ｃＳＮｄｓ
Ｓｓ、Ｅｕｓ Ｇｄ５ＤＹ％Ｈｏ ｓ Ｅ ｒ ５ＴＩ
Ｉｓ ＹｂおよびＬｕから選ハレタ少なくとも１種の元
素、Ｂａの一部はＳｒなどで置換可能）の酸化物超電導
体は、臨界温度が９０に以上と液体窒素の沸点以上の高
い温度を示すため非常に有望な材料として注目されてい
る。
しかして、このような酸化物超電導体を使用して例えば
配線基板を製作する場合には、超電導体をプラズマ溶射
により基体の表面に付着させ、基体の表面に所定のパタ
ーンの薄膜を形成することが考えられている。
配線基板を製作する場合には、超電導体をプラズマ溶射
により基体の表面に付着させ、基体の表面に所定のパタ
ーンの薄膜を形成することが考えられている。
そして、この超電導体薄膜を形成する方法において、薄
膜のパターンを形作るために従来は、基地の表面に薄膜
を形成する部分すなわちパターンを形成する部分を残し
てマスキングテープを貼り付けて薄膜を形成しない部分
をマスキングテープで覆い、基体の露出した表面部分に
超電導体を溶射で付着させることにより薄膜を形成する
方法が検討されている。
膜のパターンを形作るために従来は、基地の表面に薄膜
を形成する部分すなわちパターンを形成する部分を残し
てマスキングテープを貼り付けて薄膜を形成しない部分
をマスキングテープで覆い、基体の露出した表面部分に
超電導体を溶射で付着させることにより薄膜を形成する
方法が検討されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかるに、溶射で超電導体薄膜を形成する場合に、この
ようにマスキングテープを用いて薄膜のパターンを形作
る方法にあっては、マスキングテープを基体の表面に所
定のパターン部分を残して貼り付け、超電導体を溶射し
た後でマスキングテープを基体から剥離する作業は大変
面倒であり、−個の基体に溶射を行なう度にこのマスキ
ングテープの貼り付けおよび剥離を行なう必要があるの
で大変能率が悪いという問題がある。
ようにマスキングテープを用いて薄膜のパターンを形作
る方法にあっては、マスキングテープを基体の表面に所
定のパターン部分を残して貼り付け、超電導体を溶射し
た後でマスキングテープを基体から剥離する作業は大変
面倒であり、−個の基体に溶射を行なう度にこのマスキ
ングテープの貼り付けおよび剥離を行なう必要があるの
で大変能率が悪いという問題がある。
本発明は前記事情に基づいてなされたもので、所定パタ
ーンの酸化物超電導体薄膜を溶射により容易に形成する
ことができる超電導体薄膜の製造方法を提供することを
目的とする。
ーンの酸化物超電導体薄膜を溶射により容易に形成する
ことができる超電導体薄膜の製造方法を提供することを
目的とする。
［発明の構成コ
（問題点を解決するための手段と作用）前記目的を達成
するために本発明の超電導体薄膜の製造方法は、酸化物
超電導体を切抜き部を有するマスキング板を介して基体
に溶射して、基体の表面に酸化物超電導体の薄膜を形成
することを特徴とするものである。
するために本発明の超電導体薄膜の製造方法は、酸化物
超電導体を切抜き部を有するマスキング板を介して基体
に溶射して、基体の表面に酸化物超電導体の薄膜を形成
することを特徴とするものである。
酸化物超電導体としては、多数のものが知られているが
、臨界温度の高い、希土類元素を含有するペロブスカイ
ト型の酸化物超電導体を用いることが実用上好ましい。
、臨界温度の高い、希土類元素を含有するペロブスカイ
ト型の酸化物超電導体を用いることが実用上好ましい。
ここでいう希土類元素を含有し、ペロブスカイト型構造
を有する酸化物超電導体は、超電導状態を実現出来るも
のであれば良く、Ｌ ｎ Ｂ ａ２ｃ ｕｓｏ ？−Ｊ
型（δは酸素欠陥を表わし通常１以下の数、ＡはＹ、
Ｌａ ｓ Ｓｃ ｓ Ｎｄ ５ＳＩＩＳＥｕＳＧｄｓ
ＤＦｑ Ｈｏｓ Ｅｒｓ Ｔｌｌ５ｙｂおよびＬｕから
選ばれた少なくとも１種の元素、Ｂａの一部はＳｒなど
で置換可能）などの酸素欠陥を有する欠陥ペロブスカイ
ト型、５ｒ−Ｌｎ−Ｃｕ−０系などの層状ペロブスカイ
ト型などの広義にペロブスカイト型を有する酸化物が例
示される。また、希土類元素も、広義の定義とし、Ｓ
ｃ ｓ ＹおよびＬａ系を含むものとする。代表的な系
としてはＹ−Ｂａ−Ｃｕ系の他にＹをＥｕ。
を有する酸化物超電導体は、超電導状態を実現出来るも
のであれば良く、Ｌ ｎ Ｂ ａ２ｃ ｕｓｏ ？−Ｊ
型（δは酸素欠陥を表わし通常１以下の数、ＡはＹ、
Ｌａ ｓ Ｓｃ ｓ Ｎｄ ５ＳＩＩＳＥｕＳＧｄｓ
ＤＦｑ Ｈｏｓ Ｅｒｓ Ｔｌｌ５ｙｂおよびＬｕから
選ばれた少なくとも１種の元素、Ｂａの一部はＳｒなど
で置換可能）などの酸素欠陥を有する欠陥ペロブスカイ
ト型、５ｒ−Ｌｎ−Ｃｕ−０系などの層状ペロブスカイ
ト型などの広義にペロブスカイト型を有する酸化物が例
示される。また、希土類元素も、広義の定義とし、Ｓ
ｃ ｓ ＹおよびＬａ系を含むものとする。代表的な系
としてはＹ−Ｂａ−Ｃｕ系の他にＹをＥｕ。
Ｄｙｓ Ｈｏｓ Ｅｒｓ ＴＩ、Ｙｂｑ Ｌｕなどの希
土類で置換した系、Ｓｃ −Ｂａ −Ｃｕ−０系、さら
にＳｒをＢａ５Ｃａで置換した系などが挙げられる。
土類で置換した系、Ｓｃ −Ｂａ −Ｃｕ−０系、さら
にＳｒをＢａ５Ｃａで置換した系などが挙げられる。
本発明の超電導体薄膜の原料となる酸化物超電導体の粉
末は、例えば以下に示すようにして製造される。
末は、例えば以下に示すようにして製造される。
まず、Ｙｓ Ｂａ ％ Ｃｕなどのぺ°ロブスカイト型
酸化物超電導体の構成元素を充分混合する。
酸化物超電導体の構成元素を充分混合する。
混合の際に、Ｙ２．０３ 、Ｅｕ ２０２ 、Ｂａ ０
ｓＣｕＯなどの酸化物を原料として用いることができる
。また、これら酸化物の他に、焼成後に酸化物に転化す
る炭酸塩、硝酸塩、水酸化物などの化合物を用いても良
い。さらには、共沈法などで得たシェラ酸塩などを用い
ても良い。ペロブスカイト型酸化物超電導体を構成する
元素は基本的に化学量論比の組成となるように混合する
が、多少製造条件などとの関係などでずれていても差支
えない。例えば、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系ではＹ Ｉ ｌ
ｌ１ｏｌに対してＢａ ２ｓｏｌ 、Ｃｕ ３ｓｏｌが
標準組成であるが、実用上はＹ １ ｍｏｌに対してＢ
ａ２±０，６ｓｏｌ ｓ Ｃｕ ３±０．２ｓｏｌ程度
のずれは問題ない。
ｓＣｕＯなどの酸化物を原料として用いることができる
。また、これら酸化物の他に、焼成後に酸化物に転化す
る炭酸塩、硝酸塩、水酸化物などの化合物を用いても良
い。さらには、共沈法などで得たシェラ酸塩などを用い
ても良い。ペロブスカイト型酸化物超電導体を構成する
元素は基本的に化学量論比の組成となるように混合する
が、多少製造条件などとの関係などでずれていても差支
えない。例えば、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系ではＹ Ｉ ｌ
ｌ１ｏｌに対してＢａ ２ｓｏｌ 、Ｃｕ ３ｓｏｌが
標準組成であるが、実用上はＹ １ ｍｏｌに対してＢ
ａ２±０，６ｓｏｌ ｓ Ｃｕ ３±０．２ｓｏｌ程度
のずれは問題ない。
そして、前述の原料を充分に混合した後、８５０〜９８
０℃程度の温度で焼成する。この焼成は充分に酸素が供
給できるように酸素雰囲気中で行なうことが好ましい。
０℃程度の温度で焼成する。この焼成は充分に酸素が供
給できるように酸素雰囲気中で行なうことが好ましい。
次いで、酸素含有雰囲気中、好ましくは酸素中で加熱処
理または温度３００℃程度まで徐冷を行なうことにより
、超電導特性を向上させることができる。この加熱処理
は通常３００〜７００℃程度の温度で数時間行なう。次
に、この焼成物をボールミル、サンドグラインダ、その
ほか公知の手段により粉砕する。この時、ペロブスカイ
ト型の酸化物超電導体は、へき開き面から分割されて微
粉末となる。粉砕は、平均粒径（Ｃ面上の最大の軸の長
さ）が１〜５７５１程度、軸比（粒径対厚さの比）が３
〜５程度になるように行なうことが好ましい。なお、必
要に応じて粉砕した粉末を上記範囲となるように分級し
て用いても良い。
理または温度３００℃程度まで徐冷を行なうことにより
、超電導特性を向上させることができる。この加熱処理
は通常３００〜７００℃程度の温度で数時間行なう。次
に、この焼成物をボールミル、サンドグラインダ、その
ほか公知の手段により粉砕する。この時、ペロブスカイ
ト型の酸化物超電導体は、へき開き面から分割されて微
粉末となる。粉砕は、平均粒径（Ｃ面上の最大の軸の長
さ）が１〜５７５１程度、軸比（粒径対厚さの比）が３
〜５程度になるように行なうことが好ましい。なお、必
要に応じて粉砕した粉末を上記範囲となるように分級し
て用いても良い。
このように得られた酸化物超電導体粉末は、酸素欠陥
を有する酸素欠陥ペロプスカイト型（Ｌ ｎ Ｂ ａ２
ｃ ｕ３０ ｔ−ａ型）（δは通常１以下の数）となる
。なお、ＢａをＳ ｒ ｓ Ｃａの少なくとも１種と置
換することもでき、ざらにＣｕの一部をＴｔ 、Ｖｓ
Ｃｒ ｓ Ｍｎｓ Ｆｅｓ Ｃｏ５Ｎ１ 、Ｚｎなどで
置換することもできる。これらＣｕ元素、Ｂａ元素の置
換元素はそれぞれサイトに置換した形で入る。この置換
量は、超電導特性を低下させない程度の範囲で適宜設定
可能であるが、あまり多量の置換は超電導特性を低下し
てしまうので８０１ｉｏ１以下、さらに実用上は２０■
ｏ１％以下程度までとする。
を有する酸素欠陥ペロプスカイト型（Ｌ ｎ Ｂ ａ２
ｃ ｕ３０ ｔ−ａ型）（δは通常１以下の数）となる
。なお、ＢａをＳ ｒ ｓ Ｃａの少なくとも１種と置
換することもでき、ざらにＣｕの一部をＴｔ 、Ｖｓ
Ｃｒ ｓ Ｍｎｓ Ｆｅｓ Ｃｏ５Ｎ１ 、Ｚｎなどで
置換することもできる。これらＣｕ元素、Ｂａ元素の置
換元素はそれぞれサイトに置換した形で入る。この置換
量は、超電導特性を低下させない程度の範囲で適宜設定
可能であるが、あまり多量の置換は超電導特性を低下し
てしまうので８０１ｉｏ１以下、さらに実用上は２０■
ｏ１％以下程度までとする。
本□発明の製造方法についてさらに説明すると、本発明
の製造方法は前記の方法により得た酸化物超電導体の粉
末を原料とし、この粉末を、所定パターンの切抜き部を
有するマスキング板を介して基体に溶射して付芒させ、
基体の表面にマスキング板の切抜き部のパターンを持っ
た薄膜を形成する方法である。
の製造方法は前記の方法により得た酸化物超電導体の粉
末を原料とし、この粉末を、所定パターンの切抜き部を
有するマスキング板を介して基体に溶射して付芒させ、
基体の表面にマスキング板の切抜き部のパターンを持っ
た薄膜を形成する方法である。
酸化物超電導体粉末を基体に付着させる溶射法としては
、プラズマ溶射、ガス式溶射、ガス爆発溶射などが挙げ
られる。このなかでプラズマ溶射は、プラズマ雰囲気の
温度が７０００〜２００００℃であり、溶射ガンのノズ
ルからの粒子の流出速度が１秒間に数百メートルである
ために、薄膜の気孔率が低く、基体との接着力が強い。
、プラズマ溶射、ガス式溶射、ガス爆発溶射などが挙げ
られる。このなかでプラズマ溶射は、プラズマ雰囲気の
温度が７０００〜２００００℃であり、溶射ガンのノズ
ルからの粒子の流出速度が１秒間に数百メートルである
ために、薄膜の気孔率が低く、基体との接着力が強い。
また、その炎に酸素を含まないので、高融点金属、炭化
物、窒化物などの耐熱材料からなる基体に薄膜を形成す
ることが出来る。これらの理由により酸化物超電導体の
薄膜を形成する溶射の方法として適している。
物、窒化物などの耐熱材料からなる基体に薄膜を形成す
ることが出来る。これらの理由により酸化物超電導体の
薄膜を形成する溶射の方法として適している。
マスキング板は、耐熱性が良く且つ熱伝達係数が高い金
属、例えば銅または銅合金からなる板を使用する。マス
キング板に基体に形成する薄膜のパターンと同じで対応
した大きさのパターンをなす切抜き部を形成する。この
切抜き部はレーザ加工などの加工をマスキング板に施し
、極めて高い精度で形成する。
属、例えば銅または銅合金からなる板を使用する。マス
キング板に基体に形成する薄膜のパターンと同じで対応
した大きさのパターンをなす切抜き部を形成する。この
切抜き部はレーザ加工などの加工をマスキング板に施し
、極めて高い精度で形成する。
マスキング板は溶射ガンと薄膜を形成する基体との間に
おいて、溶射ガンと基体に対して間隔を存して対向配置
する。溶射ガンとマスキング板との間隔およびマスキン
グ板と基体との間の間隔は、溶射ガンから溶射される超
電導体の速度や拡散範囲などの条件に基づいて適切な大
きさに設定する。
おいて、溶射ガンと基体に対して間隔を存して対向配置
する。溶射ガンとマスキング板との間隔およびマスキン
グ板と基体との間の間隔は、溶射ガンから溶射される超
電導体の速度や拡散範囲などの条件に基づいて適切な大
きさに設定する。
これによりマスキング板は基体の切抜き部を除いて溶射
ガンに対して遮蔽し、切抜き部に対向する基体の部分を
溶射ガンに対して臨ませることになる。
ガンに対して遮蔽し、切抜き部に対向する基体の部分を
溶射ガンに対して臨ませることになる。
なお、本発明方法では薄膜を形成する基体の材質は、金
属一般およびセラミックスなど特定されるものではなく
、基体の用途に応じて自由に選択できる。
属一般およびセラミックスなど特定されるものではなく
、基体の用途に応じて自由に選択できる。
しかして、酸化物超電導体を基体に溶射するに際しては
、基体の表面を例えば１０．以下に仕上げておく。必要
に応じてブラストなどにより表面を荒しておく。また、
溶射に際して、酸化物超電導体の粉末は粒径を５０〜６
０．に揃えておく。
、基体の表面を例えば１０．以下に仕上げておく。必要
に応じてブラストなどにより表面を荒しておく。また、
溶射に際して、酸化物超電導体の粉末は粒径を５０〜６
０．に揃えておく。
これは酸化物超電導体の粒径が不揃いであったり、上記
範囲より大きい場合には、溶射時に超電導体が完全に溶
解しないために、不均一な溶融状態のままに基体の表面
に溶射されて付着してしまい均質な薄膜が形成できない
からである。
範囲より大きい場合には、溶射時に超電導体が完全に溶
解しないために、不均一な溶融状態のままに基体の表面
に溶射されて付着してしまい均質な薄膜が形成できない
からである。
そして、第１図で示すよう例えばプラズマ溶射用の溶射
ガン１から溶融した酸化物超電導体２をマスキング板３
に向けて噴射すると、噴射した超電導体２の一部がマス
キング板３の切抜き部４を通過して基体５に衝突して付
着するとともに、超電導体２の他の部分はマスキング板
３の切抜き部４を除く板面に衝突して停止し基体５にま
で到達しない。ここで、超電導体２はマスキング板３の
切抜き部４が形作るパターン形状に規定された形態で切
抜き部４を通過して基体５の表面に付着する。このため
、超電導体２はマスキング板３の切抜き部４と同じパタ
ーンで付着して薄膜６を形成する。また、マスキング板
３の切抜き部４以外の部分に対応する基体５の表面には
超電導体２が付着せず薄膜を形成しない。これにより基
体５の表面に必要とするパターンを持つ酸化物超電導体
の薄膜６を形成する。なお、通常１回の溶射により形成
される薄膜６の厚さは約２０．であるから、必要に応じ
て複数回溶射を行ない必撃とする膜厚をもった薄膜６を
形成する。また、基体５をマスキング板３に対して順次
連続的に移動させるとともに、溶射ガン１で順次連続し
て基体５に対して超電導体を溶射することにより、超電
導体２の薄膜６を形成した基体を順次連続して製造する
ことができる。
ガン１から溶融した酸化物超電導体２をマスキング板３
に向けて噴射すると、噴射した超電導体２の一部がマス
キング板３の切抜き部４を通過して基体５に衝突して付
着するとともに、超電導体２の他の部分はマスキング板
３の切抜き部４を除く板面に衝突して停止し基体５にま
で到達しない。ここで、超電導体２はマスキング板３の
切抜き部４が形作るパターン形状に規定された形態で切
抜き部４を通過して基体５の表面に付着する。このため
、超電導体２はマスキング板３の切抜き部４と同じパタ
ーンで付着して薄膜６を形成する。また、マスキング板
３の切抜き部４以外の部分に対応する基体５の表面には
超電導体２が付着せず薄膜を形成しない。これにより基
体５の表面に必要とするパターンを持つ酸化物超電導体
の薄膜６を形成する。なお、通常１回の溶射により形成
される薄膜６の厚さは約２０．であるから、必要に応じ
て複数回溶射を行ない必撃とする膜厚をもった薄膜６を
形成する。また、基体５をマスキング板３に対して順次
連続的に移動させるとともに、溶射ガン１で順次連続し
て基体５に対して超電導体を溶射することにより、超電
導体２の薄膜６を形成した基体を順次連続して製造する
ことができる。
従って、本発明の超電導体薄膜の製造方法では、溶射作
業を開始する前に必要とするパターンを持った切抜き部
４を有するマスキング板３を配置するだけで、後は一個
の基体に対して薄膜を形成する毎にマスキング板３を動
かす必要がなく、多数の基体３に対して連続して溶射を
行ない酸化物超電導体の薄膜６を形成することができる
ために、従来のように１個の基体１に薄膜を形成する毎
に基体１に対してマスキングテープを貼り付けおよび剥
離を行なう面倒な手間が不要であり、能率的に溶射を行
なうことができる。
業を開始する前に必要とするパターンを持った切抜き部
４を有するマスキング板３を配置するだけで、後は一個
の基体に対して薄膜を形成する毎にマスキング板３を動
かす必要がなく、多数の基体３に対して連続して溶射を
行ない酸化物超電導体の薄膜６を形成することができる
ために、従来のように１個の基体１に薄膜を形成する毎
に基体１に対してマスキングテープを貼り付けおよび剥
離を行なう面倒な手間が不要であり、能率的に溶射を行
なうことができる。
また、前述したように溶射に使用する酸化物超電導体の
粉末は微粒にする必要があるが、この微粒な超電導体粉
末を溶射ガンから噴射すると拡散し易い。このため、中
央部に切抜き部４を形成したマスキング板３を使用する
ことにより、溶射ガンから噴射されて拡散した超電導体
２の中央部分のみを切抜き部４に通して基体５に付着さ
せる。
粉末は微粒にする必要があるが、この微粒な超電導体粉
末を溶射ガンから噴射すると拡散し易い。このため、中
央部に切抜き部４を形成したマスキング板３を使用する
ことにより、溶射ガンから噴射されて拡散した超電導体
２の中央部分のみを切抜き部４に通して基体５に付着さ
せる。
溶射ガン１から噴射されて拡散した超電導体２は中央部
の噴射力が強く、外周部の噴射力が弱いために、超電導
体２の外周部の部分をマスキング板３で遮り、中央部分
のみを切抜き部４を通して基体５に付着させて接着力の
強い薄膜６を形成することができる。
の噴射力が強く、外周部の噴射力が弱いために、超電導
体２の外周部の部分をマスキング板３で遮り、中央部分
のみを切抜き部４を通して基体５に付着させて接着力の
強い薄膜６を形成することができる。
なお、成形した薄膜は所定の熱処理をおこない、優れた
超電導特性を示す導電体とする。
超電導特性を示す導電体とする。
本発明の製造方法により薄膜を形成する製品は、配線基
板などの酸化物超電導体のからなる薄膜の優れた特性を
利用した配線基板などの製品に広く適用できる。
板などの酸化物超電導体のからなる薄膜の優れた特性を
利用した配線基板などの製品に広く適用できる。
（実施例）
本発明の実施例について説明する。
先ず、夫々粒径１〜５１したＢａ ＣＯ３粉末２ｔａｏ
Ｉ 、Ｙ２０３粉末０． ５ｍｏｌ 、Ｃｕ Ｏ粉末３
ｍｏｌを充分混合して大気中９００℃で４８時間焼成
した後粉砕した。この粉砕物を大気中９１０℃で３０時
間焼成して反応させた後、ボールミルでさらに微粉砕し
、分級して平均粒径１．５ｔｌＪＲ。
Ｉ 、Ｙ２０３粉末０． ５ｍｏｌ 、Ｃｕ Ｏ粉末３
ｍｏｌを充分混合して大気中９００℃で４８時間焼成
した後粉砕した。この粉砕物を大気中９１０℃で３０時
間焼成して反応させた後、ボールミルでさらに微粉砕し
、分級して平均粒径１．５ｔｌＪＲ。
軸比３のペロブスカイト型の酸化物超電導体粉末を得た
。
。
次に、この超電導体粉末をマスキング板を介してステン
レス鋼からなる基体の表面に複数本のリード用薄膜を並
べて形成した。プラズマ溶射条件は、電流６００Ａ、電
圧４５〜５０Ｖ、ガスハアルゴンガスおよび水素ガスを
使用である。また、溶射ガンと基体５との間の間隔１５
０１ｍとした。
レス鋼からなる基体の表面に複数本のリード用薄膜を並
べて形成した。プラズマ溶射条件は、電流６００Ａ、電
圧４５〜５０Ｖ、ガスハアルゴンガスおよび水素ガスを
使用である。また、溶射ガンと基体５との間の間隔１５
０１ｍとした。
マスキング板は鋼板製で、中央にリードのパターンを持
った切抜き部を形成したものを使用した。
った切抜き部を形成したものを使用した。
１回の溶射の膜厚さを約１０〜２０．とじ、複数回溶射
を行ない約２００Ｉｓ゛の薄膜を形成した。溶射後に薄
膜に所定の熱処理を行なった。
を行ない約２００Ｉｓ゛の薄膜を形成した。溶射後に薄
膜に所定の熱処理を行なった。
このように製作した薄膜は基体に強固に接着し、且つ優
れた超電導特性を示した。
れた超電導特性を示した。
そして、この製造方法によれば溶射に先立ちマスキング
板を配置するだけで、後はマスキング板を取り扱う必要
がないので、従来のマスキングテープを使用する方法に
比して大変能率が向上した。
板を配置するだけで、後はマスキング板を取り扱う必要
がないので、従来のマスキングテープを使用する方法に
比して大変能率が向上した。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の超電導体薄膜の製造方法に
よれば、酸化物超電導体らなる薄膜を溶射により能率良
く形成することが出来る。
よれば、酸化物超電導体らなる薄膜を溶射により能率良
く形成することが出来る。
第１図は本発明の製造方法を示す説明図である。
１・・・溶射ガン、２・・・超電導体、３・・・マスキ
ング板、４・・・切抜き部、５・・・基体、６・・・薄
膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
ング板、４・・・切抜き部、５・・・基体、６・・・薄
膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
Claims (5)
- （１）酸化物超電導体を切抜き部を有するマスキング板
を介して基体に溶射して、前記基体の表面に前記酸化物
超電導体の薄膜を形成することを特徴とする超電導体薄
膜の製造方法。 - （２）溶射は、プラズマ溶射である特許請求の範囲第１
項記載の超電導体薄膜の製造方法。 - （３）酸化物超電導体は、希土類元素を含有するペロブ
スカイト型の超電導体である特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の超電導体薄膜の製造方法。 - （４）酸化物超電導体は、Ｌｎ元素（Ｌｎは、Ｙ、Ｌａ
、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、
Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれた少なくとも１種の元
素）、ＢａおよびＣｕを原子比で実質的に１：２：３の
割合で含有する特許請求の範囲第１項ないし第３項いず
れかに記載の超電導体薄膜の製造方法。 - （５）酸化物超電導体は、ＬｎＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７
＿−＿δ（δは酸素欠陥を表わす）で表わされる酸素欠
陥型ペロブスカイト構造を有する特許請求の範囲第４項
記載の超電導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62320405A JPH01161619A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 超電導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62320405A JPH01161619A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 超電導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01161619A true JPH01161619A (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=18121094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62320405A Pending JPH01161619A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 超電導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01161619A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09102228A (ja) * | 1995-10-05 | 1997-04-15 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | 酸化物超電導線材の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62320405A patent/JPH01161619A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09102228A (ja) * | 1995-10-05 | 1997-04-15 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | 酸化物超電導線材の製造方法 |
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