JPH01161724A - 表面実装用半導体装置の製造方法 - Google Patents

表面実装用半導体装置の製造方法

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JPH01161724A
JPH01161724A JP62318500A JP31850087A JPH01161724A JP H01161724 A JPH01161724 A JP H01161724A JP 62318500 A JP62318500 A JP 62318500A JP 31850087 A JP31850087 A JP 31850087A JP H01161724 A JPH01161724 A JP H01161724A
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JP
Japan
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substrate
resin
pattern
semiconductor device
electrodes
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JP62318500A
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Masayasu Kizaki
木崎　正康
Kazuo Inoue
和夫 井上
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Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Watch Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は小型・薄型な表面実装用半導体装置の製造およ
び生産性向上に関するものである。
〔従来技術と問題点〕
表面実装用半導体装置の代表的なものとしてスモールア
ウトラインパッケージ（ｓｏｐ　）、ファラドフラット
パッケージ（ＱＦＰ）、プラスチックリープイツトチッ
プキャリア（ＰＬＣＣ）等が挙げられるが、どれもリー
ドフレームを使用して電極を取り出し、高価な金型を用
いトランスファーモールド法により樹脂封止される。さ
らに外部リードを切り離してリードを独立させた後、リ
ードを所定の形に折り曲げる工程を経ている。
以上の如〈従来技術においてはリードフレームを使用す
るために、表面実装用半導体装置の小型化φ薄型化が困
難であり、さらに高価な金型を用いる樹脂封止やリード
加工の工程を有するために生産性、製品の不均一性など
の問題点がある。
〔発明の目的〕
本発明はこのような欠点を解消させ、小型・薄型で生産
性の高い表面実装用半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
〔発明の構成〕
本発明の構成は、所定のパターンを形成した樹脂系基板
上に、半導体素子の電極を導電性物質を用いて接続し、
封止樹脂により樹脂系基板の片面をパターンと半導体素
子を覆うように封止した後。
樹脂系基板を除去し前記パターンを半導体装置の電極と
する工程を有することを特徴とする表面実装用半導体装
置の製造方法である。
本発明によると従来技術では必要とされたリードフレー
ムが不要となり従来よりも小型で薄型な表面実装用半導
体装置が得られ、さらに樹脂系基板の片面のみの樹脂封
止により従来技術に比べ金型が安価となること、リード
加工工程も不要であることから、生産性の向上、製品の
均一化が計れる。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
〔実施例〕
実施例１ 本発明の表面実装用半導体装置における第１の実施例を
第１図（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
第１図［ａ）に示すように、銅を材料とし所定のパター
ン１２を形成したポリイミド系の・基板１４上に突起電
極１６を設けた半導体素子１８を導電性物質２０例えば
導電ペーストを用いてフェイスダウンボンディングする
。その後、封止樹脂２２として例えばエポキシ系封止樹
脂を使用しトランス　′ファーモールド法によりポリイ
ミド系の基板１４０片側に位置する半導体素子１８とポ
リイミド系の基板１４との空隙および半導体素子１８の
表面を樹脂封止する。
次に第１図（ｂ）に示すよ５にポリイミド系の基板１４
を剥離する。
第１図（ａ）の断面構造において、ポリイミド系の基板
１４のパターン１２を形成すえ側の表面を鏡面にし、こ
の面に無電界メツキ法等によって銅を所定めパターン１
２に形成する。
さらにパターン１２の封止樹脂２２のエポキシ系封止樹
脂と接する側は機械的処理や化学的処理により粗面にす
ることによって、ポリイミド系の基板１４を剥離する際
パターン１２は、封止樹脂２２に接合したまま、ポリイ
ミド系の基板１４のみが剥離され第１図（ｂ）の断面構
造および第２図の底面を有する表面実装用半導体装置を
完成する。
実施例１ではポリイミド系基板１４と半導体素子１８の
突起電極１６との接続に導電性ペーストを、また樹脂封
止法としてトランスファーモールド法を用いたが、基板
１４と半導体素子１８の電極との接続には一般的なワイ
ヤボンディング法やフリップチップ法を、また樹脂封止
法として注型法や滴下法を用いても同じ効果がある。
第３図は、ワイヤボンディング法によりポリイミド基板
１４上に半導体素子１８を接続し、実施例１と同様に完
成した表面実装用半導体装置の断面図である。
実施例２ 本発明の表面実装用半導体装置における第２の実施例を
第４図（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
第４図（ａ）に示すように表面に高さ５０μｍ程度の突
起を半導体素子１８の電極と対応する位置に設けたポリ
イミド系の基板２４上に、導電性物質２６として例えば
エポキシ系導電ペーストを所定のパターンにスクリーン
印刷し、半導体素子１８の電極がポリイミド系の基板２
４表面の突起上の導電性物質２６のエポキシ系導電ペー
ストにより機械的かつ電気的に接続されるよう半導体素
子１８をフェイスダウンボンディングする。その後、エ
ポキシ系の封止樹脂２２を使用しトランスファーモール
ド法によりポリイミド系の基板２４０片側に位置する半
導体素子１８と基板２４との空隙および半導体素子１８
の表面を樹脂封止する。
次に第４図（ｂ）に示すようにポリイミド系の基板２４
を剥離する。
第４図（ａ）の断面構造において、ポリイミド系の基板
２４の突起を設けた側の表面を鏡面にすることにより、
ポリイミド系基板２４を剥離する際エポキシ系導電ペー
スト２６はエポキシ系封止樹脂２２に接合したまま、ポ
リイミド系基板２４のみが容易に剥離され、第４図（ｂ
）の断面構造および第５図の底面を有する表面実装用半
導体装置が完成する。
実施例２では樹脂封止法としてトランスファーモールド
法を用いたが、注型法や滴下法を用いても同じ効果があ
る。
〔発明の効果〕
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、従来技
術では必要とされたリードフレームが不要となり従来よ
りも小型で薄型な表面実装用半導体装置が得られ、さら
に樹脂系基板の片面の為の樹脂封止で済むために従来技
術に比べ金型が安価となること、リード加工工程も不要
であることから、生産性の向上、製品の均一化が計れる
。
また実施例２では突起電極が不要であるとともに、ワイ
ヤボンディング法も用いないために製造コストの削減が
計られる。
さらに本発明において樹脂系基板を長い帯状にすること
によって製造ラインを容易に連続化できるため、生産性
をより向上させることができる。
本発明によるところの表面実装用半導体装置の薄さは、
例えば実施例１において半導体素子の厚さを４００μｍ
、突起電極の高さを５０μｍ、パターンの厚さを７０μ
ｍ１半導体素子上層の封止樹脂の厚さを１００μｍとし
たとき、□全体の厚さは６２０μｍとなる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、ｌｂｌは本発明における第１の実施例を
示す工程断面図、第２図は第１図（ｂ）に対応する平面
図、第３図は本発明の第１の実施例における半導体素子
と基板をワイヤボンディングにより接続した状態を示す
断面図、第４図（ａ）、（ｂ）は本発明における第２の
実施例を示す工程断面図、第５図は第４図（ｂ）に対応
する平面図である。 １２・・・・・・パターン、 １４．２４・・・・・・基板、 １８・・・・・・半導体素子、 ２０．２６・・・・・・導電性物質、 ２２・・・・・・封止樹脂。 第１図 第２図 第５図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　所定のパターンを形成した樹脂系基板上に、半導体素
    子の電極を導電性物質を用いて接続し、封止樹脂により
    前記樹脂系基板の片面を前記パターンと半導体素子を覆
    うように封止した後、前記樹脂系基板を除去し前記パタ
    ーンを半導体装置の電極とする工程を有することを特徴
    とする表面実装用半導体装置の製造方法。
JP62318500A 1987-12-18 1987-12-18 表面実装用半導体装置の製造方法 Pending JPH01161724A (ja)

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