JPH022095A - Ｉｃモジュールの製造方法及びｉｃモジュール用基材 - Google Patents
Ｉｃモジュールの製造方法及びｉｃモジュール用基材Info
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- JPH022095A JPH022095A JP63144448A JP14444888A JPH022095A JP H022095 A JPH022095 A JP H022095A JP 63144448 A JP63144448 A JP 63144448A JP 14444888 A JP14444888 A JP 14444888A JP H022095 A JPH022095 A JP H022095A
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- semiconductor element
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、回路基板部に集積回路素子を載置しＩＣモジ
ュールを製作するＩＣモジュールの製造方法と、前記製
造方法に使用するＩＣモジュール用基材に関する。
ュールを製作するＩＣモジュールの製造方法と、前記製
造方法に使用するＩＣモジュール用基材に関する。
［従来の技術］
半導体素子の封止方法として従来より帯状の薄いテニプ
上にパターニングされた銅箔パターンに半導体素子をボ
ンディングし樹脂にて前記半導体素子を封止するテープ
オートメイテッド ポンディング（以下ＴＡＢと略す
）方法、基板上に配線接続された半導体素子に液状の樹
脂を滴下し、前記樹脂を加熱硬化させ半導体素子を封止
する、デツプオンボード（以下ＣＯＢと略す）方法、半
導体素子が装填された金型に予熱した樹脂を入れ封入成
形するトランスファ成形方法及び金属、セラミック、ガ
ラスにて半導体素子を気密封止するハーメチックシール
方法等が知られている。尚、半導体素子を樹脂にて封止
する方法には上記以外にも数種類の方法が知られている
。
上にパターニングされた銅箔パターンに半導体素子をボ
ンディングし樹脂にて前記半導体素子を封止するテープ
オートメイテッド ポンディング（以下ＴＡＢと略す
）方法、基板上に配線接続された半導体素子に液状の樹
脂を滴下し、前記樹脂を加熱硬化させ半導体素子を封止
する、デツプオンボード（以下ＣＯＢと略す）方法、半
導体素子が装填された金型に予熱した樹脂を入れ封入成
形するトランスファ成形方法及び金属、セラミック、ガ
ラスにて半導体素子を気密封止するハーメチックシール
方法等が知られている。尚、半導体素子を樹脂にて封止
する方法には上記以外にも数種類の方法が知られている
。
上記方法の一例として、ＴＡ［３方法の概略図を第６図
（ａ）に、第６図（ａ）のＡ−Ａ断面図を第６図（ｂ）
に示し、以下にＴＡＢ方法にて製造される集積回路（以
下ＩＣと略す）モジュールの構成を説明する。尚、ＩＣ
モジュールとは、半導体素子が上述したような方法で封
止された単体を怠味する。
（ａ）に、第６図（ａ）のＡ−Ａ断面図を第６図（ｂ）
に示し、以下にＴＡＢ方法にて製造される集積回路（以
下ＩＣと略す）モジュールの構成を説明する。尚、ＩＣ
モジュールとは、半導体素子が上述したような方法で封
止された単体を怠味する。
第６図（ａ）及び第６図（ｂ）において、ポリイミド等
にてなる薄い帯状のテープ３０の中央部には方形状の穴
３１が明けられる。テープ３０の片表面上には、穴３１
の長手方向の２辺のそれぞれの辺と直角に複数の銅箔３
２が等間隔にパターニングされる。尚、銅箔３２は穴３
１の空間部にも延在するものであるが、穴３１の前記２
辺から対向して延在する銅箔３２ａと銅箔３２ｂとは接
触していない。次に、テープ３０の穴３１には、半導体
素子３３がバンプ３４を介して穴３１に延在する銅箔３
２ａ及び銅箔３２ｂにまたがって接続される。
にてなる薄い帯状のテープ３０の中央部には方形状の穴
３１が明けられる。テープ３０の片表面上には、穴３１
の長手方向の２辺のそれぞれの辺と直角に複数の銅箔３
２が等間隔にパターニングされる。尚、銅箔３２は穴３
１の空間部にも延在するものであるが、穴３１の前記２
辺から対向して延在する銅箔３２ａと銅箔３２ｂとは接
触していない。次に、テープ３０の穴３１には、半導体
素子３３がバンプ３４を介して穴３１に延在する銅箔３
２ａ及び銅箔３２ｂにまたがって接続される。
さらに、半導体素子３３及びテープ３０の穴３１部は、
樹脂にてなる封止剤３５でテープ３０の両面より封止さ
れ、ＩＣモジュールが形成される。
樹脂にてなる封止剤３５でテープ３０の両面より封止さ
れ、ＩＣモジュールが形成される。
［発明が解決しようとする課題］
上述のような方法で製造されるＩＣモジュールを評価す
る項目としては、製造されたＩＣモジュールを回路基板
に実装する際、ＩＣモジュールが占める面積を小さくす
るために、ＩＣモジュールの厚さが薄いこと及びＩＣモ
ジュールの外形寸法が均一なこと、さらに大量生産でき
ること、回路基板に実装したＩＣモジュールが故障して
いる場合、良品と交換できること及び生産コストか安価
なこと等があげられる。
る項目としては、製造されたＩＣモジュールを回路基板
に実装する際、ＩＣモジュールが占める面積を小さくす
るために、ＩＣモジュールの厚さが薄いこと及びＩＣモ
ジュールの外形寸法が均一なこと、さらに大量生産でき
ること、回路基板に実装したＩＣモジュールが故障して
いる場合、良品と交換できること及び生産コストか安価
なこと等があげられる。
ところが上述したＩＣモジュールの製造方法は、それぞ
れの一長一短があり上記のＩＣモジュールの評価項目の
総てについて満足しないという問題点があった。
れの一長一短があり上記のＩＣモジュールの評価項目の
総てについて満足しないという問題点があった。
例えばＴＡＢ方法においては、大量生産は可能であるが
、前記バンプの素材コストが高価なことや、製造された
ＩＣモジュールを回路基板に実装する際、専用工具が必
要であることなどから加工費が高価となり、生産コスト
が高くなる欠点があ又、ＣＯＢ方法においては、ＩＣモ
ジュールの厚さは薄くできるが、ＩＣモジュールの外形
寸法の均一性に欠けたり、回路基盤に実装してしまうと
不良半導体素子の交換ができないという欠点がある。
、前記バンプの素材コストが高価なことや、製造された
ＩＣモジュールを回路基板に実装する際、専用工具が必
要であることなどから加工費が高価となり、生産コスト
が高くなる欠点があ又、ＣＯＢ方法においては、ＩＣモ
ジュールの厚さは薄くできるが、ＩＣモジュールの外形
寸法の均一性に欠けたり、回路基盤に実装してしまうと
不良半導体素子の交換ができないという欠点がある。
又、トランスファ成形方法においては、金型で成形され
ることからＩＣモジュールの外形寸法は製品毎に均一で
あり、大量生産を行なうことができる。しかしＩＣモジ
ュールの厚さが厚くなることや生産コストが高いという
欠点がある。
ることからＩＣモジュールの外形寸法は製品毎に均一で
あり、大量生産を行なうことができる。しかしＩＣモジ
ュールの厚さが厚くなることや生産コストが高いという
欠点がある。
又、ハーメチックシール方法においても、前述のトラン
スファ成形方法と同様の長短所がある。
スファ成形方法と同様の長短所がある。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
で、製造されるＩＣモジュールは、厚さが薄く、外形寸
法が製品毎に均一であり、大量生産が可能で、生産コス
トが低くさらに、実装した際不良品を良品に交換する交
換性のよいＩＣモジュールの製造方法及び前記製造に使
用するＩＣモジュール用基材を提供することを目的とす
る。
で、製造されるＩＣモジュールは、厚さが薄く、外形寸
法が製品毎に均一であり、大量生産が可能で、生産コス
トが低くさらに、実装した際不良品を良品に交換する交
換性のよいＩＣモジュールの製造方法及び前記製造に使
用するＩＣモジュール用基材を提供することを目的とす
る。
［課題を解決するための手段］
本発明のＩＣモジュールの製造方法は、薄い帯状の基材
表面の回路基板部に半導体素子を載置する第１の工程と
、前記半導体素子と回路基板部上の端子とを結線する第
２の工程と、結線された半導体素子を封止剤にて封止し
ながら封止剤を成形する第３の工程と、封止後封止剤表
面に捺印し、半導体素子の検査及び封止された半導体素
子を前記基材からの分離を行なう第４の工程とを備えた
ことを特徴とする。
表面の回路基板部に半導体素子を載置する第１の工程と
、前記半導体素子と回路基板部上の端子とを結線する第
２の工程と、結線された半導体素子を封止剤にて封止し
ながら封止剤を成形する第３の工程と、封止後封止剤表
面に捺印し、半導体素子の検査及び封止された半導体素
子を前記基材からの分離を行なう第４の工程とを備えた
ことを特徴とする。
上記のような工程を備えることで、第１、第２及び第４
の工程は、ＩＣモジュールの大量生産を可能にする。第
３の工程は、封止剤を成形することにより製造されるＩ
Ｃモジュールの外形寸法を均一化しさらに、ＩＣモジュ
ールの早さを薄くする。
の工程は、ＩＣモジュールの大量生産を可能にする。第
３の工程は、封止剤を成形することにより製造されるＩ
Ｃモジュールの外形寸法を均一化しさらに、ＩＣモジュ
ールの早さを薄くする。
さらに本発明のＩＣモジュール用基材は、半導体素子の
端子と接続される複数の第１の端子部と、前記端子部と
対となる複数の第２の端子部とを備えた回路基板部が分
離可能な状態で複数、帯状に集合したことを特徴とする
。
端子と接続される複数の第１の端子部と、前記端子部と
対となる複数の第２の端子部とを備えた回路基板部が分
離可能な状態で複数、帯状に集合したことを特徴とする
。
上記のように構成することで、第２の端子部は、回路基
板部表面上に形成されろ。回路基板部表面上に第２の端
子部が形成されることは９、実装後のＩＣモジュールの
交換性を向上さける。
板部表面上に形成されろ。回路基板部表面上に第２の端
子部が形成されることは９、実装後のＩＣモジュールの
交換性を向上さける。
［実施例コ
本発明の一実施例を示す第１図（ａ）ないし第１図（ｇ
）、第２図（ａ）及び第２図（ｂ）において、１は、例
えばガラスエポキン樹脂やポリイミド等の有機材料にて
なるテープであり、テープｌの側縁部１ｂには、テープ
１を等間隔ずつ移送する際に移送部（図示せず）のギア
の歯と係合する過大１ｄが複数個等間隔に空けられてい
る、薄い帯状の写真機用の撮影フィルム形状のものであ
る。又、テープ１の材料は耐熱性の高いものが好ましい
。テープ１の中央部にはＩ字形状又はチャンネル形状の
抜穴にてなる切欠部１ａが互いに接触しない様に適宜な
間隔を有して複数形成される。したがってテープｌの中
央部には、テープ１の側縁部１ｂと支持部ＩＣにて支持
される方形状の回路基板部２が複数個形成される。
）、第２図（ａ）及び第２図（ｂ）において、１は、例
えばガラスエポキン樹脂やポリイミド等の有機材料にて
なるテープであり、テープｌの側縁部１ｂには、テープ
１を等間隔ずつ移送する際に移送部（図示せず）のギア
の歯と係合する過大１ｄが複数個等間隔に空けられてい
る、薄い帯状の写真機用の撮影フィルム形状のものであ
る。又、テープ１の材料は耐熱性の高いものが好ましい
。テープ１の中央部にはＩ字形状又はチャンネル形状の
抜穴にてなる切欠部１ａが互いに接触しない様に適宜な
間隔を有して複数形成される。したがってテープｌの中
央部には、テープ１の側縁部１ｂと支持部ＩＣにて支持
される方形状の回路基板部２が複数個形成される。
第２図（ａ）に示すように回路基板部２の集積回路素子
接続側には、中央部に集積回路素子を載置する部分であ
る方形状のアイランド２ａが形成され、アイランド２３
部の対向する２辺に平行な状態で金属にてなる複数のパ
ッド２ｂが、電気的に互いに絶縁されて一列に並んで形
成される。
接続側には、中央部に集積回路素子を載置する部分であ
る方形状のアイランド２ａが形成され、アイランド２３
部の対向する２辺に平行な状態で金属にてなる複数のパ
ッド２ｂが、電気的に互いに絶縁されて一列に並んで形
成される。
第２図（ｂ）は、第２図（ａ）に示すテープｌの裏面を
示している。回路基板部２の対向する２辺から回路基板
部２の中央部に向い金属にてなる複数の外部接続端子２
ｃが互いに電気的に絶縁されて形成される。尚、回路基
板部２の裏面に形成される外部接続端子２ｃの配置形態
は、上述した例に限らず、第３図（ａ）に示すように回
路基板部２の４辺から形成されてらいいし、例えばＩＣ
カード用のＩＣモジュールとして第３図（ｂ）に示すよ
うに、回路基板部２の裏面全面に外部接続端子２ｃを形
成してもよい。尚、前述したパッド２ｂと、外部接続端
子２ｃとは第４図及び第５図に示すように１対ｌに対応
しているものである。又、第４図に示すように、製造方
法によっては、パッド２ｂと外部接続端子２Ｃとはテー
プｌの半導体素子接続側とテープｌの裏面とに形成され
ず、テープｌの裏面に形成される外部接続端子２Ｃの外
表面がテープｌの半導体素子接続側に露出しパッド２ｂ
となる場合らある。
示している。回路基板部２の対向する２辺から回路基板
部２の中央部に向い金属にてなる複数の外部接続端子２
ｃが互いに電気的に絶縁されて形成される。尚、回路基
板部２の裏面に形成される外部接続端子２ｃの配置形態
は、上述した例に限らず、第３図（ａ）に示すように回
路基板部２の４辺から形成されてらいいし、例えばＩＣ
カード用のＩＣモジュールとして第３図（ｂ）に示すよ
うに、回路基板部２の裏面全面に外部接続端子２ｃを形
成してもよい。尚、前述したパッド２ｂと、外部接続端
子２ｃとは第４図及び第５図に示すように１対ｌに対応
しているものである。又、第４図に示すように、製造方
法によっては、パッド２ｂと外部接続端子２Ｃとはテー
プｌの半導体素子接続側とテープｌの裏面とに形成され
ず、テープｌの裏面に形成される外部接続端子２Ｃの外
表面がテープｌの半導体素子接続側に露出しパッド２ｂ
となる場合らある。
以上のように構成された半導体素子接続側の回路基板部
２のアイランド２ａには第１図（ｂ）及び第１図（ｆ）
に示すように半導体素子３が載置される。
２のアイランド２ａには第１図（ｂ）及び第１図（ｆ）
に示すように半導体素子３が載置される。
そして第１図（Ｃ）及び第４図に示すように半導体素子
３の接続端子（図示せず）と回路基板部２の各パッド２
ｂとは金属にてなるワイヤ４を使用し公知のワイヤボン
ディング方式により接続される。
３の接続端子（図示せず）と回路基板部２の各パッド２
ｂとは金属にてなるワイヤ４を使用し公知のワイヤボン
ディング方式により接続される。
又、第１図（「）及び第５図に示すように、半導体素子
３の接続端子と前記パッド２ｂとは、金属にてなるバン
ブ５を介し公知のフリップチップ方式にて接続してもよ
い。
３の接続端子と前記パッド２ｂとは、金属にてなるバン
ブ５を介し公知のフリップチップ方式にて接続してもよ
い。
次に第１図（ｄ）、第１図（ｇ）、第４図及び第５図に
示すように回路基板部２の半導体素子接続側に載置され
た半導体素子３と回路基板部２の樹脂封止部２ｄとは樹
脂にてなる封止剤６にて封止される。尚、封止剤６とし
ては熱硬化性又は熱可塑性の樹脂のどちらでも良い。尚
、製造されたＩＣモジュールが実装される際、ハンダ付
けが行なわれる場合があるので、封止剤６は、例えばエ
ポキシ樹脂のような耐熱性の高い樹脂が好ましい。尚、
ＩＣモジュールが樹脂接着による方法で実装されるなら
ば、封止剤６に対する耐熱性はさほど厳しくなくても良
い。
示すように回路基板部２の半導体素子接続側に載置され
た半導体素子３と回路基板部２の樹脂封止部２ｄとは樹
脂にてなる封止剤６にて封止される。尚、封止剤６とし
ては熱硬化性又は熱可塑性の樹脂のどちらでも良い。尚
、製造されたＩＣモジュールが実装される際、ハンダ付
けが行なわれる場合があるので、封止剤６は、例えばエ
ポキシ樹脂のような耐熱性の高い樹脂が好ましい。尚、
ＩＣモジュールが樹脂接着による方法で実装されるなら
ば、封止剤６に対する耐熱性はさほど厳しくなくても良
い。
又、半導体素子３の封止剤６による封止方法としては、
半導体素子３の上方より封止剤６を半導体素子３へ滴下
し、金型にて成形する方法を使用する。この方法によれ
ば、製造されるＩＣモジュールの外形寸法は、製品毎に
均一化されるので、製造されたＩＣモジュールを回路基
板に実装する際、本発明の方法によるＩＣモジュールは
、省スペース及び取付は位置の設定等に有利である。又
、本発明のＩＣモジュールの製造方法によれば、樹脂封
止するのは半導体素子３及び樹脂封止部２ｄが設けられ
る回路基板部２の片面だけでよいので、製造されるＩＣ
モジュールの厚さを薄くすることができる。尚、樹脂封
止する際の空気を逃がす部分として第２図（ａ）に示す
ように樹脂封止部２ｄにはベント２ｅが設けられている
。
半導体素子３の上方より封止剤６を半導体素子３へ滴下
し、金型にて成形する方法を使用する。この方法によれ
ば、製造されるＩＣモジュールの外形寸法は、製品毎に
均一化されるので、製造されたＩＣモジュールを回路基
板に実装する際、本発明の方法によるＩＣモジュールは
、省スペース及び取付は位置の設定等に有利である。又
、本発明のＩＣモジュールの製造方法によれば、樹脂封
止するのは半導体素子３及び樹脂封止部２ｄが設けられ
る回路基板部２の片面だけでよいので、製造されるＩＣ
モジュールの厚さを薄くすることができる。尚、樹脂封
止する際の空気を逃がす部分として第２図（ａ）に示す
ように樹脂封止部２ｄにはベント２ｅが設けられている
。
又、封止剤６の設置場所を除く回路基板部２の露出部２
ｒは、外気と接するので耐湿処理を施している。
ｒは、外気と接するので耐湿処理を施している。
次の工程では、半導体素子３等を封止した封止剤６の上
表面には、製品の型式等を示す捺印がなされ、半導体素
子３の製品検査がなされた後、回路基板部２と、テープ
ｌの側縁部ｔｂとを継いでいる支持部１ｃにて回路基板
部２はテープ１から切り離され、ＩＣモジュールとして
製品化される。
表面には、製品の型式等を示す捺印がなされ、半導体素
子３の製品検査がなされた後、回路基板部２と、テープ
ｌの側縁部ｔｂとを継いでいる支持部１ｃにて回路基板
部２はテープ１から切り離され、ＩＣモジュールとして
製品化される。
以上のように、半導体素子の載置汝び半導体素子の封止
は、連続して搬送されるテープ上にて行なわれるので、
連続して作業工程を進めることができる。又、生産途中
の移送も前記テープを移動すればよく簡単である。した
がって本発明の方法によればＩＣモジュールを大量に生
産することができ、よってＩＣモジュールの単価も下げ
ることがてきる。
は、連続して搬送されるテープ上にて行なわれるので、
連続して作業工程を進めることができる。又、生産途中
の移送も前記テープを移動すればよく簡単である。した
がって本発明の方法によればＩＣモジュールを大量に生
産することができ、よってＩＣモジュールの単価も下げ
ることがてきる。
又、回路基板に実装後ＩＣモジュールの不良等でＩＣモ
ジュールを交換する場合、従来の方法によれば例えば第
６図（ｂ）に示すように銅箔がテープ上より延在し、こ
の延在している部分にて銅箔は回路基板に接続されてい
たので、交換時に前記銅箔が切れたりしてＩＣモジュー
ルの交換性は良くなかった。しかし、本発明の方法にて
生産されろＩＣモジュールは外部接続端子は第２図（ｂ
）に示すように回路基板部より突出していないので、交
換時に外部接続端子が切断するようなことはない。よっ
てＩＣモジュールの交換性は良い。
ジュールを交換する場合、従来の方法によれば例えば第
６図（ｂ）に示すように銅箔がテープ上より延在し、こ
の延在している部分にて銅箔は回路基板に接続されてい
たので、交換時に前記銅箔が切れたりしてＩＣモジュー
ルの交換性は良くなかった。しかし、本発明の方法にて
生産されろＩＣモジュールは外部接続端子は第２図（ｂ
）に示すように回路基板部より突出していないので、交
換時に外部接続端子が切断するようなことはない。よっ
てＩＣモジュールの交換性は良い。
具体的に示すと、例えば６４キロビツトの記憶容呈て２
８ピンの外部接続端子を有するＩＣモジュールを製造し
た場合の外形寸法、単価及び実装後の交換性について、
従来例であるＴＡＢ方法、ＣＯＢ方法の及びトランスフ
ァ成形方法と、本発明の方法とを比較してみる。まず外
形寸法については、ＴＡＢ方法によるＩＣモジュールは
、縦１１ｍ１ｉＸ 横＋ ９ ｍｍｘ厚さ１．ｏｍｍ、
ＣＯＢ方法によるものが縦１０ｍｍＸ横１５ｍｍＸ厚さ
１．０ｍｍ、トランスファ方法によるものが縦１１ｍｍ
Ｘｔ＆１９ｍｍＸ厚さ２ 、５ ｍｍ及び本発明の方法
によるものが縦１０ｍｍＸ横１５ｍｍＸ厚さ１．Ｏｍｍ
である。単価については、ＴＡＢ方法によるものが３５
０円、ＣＯＢ方法によるものが２７０円、トランスファ
成形方法によるものが３００円及び本発明の方法による
ものが２７０円である。交換性については、ＴＡＢ方法
によるＩＣモジュールは前述したように、堆しく、ＣＯ
Ｂ方法によるものは実装したＩＣモノニールごと封止剤
にて封止するので不可であり、トランスファ成形方法及
び本発明の方法によるものとは交換可能である。
８ピンの外部接続端子を有するＩＣモジュールを製造し
た場合の外形寸法、単価及び実装後の交換性について、
従来例であるＴＡＢ方法、ＣＯＢ方法の及びトランスフ
ァ成形方法と、本発明の方法とを比較してみる。まず外
形寸法については、ＴＡＢ方法によるＩＣモジュールは
、縦１１ｍ１ｉＸ 横＋ ９ ｍｍｘ厚さ１．ｏｍｍ、
ＣＯＢ方法によるものが縦１０ｍｍＸ横１５ｍｍＸ厚さ
１．０ｍｍ、トランスファ方法によるものが縦１１ｍｍ
Ｘｔ＆１９ｍｍＸ厚さ２ 、５ ｍｍ及び本発明の方法
によるものが縦１０ｍｍＸ横１５ｍｍＸ厚さ１．Ｏｍｍ
である。単価については、ＴＡＢ方法によるものが３５
０円、ＣＯＢ方法によるものが２７０円、トランスファ
成形方法によるものが３００円及び本発明の方法による
ものが２７０円である。交換性については、ＴＡＢ方法
によるＩＣモジュールは前述したように、堆しく、ＣＯ
Ｂ方法によるものは実装したＩＣモノニールごと封止剤
にて封止するので不可であり、トランスファ成形方法及
び本発明の方法によるものとは交換可能である。
以上のことより、外形寸法の厚さの観点からではＴ Ａ
１３．方法、Ｃ０Ｉ３方法及び本発明の方法が良い。
１３．方法、Ｃ０Ｉ３方法及び本発明の方法が良い。
単価の観点からではＣＯＢ方法及び本発明の方法が良い
。交換性の観点からでは、トランスファ成形方法及び本
発明の方法が良いことか判る。したがってＩＣモジュー
ルの厚さ、単価及び交換性の総てに本発明の方法は優れ
ていることが判る。
。交換性の観点からでは、トランスファ成形方法及び本
発明の方法が良いことか判る。したがってＩＣモジュー
ルの厚さ、単価及び交換性の総てに本発明の方法は優れ
ていることが判る。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、テープ状の基材に
第１及び第２の端子を備え、堰（オと分離可能な複数の
回路基板部上に半導体素子を載置し、半導体素子と前記
回路基板部上の第１の端子とを接続し、半導体素子を■
載置した前記回路基板部の片面側のみ封止剤にて成形し
ながら、半導体素子を封止するので、製造されるＩＣモ
ジュールは、厚さが薄く、外形寸法が製品毎に均一とな
る。又、本発明のＩＣモジュールの製造方法は、テープ
状の基材に曳敗の回路基板部を設け、半導体素子が封止
された回路基板部は基材から容易に分離できるので、大
量生産が可能となる。又、大量生産が可能となるので生
産コストを低下させることができる。さらに第２の端子
は前記回路基板部表面上に固着形成されるので、実装し
たＩＣモジュールを交換する際第２の端子が損傷するこ
とはない。
第１及び第２の端子を備え、堰（オと分離可能な複数の
回路基板部上に半導体素子を載置し、半導体素子と前記
回路基板部上の第１の端子とを接続し、半導体素子を■
載置した前記回路基板部の片面側のみ封止剤にて成形し
ながら、半導体素子を封止するので、製造されるＩＣモ
ジュールは、厚さが薄く、外形寸法が製品毎に均一とな
る。又、本発明のＩＣモジュールの製造方法は、テープ
状の基材に曳敗の回路基板部を設け、半導体素子が封止
された回路基板部は基材から容易に分離できるので、大
量生産が可能となる。又、大量生産が可能となるので生
産コストを低下させることができる。さらに第２の端子
は前記回路基板部表面上に固着形成されるので、実装し
たＩＣモジュールを交換する際第２の端子が損傷するこ
とはない。
したがってＩＣモジュールの交換性が良くなる。
第１図（ａ）ないし第１図（ｇ）は、本発明のＩＣモジ
ュールの製造方法の一例を示す図、第２図（ａ）は、本
発明のＩＣモジュールの製造方法に使用する基（オを示
す平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の裏面図、第３
図（ａ）及び第３図（ｂ）は、本１発明の方法にて製造
されるＩＣモジュールの外部接続端子の配置例を示す図
、第４図及び第５図は、本発明の方法にて製造されるＩ
Ｃモジュールの横断面図、第６図（ａ）は、従来の製造
方法の一例を示す図、第６図（ｂ）は、従来のＩＣモジ
ュールの横断面図である。 第３図（０） 第４図 １・・・テープ、 ２・・回路基板部、２ｂ・・・
バッド、 ２ｃ・・外部接続端子、３・・・半導体素
子、・１ ワイヤ、 ５・・バンプ、 ６・・・封止剤。 第５図
ュールの製造方法の一例を示す図、第２図（ａ）は、本
発明のＩＣモジュールの製造方法に使用する基（オを示
す平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の裏面図、第３
図（ａ）及び第３図（ｂ）は、本１発明の方法にて製造
されるＩＣモジュールの外部接続端子の配置例を示す図
、第４図及び第５図は、本発明の方法にて製造されるＩ
Ｃモジュールの横断面図、第６図（ａ）は、従来の製造
方法の一例を示す図、第６図（ｂ）は、従来のＩＣモジ
ュールの横断面図である。 第３図（０） 第４図 １・・・テープ、 ２・・回路基板部、２ｂ・・・
バッド、 ２ｃ・・外部接続端子、３・・・半導体素
子、・１ ワイヤ、 ５・・バンプ、 ６・・・封止剤。 第５図
Claims (2)
- （１）薄い帯状の基材表面の回路基板部に半導体素子を
載置する第１の工程と、 前記半導体素子と回路基板部上の端子とを結線する第２
の工程と、 結線された半導体素子を封止剤にて封止しながら封止剤
を成形する第３の工程と、 封止後封止剤表面に捺印し、半導体素子の検査及び封止
された半導体素子を前記基材からの分離を行なう第４の
工程とを備えたことを特徴とするＩＣモジュールの製造
方法。 - （２）半導体素子の端子と接続される複数の第１の端子
部と、前記端子部と対となる複数の第２の端子部とを備
えた回路基板部が分離可能な状態で複数、帯状に集合し
たことを特徴とするＩＣモジュールの製造に使用するＩ
Ｃモジュール用基材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63144448A JPH022095A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | Ｉｃモジュールの製造方法及びｉｃモジュール用基材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63144448A JPH022095A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | Ｉｃモジュールの製造方法及びｉｃモジュール用基材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022095A true JPH022095A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15362469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63144448A Pending JPH022095A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | Ｉｃモジュールの製造方法及びｉｃモジュール用基材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH022095A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2740906A1 (fr) * | 1995-11-07 | 1997-05-09 | Solaic Sa | Module a circuit integre et procede de fabrication |
| FR2788882A1 (fr) * | 1999-01-27 | 2000-07-28 | Schlumberger Systems & Service | Dispositif a circuits integres, module electronique pour carte a puce utilisant le dispositif et procede de fabrication dudit dispositif |
| JP2007538298A (ja) * | 2003-10-28 | 2007-12-27 | ジェムプリュス | Ｕｓｂコネクタを備えた電子キーの製造方法と得られる電子キー |
-
1988
- 1988-06-10 JP JP63144448A patent/JPH022095A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2740906A1 (fr) * | 1995-11-07 | 1997-05-09 | Solaic Sa | Module a circuit integre et procede de fabrication |
| FR2788882A1 (fr) * | 1999-01-27 | 2000-07-28 | Schlumberger Systems & Service | Dispositif a circuits integres, module electronique pour carte a puce utilisant le dispositif et procede de fabrication dudit dispositif |
| WO2000045434A1 (fr) * | 1999-01-27 | 2000-08-03 | Schlumberger Systemes | Dispositif a circuits integres, module electronique pour carte a puce utilisant le dispositif et procede de fabrication dudit dispositif |
| US7208822B1 (en) | 1999-01-27 | 2007-04-24 | Axalto Sa | Integrated circuit device, electronic module for chip cards using said device and method for making same |
| JP2007538298A (ja) * | 2003-10-28 | 2007-12-27 | ジェムプリュス | Ｕｓｂコネクタを備えた電子キーの製造方法と得られる電子キー |
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