JPH01164084A - 半導体レーザー装置 - Google Patents
半導体レーザー装置Info
- Publication number
- JPH01164084A JPH01164084A JP32157787A JP32157787A JPH01164084A JP H01164084 A JPH01164084 A JP H01164084A JP 32157787 A JP32157787 A JP 32157787A JP 32157787 A JP32157787 A JP 32157787A JP H01164084 A JPH01164084 A JP H01164084A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- support body
- laser element
- resin
- thermal conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、複数個の活性層（ストライブ）を同一チップ
内に有する半導体レーザー装置に関するものである。
内に有する半導体レーザー装置に関するものである。
［従来の技術］
複数のストライプを有するモノリシック半導体レーザー
素子（チップ）を具備する半導体レーザー装置において
、ダイボンディングおよび電気的配線は下記補遺のもの
が一般的である。すなわち、支持体上のチップダイボン
ディング面には、通常のフォトリソグラフィー技術を用
いて金あるいは銅の配線体のパターンが形成されている
。この配線体のパターンは、半導体レーザー素子の配列
ピッチに対応した寸法で、並列パターンが一般的である
。この金属配線体と半導体レーザーチップの電極とは、
半１０等の導電性接着材を介して熱圧着により接続され
ている。
素子（チップ）を具備する半導体レーザー装置において
、ダイボンディングおよび電気的配線は下記補遺のもの
が一般的である。すなわち、支持体上のチップダイボン
ディング面には、通常のフォトリソグラフィー技術を用
いて金あるいは銅の配線体のパターンが形成されている
。この配線体のパターンは、半導体レーザー素子の配列
ピッチに対応した寸法で、並列パターンが一般的である
。この金属配線体と半導体レーザーチップの電極とは、
半１０等の導電性接着材を介して熱圧着により接続され
ている。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来の半導体レーザー装置は、半導体レーザー
素子上に互いに分離されて設けられた蒸着電極と、支持
体上に設けられた金属配線体とを半田等の導電性接着材
を介して熱圧着したものであり、接続部の静的な強度は
ワイヤボンディングよりも大きい。しかし寸法的にゆと
りのない接続構造であるため、素子チップと支持体との
熱膨張係数が異なる場合には、冷熱サイクルによって金
属配線体の断線等の信頼性上の問題が発生したり、素子
チップの放熱が不充分で各ストライプの特性にバラツキ
が生じる等の欠点があった。
素子上に互いに分離されて設けられた蒸着電極と、支持
体上に設けられた金属配線体とを半田等の導電性接着材
を介して熱圧着したものであり、接続部の静的な強度は
ワイヤボンディングよりも大きい。しかし寸法的にゆと
りのない接続構造であるため、素子チップと支持体との
熱膨張係数が異なる場合には、冷熱サイクルによって金
属配線体の断線等の信頼性上の問題が発生したり、素子
チップの放熱が不充分で各ストライプの特性にバラツキ
が生じる等の欠点があった。
［問題点を解決するための手段］
本発明の半導体レーザー装置は、半導体レーザー素子と
支持体との隙間に、熱伝導性良好な電気的絶縁体（例え
ば樹脂）が充填されている。
支持体との隙間に、熱伝導性良好な電気的絶縁体（例え
ば樹脂）が充填されている。
［作用］
半導体レーザー素子と支持体との隙間に設けられた熱伝
導性良好な電気的絶縁体を介して、半導体レーザー素子
から発生する熱が逃げるために熱放散性が向上し、これ
により、各ストライプの発光特性のバラツキが低減し、
また、熱サイクルによる局部的応力集中が緩和されるこ
とにより、金属配線体の断線等を防止できる。
導性良好な電気的絶縁体を介して、半導体レーザー素子
から発生する熱が逃げるために熱放散性が向上し、これ
により、各ストライプの発光特性のバラツキが低減し、
また、熱サイクルによる局部的応力集中が緩和されるこ
とにより、金属配線体の断線等を防止できる。
［実施例コ
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
実施例１
第１図は本発明の半導体レーザー装置の第１の実施例の
正面図、第２図は第１図に示される本実施例の斜視図で
ある。
正面図、第２図は第１図に示される本実施例の斜視図で
ある。
本実施例は、所定間隔をおいて一列に配列された複数の
ストライプ２ａ〜２ｄを有する半導体レーザー素子１の
レーザー電極８（各ストライプに対応して分離されて設
けられている）を支持体３上に設けられた金属配線体７
（７，〜７ｄ）と対向させ、これらを半田等の導電性接
着材６を介して熱圧着して電気的導通をとるとともに、
物理的に固定し、さらに、半導体レーザー素子１と支持
体３との間に樹脂９を介在させたものである。
ストライプ２ａ〜２ｄを有する半導体レーザー素子１の
レーザー電極８（各ストライプに対応して分離されて設
けられている）を支持体３上に設けられた金属配線体７
（７，〜７ｄ）と対向させ、これらを半田等の導電性接
着材６を介して熱圧着して電気的導通をとるとともに、
物理的に固定し、さらに、半導体レーザー素子１と支持
体３との間に樹脂９を介在させたものである。
支持体３は熱伝導性良好なセラミック、シリコンカーバ
イド等からなり、金属配線体７（７ａ〜７ｄ）は金、銅
等からなる。また、樹脂９は、半導体レーザー素子１と
支持体３とを固定後において、例えば、熱伝導性の良い
熱硬化性樹脂を注射針で注入、充填し、硬化させること
により設けられる。なお、レーザー電極８の厚さは！μ
以下であり、金属配線体７の厚さは２μ程度である。
イド等からなり、金属配線体７（７ａ〜７ｄ）は金、銅
等からなる。また、樹脂９は、半導体レーザー素子１と
支持体３とを固定後において、例えば、熱伝導性の良い
熱硬化性樹脂を注射針で注入、充填し、硬化させること
により設けられる。なお、レーザー電極８の厚さは！μ
以下であり、金属配線体７の厚さは２μ程度である。
実施例２
第３図は本発明の半導体レーザー装置の第２の実施例の
正面図である。
正面図である。
本実施例は、第１の実施例における支持体３を、金属ブ
ロック（あるいは厚板１０）に熱伝導性良好な電気的絶
縁体１１を貼り合せた構造のものに置換したものである
。絶縁体が高価な場合には、本実施例のように大部分を
金属ブロック１０とすることによりコストを低下できる
。
ロック（あるいは厚板１０）に熱伝導性良好な電気的絶
縁体１１を貼り合せた構造のものに置換したものである
。絶縁体が高価な場合には、本実施例のように大部分を
金属ブロック１０とすることによりコストを低下できる
。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は、チップと支持体間に熱伝
導性良好な電気的絶縁体を設けることにより、温度変化
による繰返し応力を低減し、信頼性の向上、素子寿命の
延長が図れ、また、各ストライプの発光特性のバラツキ
を低減できる効果がある。
導性良好な電気的絶縁体を設けることにより、温度変化
による繰返し応力を低減し、信頼性の向上、素子寿命の
延長が図れ、また、各ストライプの発光特性のバラツキ
を低減できる効果がある。
第１図は本発明の半導体レーザー装置の第１の実施例の
正面図、 第２図は第１の実施例の斜視図、 第３図は本発明の半導体レーザー装置の第２の実施例の
正面図である。 １・・・半導体レーザー素子、 ２（２ａ〜２ｄ）・・・ストライプ、 ３・・・支持体、 ６・・・導電性接着材、 ７（７ａ〜７．）・・・金属配線体、 ８・・・レーザー電極、 ９・・・樹脂、 ｉ ｏ−・・金属ブロック、 １１・・・絶縁体。
正面図、 第２図は第１の実施例の斜視図、 第３図は本発明の半導体レーザー装置の第２の実施例の
正面図である。 １・・・半導体レーザー素子、 ２（２ａ〜２ｄ）・・・ストライプ、 ３・・・支持体、 ６・・・導電性接着材、 ７（７ａ〜７．）・・・金属配線体、 ８・・・レーザー電極、 ９・・・樹脂、 ｉ ｏ−・・金属ブロック、 １１・・・絶縁体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数のレーザー光出射領域が設けられ、該複数のレ
ーザー光出射領域それぞれに対応して個別的にレーザー
電極が配置されているモノリシック半導体レーザー素子
と、 前記モノリシック半導体レーザー素子に電流を供給する
ための配線体が主面上に形成され、該モノリシック半導
体レーザー素子を支持するための支持体とを有し、 前記モノリシック半導体レーザー素子のレーザー電極と
これと対向する前記配線体とが電気的に接続され、モノ
リシック半導体レーザー素子と支持体との間には、熱伝
導性が良好な電気的絶縁体が介在している半導体レーザ
ー装置。 ２、前記支持体は、少なくとも前記配線が形成されてい
る主面近傍部分が熱伝導性良好な電気的絶縁体となって
おり、前記モノリシック半導体レーザー素子と支持体と
の間に介在する熱伝導性が良好な電気的絶縁体は樹脂か
らなっている特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ
ー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32157787A JPH01164084A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 半導体レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32157787A JPH01164084A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 半導体レーザー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01164084A true JPH01164084A (ja) | 1989-06-28 |
Family
ID=18134115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32157787A Pending JPH01164084A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 半導体レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01164084A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5786634A (en) * | 1996-09-02 | 1998-07-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2006135177A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2009009991A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Seiko Epson Corp | 光源装置、プロジェクタ、モニタ装置 |
| JP2010258467A (ja) * | 2010-06-25 | 2010-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| US9278444B2 (en) | 2010-05-21 | 2016-03-08 | Makita Corporation | Handheld work machine |
| US11962122B2 (en) | 2018-07-30 | 2024-04-16 | Panasonic Holdings Corporation | Semiconductor light emitting device and external resonance type laser device |
-
1987
- 1987-12-21 JP JP32157787A patent/JPH01164084A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5786634A (en) * | 1996-09-02 | 1998-07-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2006135177A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2009009991A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Seiko Epson Corp | 光源装置、プロジェクタ、モニタ装置 |
| US9278444B2 (en) | 2010-05-21 | 2016-03-08 | Makita Corporation | Handheld work machine |
| JP2010258467A (ja) * | 2010-06-25 | 2010-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| US11962122B2 (en) | 2018-07-30 | 2024-04-16 | Panasonic Holdings Corporation | Semiconductor light emitting device and external resonance type laser device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4177571B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR0145275B1 (ko) | 회로장치 | |
| JP3195720B2 (ja) | 多色ｌｅｄ素子およびその多色ｌｅｄ素子を用いたｌｅｄ表示装置、並びに多色ｌｅｄ素子の製造方法 | |
| US20200035588A1 (en) | Semiconductor device | |
| JP2001223323A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004047883A (ja) | 電力半導体装置 | |
| JPH11220218A5 (ja) | ||
| JPH01164084A (ja) | 半導体レーザー装置 | |
| CN101997079B (zh) | 发光装置 | |
| CN113437637A (zh) | 激光器及其制备方法 | |
| JPH08274228A (ja) | 半導体搭載基板、電力用半導体装置及び電子回路装置 | |
| JP2009231685A (ja) | パワー半導体装置 | |
| US6331738B1 (en) | Semiconductor device having a BGA structure | |
| JPH01258458A (ja) | ウェーハ集積型集積回路 | |
| JPS62229961A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| WO2000009341A1 (en) | Thermal head, thermal head unit, and method of manufacture thereof | |
| KR970069482A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법과 그의 실장방법 | |
| JP3234614B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP7386408B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0241906B2 (ja) | ||
| JPH1117044A (ja) | Ｂｇａの実装方法 | |
| JP2661230B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2007035913A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0583187B2 (ja) | ||
| JP2644773B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |