JPH01165126A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01165126A JPH01165126A JP62322917A JP32291787A JPH01165126A JP H01165126 A JPH01165126 A JP H01165126A JP 62322917 A JP62322917 A JP 62322917A JP 32291787 A JP32291787 A JP 32291787A JP H01165126 A JPH01165126 A JP H01165126A
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- etching
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- Pending
Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法、特にリフトオフ法
によるパターン形成の方法に関するものである。
によるパターン形成の方法に関するものである。
電界効果トランジスタのダート電極のパターン形成など
には、リフトオフ法によって行われるものがある。
には、リフトオフ法によって行われるものがある。
従来、上記のような場合などのリフトオフ法によるパタ
ーン形成は、二重レジスト構造あるいは金属又は酸化物
をはさむ三重レジスト構造を用いて行われていた。
ーン形成は、二重レジスト構造あるいは金属又は酸化物
をはさむ三重レジスト構造を用いて行われていた。
第２図、第３図にそれぞれ二重レジｆｉト構造、三重レ
ジスト構造を用いる従来のりフトオフ法によるパターン
形成の方法の例を示す。
ジスト構造を用いる従来のりフトオフ法によるパターン
形成の方法の例を示す。
図において１は第１層レジスト、２は第２層レジスト、
３は酸化膜、４はＧａＡｇ動作層、５はダート電極メタ
ルである。
３は酸化膜、４はＧａＡｇ動作層、５はダート電極メタ
ルである。
二重レジスト構造あるいは三重レジスト構造によってそ
れぞれ第２図（Ｃ）、第３図（ｅ）に示すような側面が
段差をもったあるいは逆向きのテーパー状部分をもつ開
口をつくシ、蒸着メタルをリフトオフさせてｒ−ト電極
パターン５を形成するものである。
れぞれ第２図（Ｃ）、第３図（ｅ）に示すような側面が
段差をもったあるいは逆向きのテーパー状部分をもつ開
口をつくシ、蒸着メタルをリフトオフさせてｒ−ト電極
パターン５を形成するものである。
なお、図はチャンネル領域をリセス構造にした例を示す
。
。
従来の二重レジスト構造あるいは三重レジスト構造を用
いる方法は、多大の工数を要する上に、高温にするとレ
ジストの形状がずれるために、パターン材料に高融点金
属が使用できないという問題があった。
いる方法は、多大の工数を要する上に、高温にするとレ
ジストの形状がずれるために、パターン材料に高融点金
属が使用できないという問題があった。
この発明は上記問題を解消するためになされたもので、
工数が従来の方法に比べ大幅に減るとともに、パターン
材料として高融点金属を使用できるリフトオフ法を提供
することを目的とする。
工数が従来の方法に比べ大幅に減るとともに、パターン
材料として高融点金属を使用できるリフトオフ法を提供
することを目的とする。
この発明の製造方法は、リフトオフ法によるパターン形
成を、ＣＶＤ法で温度を変化させながら堆積させた窒化
膜の選択エツチングによって形成される厚み方向のエツ
チングレート差により側面が逆向きテーパー状となる開
口を利用して行うものである。
成を、ＣＶＤ法で温度を変化させながら堆積させた窒化
膜の選択エツチングによって形成される厚み方向のエツ
チングレート差により側面が逆向きテーパー状となる開
口を利用して行うものである。
上記方法は、窒化膜の単層のみを用いるので工数が減る
とともに、・平ターン材料に高融点金属を使用できる。
とともに、・平ターン材料に高融点金属を使用できる。
〔発明の実施例〕
第１図にこの発明に係るパターン形成の方法の一例を示
す。図は増幅率の大きな大出力のＧａＡｓショットキゲ
ート電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＭＥＳ ＦＥＴ
）のデートパターン形成の例である。
す。図は増幅率の大きな大出力のＧａＡｓショットキゲ
ート電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＭＥＳ ＦＥＴ
）のデートパターン形成の例である。
図において１１は半絶縁性基板、１２はＧａＡｓ動作層
、１３はソース電極、１４はドレイン電極、１５ｉＰ−
ＣＶＤ窒化膜、１６１１’ｉｔ／シフ１．ト、１７はダ
ート金属。
、１３はソース電極、１４はドレイン電極、１５ｉＰ−
ＣＶＤ窒化膜、１６１１’ｉｔ／シフ１．ト、１７はダ
ート金属。
半絶縁性基板１１上に形成したＧａＡｓ動作層１２にソ
ース電極１３、ドレイン電極１４を形成し〔図（ａ）〕
、ＣＶＤ装置でデポ温度を低温から高温に変えながら表
面にＰ −ＣＶＤ窒化膜１５を形成する〔図（ｂ）〕。
ース電極１３、ドレイン電極１４を形成し〔図（ａ）〕
、ＣＶＤ装置でデポ温度を低温から高温に変えながら表
面にＰ −ＣＶＤ窒化膜１５を形成する〔図（ｂ）〕。
次に、Ｐ −ＣＶＤ窒化膜１５表面にレジスト１６を塗
布し、レジスト１６のパターニングを行ない、開口を設
け〔図（Ｃ）〕、Ｐ −ＣＶＤ窒化膜１５の選択エツチ
ングを行う。この場合、デポ温度の低い窒化膜１５のエ
ツチングレートはデポ温度の高い窒化膜１５のエツチン
グレートより太きいために、エツチング開口部の側面が
逆向きチー・や−状と、２る〔図（ｄ） ） ＠ レジスト１６を除去し〔図（、） ） 、リセスエッチ
ングを行い〔図（ｆ）〕、ダート金属１７を蒸着して窒
化膜１５の開口周端でリフトオフさせ〔図（ｇ）〕、窒
化膜エツチング液で窒化膜１５及び窒化膜１５上に蒸着
したダート金属１７を除去する〔図（ｈ）〕。
布し、レジスト１６のパターニングを行ない、開口を設
け〔図（Ｃ）〕、Ｐ −ＣＶＤ窒化膜１５の選択エツチ
ングを行う。この場合、デポ温度の低い窒化膜１５のエ
ツチングレートはデポ温度の高い窒化膜１５のエツチン
グレートより太きいために、エツチング開口部の側面が
逆向きチー・や−状と、２る〔図（ｄ） ） ＠ レジスト１６を除去し〔図（、） ） 、リセスエッチ
ングを行い〔図（ｆ）〕、ダート金属１７を蒸着して窒
化膜１５の開口周端でリフトオフさせ〔図（ｇ）〕、窒
化膜エツチング液で窒化膜１５及び窒化膜１５上に蒸着
したダート金属１７を除去する〔図（ｈ）〕。
この後の工程は従来と同じである。
以上、幅広いリセス構造を得るのに、単純な工程で済み
、また、ダート金属１７に高融点金属を使用してもパタ
ーンくずれが起こらないという利点がある。
、また、ダート金属１７に高融点金属を使用してもパタ
ーンくずれが起こらないという利点がある。
以上説明したように、Ｐ −ＣＶＤ窒化膜単層のエツチ
ング開口でリフトオンさせることができるので、工程が
簡単になり、工数が減るとともに、パターン材料に高融
点金属を使用できるという効果がある。
ング開口でリフトオンさせることができるので、工程が
簡単になり、工数が減るとともに、パターン材料に高融
点金属を使用できるという効果がある。
第１図はこの発明に係るパターン形成の方法の一例を示
す説明図、第２図、第３図はそれぞれ二重レジスト構造
、三重レジスト構造を用いる従来のリフトオフ法による
パターン形成の方法の例を示す説明図である。 １１・・・半絶縁性基板、１２・・・ＧａＡｓ動作層、
１３・・・ソース電極、１４・・・ドレイン電極、１５
・・・Ｐ−ＣＶＤ 窒化膜、１６・・・レジスト、１７
・・・ダート金属なお図中同一符号は同一または相当す
る部分を示す。 特許出願人 新日本無線株式会社 Φ −一一一
す説明図、第２図、第３図はそれぞれ二重レジスト構造
、三重レジスト構造を用いる従来のリフトオフ法による
パターン形成の方法の例を示す説明図である。 １１・・・半絶縁性基板、１２・・・ＧａＡｓ動作層、
１３・・・ソース電極、１４・・・ドレイン電極、１５
・・・Ｐ−ＣＶＤ 窒化膜、１６・・・レジスト、１７
・・・ダート金属なお図中同一符号は同一または相当す
る部分を示す。 特許出願人 新日本無線株式会社 Φ −一一一
Claims (1)
- 一部のパターン形成をリフトオフ法によって行う半導
体装置の製造方法において、リフトオフ法によるパター
ン形成を、ＣＶＤ法で温度を変化させながら堆積させた
窒化膜の選択エッチングによって形成される厚み方向の
エッチングレート差により側面が逆向きテーパー状とな
る開口を利用して行うことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62322917A JPH01165126A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62322917A JPH01165126A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01165126A true JPH01165126A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=18149069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62322917A Pending JPH01165126A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01165126A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2157478A2 (en) | 2008-08-22 | 2010-02-24 | Fujifilm Corporation | Method of producing lithographic printing plate |
| EP2166410A2 (en) | 2008-09-22 | 2010-03-24 | Fujifilm Corporation | Method of preparing lithographic printing plate and lithographic printing plate precursor |
| EP2339405A1 (en) | 2009-12-25 | 2011-06-29 | Fujifilm Corporation | Method of preparing lithographic printing plate |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP62322917A patent/JPH01165126A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2157478A2 (en) | 2008-08-22 | 2010-02-24 | Fujifilm Corporation | Method of producing lithographic printing plate |
| EP2166410A2 (en) | 2008-09-22 | 2010-03-24 | Fujifilm Corporation | Method of preparing lithographic printing plate and lithographic printing plate precursor |
| EP2339405A1 (en) | 2009-12-25 | 2011-06-29 | Fujifilm Corporation | Method of preparing lithographic printing plate |
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