JPH01166331A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH01166331A JPH01166331A JP62324619A JP32461987A JPH01166331A JP H01166331 A JPH01166331 A JP H01166331A JP 62324619 A JP62324619 A JP 62324619A JP 32461987 A JP32461987 A JP 32461987A JP H01166331 A JPH01166331 A JP H01166331A
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- Japan
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- magnetic recording
- film
- electron beam
- recording media
- manufacturing magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録として好適な垂直磁気記録用の
磁気記録媒体の製造方法に関する。
磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来の技術
近年磁気記録の高密度化の進歩には著しいものかあり、
強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の実用
化に期待がかけられている〔アイイーイーイー トラン
ザクシ璽ンズ オン マグネティクス（ＩＥＫＩＣＴＲ
ＡＮＳＡＣＴＩＯＨ８ＯＮ ＭＡＧＮＥＴ）Ｏ３）ｖｏ
ｄ ＭＡ（ｒ−２１、Ｎｏ−３，１２１７〜１２２０
（１９８５））。
強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の実用
化に期待がかけられている〔アイイーイーイー トラン
ザクシ璽ンズ オン マグネティクス（ＩＥＫＩＣＴＲ
ＡＮＳＡＣＴＩＯＨ８ＯＮ ＭＡＧＮＥＴ）Ｏ３）ｖｏ
ｄ ＭＡ（ｒ−２１、Ｎｏ−３，１２１７〜１２２０
（１９８５））。
中でも短波長になる程減磁損失が有利になる垂直磁気記
録は、膜面に垂直方向に磁化可能な特別な膜を必要とす
るものの、実用化に向は鋭意検討が続けられている。垂
直磁気記録用の磁気記録媒体は、Ｈｌ−Ｆｅ等の軟磁性
層の上にＧｏ−Ｏｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｗｂ 、 Ｇｏ−Ｎ
ｉ−０等で垂直方向に磁化可能ないわゆる垂直磁化膜を
配したものか、Ｔｉ 、 Ｇｏ等の下地層上に垂直磁化
膜を配したものが用いられている。
録は、膜面に垂直方向に磁化可能な特別な膜を必要とす
るものの、実用化に向は鋭意検討が続けられている。垂
直磁気記録用の磁気記録媒体は、Ｈｌ−Ｆｅ等の軟磁性
層の上にＧｏ−Ｏｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｗｂ 、 Ｇｏ−Ｎ
ｉ−０等で垂直方向に磁化可能ないわゆる垂直磁化膜を
配したものか、Ｔｉ 、 Ｇｏ等の下地層上に垂直磁化
膜を配したものが用いられている。
かかる構成を得る方法としては、高周波スパッタリング
法、電子ビーム蒸着法、イオンブレーティング法等が挙
げられるが、周知の如く、高周波スパッタリング法で得
られる特性は良好であるが、製膜速度が遅く、量産技術
としては不適当で、電子ビーム蒸着法は高温に耐える高
分子フィルムを必要とし、実用上克服すべき課題も多く
、種々の提案がなされている〔特開昭６２−２１９２３
４号公報、同６２−２１９２３６号公報〕。
法、電子ビーム蒸着法、イオンブレーティング法等が挙
げられるが、周知の如く、高周波スパッタリング法で得
られる特性は良好であるが、製膜速度が遅く、量産技術
としては不適当で、電子ビーム蒸着法は高温に耐える高
分子フィルムを必要とし、実用上克服すべき課題も多く
、種々の提案がなされている〔特開昭６２−２１９２３
４号公報、同６２−２１９２３６号公報〕。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記した構成で、前処理による十分なガス
出し処理を行ったり、グロー放電処理したり、パックグ
ラウンドの真空度を改善する等により、均一性の改良を
行っても、スパッタリング法で得られる特性と同等の特
性が得られず、改善が望まれていた。
出し処理を行ったり、グロー放電処理したり、パックグ
ラウンドの真空度を改善する等により、均一性の改良を
行っても、スパッタリング法で得られる特性と同等の特
性が得られず、改善が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、垂直磁化
膜の性能向上と均一性の確保を共に達成できる製造方法
を提供するものである。
膜の性能向上と均一性の確保を共に達成できる製造方法
を提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した問題点を解
決するため、同一回転支持体に沿った高分子フィルムに
、化学蒸着法で、軟磁性層形成直後、電子ビーム蒸着に
て磁気記録層を形成するようにしたものである。
決するため、同一回転支持体に沿った高分子フィルムに
、化学蒸着法で、軟磁性層形成直後、電子ビーム蒸着に
て磁気記録層を形成するようにしたものである。
作用
本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した構成により
、軟磁性層形成が高速化しても、高分子フィルムから、
新たにガスが出て、特性を劣化させることがないのと、
電子ビーム蒸着で垂直磁化膜形成した時に、清浄な面の
上にたたちに蒸着されることから、特性向上がはかれる
ので、高速で均一、高性能垂直磁気記録媒体が製造でき
ることになる。
、軟磁性層形成が高速化しても、高分子フィルムから、
新たにガスが出て、特性を劣化させることがないのと、
電子ビーム蒸着で垂直磁化膜形成した時に、清浄な面の
上にたたちに蒸着されることから、特性向上がはかれる
ので、高速で均一、高性能垂直磁気記録媒体が製造でき
ることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について説
明する。図は、本発明の製造方法を実施するのに用いた
蒸着装置の要部構成図で、図で１はポリエチレンテレフ
タレートフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィル
ム等の高分子フィルム、２は回転支持体、３は巻出し軸
、４は巻取り軸、６はＣｏ−０ｒ 、 Ｃｏ −Ｔｉ
、 Ｇｏ−Ｍｏ 、Ｇｏ−Ｗ 、 Ｇｏ −０ｒ−Ｎｂ
等の蒸着材’ｔ’ ６ ハＭｇＯ、ＺｒＯ２等の蒸発源
容器で７はピアス型の電子銃で８は加速電子ビーム９は
反応管で石英管で構成したもので、１０はガス導入孔で
１１は外部誘導コイル、１２は加速電極で、１３は真空
容器１４は真空排気系１５は防着マスクである。図の装
置で、回転支持体は直径５０ｃｍの誘導加熱型の円筒キ
ャンを用い、キャン面下３８ｃｓＫＭｇＯ蒸発源を配し
、３０に６Ｖ、最大６０ ＫＷの電子ビームで加熱でき
るよう構成し、反応管は、フィルムの移動方向に５．５
ｃｍ、幅方向に２０ｃｍの角型の石英管で、石英管の先
端開孔部はキャン表面からａｍｍの位置に固定し、開孔
部中心から、キャンの周側沿面距離が１δｃｍに蒸着中
心がくるような関係で配置した。
明する。図は、本発明の製造方法を実施するのに用いた
蒸着装置の要部構成図で、図で１はポリエチレンテレフ
タレートフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィル
ム等の高分子フィルム、２は回転支持体、３は巻出し軸
、４は巻取り軸、６はＣｏ−０ｒ 、 Ｃｏ −Ｔｉ
、 Ｇｏ−Ｍｏ 、Ｇｏ−Ｗ 、 Ｇｏ −０ｒ−Ｎｂ
等の蒸着材’ｔ’ ６ ハＭｇＯ、ＺｒＯ２等の蒸発源
容器で７はピアス型の電子銃で８は加速電子ビーム９は
反応管で石英管で構成したもので、１０はガス導入孔で
１１は外部誘導コイル、１２は加速電極で、１３は真空
容器１４は真空排気系１５は防着マスクである。図の装
置で、回転支持体は直径５０ｃｍの誘導加熱型の円筒キ
ャンを用い、キャン面下３８ｃｓＫＭｇＯ蒸発源を配し
、３０に６Ｖ、最大６０ ＫＷの電子ビームで加熱でき
るよう構成し、反応管は、フィルムの移動方向に５．５
ｃｍ、幅方向に２０ｃｍの角型の石英管で、石英管の先
端開孔部はキャン表面からａｍｍの位置に固定し、開孔
部中心から、キャンの周側沿面距離が１δｃｍに蒸着中
心がくるような関係で配置した。
この条件の装置で、厚み１５μｍのポリエチレンテレフ
タレートフィルム上にパーマロイ薄膜全形成し、その土
にＧｏ−Ｏｒ垂直磁化膜を形成したものと、よく知られ
る円筒キャンｆ：、２ヶ配し、それぞれに蒸発源を配し
、パーマロイ薄膜とＣｏ −Ｏｒ垂直磁化膜を電子ビー
ム蒸着法で形成した比較例とを対比検討した結果につい
て説明する。
タレートフィルム上にパーマロイ薄膜全形成し、その土
にＧｏ−Ｏｒ垂直磁化膜を形成したものと、よく知られ
る円筒キャンｆ：、２ヶ配し、それぞれに蒸発源を配し
、パーマロイ薄膜とＣｏ −Ｏｒ垂直磁化膜を電子ビー
ム蒸着法で形成した比較例とを対比検討した結果につい
て説明する。
実施例は、キャン温度を５ｏ’ＣＶＣ保ち、フィルムｉ
２０ ！Ｑ／Ｄｉｎ テ移動させながら、Ｎ１（Ｇｏ
）４゜Ｆａ（Ｃｏ４）ｉ夫々１．２ ［／ｗｉｎ 、
０．２ ｇ／ｗｉｎ 、 Ｈｅｍ０，４５／ｍｉｎ導入
しながら、外部コイルに１３．６６（ＭＨｚ）１．１（
ＫＷ）’ｊｚ印加し、プラズマを形成し、加速電圧に３
００Ｖを印加し、８０１Ｎｉ、パーマロイ薄膜を０．３
６μｍ形成し、引きつづき、入射角９．６度以内でＧｏ
−Ｏｒ （Ｏｒ ： ２０．６ ｗｔ％）を３ｏＫＶ
、３ｓＫＷで加速し、蒸着し、０．１４μｍのＣｏ−Ｃ
ｒ 垂直磁化膜を形成した。
２０ ！Ｑ／Ｄｉｎ テ移動させながら、Ｎ１（Ｇｏ
）４゜Ｆａ（Ｃｏ４）ｉ夫々１．２ ［／ｗｉｎ 、
０．２ ｇ／ｗｉｎ 、 Ｈｅｍ０，４５／ｍｉｎ導入
しながら、外部コイルに１３．６６（ＭＨｚ）１．１（
ＫＷ）’ｊｚ印加し、プラズマを形成し、加速電圧に３
００Ｖを印加し、８０１Ｎｉ、パーマロイ薄膜を０．３
６μｍ形成し、引きつづき、入射角９．６度以内でＧｏ
−Ｏｒ （Ｏｒ ： ２０．６ ｗｔ％）を３ｏＫＶ
、３ｓＫＷで加速し、蒸着し、０．１４μｍのＣｏ−Ｃ
ｒ 垂直磁化膜を形成した。
一方比較例は、厚み１２μｍのポリアミドイミドフィル
ムを用い、ムｒ圧０，０３ Ｔｏｒｒ １３．５ ａ（
Ｍ）ｌｚ ） ０．８ （ＫＷ）のグロー放電処理を１
、３ （ｓｅｅ ）行った後、電子ビーム加熱条件３
０ＫＶ、４０ＫＷテＮｉ −Ｆａ （Ｎｉ ８０．３
ｗｔ％）膜０．３５ μｍを入射角２０度以内で形成し
くキャン温度１２０’Ｃ）、次に、キャン温度１８０℃
で入射角８度以内でＣｏ−０ｒ （Ｃｒ ： ２ｏ、ｅ
ｗｔ％） ２ａｏｘｖ 、 ４１（ＫＷ）で蒸着し、
０．１４μｍのＣｏ −Ｏｒ垂直磁化膜を形成した。両
者共、潤滑剤としてパーフロロポリエーテルとして、モ
ンテフルオス社製の“フオンブリンＺ−２５”を１２０
人塗布し、８ミリ幅の磁気テープとし、任意の２０巻全
抽出し、改造した８ミリビデオによりＣ／Ｎ比較をした
。使用ヘッドはギャップ長０．１６μｍのリターンパス
を配したメタルインギャップ型のアモルファスヘッドで
、ビット長０．２３μｍ、帯域１ｏ（Ｍ庵）のＣ／／Ｎ
ヲ実施例のテープの１本を標準とし、そのＣ／Ｎ ｉ
Ｏ（ｄＢ ）として他のテープの勢１と相対比較した。
ムを用い、ムｒ圧０，０３ Ｔｏｒｒ １３．５ ａ（
Ｍ）ｌｚ ） ０．８ （ＫＷ）のグロー放電処理を１
、３ （ｓｅｅ ）行った後、電子ビーム加熱条件３
０ＫＶ、４０ＫＷテＮｉ −Ｆａ （Ｎｉ ８０．３
ｗｔ％）膜０．３５ μｍを入射角２０度以内で形成し
くキャン温度１２０’Ｃ）、次に、キャン温度１８０℃
で入射角８度以内でＣｏ−０ｒ （Ｃｒ ： ２ｏ、ｅ
ｗｔ％） ２ａｏｘｖ 、 ４１（ＫＷ）で蒸着し、
０．１４μｍのＣｏ −Ｏｒ垂直磁化膜を形成した。両
者共、潤滑剤としてパーフロロポリエーテルとして、モ
ンテフルオス社製の“フオンブリンＺ−２５”を１２０
人塗布し、８ミリ幅の磁気テープとし、任意の２０巻全
抽出し、改造した８ミリビデオによりＣ／Ｎ比較をした
。使用ヘッドはギャップ長０．１６μｍのリターンパス
を配したメタルインギャップ型のアモルファスヘッドで
、ビット長０．２３μｍ、帯域１ｏ（Ｍ庵）のＣ／／Ｎ
ヲ実施例のテープの１本を標準とし、そのＣ／Ｎ ｉ
Ｏ（ｄＢ ）として他のテープの勢１と相対比較した。
実施例は平均値がＱ、３（ｄＢ）で２０巻のテープは−
０，１（ｄＢ）から０．６（＋ＩＢ）の範囲に分布して
いた。一方比較例は平均値が−０，９（ｄＢ）で、２０
巻のテープは−１，９（（ＩＢ）から−０，５（（ｉＢ
）の範囲に分布していた。本発明は、従来得られている
高周波スパッタリング法での性能と同等で、かつ高速で
得られているのが特長で、パーマロイ薄膜形成が、グロ
ー放電処理効果をも含んでいることで、特別グロー処理
機構を設けなくても工いし、電子ビーム蒸着法でパーマ
ロイ薄膜を得るよりも、省エネルギーになる等の利点も
ある。
０，１（ｄＢ）から０．６（＋ＩＢ）の範囲に分布して
いた。一方比較例は平均値が−０，９（ｄＢ）で、２０
巻のテープは−１，９（（ＩＢ）から−０，５（（ｉＢ
）の範囲に分布していた。本発明は、従来得られている
高周波スパッタリング法での性能と同等で、かつ高速で
得られているのが特長で、パーマロイ薄膜形成が、グロ
ー放電処理効果をも含んでいることで、特別グロー処理
機構を設けなくても工いし、電子ビーム蒸着法でパーマ
ロイ薄膜を得るよりも、省エネルギーになる等の利点も
ある。
同実施例では電子ビーム蒸着法でＣｏ −Ｃｒ膜を形成
したが、これに限らず、電界蒸着、イオンブレーティン
グ法と組み合わせてもよいのは勿論である。
したが、これに限らず、電界蒸着、イオンブレーティン
グ法と組み合わせてもよいのは勿論である。
又パーマロイ薄膜で他にＮｉ −Ｆｅ −Ｍｏの形成に
はＭｏ（ｃｏ）６ガｘｌ用い、Ｆｅ −Ｃｒ膜はｙｅ（
ｃｏ）４゜”Ｃ９”＋２）２ガスで実施しいずれも上述
した実施例と同等の性能が得られている。
はＭｏ（ｃｏ）６ガｘｌ用い、Ｆｅ −Ｃｒ膜はｙｅ（
ｃｏ）４゜”Ｃ９”＋２）２ガスで実施しいずれも上述
した実施例と同等の性能が得られている。
発明の効果
以上のように本発明によれば、均一な垂直磁気記録用の
磁気記録媒体が高速でかつ低温でも得られるといったす
ぐれた効果がある。
磁気記録媒体が高速でかつ低温でも得られるといったす
ぐれた効果がある。
図は本発明の製造方法を実施するのに用いた蒸着装置の
要部構成断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・回転支
持体、６・・・・・・蒸着材、９・・・・・・反応管。
要部構成断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・回転支
持体、６・・・・・・蒸着材、９・・・・・・反応管。
Claims (1)
- 同一回転支持体に沿った高分子フィルムに、化学蒸着法
で、軟磁性層形成直後、電子ビーム蒸着にて磁気記録層
を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324619A JPH01166331A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324619A JPH01166331A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01166331A true JPH01166331A (ja) | 1989-06-30 |
Family
ID=18167841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62324619A Pending JPH01166331A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01166331A (ja) |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP62324619A patent/JPH01166331A/ja active Pending
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