JPH02108240A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH02108240A JPH02108240A JP63261763A JP26176388A JPH02108240A JP H02108240 A JPH02108240 A JP H02108240A JP 63261763 A JP63261763 A JP 63261763A JP 26176388 A JP26176388 A JP 26176388A JP H02108240 A JPH02108240 A JP H02108240A
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- Japan
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- magnetic recording
- film
- recording media
- thin film
- manufacturing magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。
気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来の技術
高密度記録を実現するには、Ｇ ｏ −Ｎ ｉ −０斜
め蒸着膜〔アイイーイーイー トランザクションズオフ
？ｆ ネｆ イｐ ス（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣ
ＴＩＯＮＳＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣ３）Ｖｏ４ ＭＡＧ
−２０，Ｐ、Ｐ、８２４〜８２θ（１９８４））や、Ｃ
ｏ −Ｃｒ−Ｎｂ垂直磁化膜〔特開昭６１−７７１２８
号公報〕等の強磁性金属薄膜を磁気記録層とした磁気記
録媒体と、回転磁気ヘッドによるヘリカルスキャンを組
み合わせるのが最も優れているが、この組み合わせは、
磁気記録媒体に求められる耐久性能を満足させる構成を
必要とすることから、現在も各種の改善検討がなされて
いる。これらは、プラズマ重合膜（特開昭６１−１５１
８３７号公報）、酸化膜、窒化膜（特開昭６１−１５１
８３０号公報、特開昭６１−１３１２３１号公報）、硬
質カーボン膜と潤滑剤層の組み合せ（特開昭６１−１２
６６２７号公報、特開昭６１−２３３４１２号公報）等
のように、Ｃｏ−Ｃｒ 、Ｃｏ−Ｔｉ 、Ｃｏ−Ｔａ
、Ｃｏ−Ｎｉ 、Ｃｏ −Ｎ ｉ −０、Ｃｏ −Ｎ
ｉ−Ｐ等の強磁性金属薄膜の形成とは別工程で保護層、
潤滑層を形成するものでスペーシング損失との兼ね合い
で、膜厚が余シ厚くできないことから、強磁性金属薄膜
に微細な凹凸を形成するようなベースを用いて接触面積
を低減して一層の改善を図る試みがなされている〔特開
昭５９−２０７４２２号公報、特開昭５９−１２１６３
１号公報〕。
め蒸着膜〔アイイーイーイー トランザクションズオフ
？ｆ ネｆ イｐ ス（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣ
ＴＩＯＮＳＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣ３）Ｖｏ４ ＭＡＧ
−２０，Ｐ、Ｐ、８２４〜８２θ（１９８４））や、Ｃ
ｏ −Ｃｒ−Ｎｂ垂直磁化膜〔特開昭６１−７７１２８
号公報〕等の強磁性金属薄膜を磁気記録層とした磁気記
録媒体と、回転磁気ヘッドによるヘリカルスキャンを組
み合わせるのが最も優れているが、この組み合わせは、
磁気記録媒体に求められる耐久性能を満足させる構成を
必要とすることから、現在も各種の改善検討がなされて
いる。これらは、プラズマ重合膜（特開昭６１−１５１
８３７号公報）、酸化膜、窒化膜（特開昭６１−１５１
８３０号公報、特開昭６１−１３１２３１号公報）、硬
質カーボン膜と潤滑剤層の組み合せ（特開昭６１−１２
６６２７号公報、特開昭６１−２３３４１２号公報）等
のように、Ｃｏ−Ｃｒ 、Ｃｏ−Ｔｉ 、Ｃｏ−Ｔａ
、Ｃｏ−Ｎｉ 、Ｃｏ −Ｎ ｉ −０、Ｃｏ −Ｎ
ｉ−Ｐ等の強磁性金属薄膜の形成とは別工程で保護層、
潤滑層を形成するものでスペーシング損失との兼ね合い
で、膜厚が余シ厚くできないことから、強磁性金属薄膜
に微細な凹凸を形成するようなベースを用いて接触面積
を低減して一層の改善を図る試みがなされている〔特開
昭５９−２０７４２２号公報、特開昭５９−１２１６３
１号公報〕。
発明が解決しようとする課題
しかし上記したような別工程で保護潤滑層を配したもの
は、均一性の面での改善が望まれているのは勿論のこと
、合金系のヘッドでの狭トラツク化に対応するには良好
なエンベロープを得ることが十分行えないことから改善
が望まれていた。本発明は上記した事情に鑑みなされた
もので、合金系のヘッドでの狭トラツクＣ／Ｎ と耐
久性を兼ね備えた磁気記録媒体を製造できる方法を提供
するものである。
は、均一性の面での改善が望まれているのは勿論のこと
、合金系のヘッドでの狭トラツク化に対応するには良好
なエンベロープを得ることが十分行えないことから改善
が望まれていた。本発明は上記した事情に鑑みなされた
もので、合金系のヘッドでの狭トラツクＣ／Ｎ と耐
久性を兼ね備えた磁気記録媒体を製造できる方法を提供
するものである。
課題を解決するための手段
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記した課題を解
決するため、移動する高分子フィルムにクラスターイオ
ンビーム蒸着法で強磁性金属薄膜を形成する際、有機ガ
スを放電ガスとしたプラズマを通過させるようにしたも
のである。
決するため、移動する高分子フィルムにクラスターイオ
ンビーム蒸着法で強磁性金属薄膜を形成する際、有機ガ
スを放電ガスとしたプラズマを通過させるようにしたも
のである。
作 用
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、強磁性金属微粒子
結晶を非磁性材料が覆うように働くことから、従来の保
護層が強磁性金属薄膜上に積層された場合と異なり、耐
久性が改善されるのと、充てん率が高くなシかつ結晶性
もよいことも加わって角型比、飽和磁束量も大きくなり
、Ｃ／Ｎ も改善された磁気記録媒体が製造できる。
結晶を非磁性材料が覆うように働くことから、従来の保
護層が強磁性金属薄膜上に積層された場合と異なり、耐
久性が改善されるのと、充てん率が高くなシかつ結晶性
もよいことも加わって角型比、飽和磁束量も大きくなり
、Ｃ／Ｎ も改善された磁気記録媒体が製造できる。
又高分子フィルム上にイオン化された状態で蒸着しても
クラスター状で荷電の対質量比が極めて小さいことから
静電的なバラツキによるノイズ増加も防げる効果もある
。
クラスター状で荷電の対質量比が極めて小さいことから
静電的なバラツキによるノイズ増加も防げる効果もある
。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について説
明する。図は本発明を実施するのに用いた巻取り蒸着装
置の要部構成図である。図で１はポリエチレンテレフタ
レート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエ
ーテルケトン、ポリイミド等の高分子フィルムで、必要
ならば下塗υ層、下地層、軟磁性層をあらかじめ配した
ものを用いてもよい。２は円筒キャンで、絶縁し、電位
を加えられるように構成する。３は巻出し軸、４は巻取
υ軸、５はルツボで、ｅはＣｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃ
ｏ−３ｎ、Ｃｏ−Ｔａ等の蒸着材料、７は高周波誘導コ
イルで、８は高周波グロー放電電極で、有機ガスを導入
するノズルを兼ねるのが好ましい。
明する。図は本発明を実施するのに用いた巻取り蒸着装
置の要部構成図である。図で１はポリエチレンテレフタ
レート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエ
ーテルケトン、ポリイミド等の高分子フィルムで、必要
ならば下塗υ層、下地層、軟磁性層をあらかじめ配した
ものを用いてもよい。２は円筒キャンで、絶縁し、電位
を加えられるように構成する。３は巻出し軸、４は巻取
υ軸、５はルツボで、ｅはＣｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃ
ｏ−３ｎ、Ｃｏ−Ｔａ等の蒸着材料、７は高周波誘導コ
イルで、８は高周波グロー放電電極で、有機ガスを導入
するノズルを兼ねるのが好ましい。
９は絶縁導入端子、１ｏは真空容器、１１は真空排気系
である。図の装置で、円筒キャンの直径を５ｏｃｒｎと
し、絶縁抵抗を１５００Ｖで８００（ＭΩ）とし、キャ
ンの直下２５ｃｒｎに０．１Ｈの孔をもったＺ ｒｏ２
ルツボを配し、２ターンの高周波グロー放電電極に０．
５φのガス導入孔を２０ケ配して実施した。
である。図の装置で、円筒キャンの直径を５ｏｃｒｎと
し、絶縁抵抗を１５００Ｖで８００（ＭΩ）とし、キャ
ンの直下２５ｃｒｎに０．１Ｈの孔をもったＺ ｒｏ２
ルツボを配し、２ターンの高周波グロー放電電極に０．
５φのガス導入孔を２０ケ配して実施した。
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に最小入射角４０度でＣｏ−Ｃｒ （Ｃｏニア９２ｗｔ
％）を電子ビーム蒸着し０．１４μｍの斜め蒸着膜を４
Ｘ １０−７（Ｔｏｒｒ） の真空度で形成し、そ
の上にグラファイトをターゲットにしてＡｒ＋Ｈ２＝ｏ
、ｉ （Ｔｏｒｒ）Ａｒ ； Ｈ２＝ｉ ： ｓ、ａ
、 １３．５８ （ＭＨｚ ） 。
に最小入射角４０度でＣｏ−Ｃｒ （Ｃｏニア９２ｗｔ
％）を電子ビーム蒸着し０．１４μｍの斜め蒸着膜を４
Ｘ １０−７（Ｔｏｒｒ） の真空度で形成し、そ
の上にグラファイトをターゲットにしてＡｒ＋Ｈ２＝ｏ
、ｉ （Ｔｏｒｒ）Ａｒ ； Ｈ２＝ｉ ： ｓ、ａ
、 １３．５８ （ＭＨｚ ） 。
９４０ （Ｗ）の条件でスパッタ蒸着しダイアモンド状
硬質炭素膜を１５０人配し、更に真空蒸着法でステアリ
ン酸を４０人配し８ミリ幅の磁気テープを製造し比較例
として準備した。実施例は同じフィルムを用いて、最小
入射角３０度でＣｏ −Ｃｒ（Ｃｏ ： ７９．２ ｗ
ｔ％）をクラスターイオンビーム蒸着して０．１４μｍ
の薄膜を形成した。その際ＣＨ４ガスを０．２ （ｌ
／ＩＪＪＩ）導入し、１３．５６ （ＭＨｚ ） 、
５２０（Ｗ）の高周波グローを発生させて、キャンには
５００■の負の電圧を印加した。
硬質炭素膜を１５０人配し、更に真空蒸着法でステアリ
ン酸を４０人配し８ミリ幅の磁気テープを製造し比較例
として準備した。実施例は同じフィルムを用いて、最小
入射角３０度でＣｏ −Ｃｒ（Ｃｏ ： ７９．２ ｗ
ｔ％）をクラスターイオンビーム蒸着して０．１４μｍ
の薄膜を形成した。その際ＣＨ４ガスを０．２ （ｌ
／ＩＪＪＩ）導入し、１３．５６ （ＭＨｚ ） 、
５２０（Ｗ）の高周波グローを発生させて、キャンには
５００■の負の電圧を印加した。
０．１４μｍ の薄膜上にダイアモンド状硬質炭素薄膜
を９０人、ステアリン酸膜を４０人配し、同じく８ミリ
幅の磁気テープを製造した（実施例Ａ）。
を９０人、ステアリン酸膜を４０人配し、同じく８ミリ
幅の磁気テープを製造した（実施例Ａ）。
又、有機ガスとして、ヘキサメチルシクロトリシラザン
を０．１２１／ａｍ 導入し、１３．５６ （ＭＨｚ
） 。
を０．１２１／ａｍ 導入し、１３．５６ （ＭＨｚ
） 。
４１ｏ （Ｗ）の高周波グローを発生させ、キャンに４
６０ （Ｖ）の負の電圧を印加した以外は実施例Ａと同
じ条件で８ミリテープを製造した（実施例Ｂ）。
６０ （Ｖ）の負の電圧を印加した以外は実施例Ａと同
じ条件で８ミリテープを製造した（実施例Ｂ）。
次に有機ガスとしてアリルアルコールをＯ，Ｏａ（１７
ｍ）、キャノンガスを０．０２ （７１！／ＩＩＩ方）
導入し、２ ｏ Ｏ（ＫＨｚ）、 ８００ （Ｗ）の高
周波グローを発生させ、キャンには７１０ （Ｖ）の負
の電圧を印加した以外は実施例Ａと同じ条件で製造した
（実施例Ｃ）。
ｍ）、キャノンガスを０．０２ （７１！／ＩＩＩ方）
導入し、２ ｏ Ｏ（ＫＨｚ）、 ８００ （Ｗ）の高
周波グローを発生させ、キャンには７１０ （Ｖ）の負
の電圧を印加した以外は実施例Ａと同じ条件で製造した
（実施例Ｃ）。
これらのテープを用い、トラックピッチ７μｍ。
記録波長０．４７μｍ の高密度磁気記録をアモルファ
スヘッドによシ行い、Ｃハ を比較した。比較例をｏ（
ｄＢ）とした時、実施例Ａは＋２．９ （ｄＢ）。
スヘッドによシ行い、Ｃハ を比較した。比較例をｏ（
ｄＢ）とした時、実施例Ａは＋２．９ （ｄＢ）。
実施例Ｂは＋２．８ （ｄＢ） 、実施例Ｃは＋３．３
（ｄＢ）であった。
（ｄＢ）であった。
又夫々のテープを５巻ずつ用意して、Ｃ／Ｎ を比較
したところ、比較例は平均値が０（ｄＢ）で２．１ （
ｄＢ）〜＋０．９ （ｄＢ）のバラツキがあったが実施
例はＡが平均値２．９ （ｄＢ）、 ２．６５〜２．９
９（ｄＢ）、Ｂが平均値２．８ （ｄＢ）、 ２．６４
〜２．９１ （ｄＢ）、Ｃは平均値３．３ （ｄＢ）、
３．０６〜３．４１ （ｄＢ）で夫々雑音が場所ムラ
が小さいことを示している。
したところ、比較例は平均値が０（ｄＢ）で２．１ （
ｄＢ）〜＋０．９ （ｄＢ）のバラツキがあったが実施
例はＡが平均値２．９ （ｄＢ）、 ２．６５〜２．９
９（ｄＢ）、Ｂが平均値２．８ （ｄＢ）、 ２．６４
〜２．９１ （ｄＢ）、Ｃは平均値３．３ （ｄＢ）、
３．０６〜３．４１ （ｄＢ）で夫々雑音が場所ムラ
が小さいことを示している。
又夫々のテープを、４０’Ｃ８８％ＲＨ、５，７ｐｐｍ
５ｏ２ガスの環境に１ケ月放置し、前後のり変化を比較
した結果、比較例が初期値に対し、 −６，７（ｄＢ）
と低下が大きかったのに対し、実施例はＡが−１，１（
ｄＢ） 、 Ｂが−０，２（ｄＢ） 、 Ｃが−０
，７（ｄＢ）と良好であった。
５ｏ２ガスの環境に１ケ月放置し、前後のり変化を比較
した結果、比較例が初期値に対し、 −６，７（ｄＢ）
と低下が大きかったのに対し、実施例はＡが−１，１（
ｄＢ） 、 Ｂが−０，２（ｄＢ） 、 Ｃが−０
，７（ｄＢ）と良好であった。
尚ステル状態でも比較例は３３分、実施例Ａ。
Ｂ、Ｃは夫々３６分、３４分、３８分後に初期出力から
１（ｄＢ）出力がさがるだけといった耐久性も確認した
。
１（ｄＢ）出力がさがるだけといった耐久性も確認した
。
上記した以外でＣｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｄでも類似の改善
ができたがｃｏ −Ｎ ｉについては、有機ガスに酸素
を流量で有機ガスに対して１０％から２６％の割合で混
合させることで有機ガス単独よりも改善がはかれること
がわかった。
ができたがｃｏ −Ｎ ｉについては、有機ガスに酸素
を流量で有機ガスに対して１０％から２６％の割合で混
合させることで有機ガス単独よりも改善がはかれること
がわかった。
最適条件では出力は殆んど変らず雑音が約１（ｄＢ ）
改善された。
改善された。
発明の効果
以上のように本発明によれば、高密度記録を合金系ヘッ
ドで行った時に良好なＣ／Ｎ を与えることのできる、
耐久性を兼ね備えた磁気記録媒体を製造できるといった
すぐれた効果がある。
ドで行った時に良好なＣ／Ｎ を与えることのできる、
耐久性を兼ね備えた磁気記録媒体を製造できるといった
すぐれた効果がある。
図は、本発明の実施に用いたクラスターイオンビーム蒸
着装置の要部構成図である。 １・・・・・・高分子フィルム、６・・・・・・蒸発源
容器、６・・・・・・蒸着材料、８・・・・・・高周波
グロー放電電極。
着装置の要部構成図である。 １・・・・・・高分子フィルム、６・・・・・・蒸発源
容器、６・・・・・・蒸着材料、８・・・・・・高周波
グロー放電電極。
Claims (1)
- 移動する高分子フィルムにクラスターイオンビーム蒸着
法で強磁性金属薄膜を形成する際、有機ガスを放電ガス
としたプラズマを通過させることを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261763A JPH02108240A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261763A JPH02108240A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02108240A true JPH02108240A (ja) | 1990-04-20 |
Family
ID=17366355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63261763A Pending JPH02108240A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02108240A (ja) |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP63261763A patent/JPH02108240A/ja active Pending
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