JPH01168002A - Electric resistor and manufacture thereof - Google Patents
Electric resistor and manufacture thereofInfo
- Publication number
- JPH01168002A JPH01168002A JP62325480A JP32548087A JPH01168002A JP H01168002 A JPH01168002 A JP H01168002A JP 62325480 A JP62325480 A JP 62325480A JP 32548087 A JP32548087 A JP 32548087A JP H01168002 A JPH01168002 A JP H01168002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- oxide
- alkaline earth
- molybdate
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 98
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 23
- MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N molybdate Chemical compound [O-][Mo]([O-])(=O)=O MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 28
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 24
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- -1 Alkaline earth metal molybdate Chemical class 0.000 claims description 22
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 20
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 43
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 12
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 4
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 4
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MODMKKOKHKJFHJ-UHFFFAOYSA-N magnesium;dioxido(dioxo)molybdenum Chemical compound [Mg+2].[O-][Mo]([O-])(=O)=O MODMKKOKHKJFHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical class [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017964 MgMoO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015707 MoOz Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- RCMWGBKVFBTLCW-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(dioxo)molybdenum Chemical compound [Ba+2].[O-][Mo]([O-])(=O)=O RCMWGBKVFBTLCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- BIOOACNPATUQFW-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(dioxo)molybdenum Chemical compound [Ca+2].[O-][Mo]([O-])(=O)=O BIOOACNPATUQFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910002926 BaMoO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001293 FEMA 3089 Substances 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000009120 camo Nutrition 0.000 description 1
- 244000213578 camo Species 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001734 carboxylic acid salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L molybdic acid Chemical compound O[Mo](O)(=O)=O VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、固定チップ抵抗器あるいは回路配線基板等に
設けられる厚膜タイプの電気抵抗体、特に非酸化性雰囲
気中で焼成して得られることが可能であり、かつ電力動
作変化率を小さくした電気抵抗体及びその製造方法、さ
らには耐電圧特性を改善した電気抵抗体に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a thick film type electrical resistor provided on a fixed chip resistor or a circuit wiring board, etc., and particularly to a thick film type electrical resistor that can be obtained by firing in a non-oxidizing atmosphere. The present invention relates to an electrical resistor and a method for manufacturing the same that are possible and have a reduced rate of change in power operation, and further to an electrical resistor that has improved withstand voltage characteristics.
従来の技術
電子機器の電気回路は、抵抗、コンデンサ、ダイオード
、トランジスタ等の各種電気素子が回路基板に実装され
て構成されることが良く行われているが、電子機器の小
型化に伴ってこれらの電気素子の実装密度をさらに高め
ることができる回路基板が多く用いられるようになって
きた。Conventional technology The electrical circuits of electronic devices are often constructed by mounting various electrical elements such as resistors, capacitors, diodes, and transistors on circuit boards, but as electronic devices become smaller, these Circuit boards that can further increase the packaging density of electrical elements have come into widespread use.
これらの回路基板に設けられる抵抗体には、抵抗体材料
ペーストを回路上に直接印刷して焼付けることにより形
成した厚膜抵抗体、あるいは角板状セラミックチップの
両端に一対の電極を形成し、双方の電極に跨がるように
前記厚膜抵抗体を形成した固定チップ抵抗器等がある。The resistors installed on these circuit boards are either thick film resistors formed by printing and baking resistor material paste directly onto the circuit, or a pair of electrodes formed at both ends of a square plate-shaped ceramic chip. There are also fixed chip resistors in which the thick film resistor is formed so as to span both electrodes.
このような厚膜抵抗体を回路基板に設けるには、従来、
例えば1500℃前後で焼成して得られたアルミナ基板
の表面にAgあるいはAg−Pd等の導体材料ペースト
を塗布し、焼付けした後、例えばRuO□を抵抗体材料
として含有するペーストをスクリーン印刷等により塗布
し、ついで750〜850℃で焼付け、さらに必要に応
じてトリミング等により抵抗値の調整を行なうやり方が
一般的である。Conventionally, in order to provide such a thick film resistor on a circuit board,
For example, a conductive material paste such as Ag or Ag-Pd is applied to the surface of an alumina substrate obtained by firing at around 1500°C, and after baking, a paste containing RuO□ as a resistor material is applied by screen printing, etc. A common method is to apply the film, then bake it at 750 to 850°C, and then adjust the resistance value by trimming or the like if necessary.
しかしながら近年、電子機器等に対する軽薄・短小化、
低コスト化の要求がさらに強まってきており、回路基板
に対しても一層の小型化、低コスト化の検討が行われる
ようになってきた。However, in recent years, electronic devices have become lighter, thinner, and smaller.
The demand for lower costs has become even stronger, and efforts are being made to further reduce the size and cost of circuit boards.
前者の小型化のための具体的な対応としては、第1に回
路基板の多層化、第2に抵抗体の内装化が行なわれてい
る。回路基板を多層化した例としては、AgあるいはA
g−Pd系等の導体材料ペーストを印刷したセラミック
グリーンシート(生シート)を積層、圧着した後、大気
中800〜1100℃で同時焼成して得られる多層配線
基板が挙げられ、また、抵抗体を内装化した例としては
、前記導体材料ペーストを印刷したセラミックグリーン
シート上にさらにRuO□系抵抗系材抗体材料ペースト
し、前記と同様に積層、圧着した後、同時焼成して得ら
れる抵抗体内装多層配線基板等が知られている。As concrete measures to reduce the size of the former, firstly, the circuit board is multilayered, and secondly, the resistor is built inside. Examples of multilayer circuit boards include Ag or A.
Examples include multilayer wiring boards obtained by laminating and crimping ceramic green sheets (green sheets) printed with conductor material paste such as g-Pd, and then simultaneously firing them in the atmosphere at 800 to 1100°C; As an example of internalization, a RuO□ resistance material antibody material paste is further applied on a ceramic green sheet printed with the conductor material paste, laminated and crimped in the same manner as above, and then co-fired to create a resistor body. Multilayer wiring boards and the like are known.
また、後者の低コスト化のための具体的な対応としては
、八gあるいはAg−Pd系材料のような高価な貴金属
系の導体材料に代わって、安価なNiあるいはCu等の
卑金属系の導体材料を用い、これらを窒素ガスあるいは
水素を含む窒素ガス中等、その酸化による高抵抗化を避
けることができるような中性あるいは還元性の非酸化性
雰囲気中、800〜1100℃でグリーンセラミックと
同時焼成して得られる多層配線基板が実用化されている
。また、特開昭56−153702号公報に記載されて
いるように、MoSi、−TaSiz及びガラスからな
る抵抗体材料を、銅(Cu)導体を有するアルミナ基板
上に塗布し、熱処理して得られる厚膜抵抗体等も知られ
ている。In addition, as a specific measure to reduce the cost of the latter, in place of expensive noble metal conductor materials such as 8G or Ag-Pd materials, inexpensive base metal conductors such as Ni or Cu are used. These materials are simultaneously treated with green ceramics at 800 to 1100℃ in a neutral or reducing non-oxidizing atmosphere that can avoid high resistance due to oxidation, such as nitrogen gas or nitrogen gas containing hydrogen. Multilayer wiring boards obtained by firing have been put into practical use. Furthermore, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-153702, a resistor material made of MoSi, -TaSiz, and glass is coated on an alumina substrate having a copper (Cu) conductor and heat-treated. Thick film resistors and the like are also known.
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、回路基板の小型化と低コスト化を同時に
行なうようにすると、RuO□系抵抗系材抗体材料ガス
あるいは水素を含む窒素ガス雰囲気中でグリーンセラミ
ックと同時焼成したときに還元反応が起こり、抵抗値が
低くなって抵抗体としての特性を示さなくなる。Problems to be Solved by the Invention However, in order to reduce the size and cost of circuit boards at the same time, RuO□-based resistance material antibody material gas or green ceramic co-fired in a nitrogen gas atmosphere containing hydrogen must be used. Sometimes a reduction reaction occurs, resulting in a low resistance value and no longer exhibiting properties as a resistor.
また、Mo5t、−TaSiz及びガラスからなる抵抗
体材料を非酸化性雰囲気中でグリーンセラミックシート
と同時焼成すると、両者の膨張率、収縮率の相違による
ずれにより焼成体に反りが生じたり、MoSi、−Ta
St、の分解反応によりガスが発生して焼成体にふくれ
が生じ易いと云う問題点がある。これを改善するために
、特開昭60−198703号公報に記載されているよ
うに、MoS i z−弗化金属塩(例えば弗化カルシ
ウム)及びガラスよりなる抵抗体材料を用いる例が知ら
れており、これについては上記のような焼成時の反りや
ふくれは見られない。Furthermore, when a resistor material made of Mo5t, -TaSiz, and glass is co-fired with a green ceramic sheet in a non-oxidizing atmosphere, the fired body may warp due to the difference in expansion and contraction rates of the two, and MoSi, -Ta
There is a problem that gas is generated due to the decomposition reaction of St, which tends to cause blisters in the fired body. In order to improve this, an example is known in which a resistor material made of MoS i z-metal fluoride (e.g. calcium fluoride) and glass is used, as described in JP-A-60-198703. There is no warping or blistering during firing as mentioned above.
しかし、このMo5iz−弗化金属及びガラスよりなる
抵抗体材料をグリーンセラミックシートに塗布し、同時
焼成して得られた厚膜抵抗体は、95%相対湿度中に1
000時間放置すると、5〜10%の抵抗値の増加が見
られ、抵抗体としての所定の機能を果たすことができな
い。However, a thick film resistor obtained by coating a resistor material made of Mo5iz-metal fluoride and glass on a green ceramic sheet and co-firing it at 1% in 95% relative humidity
If left for 000 hours, the resistance value will increase by 5 to 10%, and the resistor will no longer be able to function as a resistor.
そこで、本発明者等はCus Ni等の卑金属導体ペー
ストを印刷したセラミックグリーンシートとともに、非
酸化性雰囲気中で800〜1100℃で焼成して得られ
ることが可能なアルカリ土類金属のモリブデン酸塩を含
有する厚膜抵抗体を提案した。これは上記のような高湿
度下に長時間放置しても抵抗値の増加はほとんど見られ
ず、好ましい。Therefore, the present inventors developed an alkaline earth metal molybdate that can be obtained by firing at 800 to 1100°C in a non-oxidizing atmosphere together with a ceramic green sheet printed with a base metal conductor paste such as CuSNi. We have proposed a thick film resistor containing . This is preferable because almost no increase in resistance value is observed even when left for a long time under high humidity as described above.
しかしながら、このアルカリ土類金属のモリブデン酸塩
を含有する厚膜抵抗体を70±5℃にて定格電圧を1.
5時間オンし、0.5時間オフするサイクルで24o古
’A時間の電力動作テストを行うと、±2%く(絶対値
が2より大きい)の抵抗値の変化があり、電力動作変化
が大きいという問題点があった。However, the rated voltage of the thick film resistor containing this alkaline earth metal molybdate at 70±5°C is 1.
When conducting a power operation test for 24 hours with a cycle of 5 hours on and 0.5 hours off, there was a resistance change of ±2% (absolute value greater than 2), indicating that the power operation change was The problem was that it was large.
また、このアルカリ土類金属のモリブデン酸塩を含有す
る厚膜抵抗体を形成した素子や回路基板、あるいはこれ
らの素子や回路基板を実装した電子機器等を低温度、低
湿度の条件下で取り扱うと、これらの素子同士の摩擦あ
るいはこれら素子や機器等を扱う作業者の衣服の摩擦等
により発生する高電圧の静電気等が厚膜抵抗体に印加さ
れることになり、この抵抗体の抵抗値を大きく低下させ
るという問題点がある。この抵抗値の減少は20〜50
%にもなり、−旦減少すると元の抵抗値には戻らず、そ
の改善が望まれていた。In addition, devices and circuit boards on which thick-film resistors containing molybdate of alkaline earth metals are formed, or electronic devices mounted with these devices and circuit boards, must be handled under conditions of low temperature and low humidity. Then, high-voltage static electricity generated by friction between these elements or the friction of the clothes of the workers handling these elements or equipment will be applied to the thick film resistor, and the resistance value of this resistor will decrease. There is a problem in that it significantly reduces the This decrease in resistance is 20-50
%, and once it decreases, it does not return to its original resistance value, and an improvement has been desired.
したがって、本発明の第1の目的は、固定チ・ノブ抵抗
器あるいは一般の回路基板等に使用できるのみならず、
卑金属導体材料とともに積層して多層基板に内装化する
ことのできる電気抵抗体であって、高湿皮下長時間放置
されても抵抗値の安定な電気抵抗体を提供することにあ
る。Therefore, the first object of the present invention is that it can be used not only for fixed chi-knob resistors or general circuit boards, but also for
An object of the present invention is to provide an electrical resistor that can be laminated together with a base metal conductor material and incorporated into a multilayer board, and that has a stable resistance value even when left under high humidity under the skin for a long time.
本発明の第2の目的は、抵抗体材料を還元性雰囲気中で
焼成することによっても得られる優れた特性を有する電
気抵抗体を提供することにある。A second object of the present invention is to provide an electrical resistor having excellent characteristics that can also be obtained by firing the resistor material in a reducing atmosphere.
本発明の第3の目的は、電力動作変化率の少ない電気抵
抗体を提供することにある。A third object of the present invention is to provide an electrical resistor with a small rate of change in power operation.
本発明の第4の目的は、回路基板の小型化、コストの低
減の両方を満足できる電気抵抗体を提供することにある
。A fourth object of the present invention is to provide an electrical resistor that satisfies both the miniaturization of circuit boards and cost reduction.
本発明の第5の目的は、前記電気抵抗体の特性をより一
層向上させることのできる製造法を提供することにある
。A fifth object of the present invention is to provide a manufacturing method that can further improve the characteristics of the electrical resistor.
本発明の第6の目的は、上記目的を達成するとともに、
さらに高電圧が印加されても抵抗体としての機能を損な
わない耐圧性の電気抵抗体を提供することにある。A sixth object of the present invention is to achieve the above object, and
Another object of the present invention is to provide a voltage-resistant electrical resistor that does not lose its function as a resistor even when a high voltage is applied.
問題点を解決するための手段
本発明は、上記目的を達成するために、アルカリ土類金
属のモリブデン酸塩と、Y 、 Laz Ces Pr
5Nd、 Sm、 Eus Gds Tbs DV%■
0% Erx Tmx YblLLI%Scs Pll
の群から選ばれた少なくとも1つの元素の酸化物を含有
する焼成体を有することを特徴とする厚膜抵抗体を提供
することにある。Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, the present invention provides the following methods: alkaline earth metal molybdate, Y, Laz Ces Pr.
5Nd, Sm, Eus Gds Tbs DV%■
0% Erx Tmx YblLLI%Scs Pll
An object of the present invention is to provide a thick film resistor characterized by having a fired body containing an oxide of at least one element selected from the group of.
また、塊状粒子と、この塊状粒子に付着又はこの塊状粒
子の近傍に存在する針状粒子と、ガラス層を有し、Y
SLa、 Ce5Prs Nd、 5II1% 211
% Gds TbxDy、 Ho、、Er、 Tm、
Yb、 Lu、 Sc、 Pmの群から選ばれた少なく
とも1つの元素の酸化物を含有する焼成体であって、上
記塊状粒子がアルカリ土類金属のモリブデン酸塩を含有
し、針状粒子が当該モリブデン酸塩の還元生成物を含有
することを特徴とする電気抵抗体を提供することにある
。In addition, the Y
SLa, Ce5Prs Nd, 5II1% 211
% Gds TbxDy, Ho,, Er, Tm,
A fired body containing an oxide of at least one element selected from the group of Yb, Lu, Sc, and Pm, wherein the massive particles contain molybdate of an alkaline earth metal, and the acicular particles contain the oxide of at least one element selected from the group of Yb, Lu, Sc, and Pm. An object of the present invention is to provide an electrical resistor characterized by containing a reduction product of molybdate.
また、アルカリ土類金属のモリブデン酸塩と、Y SL
a、 Ce、 Pr、 Nd、 Sms 211% G
ds Tbs Dy180%Er、 Tms Ybs
Lus SC5Pmの群から選ばれた少なくとも1つの
元素の酸化物と、酸化チタンを含有する焼成体を有する
ことを特徴とする厚膜抵抗体を提供することにある。In addition, alkaline earth metal molybdate and Y SL
a, Ce, Pr, Nd, SMS 211% G
ds Tbs Dy180%Er, Tms Ybs
An object of the present invention is to provide a thick film resistor characterized by having a fired body containing an oxide of at least one element selected from the group of Lus SC5Pm and titanium oxide.
また、主成分にアルカリ土類金属のモリブデン酸塩及び
その前駆体の内の少なくとも一種と、Y、La、 Ce
、 Prx Nd、 Sm、Eu、、Gd5Tb、、
07% 80、E r −。In addition, the main components are at least one of molybdates of alkaline earth metals and their precursors, Y, La, and Ce.
, Prx Nd, Sm, Eu, , Gd5Tb, ,
07% 80, E r -.
Tms YbXLLI% S0% pH+の群から選ば
れた少なくとも1つの元素の酸化物を含有する抵抗体材
料を熱処理し、この熱処理して得られた抵抗体材料を用
いて焼成し、アルカリ土類金属のモリブデン酸塩とY
s Las Ces Prx Nds Srs、 Eu
、 Gd、 Tb、 07% Ilo。A resistor material containing an oxide of at least one element selected from the group Tms YbXLLI% S0% pH Molybdate and Y
s Las Ces Prx Nds Srs, Eu
, Gd, Tb, 07% Ilo.
Er、 Tms Yb−、LLI% ScSPm0群か
ら選ばれた少なくとも1つの元素の酸化物を含有する焼
成体からなる電気抵抗体を得ることを特徴とする電気抵
抗体の製造方法を提供することにある。An object of the present invention is to provide a method for producing an electrical resistor, which is characterized by obtaining an electrical resistor made of a fired body containing an oxide of at least one element selected from the group Er, Tms Yb-, LLI% ScSPm0. .
本発明における電気抵抗体は、例えば第1図に示すよう
に、ガラスaに球状粒子すと針状粒子Cを分散させた構
造が例示され、この例では針状粒子は球状粒子に付着し
ているか、その近傍に存在している。このような構造は
、接触又は近傍に存在する球状粒子と針状粒子を通して
電流を流すことができる。このような構造は、例えば抵
抗体材料の塊状粒子を焼成処理してその表面の生成物を
針状に成長させることによって形成させることができる
が、これについては後に詳述する。As shown in FIG. 1, the electrical resistor of the present invention has a structure in which spherical particles and acicular particles C are dispersed in glass a, and in this example, the acicular particles are attached to the spherical particles. Either there is, or there is one nearby. Such a structure allows electrical current to flow through spherical particles and needle-like particles that are in contact with or in close proximity. Such a structure can be formed, for example, by firing bulk particles of the resistor material and growing a product on the surface into a needle shape, which will be described in detail later.
このような抵抗体材料としては、アルカリ土類金属のモ
リブデン酸塩を使用できるが、Meをアルカリ土類金属
とすると、一般式MeMoOa、MeJo06、Mez
MoOs 、Me、Mot、MeMO40+i、MeM
oJza、MgMoO4,o、 MezMoOs 、M
62MO:+O+を等で表されるものが好ましい。具体
的には、例えばMgMoO4、CaMo0as SrM
oO4、BaMoO4、BaMoO47、[18MO4
013、BaMo、0.4、BaMoO+o、CaMo
0asBaMoO4
また、次の複合モリブデン酸塩も例示される。Molybdates of alkaline earth metals can be used as such resistor materials, but when Me is an alkaline earth metal, the general formulas MeMoOa, MeJo06, Mez
MoOs, Me, Mot, MeMO40+i, MeM
oJza, MgMoO4,o, MezMoOs,M
62MO: Those represented by +O+, etc. are preferable. Specifically, for example, MgMoO4, CaMo0as SrM
oO4, BaMoO4, BaMoO47, [18MO4
013, BaMo, 0.4, BaMoO+o, CaMo
0asBaMoO4 The following complex molybdates are also exemplified.
(Mgx Cay )MOO4、但し、x +y =1
、(CaX5ry )MOO4、但し、x +y =1
、(Mgz Bay )MOO4、但し、x +y =
1、(MgXCayBa、 )MOO4、但し、x +
y +z =1、(Caz Sr、 Ba、 )MOO
4、但し、X +y +z =1、(MgXCa、 S
rz Baw )MOO,、但し、X +y +Z
+z =1’(Caz Sry )Moth、但し
、X +y =3、(Srx [lay )MOO&
、但し、x +y−3、このようなアルカリ土類金属の
モリブデン酸塩は、アルカリ土類金属の各々の金属酸化
物の前駆体となる物質と酸化モリブデン(MoOz)又
はその前駆体とを所定のモル比で混合し、熱処理するこ
とにより合成することができる。例えばCaOの前駆体
となる、例えば炭酸カルシウム(CaCO:+)又は水
酸化カルシウム(Ca (OR) z) と酸Cヒモリ
ブデン(MoOz)又はその前駆体となる、例えばモリ
ブデン酸(11□MOO4)とを所定モル比混合し、熱
処理する。このときの熱処理条件としては、600〜1
000℃、1〜3時間が挙げられる。(Mgx Cay) MOO4, however, x + y = 1
, (CaX5ry) MOO4, where x + y = 1
, (Mgz Bay )MOO4, where x + y =
1, (MgXCayBa, )MOO4, where x +
y + z = 1, (Caz Sr, Ba, )MOO
4, However, X + y + z = 1, (MgXCa, S
rz Baw ) MOO,, however, X +y +Z
+z = 1' (Caz Sry ) Moth, however, X +y = 3, (Srx [lay) MOO&
However, x + y-3, such an alkaline earth metal molybdate is obtained by combining a substance that becomes a precursor of each metal oxide of an alkaline earth metal and molybdenum oxide (MoOz) or its precursor in a specified manner. It can be synthesized by mixing at a molar ratio of and heat-treating. For example, a precursor of CaO, such as calcium carbonate (CaCO:+) or calcium hydroxide (Ca (OR) z), and an acid C hismolybdenum (MoOz), or a precursor thereof, such as molybdic acid (11□MOO4) are mixed in a predetermined molar ratio and heat treated. The heat treatment conditions at this time are 600 to 1
000°C for 1 to 3 hours.
また、アルカリ土類金属のモリブデン酸塩は、アルカリ
土類金属酸化物と酸化モリブデン(MoO3)の熱処理
によっても合成することができる0例えハcaOとMo
b、を熱処理することによってカルシウムのモリブデン
酸塩が合成されるが、この場合Woo、が昇華し易いた
め、加圧しながら熱処理することが好ましい。他のアル
カリ金属についても同様である。Alkaline earth metal molybdates can also be synthesized by heat treatment of alkaline earth metal oxides and molybdenum oxide (MoO3).
Calcium molybdate is synthesized by heat-treating b. However, in this case, since Woo tends to sublime, it is preferable to heat-treat while pressurizing. The same applies to other alkali metals.
また、本発明で使用されるY % Lax Ce、 P
r5Nd。Furthermore, Y% Lax Ce, P used in the present invention
r5Nd.
Srm−、Eu、 Gdz Tbs Dy、 Ho、E
rs Tll1% Yb−、Lus ScsPmの元素
の酸化物は、周期律表■属a亜族に属するSc、 Y及
びランタノイド(元素番号57〜71)の酸化物で、こ
れらの希土類元素は2価、4価などの酸化数を持つ化合
物も生成するが、3価の酸化数を持つ酸化物が一般に安
定であり、好ましく用いられる。Srm-, Eu, Gdz Tbs Dy, Ho, E
rs Tll1% Yb-, Lus ScsPm element oxides are oxides of Sc, Y, and lanthanoids (element numbers 57 to 71) belonging to subgroup A of genus A of the periodic table, and these rare earth elements are divalent, Although compounds with an oxidation number such as tetravalence are also produced, oxides with an oxidation number of trivalence are generally stable and are preferably used.
また、本発明で使用される酸化チタンは、一般式Tix
Oyで表され、具体的にはTiO、Tit(h、Ti0
z等が好ましい。Furthermore, the titanium oxide used in the present invention has the general formula Tix
Oy, specifically TiO, Tit(h, Ti0
z etc. are preferred.
本発明においてはガラスを用いることが好ましく、この
ガラスとしては一般に知られているガラスが用いられ、
特定の組成のガラスに限定されるものではないが、Pb
3O4、Bi2O3,5nOz、CdOのような酸化物
は、これらを含む抵抗体材料を非酸化性雰囲気中で焼成
するときに還元されて金属化することがあり、この金属
は抵抗値を変化させるので、このようなことが起こるこ
とが好ましくない場合にはこれらの酸化物を含有しない
ことが好ましい。In the present invention, it is preferable to use glass, and as this glass, commonly known glass is used,
Although not limited to glasses of particular composition, Pb
Oxides such as 3O4, Bi2O3, 5nOz, and CdO may be reduced and metallized when resistor materials containing them are fired in a non-oxidizing atmosphere, and this metal changes the resistance value. If such occurrence is undesirable, it is preferable not to contain these oxides.
ガラス成分としては、Sing、B201、ZnO%
CaO1SrO1zrO2などが好ましく、これらの酸
化物の組成比は、
Si0□12〜33 重量%
[1zOi 20〜35 重量%
ZnO又はSr0 13〜33 重量%Ca0 10
〜25 重量%
Zr0z 15〜45 重量%
が好ましい。Glass components include Sing, B201, ZnO%
CaO1SrO1zrO2 and the like are preferable, and the composition ratio of these oxides is as follows: Si0□12-33 wt% [1zOi 20-35 wt% ZnO or Sr0 13-33 wt%Ca0 10
-25% by weight Zr0z 15-45% by weight is preferred.
これら酸化物の組成物からガラスを製造するには、前記
組成比になるようにそれぞれの酸化物を秤量し、混合す
る。この混合物を坩堝に入れ、1200〜1500℃に
温度にて溶融した後、溶融液を例えば水中に投入し、急
冷させ、ガラス粗粉を得る。In order to manufacture glass from a composition of these oxides, the respective oxides are weighed and mixed to achieve the above composition ratio. This mixture is placed in a crucible and melted at a temperature of 1200 to 1500°C, and then the melt is poured into water, for example, and rapidly cooled to obtain coarse glass powder.
この粗粉を例えばボールミル、振動ミルなどの粉砕手段
を用いて所望の粒度(例えば10μm以下)になるまで
粉砕すると、ガラス粉末が得られる。Glass powder is obtained by pulverizing this coarse powder to a desired particle size (for example, 10 μm or less) using a pulverizing means such as a ball mill or a vibration mill.
前記は純粋の酸化物を混合して用いたが、これに限らず
結果的に各酸化物の混合物からなるガラスになれば良く
、各酸化物の前駆体をその一部又は全部に用い、これを
溶融してガラスにしても良い0例えばCaO(酸化カル
シウム)はCaC0+(炭酸カルシウム) 、BtO*
(酸化硼素)はホウ酸(HJO+)の熱処理により得ら
れるので、CaO,8203の一部又はその全部の代わ
りにそれぞれCaCO5、HJO3を用いることができ
る。その他の成分の酸化物についても同様である。In the above, a mixture of pure oxides was used, but the glass is not limited to this, as long as the result is a mixture of each oxide. For example, CaO (calcium oxide), CaC0+ (calcium carbonate), BtO*
Since (boron oxide) is obtained by heat treatment of boric acid (HJO+), CaCO5 and HJO3 can be used in place of part or all of CaO, 8203, respectively. The same applies to oxides of other components.
前記のようにして得られるアルカリ土類金属のモリブデ
ン酸塩、ガラス粉末は混合され、この混合組成物に対し
て上記希土類元素の酸化物及び/又は酸化チタンを添加
してさらに混合し抵抗体材料として用いても良いが、こ
れを熱処理して粉砕したものを抵抗体材料とすることが
これを焼成して得た抵抗体の抵抗温度特性の上で好まし
い。この熱処理温度としては、800℃〜1200℃が
好ましく、これより外れると抵抗体材料を電気抵抗体に
加工する各工程の作業条件等による組成比の微妙な変動
に対し、出来上がった抵抗体の抵抗値が影響を受は易く
、所望の抵抗値を安定して得ることが難しい。この熱処
理は非酸化性雰囲気が望ましく、窒素ガスその他不活性
ガス、あるいはこれらに水素ガスを含有させた混合ガス
を用いることが好ましい。The alkaline earth metal molybdate and glass powder obtained as described above are mixed, and the above-mentioned rare earth element oxide and/or titanium oxide are added to this mixed composition and further mixed to obtain a resistor material. However, it is preferable to use heat-treated and pulverized material as the resistor material in view of the resistance temperature characteristics of the resistor obtained by firing it. The temperature for this heat treatment is preferably 800°C to 1200°C, and if the temperature is outside this range, the resistance of the finished resistor will increase due to subtle fluctuations in the composition ratio caused by the working conditions of each step of processing the resistor material into an electrical resistor. The resistance value is easily affected and it is difficult to stably obtain the desired resistance value. This heat treatment is preferably performed in a non-oxidizing atmosphere, and it is preferable to use nitrogen gas or other inert gas, or a mixed gas containing these gases and hydrogen gas.
抵抗体材料の各成分の組成比は、アルカリ土類金属のモ
リブデン酸塩30〜96重量%、ガラス粉末4〜70重
量%の組成物100重量部に対して上記希土類元素の酸
化物を0.1〜20.0重量部添加したものが好ましく
、さらに酸化チタンを併用する場合にはこの酸化チタン
を0.01〜5.00重量部添加したものが好ましい。The composition ratio of each component of the resistor material is as follows: 0.0% of the above rare earth element oxide per 100 parts by weight of a composition of 30 to 96% by weight of alkaline earth metal molybdate and 4 to 70% by weight of glass powder. It is preferable to add 1 to 20.0 parts by weight, and when titanium oxide is used in combination, it is preferable to add 0.01 to 5.00 parts by weight of titanium oxide.
この範囲よりアルカリ土類金属のモリブデン酸塩が少な
過ぎ、ガラスが多過ぎると、焼成して出来上がった電気
抵抗体の抵抗値が高(なり過ぎ好ましくない場合があり
、また、逆に当該モリブデン酸塩が多過ぎ、ガラスが少
な過ぎると焼成時の焼結性が悪くなり回路基板に安定に
保持できないことがある。しかし、抵抗体を回路基板を
積層して埋め込むような場合には当該元素のモリブデン
、酸塩が上記範囲より多い場合のみならず、100%で
も良い。また、上記希土類元素の酸化物の添加量が少な
過ぎると電力動作変化率を小さくできないことがあり、
多すぎると温度係数が絶対値の大きいマイナスになるこ
とがある。If the amount of alkaline earth metal molybdate is too small and the amount of glass is too large, the resistance value of the electrical resistor produced by firing may become too high (which may be undesirable); If there is too much salt and too little glass, the sinterability during firing will deteriorate and it may not be possible to stably hold the resistor on the circuit board.However, when the resistor is embedded in a stack of circuit boards, The content of molybdenum and acid salts may not only be greater than the above range, but may also be 100%.Furthermore, if the amount of the rare earth element oxide added is too small, the rate of change in power operation may not be able to be reduced.
If it is too large, the temperature coefficient may become negative with a large absolute value.
また、酸化チタンの量が多すぎると上記希土類元素の酸
化物が多い場合と同様の問題があり、少な過ぎると耐電
圧性の点で好ましくない場合がある。Furthermore, if the amount of titanium oxide is too large, there will be the same problem as when the amount of rare earth element oxide is large, and if the amount is too small, it may be unfavorable in terms of voltage resistance.
このようにして得られた抵抗体材料粉末から固定チップ
抵抗器あるいは厚膜抵抗体のための抵抗体を作成するに
は、例えばセラミックグリーンシートにこれらの抵抗体
材料粉末を塗布し、焼成する。この際電気抵抗体本体と
なる例えば上記モリブデン酸塩は球状、楕円、多角状体
等の塊状粒子にしてから使用することが好ましい。これ
は針状粒子が成長する焼成の過程でその根源の母体が残
ることが好ましいからである。この抵抗体本体材料を塊
状粒子にするには、ガラス等の結合剤を使用することも
できる。In order to create a resistor for a fixed chip resistor or a thick film resistor from the resistor material powder thus obtained, the resistor material powder is applied to, for example, a ceramic green sheet and fired. At this time, it is preferable that the above-mentioned molybdate, which will become the main body of the electrical resistor, be made into bulk particles such as spheres, ellipses, and polygons before use. This is because it is preferable that the original matrix remains during the firing process in which the acicular particles grow. A binder such as glass may also be used to form the resistor body material into bulk particles.
このようなモリブデン酸塩と例えばガラス等からなる抵
抗体材料の塗布を行うためには例えばシルクスクリーン
印刷ができるようにこれら抵抗体材料粉末にビヒクルが
混合され塗液が調整される。In order to apply a resistor material made of molybdate and glass, for example, a vehicle is mixed with the resistor material powder to prepare a coating liquid so that silk screen printing can be performed, for example.
このビヒクルは、焼成の前段階で焼失できるようなもの
が好ましく、このためには有機物ビヒクル、すなわち有
機溶剤に樹脂を溶解又は分散させ、必要に応じて可塑剤
、分散剤等の各種添加剤を加えたものが好ましい、この
有機溶剤にはプチルカーヒトールアセテート、プチルカ
ービトール、テレピン油などが挙げられ、樹脂としては
エチルセルローズ、ニトロセルローズ等のセルローズ誘
導体、その他の樹脂が挙げられる。This vehicle is preferably one that can be burned out in the pre-firing stage.For this purpose, the resin is dissolved or dispersed in an organic vehicle, that is, an organic solvent, and various additives such as plasticizers and dispersants are added as necessary. Examples of the organic solvent, which is preferably added, include butyl carbitol acetate, butyl carbitol, turpentine oil, etc., and examples of the resin include cellulose derivatives such as ethyl cellulose and nitrocellulose, and other resins.
この有機物ビヒクルと抵抗体材料粉末との使用割合は使
用する有機溶剤、樹脂等により変わるが、有機溶剤と樹
脂との使用割合は前者が20〜50重量%、後者が80
〜50重量%が適当である。これらの成分は例えば三本
ロールミル、らいかい器などの混合手段を用いてペース
ト状にされる。The usage ratio of this organic vehicle and the resistor material powder varies depending on the organic solvent, resin, etc. used, but the usage ratio of the organic solvent and resin is 20 to 50% by weight for the former and 80% for the latter.
~50% by weight is suitable. These components are made into a paste using a mixing means such as a three-roll mill or a sieve.
このようにして得られた抵抗体材料ペーストが基板に塗
布され、これがさらに後述の処理を施されて抵抗体が作
成されるが、この基板にはセラミックグリーンシートを
導体材料や抵抗体材料とともに焼成して作成するものの
みならず、予めセラミックグリーンシートを焼成し、こ
れにさらに抵抗体材料、導体材料を塗布した後焼成する
方法でも良い。これらは積層体を形成する場合にも適用
できる。The resistor material paste obtained in this way is applied to a substrate, which is further processed as described below to create a resistor. In addition to a method in which a ceramic green sheet is fired in advance, a resistor material and a conductor material are further applied thereto, and then fired. These can also be applied when forming a laminate.
前記セラミックグリーンシートとしては、例えば酸化ア
ルミニウム(A 1 zOx>35〜45重量%、酸化
珪素(SiO□)25〜35重量%、酸化硼素(BzO
+) to〜15重世%、酸化カルシウム(Cab)
7〜13重1%、酸化マグネシウム(MgO) 7〜1
0重景%重量セラミック構成成分の酸化物混合物を有機
物ビヒクルとボールミル等で混合したスラリーをドクタ
ーブレード等によりシート化したものが挙げられる。こ
の際、アルカリ土類金属のモリブデン酸塩にガラスを併
用しないときは、前記セラミックグリーンシートにガラ
ス分を多く含ませガラスを併用したと同様の効果を出す
ようにしても良い。前記有機物ビヒクルには、アクリル
酸エステル等のアクリル樹脂、ポリビニルブチラール等
の樹脂、グリセリン、フタル酸ジエチル等の可塑剤、カ
ルボン酸塩等の分散剤、水、有機溶剤等の溶剤から構成
される。The ceramic green sheet includes, for example, aluminum oxide (A 1 zOx>35 to 45% by weight, silicon oxide (SiO□) 25 to 35% by weight, boron oxide (BzO
+) to ~15%, calcium oxide (Cab)
7-13 1% by weight, magnesium oxide (MgO) 7-1
A slurry prepared by mixing an oxide mixture of ceramic constituents with an organic vehicle using a ball mill or the like and forming it into a sheet using a doctor blade or the like may be used. At this time, when glass is not used in combination with the alkaline earth metal molybdate, the ceramic green sheet may contain a large amount of glass to produce the same effect as when glass is used in combination. The organic vehicle is comprised of an acrylic resin such as an acrylic ester, a resin such as polyvinyl butyral, a plasticizer such as glycerin or diethyl phthalate, a dispersant such as a carboxylic acid salt, and a solvent such as water or an organic solvent.
前記抵抗体材料ペーストはセラミックグリーンシートに
例えばシルクスクリーン印刷等の手段により塗布され、
乾燥後、400〜500℃で熱処理されて樹脂成分が分
解・燃焼されるのが好ましい。The resistor material paste is applied to a ceramic green sheet by means such as silk screen printing,
After drying, it is preferable that the resin component is decomposed and burned by heat treatment at 400 to 500°C.
この際、同時にNiあるいはCu等の卑金属導体材料あ
るいはAg又はAg−Pdの貴金属導体材料のペースト
も抵抗体材料ペースト塗膜と同様にセラミックグリーン
シートに塗布され、抵抗体材料ペーストの塗布物と同様
に処理される。At this time, a paste of a base metal conductor material such as Ni or Cu or a noble metal conductor material such as Ag or Ag-Pd is also applied to the ceramic green sheet in the same way as the resistor material paste coating film, and the paste is also applied to the ceramic green sheet in the same way as the resistor material paste coating. will be processed.
このNiあるいはCu等の卑金属導体材料あるいはAg
又はAg−Pdの貴金属導体材料のペースト組成物とし
ては、各々の金属粉末98〜85重量%にガラスフリフ
トを2〜15重量%添加したものが例示される。This base metal conductor material such as Ni or Cu or Ag
Alternatively, a paste composition of Ag-Pd noble metal conductor material is exemplified by adding 2 to 15 weight % of glass flift to 98 to 85 weight % of each metal powder.
このようにしてセラミックグリーンシートに抵抗体材料
及び/又は導体材料が組み込まれるが、固定チップ抵抗
器の場合にはこの未焼成基板の表面のみ、多層基板の厚
膜抵抗体の場合には前記抵抗体材料、導体材料を未焼成
状態で組み込んだものをさらに積層して所定の回路を構
成するようにしてから焼成する。この焼成により導体材
料及び/又は厚膜抵抗体材料を基板と同時に焼成体にす
ることができる。In this way, the resistor material and/or conductor material is incorporated into the ceramic green sheet, but in the case of a fixed chip resistor, only the surface of this unfired substrate is incorporated, and in the case of a thick film resistor of a multilayer substrate, the resistor material and/or the conductor material are incorporated into the ceramic green sheet. The body material and conductor material assembled in an unfired state are further laminated to form a predetermined circuit, and then fired. By this firing, the conductor material and/or the thick film resistor material can be made into a fired body at the same time as the substrate.
この場合、NiあるいはCu等の卑金属導体材料が導体
材料に用いられるときは、その酸化による高抵抗値化を
防止するために、非酸化性雰囲気中で焼成することが好
ましく、その焼成温度は、例えば800℃〜1100℃
、0.5時間〜2時間が例示される。非酸化性雰囲気と
しては、窒素ガスその他事活性ガス、これらに水素ガス
を含有させた混合ガスも用いられる。また、Ag又はA
g−Pdの貴金属導体材料を用いるときは空気等の酸化
性雰囲気中で焼成することもできる。In this case, when a base metal conductor material such as Ni or Cu is used as the conductor material, it is preferable to sinter it in a non-oxidizing atmosphere in order to prevent the resistance value from increasing due to oxidation, and the sintering temperature is as follows: For example, 800℃~1100℃
, 0.5 hours to 2 hours. As the non-oxidizing atmosphere, nitrogen gas and other active gases, as well as mixed gases containing these gases and hydrogen gas, can be used. Also, Ag or A
When g-Pd noble metal conductor material is used, it can also be fired in an oxidizing atmosphere such as air.
前記のようにして導体及び/又は抵抗体を組み込んだ回
路配線基板が出来上がるが、焼成基板と導体の間は勿論
のこと、焼成基板と抵抗体との間にも焼成に伴ってクラ
ック、歪み、ふくれ等を生じることがないとともに、7
0±5℃にて定格電圧を1.5時間オン、0.5時間オ
フするサイクルを240時間行う電力動作試験に供して
もその変化率を±2%以内に抑えることができ、さらに
高温高湿度雰囲気中に1000時間以上放置されてもそ
の抵抗値が±2%以内の変化に抑制され、その高い信鯨
性を確保することができる。また、酸化チタンを併用す
ると、高電圧パルスを印加してもその抵抗値が±10%
以内の変化に抑制される。これらは、ごの抵抗体が導体
及び焼成基板と良くマツチングするためと、上記希土類
元素の酸化物、酸化チタン添加による効果とが考えられ
るが、その機構の詳細は明らかでない。なお、X線回折
分析により抵抗体中のモリブデン酸塩を認めることがで
きる。また、塊状粒子と針状粒子を透過型電子顕微鏡に
より認めることができる。A circuit wiring board incorporating a conductor and/or a resistor is completed as described above, but cracks, distortions, and distortions occur not only between the fired board and the conductor but also between the fired board and the resistor due to firing. Does not cause blistering, etc., and has 7
Even when subjected to a power operation test in which the rated voltage is turned on for 1.5 hours and turned off for 0.5 hours at 0±5℃ for 240 hours, the rate of change can be suppressed to within ±2%. Even if it is left in a humid atmosphere for 1000 hours or more, its resistance value is suppressed to change within ±2%, and its high reliability can be ensured. In addition, when used in combination with titanium oxide, the resistance value decreases by ±10% even when high voltage pulses are applied.
Changes within the range are suppressed. This is thought to be due to the good matching of the resistor with the conductor and the fired substrate, and the effect of addition of the rare earth element oxide and titanium oxide, but the details of this mechanism are not clear. Note that molybdate in the resistor can be observed by X-ray diffraction analysis. Furthermore, lumpy particles and needle-like particles can be observed using a transmission electron microscope.
本発明においては、上記の如くアルカリ土類金属のモリ
ブデン酸塩を用いても良いが、これらのモリブデン酸塩
の代わりに熱処理によりこれらのモリブデン酸塩となる
前駆体を一部又は全部用いることもできる。これらのい
ずれの場合もガラスと混合して熱処理したものを粉砕し
、抵抗体材料とすることが好ましいが、この熱処理を行
わず上述の有機物ビヒクル等と混合して作成したペース
トを例えばグリーンセラミックシートに塗布してから、
有機物除去の加熱処理を経て焼成し、直接抵抗体を作成
することもできる。In the present invention, alkaline earth metal molybdates may be used as described above, but instead of these molybdates, some or all of the precursors that become these molybdates through heat treatment may also be used. can. In any of these cases, it is preferable to mix it with glass and heat treat it, then crush it and use it as a resistor material. However, a paste made by mixing it with the above-mentioned organic vehicle, etc. without performing this heat treatment can be used, for example, as a green ceramic sheet. After applying it to
It is also possible to directly create a resistor by firing after heat treatment to remove organic matter.
また、ガラスはこれを構成する酸化物の混合材料がアル
カリ土類金属のモリブデン酸塩が上記希土類元素の酸化
物、さらには酸化チタンとともに結果的に焼成される状
態におかれれば良く、これらのガラスの酸化物の前駆体
をアルカリ土類金属のモリブデン酸塩及び/又はその前
駆体、上記希土類元素の酸化物、さらには酸化チタンと
ともにこの酸化物の一部又は全部を上述したようにペー
スト状態にし、これを基板に塗布して有機物の燃焼、そ
の後の焼成のいずれの過程で上記のガラス成分からなる
ガラスになり、これとアルカリ土類金属のモリブデン酸
塩及び/又はその前駆体、上記希土類元素の酸化物、さ
らに酸化チタンと焼成さすることにより抵抗体を作製で
きるものであれば良い。例えば、ガラスの材料の成分で
あるCaO(酸化カルシウム)はCaC0,(炭酸カル
シウム)の加熱、th(h(酸化硼素)はホウ酸(HJ
Oi)の加熱から得られるので、CaO、B、O,の一
部又は全部の代わりにそれぞれCaC0,、、HJOz
を用いることができる。本発明における抵抗体材料とは
その処理の過程で結果的にアルカリ土類金属のモリブデ
ン酸塩と、上記希土類元素の酸化物と、ガラスとを主成
分にし、さらにはこれらと酸化チタンを主成分にするも
のであれば良い。In addition, the glass may be made of a mixed material of oxides as long as the molybdate of the alkaline earth metal is fired together with the oxide of the rare earth element and titanium oxide. A glass oxide precursor, an alkaline earth metal molybdate and/or its precursor, an oxide of the above-mentioned rare earth element, and further a part or all of this oxide are pasted together with titanium oxide as described above. This is applied to a substrate, and in the process of combustion of the organic matter and subsequent firing, it becomes a glass consisting of the above glass components, and this and the alkaline earth metal molybdate and/or its precursor, the above. Any material that can be used to produce a resistor by firing with rare earth element oxides and titanium oxide may be used. For example, CaO (calcium oxide), which is a component of glass material, is heated by heating CaC0, (calcium carbonate), and th (h (boron oxide) is heated by boric acid (HJ).
Oi), so instead of some or all of CaO, B, O, respectively, CaC0,..., HJOz
can be used. The resistor material according to the present invention is mainly composed of molybdate of alkaline earth metal, oxide of the above-mentioned rare earth element, and glass, and further composed of these and titanium oxide in the process of treatment. It's fine as long as it's something you can do.
実施例 次に本発明の詳細な説明する。Example Next, the present invention will be explained in detail.
酸化物に換算して表1に示される組成になるように各成
分を秤量し、混合した。Each component was weighed and mixed to have the composition shown in Table 1 in terms of oxide.
表1 表中、単位は重量%。Table 1 In the table, the unit is weight%.
ガラスへの混合物をアルミナ坩堝中で1400℃で溶融
し、その溶融液を水中に投入し、急冷させた。The mixture for glass was melted at 1400° C. in an alumina crucible, and the melt was poured into water and rapidly cooled.
この急冷物を取り出してエタノールとともにボットミル
の中に入れ、アルミナボールで24時間粉砕し、粒径1
0μm以下のガラス粉末を得た。This quenched product was taken out and placed in a bot mill with ethanol, and ground with an alumina ball for 24 hours to obtain a particle size of 1.
A glass powder of 0 μm or less was obtained.
また、酸化モリブデンと炭酸マグネシウムをモル比がl
:lになるように混合し、700℃で1時間熱処理して
マグネシウムのモリブデン酸塩を得た。Also, the molar ratio of molybdenum oxide and magnesium carbonate is 1
:1 and heat treated at 700° C. for 1 hour to obtain magnesium molybdate.
次に、前記で得たガラスへの粉末とマグネシウムのモリ
ブデン酸塩と上記希土類の元素の酸化物とを表2の各欄
に示す重量部になるように秤量し、混合した。Next, the glass powder obtained above, the magnesium molybdate, and the rare earth element oxide were weighed and mixed so as to have the weight parts shown in each column of Table 2.
表2の各試料を窒素(Nz) 98.5 vo1%、水
素(H2)1.5 vo1%のガス雰囲気中、1000
℃、1時間熱処理し、しかる後にエタノールとともにボ
ットミルにて粉砕し、乾燥して10μm以下のガラスと
マグネシウムのモリブデン酸塩と上記希土類元素の酸化
物の熱処理粉末の抵抗体材料粉末を得た。Each sample in Table 2 was heated to 1000 ml in a gas atmosphere of 98.5 vol% nitrogen (Nz) and 1.5 vol% hydrogen (H2).
℃ for 1 hour, and then ground with ethanol in a bot mill and dried to obtain a resistor material powder of 10 μm or less of heat-treated powder of glass, magnesium molybdate, and the above-mentioned rare earth element oxide.
次に各試料の抵抗体材料粉末ioo 重量部に有機物ビ
ヒクル(プチルカービトール90重量部、エチルセルロ
ーズ10重量部)25重量部を加え、ロールミルで混合
し、抵抗体材料ペーストを得た。Next, 25 parts by weight of an organic vehicle (90 parts by weight of butyl carbitol, 10 parts by weight of ethyl cellulose) were added to ioo parts by weight of the resistor material powder of each sample and mixed in a roll mill to obtain a resistor material paste.
一方、A It tch 40.0重量%、SiO□3
5.0重量%、th(h13.0重量%、CaO7,0
重量%、MgO5,0重量%からなるセラミック原料粉
末100重量部にポリビニルブチラール8重量部、フタ
ル酸ジエチル8重量部、オレイン酸0.5重量部、アセ
トン10重量部、イソプルピルアルコール20重量部及
びメチルエチルケトン20重量部を加えてボールミルに
より混合してスラリーを作製し、脱泡処理した後にドク
ターブレード法により厚さ200μ−〇長尺のセラミッ
クグリーンシートを作製した。このセラミックグリーン
シートから縦9■I横91−のグリーンシート片と、縦
6nL横9鰭のグリーンシート片とを切り抜いた。On the other hand, A It tch 40.0% by weight, SiO□3
5.0% by weight, th(h13.0% by weight, CaO7.0
% by weight, 100 parts by weight of ceramic raw material powder consisting of 5.0% by weight of MgO, 8 parts by weight of polyvinyl butyral, 8 parts by weight of diethyl phthalate, 0.5 parts by weight of oleic acid, 10 parts by weight of acetone, 20 parts by weight of isopropyl alcohol. and 20 parts by weight of methyl ethyl ketone were added and mixed in a ball mill to prepare a slurry, and after defoaming treatment, a long ceramic green sheet with a thickness of 200 μm was prepared using a doctor blade method. A green sheet piece measuring 9 cm long and 91 mm wide and a green sheet piece measuring 6 nL long and 9 fins wide were cut out from this ceramic green sheet.
次に第2図に示す如く、上記の縦9m横9 mmのグリ
ーンシート片l上に、銅粉末95重量部、ガラスフリフ
ト5重量部に有機物ビヒクルとしてブチルカルピトール
20重量部、エチルセルロース5重量部を加え、これら
を三本ロールミルにより混合した導体材料ペーストをス
クリーン印刷し、125℃、10分間乾燥させて導体材
料塗膜2を形成した。Next, as shown in Figure 2, on top of the green sheet piece L measuring 9 m long and 9 mm wide, 95 parts by weight of copper powder, 5 parts by weight of glass lift, 20 parts by weight of butyl calpitol as an organic vehicle, and 5 parts by weight of ethyl cellulose were added. A conductive material paste was screen printed by mixing these parts using a three-roll mill, and was dried at 125° C. for 10 minutes to form a conductive material coating film 2.
次いで、上記で得た抵抗体材料ペーストを上記グリーン
シート片1に上記と同様にスクリーン印刷し、125℃
、10分間乾燥させて厚膜抵抗体用塗膜3を形成した。Next, the resistor material paste obtained above was screen printed on the green sheet piece 1 in the same manner as above, and heated at 125°C.
, and was dried for 10 minutes to form a coating film 3 for thick film resistor.
次にグリーンシート片l上に前記で得た縦6報横91−
のグリーンシート片4を図示鎖線で示すように重ね、1
00℃、150Kg/calで熱圧着する。次いで、こ
れを大気等の酸化性雰囲気中、400〜500℃で加熱
してグリーンシート片1.4、導体材料塗膜2、抵抗体
材料塗膜3のそれぞれの残留有機物を分解・燃焼させる
。Next, on the green sheet piece l, place the vertical 6 pieces horizontally 91-
Layer the green sheet pieces 4 as shown by the chain lines in the figure, and
00°C and thermocompression bonding at 150Kg/cal. Next, this is heated at 400 to 500° C. in an oxidizing atmosphere such as air to decompose and burn the residual organic matter in each of the green sheet pieces 1.4, the conductor material coating 2, and the resistor material coating 3.
このようにして有機物を除去した後、Nz 98.5v
o1%、Hz 1.5 vo1%の混合ガス中で、95
0℃、1時間焼成し、第2図に示すようにグリーンシー
ト片1の焼成体の磁器1i1a、グリーンシート片4の
焼成体の磁器N4aの間に導体材料塗膜2の焼成体の厚
膜導体2a、抵抗体材料塗膜3の焼成体の厚膜抵抗体3
aを有する多層セラミック基板を完成させた。この多層
セラミック基板には、後述する第3図、第4図に示され
るような反り、ふくれは見られなかった。After removing organic matter in this way, Nz 98.5v
o1%, Hz 1.5 vo1% mixed gas, 95
After firing at 0°C for 1 hour, a thick film of the fired conductive material coating 2 is formed between the porcelain 1i1a of the fired body of green sheet piece 1 and the porcelain N4a of the fired body of green sheet piece 4, as shown in FIG. Thick film resistor 3 of fired body of conductor 2a and resistor material coating 3
A multilayer ceramic substrate with a. In this multilayer ceramic substrate, no warping or blistering as shown in FIGS. 3 and 4, which will be described later, was observed.
このようにして得られた焼成体の多層セラミック基板を
層方向に研磨して抵抗体層を露出させ、この露出した抵
抗体層をX線回折(Cu Kα線)により分析したとこ
ろ、マグネシウムのモリブデン酸塩を確認することがで
きた。The multilayer ceramic substrate of the fired body thus obtained was polished in the layer direction to expose the resistor layer, and when this exposed resistor layer was analyzed by X-ray diffraction (Cu Kα ray), it was found that the molybdenum of magnesium was I was able to confirm the acid salt.
次にこの厚膜抵抗体3aの25℃における抵抗値(RZ
S)と、125℃に加熱したときの抵抗値(R+□5)
をデジタルマルチメータで測定し、抵抗の温度係数(T
CR)を次式により求めた。Next, the resistance value (RZ
S) and the resistance value (R+□5) when heated to 125℃
is measured with a digital multimeter, and the temperature coefficient of resistance (T
CR) was determined by the following formula.
上記のI?zsの測定抵抗値及びTCPの計算値を表2
に示した。I above? Table 2 shows the measured resistance value of zs and the calculated value of TCP.
It was shown to.
また、上記で得られた多層セラミック基板を60℃、9
5%相対湿度のもとに1000時間放置した後の25℃
の抵抗値を測定し、その変化率を求めた結果を表2に示
す。In addition, the multilayer ceramic substrate obtained above was heated at 60°C for 9
25℃ after 1000 hours under 5% relative humidity
Table 2 shows the results of measuring the resistance value and calculating the rate of change.
また、定格電力Pを174ワツト(−)としたときの電
力動作変化率を測定した結果を表2に示す。Further, Table 2 shows the results of measuring the rate of change in power operation when the rated power P was set to 174 watts (-).
この電力動作変化率は、定格電圧Eを次の式から求め、
E=5
(但し、定格型カニP=1/4ワット(W))この定格
電圧Eを上記厚膜抵抗体3aに70±5℃にて1.5時
間オン、0.5時間オフするサイクルで、245時間印
加した後、25℃において再び抵抗値R′よ。This power operation rate of change is determined by calculating the rated voltage E from the following formula, E=5 (where rated type crab P=1/4 watt (W)), and applying this rated voltage E to the thick film resistor 3a by 70± After applying for 245 hours in a cycle of 1.5 hours on and 0.5 hours off at 5 degrees Celsius, the resistance value R' was again increased at 25 degrees Celsius.
を測定し、変化率ΔR2,〔%〕を次式より求めた。was measured, and the rate of change ΔR2, [%] was determined from the following formula.
実施例1において、マグネシウムのモリブデン酸塩の代
わりにそれぞれカルシウムのモリブデンM!、ストロン
チウムのモリブデン酸塩、バリウムのモリブデン酸塩を
用いた以外は同様にしてそれぞれ表3.4.5に示す抵
抗体材料を用いた多層セラミック基板を作成し、それぞ
れの抵抗体材料から形成した厚膜抵抗体について実施例
1と同様に測定した結果をそれぞれ表3.4.5に示す
。In Example 1, molybdenum M! of calcium was substituted for molybdate of magnesium! Multilayer ceramic substrates using the resistor materials shown in Table 3.4.5 were prepared in the same manner except that , strontium molybdate, and barium molybdate were used. The results of measurements of thick film resistors in the same manner as in Example 1 are shown in Table 3.4.5.
なお、上記各実施例において上記希土類元素の酸化物を
加えなかったこと、及びこの酸化物の代わりに酸化チタ
ンを加えた以外は同様にして作成した試料について同様
に測定した結果を、それぞれの表のNo、1”No、4
、及びNo、5.6に示した。In addition, in each of the above tables, the results of measurements made in the same manner for samples prepared in the same manner except that the oxide of the rare earth element mentioned above was not added and that titanium oxide was added instead of this oxide are shown in each table. No. 1” No. 4
, and No. 5.6.
実施例5
実施例1において、表2に示す抵抗体材料の代わりに表
6に示す酸化チタンを加えた抵抗体材料とこれを加えな
かった抵抗体材料を使用した以外は同様にして多層セラ
ミック基板を作成し、この抵抗体材料から形成された厚
膜抵抗体について実施例1と同様にR2,、TCR、抵
抗値変化率、電力動作変化率を求めるとともに、耐電圧
性を測定した結果を表6に示す。Example 5 Multilayer ceramic substrates were produced in the same manner as in Example 1, except that instead of the resistor materials shown in Table 2, resistor materials with and without titanium oxide shown in Table 6 were used. The R2, TCR, resistance change rate, and power operation change rate were determined for the thick film resistor formed from this resistor material in the same manner as in Example 1, and the results of measuring the voltage resistance are shown. 6.
なお、この耐電圧性は、200pFのコンデンサーにI
KVの電圧で0.8秒充電した後に、厚膜抵抗体に0.
8秒間放電し、これを3回繰り返し行ない、電圧印加後
の抵抗値の変化率を計算する方法で行なった。Note that this withstand voltage property is based on I
After charging for 0.8 seconds at a voltage of KV, the thick film resistor has a voltage of 0.
This was performed by discharging for 8 seconds, repeating this three times, and calculating the rate of change in resistance value after voltage application.
実施例6〜8
実施例5において、マグネシウムのモリブデン酸塩の代
わりにそれぞれカルシウムのモリブデン酸塩、ストロン
チウムのモリブデン酸塩、バリウムのモリブデン酸塩を
用いた以外は同様にしてそれぞれ表6.7.8に示す抵
抗体材料を用いた多層セラミック基板を作成し、それぞ
れの抵抗体材料から形成した厚膜抵抗体について実施例
5と同様にRts 、TCR、抵抗値変化率、電力動作
変化率を求めるとともに、耐電圧性を測定した結果をそ
れぞれ表6.7.8に示す。Examples 6 to 8 The same procedure as in Example 5 was repeated except that calcium molybdate, strontium molybdate, and barium molybdate were used instead of magnesium molybdate, respectively.Table 6.7. A multilayer ceramic substrate using the resistor materials shown in 8 was created, and the Rts, TCR, resistance value change rate, and power operation change rate were determined in the same manner as in Example 5 for the thick film resistors formed from each resistor material. In addition, the results of measuring voltage resistance are shown in Table 6.7.8.
なお、上記希土類の酸化物を他の金属のモリブデン酸塩
と併用しても同様の効果を得る。また酸化チタンの代わ
りにTints TiC、、TiN % Ti5iz等
、アルカリ土類金属等のチタン酸塩又はこれらと酸化チ
タンを含めた任意の混合物を上記の配合の酸化チタンの
代わりに用いても耐圧性、電力動作安定性が得られ、こ
の場合も他の金属のモリブデン酸塩も単独又は併用して
も同様である。Note that the same effect can be obtained even when the above-mentioned rare earth oxide is used in combination with a molybdate of another metal. In addition, even if titanates of alkaline earth metals such as Tints TiC, TiN% Ti5iz, etc. or any mixture containing these and titanium oxide are used in place of the titanium oxide in the above formulation, the pressure resistance will be maintained. , power operation stability is obtained, again with molybdates of other metals alone or in combination.
表 2(実施例1)
表 2 (つづき)
表 2 (つづき)
(この頁以下余白)
表 3(実施例2)
表 3 (つづき)
* 3(つづき)
(この頁以下余白)
表 4(実施例3)
3 4 (つづき)
表 4 (つづき)
(この頁以下余白)
表 5(実施例4)
表゛ 5 (つづき)
表 5 (つづき)
(この頁以下余白)
表 6償施例5)
(この頁以下余白)
表 7(実施例6)
にの頁以下余白)
表8(熊例7)
(この頁以下余白)
表 9(実施例8)
(二の舞Jス下素白)
比較例1 (MoSi、−TaSizガラス系抵抗体材
料)MoSiz 16重量部、Ta5iz 9重量部の
混合物を真空中1400℃で加熱し、その生成物をエタ
ノールとともにポットミル中アルミナボールで24時間
粉砕し、乾燥させて10μm以下の微粉末を得た。この
ようにして得た微粉末25重量部に対し、BaQ、B2
O3、MgO% CaO、Singからなるガラスフリ
ット75重量部と、有機物ビヒクル(ブチルカルピトー
ル2Qiii1部、エチルセルロース5 ti部)25
重1部とを加え、ロールミルで混合して抵抗体材料ペ
ーストを得た。Table 2 (Example 1) Table 2 (Continued) Table 2 (Continued) (Margins below this page) Table 3 (Example 2) Table 3 (Continued) * 3 (Continued) (Margins below this page) Table 4 (Implementation) Example 3) 3 4 (Continued) Table 4 (Continued) (Margins below this page) Table 5 (Example 4) Table 5 (Continued) Table 5 (Continued) (Margins below this page) Table 6 Compensation Example 5) (Margins below this page) Table 7 (Example 6) (Margins below this page) Table 8 (Example 7) (Margins below this page) Table 9 (Example 8) (White space below Ninomai Jsu) Comparative example 1 (MoSi, -TaSiz glass-based resistor material) A mixture of 16 parts by weight of MoSiz and 9 parts by weight of Ta5iz was heated at 1400°C in vacuum, and the product was ground with ethanol using an alumina ball in a pot mill for 24 hours, and dried. A fine powder of 10 μm or less was obtained. For 25 parts by weight of the fine powder thus obtained, BaQ, B2
75 parts by weight of glass frit consisting of O3, MgO% CaO, Sing, and 25 parts of organic vehicle (1 part of butyl calpitol 2Qiii, 5 ti parts of ethyl cellulose)
A resistor material paste was obtained by adding 1 part of weight and mixing with a roll mill.
この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例と同様に
して多層セラミック基板を得た。A multilayer ceramic substrate was obtained in the same manner as in the example except that this resistor material paste was used.
その結果、セラミックグリーンシートに抵抗体材料塗膜
を形成し、これを加熱処理して有機物を除去した後に同
時焼成して得たものは、両者の焼成体に膨張率、収縮率
が異なることにより第3図に示すように反りが見られ、
また、Mo5iz % Ta5izの分解反応で5i0
2気体が発生することにより第4図に示すようにふくれ
が生じ、実用に供することができなかった。な、お、l
laは上記磁器Nla、 14aは上記磁器層4a、1
3aは上記厚膜抵抗体3aにそれぞれ対応する磁器層、
厚膜抵抗体である。As a result, the ceramic green sheet was coated with a resistor material coating, heat-treated to remove organic matter, and then fired simultaneously. As shown in Figure 3, warpage is observed,
In addition, the decomposition reaction of Mo5iz % Ta5iz results in 5i0
Due to the generation of the two gases, blistering occurred as shown in FIG. 4, making it impossible to put it to practical use. N-o-l
la is the above-mentioned ceramic layer Nla, 14a is the above-mentioned ceramic layer 4a, 1
3a is a ceramic layer corresponding to the thick film resistor 3a, respectively;
It is a thick film resistor.
比較例2(MoSiz−111aFzガラス系抵抗体材
料)MoSiz 70重量部、BaFz 20重量部と
、Sing、ZnO、Zr01、CaO、八120.か
らなるガラスフリソ1−10重量部とをボールミルで混
合し、得られた粉末をアルゴン(Ar)ガス雰囲気中1
200℃で熱処理した後、これをエタノールとともにボ
ットミル中アルミナボールで24時間粉砕し、乾燥させ
て10μm以下の微粉末を得た。Comparative Example 2 (MoSiz-111aFz glass-based resistor material) 70 parts by weight of MoSiz, 20 parts by weight of BaFz, and 120 parts of Sing, ZnO, Zr01, CaO, 8. 1-10 parts by weight of glass friso consisting of
After heat treatment at 200° C., this was ground with ethanol in an alumina ball in a Bot mill for 24 hours and dried to obtain a fine powder of 10 μm or less.
この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例1と同様
にして多層セラミック基板を得た。この多層セラミック
基板のJ!7− Jl!抵抗体についても実施例1と同
様にして求めたR2. 、TCP及び抵抗値の変化率を
表10に示す。A multilayer ceramic substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that this resistor material paste was used. This multilayer ceramic board J! 7- Jl! R2. was also obtained for the resistor in the same manner as in Example 1. , TCP, and the rate of change in resistance value are shown in Table 10.
表10
上記結果より、実施例の多層セラミック基板はいずれも
反り、ふくれがなく、抵抗値の変化率も±2%以内であ
り、電力動作変化率も±2%以内で、上記希土類元素の
酸化物を加えなかったものより良く、また、さらに酸化
チタンを加えたものは耐電圧性も酸化チタンを加えなか
ったものより優れているのに対し、比較例1の多層セラ
ミック基板は反りが見られ、比較例2の多層セラミック
基板は抵抗値の変化率が4倍も大きいことがわかる。Table 10 From the above results, all of the multilayer ceramic substrates of Examples have no warping or blistering, the rate of change in resistance value is within ±2%, the rate of change in power operation is within ±2%, and the rare earth elements are oxidized. However, the multilayer ceramic substrate of Comparative Example 1 showed no warping. , it can be seen that the multilayer ceramic substrate of Comparative Example 2 has a rate of change in resistance value that is four times larger.
発明の効果
本発明によれば、アルカリ土類金属のモリブデン酸塩と
上記希土類元素の酸化物、さらには酸化チタンを含有す
る電気抵抗体を提供できるので、例えばアルカリ土類金
属のモリブデン酸塩、上記希土類元素の酸化物、ガラス
、さらには酸化チタンを主成分とする組成の抵抗体材料
を用いて、例えば卑金属導体材料とともに非酸化性雰囲
気中でセラミックグリ−シートとともに焼成することに
より抵抗体を形成するようにすると、焼成することによ
り焼成体に反りやふくれが生じるようなことはなく、ま
た、抵抗体の特に高湿度下の経時変化を小さくできるの
みならず、電力動作変化率を小さくし、さらには酸化チ
タンを併用したときには耐電圧性も高めることができる
。Effects of the Invention According to the present invention, it is possible to provide an electric resistor containing an alkaline earth metal molybdate, an oxide of the rare earth element, and further titanium oxide. Using a resistor material with a composition mainly composed of the above-mentioned rare earth element oxides, glass, or even titanium oxide, a resistor is made by firing it with a ceramic green sheet in a non-oxidizing atmosphere together with a base metal conductor material, for example. By forming such a resistor, the fired body will not warp or bulge during firing, and it will not only reduce the aging of the resistor, especially under high humidity conditions, but also reduce the rate of change in power operation. Furthermore, when titanium oxide is used in combination, voltage resistance can also be improved.
また、塊状粒子に針状粒子を付着又は近接させた焼成体
を有する電気抵抗体を提供できるので、電気抵抗体本体
材料の塊状粒子を含有する抵抗体材料を例えば卑金属導
体材料とともに非酸化性雰囲気中でセラミックグリーン
シートとともに焼成することにより電気抵抗体を形成す
るようにすると、塊状粒子表面から針状粒子を成長させ
ることができ、過度の還元を避は適度の抵抗値を有する
電気抵抗体を提供できる。Furthermore, since it is possible to provide an electrical resistor having a fired body in which needle-like particles are attached to or close to the lump particles, the resistor material containing the lump particles of the electrical resistor main body material can be used together with a base metal conductor material in a non-oxidizing atmosphere. If an electric resistor is formed by firing the ceramic green sheet in a ceramic green sheet, needle-like particles can be grown from the surface of the lump particles, and excessive reduction can be avoided to form an electric resistor with an appropriate resistance value. Can be provided.
これらにより、抵抗体を組み込んだ回路基板の小型化、
コストの低減の両方の要求を満たし、回路基板の一層の
性能の向上に寄与できる。As a result, circuit boards incorporating resistors can be made smaller,
It satisfies both requirements for cost reduction and can contribute to further improving the performance of circuit boards.
また、アルカリ土類金属のモリブデン酸塩、上記希土類
元素の酸化物、さら1=は酸化チタンを例えばガラスと
熱処理し、この熱処理した抵抗体材料を焼成して抵抗体
にすると、抵抗の温度変化係数の絶対値を小さくするこ
とができ、回路の性能をさらに向上することができる。In addition, when a molybdate of an alkaline earth metal, an oxide of the above-mentioned rare earth element, and titanium oxide are heat-treated with glass, for example, and this heat-treated resistor material is fired to make a resistor, the temperature change in resistance changes. The absolute value of the coefficient can be reduced, and the performance of the circuit can be further improved.
第1図は本発明の電気抵抗体の組織の模式図、第2図は
本発明の電気抵抗体を製造するときの焼成前の抵抗体材
料塗膜と導体材料塗膜を基板に形成し、多層構造にしよ
うとする状態の一例を示す図、第3図はその焼成体の断
面図、第4図は従来の抵抗体材料を使用して多層構造に
したときの焼成体の断面図、第5図はさらにその焼成体
にガスが発生した状態を示す説明図である。
図中、aはガラス、bは塊状粒子、Cは針状粒子、1,
4はグリーンシート片、2は導体材料塗膜、3は抵抗体
材料塗膜、la、4aは磁器層、2aは厚膜導体、3a
は厚膜抵抗体である。
昭和62年12月24日
第1図
す
第2図
第4図FIG. 1 is a schematic diagram of the structure of the electrical resistor of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing the formation of a resistor material coating film and a conductive material coating film on a substrate before firing when manufacturing the electrical resistor of the present invention, Figure 3 is a cross-sectional view of the fired body, and Figure 4 is a cross-sectional view of the fired body when a multilayer structure is formed using conventional resistor material. FIG. 5 is an explanatory diagram showing a state in which gas is further generated in the fired body. In the figure, a is glass, b is lumpy particles, C is needle-like particles, 1,
4 is a green sheet piece, 2 is a conductive material coating film, 3 is a resistor material coating film, la, 4a is a ceramic layer, 2a is a thick film conductor, 3a
is a thick film resistor. December 24, 1988 Figure 1 Figure 2 Figure 4
Claims (9)
、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、
Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc、Pmの群から選
ばれた少なくとも1つの元素の酸化物を含有する焼成体
を有することを特徴とする厚膜抵抗体。(1) Alkaline earth metal molybdate, Y, La
, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy,
A thick film resistor comprising a fired body containing an oxide of at least one element selected from the group of Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sc, and Pm.
その前駆体の少なくとも1種と、Y、La、Ce、Pr
、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、
Tm、Yb、Lu、Sc、Pmの群から選ばれた少なく
とも1つの元素の酸化物を主成分として含有する抵抗体
材料から焼成されることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の厚膜抵抗体。(2) The fired body contains at least one molybdate of an alkaline earth metal and its precursor, Y, La, Ce, Pr.
, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er,
The thickness according to claim 1, which is fired from a resistor material containing as a main component an oxide of at least one element selected from the group of Tm, Yb, Lu, Sc, and Pm. membrane resistor.
デン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも1種を当該ア
ルカリ土類金属のモリブデン酸塩に換算して30〜96
重量%と、ガラス4〜70重量%とからなる組成物と、
該組成物100重量部に対して0.1〜20.0重量部
のY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、T
b、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc、Pm
の群から選ばれた少なくとも1つの元素の酸化物を含有
することを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の厚膜
抵抗体。(3) The main component of the resistor material is an alkaline earth metal molybdate and at least one of its precursors, which is 30 to 96% in terms of the alkaline earth metal molybdate.
% by weight and 4 to 70% by weight of glass;
0.1 to 20.0 parts by weight of Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, T based on 100 parts by weight of the composition.
b, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sc, Pm
The thick film resistor according to claim 2, characterized in that it contains an oxide of at least one element selected from the group of.
子の近傍に存在する針状粒子と、ガラス層を有し、Y、
La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、D
y、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc、Pmの群か
ら選ばれた少なくとも1つの元素の酸化物を含有する焼
成体であって、上記塊状粒子がアルカリ土類金属のモリ
ブデン酸塩を含有し、針状粒子が当該モリブデン酸塩の
還元生成物を含有することを特徴とする電気抵抗体。(4) having a lumpy particle, an acicular particle attached to the lumpy particle or existing in the vicinity of the lumpy particle, and a glass layer;
La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, D
A fired body containing an oxide of at least one element selected from the group of Y, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sc, and Pm, wherein the lump particles contain an alkaline earth metal molybdate. an electrical resistor, wherein the acicular particles contain a reduction product of the molybdate.
生成物であることを特徴とする特許請求の範囲第4項記
載の電気抵抗体。(5) The electrical resistor according to claim 4, wherein the acicular particles are a reduction product produced by reducing the surface of the bulk particles.
、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、
Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc、Pmの群から選
ばれた少なくとも1つの元素の酸化物と、酸化チタンを
含有する焼成体を有することを特徴とする厚膜抵抗体。(6) Alkaline earth metal molybdate, Y, La
, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy,
A thick film resistor characterized by having a fired body containing an oxide of at least one element selected from the group of Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sc, and Pm and titanium oxide.
その前駆体の少なくとも1種と、Y、La、Ce、Pr
、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、
Tm、Yb、Lu、Sc、Pmの群から選ばれた少なく
とも1つの元素の酸化物と、酸化チタンとを主成分に含
有する抵抗体材料から焼成されることを特徴とする特許
請求の範囲第6項記載の厚膜抵抗体。(7) The fired body contains at least one molybdate of an alkaline earth metal and its precursor, Y, La, Ce, Pr.
, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er,
Claim No. 1, characterized in that the resistor material is fired from a resistor material containing as main components an oxide of at least one element selected from the group of Tm, Yb, Lu, Sc, and Pm and titanium oxide. Thick film resistor according to item 6.
その前駆体の内の少なくとも一種と、Y、La、Ce、
Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、E
r、Tm、Yb、Lu、Sc、Pmの群から選ばれた少
なくとも1つの元素の酸化物を含有する抵抗体材料を熱
処理し、この熱処理して得られた抵抗体材料を用いて焼
成し、アルカリ土類金属のモリブデン酸塩とY、La、
Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、H
o、Er、Tm、Yb、Lu、Sc、Pmの群から選ば
れた少なくとも1つの元素の酸化物を含有する焼成体か
らなる電気抵抗体を得ることを特徴とする電気抵抗体の
製造方法。(8) At least one of molybdates of alkaline earth metals and their precursors as main components, Y, La, Ce,
Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, E
Heat treating a resistor material containing an oxide of at least one element selected from the group of r, Tm, Yb, Lu, Sc, and Pm, and firing using the resistor material obtained by this heat treatment, Alkaline earth metal molybdate and Y, La,
Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, H
1. A method for producing an electrical resistor, the method comprising obtaining an electrical resistor comprising a fired body containing an oxide of at least one element selected from the group of O, Er, Tm, Yb, Lu, Sc, and Pm.
属のモリブデン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一
種を当該アルカリ土類金属のモリブデン酸塩に換算して
30〜96重量%と、ガラス4〜70重量%とからなる
組成物と、該組成物100重量部に対して0.1〜20
.0重量部のY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu
、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、
Sc、Pmの群から選ばれた少なくとも1つの元素の酸
化物とからなることを特徴とする特許請求の範囲第8項
記載の電気抵抗体の製造方法。(9) The main component of the resistor material before heat treatment is at least one of an alkaline earth metal molybdate and its precursor in an amount of 30 to 96% by weight in terms of the alkaline earth metal molybdate. , 4 to 70% by weight of glass, and 0.1 to 20% by weight based on 100 parts by weight of the composition.
.. 0 parts by weight of Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu
, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu,
9. The method of manufacturing an electrical resistor according to claim 8, wherein the electrical resistor is made of an oxide of at least one element selected from the group of Sc and Pm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62325480A JPH01168002A (en) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | Electric resistor and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62325480A JPH01168002A (en) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | Electric resistor and manufacture thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01168002A true JPH01168002A (en) | 1989-07-03 |
| JPH0477444B2 JPH0477444B2 (en) | 1992-12-08 |
Family
ID=18177348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62325480A Granted JPH01168002A (en) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | Electric resistor and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01168002A (en) |
-
1987
- 1987-12-24 JP JP62325480A patent/JPH01168002A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0477444B2 (en) | 1992-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0477442B2 (en) | ||
| JPH01215001A (en) | Electric resistor and manufacture thereof | |
| JPS63213302A (en) | Electric resistor and manufacture of the same | |
| JPH0477441B2 (en) | ||
| JPH0477443B2 (en) | ||
| JPH0477444B2 (en) | ||
| JPS63215551A (en) | Electric resistor and manufacture | |
| JPS63215552A (en) | Electric resistor and manufacture | |
| JPS63215548A (en) | Electric resistor and manufacture | |
| JPS63213309A (en) | Electric resistance paste and manufacture of the same | |
| JPS63213305A (en) | Electric resistor and manufacture of the same | |
| JPS63215546A (en) | Electric resistor and manufacture | |
| JPS63215555A (en) | Electric resistor paste and manufacture | |
| JPS63215554A (en) | Electric resistor paste and manufacture | |
| JPH0429203B2 (en) | ||
| JPH0429202B2 (en) | ||
| JPS63213303A (en) | Electric resistor and manufacture of the same | |
| JPS63215556A (en) | Electric resistor paste and manufacture | |
| JPS63215550A (en) | Electric resistor and manufacture | |
| JPH0428126B2 (en) | ||
| JPS63215557A (en) | Electric resistor paste and manufacture | |
| JPH0428127B2 (en) | ||
| JPS63213310A (en) | Electric resistance paste and manufacture of the same | |
| JPH0469582B2 (en) | ||
| JPS63215547A (en) | Electric resistor and manufacture |