JPH0785440A - 磁気記録媒体用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体用基板およびそれを用いた磁気記録媒体Info
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】大きい保磁力と大きい保磁力角型比を有し、さ
らに記録再生時のＳ／Ｎが大きい磁気記録媒体を製造す
るのに適した非磁性支持体を提供する。 【構成】非磁性支持体上に、表面に露出した膜として、
チタニウム金属と下記の金属群から選ばれた少なくとも
１種からなる合金膜が被覆された磁気記録媒体用基板。 金属群：Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ
らに記録再生時のＳ／Ｎが大きい磁気記録媒体を製造す
るのに適した非磁性支持体を提供する。 【構成】非磁性支持体上に、表面に露出した膜として、
チタニウム金属と下記の金属群から選ばれた少なくとも
１種からなる合金膜が被覆された磁気記録媒体用基板。 金属群：Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気デイスク装置に用
いられる磁気記録媒体およびその磁気記録媒体を製造す
るのに用いられる磁気記録媒体用基板に関する。
いられる磁気記録媒体およびその磁気記録媒体を製造す
るのに用いられる磁気記録媒体用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス基板は、表面の平滑性が優れ、硬
く、変形抵抗が大きく、かつ表面欠陥が少ない等の理由
から、高密度磁気記録媒体用基板として注目されている
（例えば特開昭４９ー１２２７０７号公報、特開昭５２
ー１８００２号公報）。ガラス基板を用いて磁気記録媒
体を得るときに、必要な磁気特性を得るために磁気膜の
結晶性を向上する目的で、チタニウム膜をガラス基板上
に形成することが提案されている（Journal of Applied
Physics 67(9),1 May 1990 page 4710）。これは、チ
タニウム金属が真空中で酸化性ガスを吸蔵する、いわゆ
るゲッタリング作用によりチタニウム膜の上に形成され
るクロム下地膜の結晶性を向上させるのを目的としてい
る。また、チタニウム膜自身は結晶質の膜であるので、
非晶質であるガラス基板の上に直接形成することは、そ
の結晶特性を安定して確保することは困難であった。そ
のため、チタニウム膜の上に直接被覆するクロム膜、さ
らにそのクロム膜の上に被覆する磁性膜の粒径を再現性
良く制御することができず、高密度記録に必要な磁気特
性を有する磁気記録媒体が得られないという問題が生じ
ていた。かかる問題を克服するために、例えば下地膜
を、基板側に近い膜をチタニウムにイットリウムを添加
して非晶質化したものとし、磁性膜に近い膜をクロム膜
とした２層構成タイプのものが提案されている（例えば
特開平４ー１５３５０号公報）。しかし、イットリウム
金属が高価なことや、その後の磁性膜の被覆などの高温
加熱により、チタニウム・イットリウム合金膜が結晶化
して粒径が大きくなるという問題点があった。
く、変形抵抗が大きく、かつ表面欠陥が少ない等の理由
から、高密度磁気記録媒体用基板として注目されている
（例えば特開昭４９ー１２２７０７号公報、特開昭５２
ー１８００２号公報）。ガラス基板を用いて磁気記録媒
体を得るときに、必要な磁気特性を得るために磁気膜の
結晶性を向上する目的で、チタニウム膜をガラス基板上
に形成することが提案されている（Journal of Applied
Physics 67(9),1 May 1990 page 4710）。これは、チ
タニウム金属が真空中で酸化性ガスを吸蔵する、いわゆ
るゲッタリング作用によりチタニウム膜の上に形成され
るクロム下地膜の結晶性を向上させるのを目的としてい
る。また、チタニウム膜自身は結晶質の膜であるので、
非晶質であるガラス基板の上に直接形成することは、そ
の結晶特性を安定して確保することは困難であった。そ
のため、チタニウム膜の上に直接被覆するクロム膜、さ
らにそのクロム膜の上に被覆する磁性膜の粒径を再現性
良く制御することができず、高密度記録に必要な磁気特
性を有する磁気記録媒体が得られないという問題が生じ
ていた。かかる問題を克服するために、例えば下地膜
を、基板側に近い膜をチタニウムにイットリウムを添加
して非晶質化したものとし、磁性膜に近い膜をクロム膜
とした２層構成タイプのものが提案されている（例えば
特開平４ー１５３５０号公報）。しかし、イットリウム
金属が高価なことや、その後の磁性膜の被覆などの高温
加熱により、チタニウム・イットリウム合金膜が結晶化
して粒径が大きくなるという問題点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するためになされたものであって、良好な磁気記
録媒体を製造するのに適した基板を提供すること、およ
びその基板を用いた磁気記録媒体を提供することを目的
としている。
を解決するためになされたものであって、良好な磁気記
録媒体を製造するのに適した基板を提供すること、およ
びその基板を用いた磁気記録媒体を提供することを目的
としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性支持体
上に、表面に露出した膜として、チタニウム金属と下記
の金属群から選ばれた少なくとも１種からなる合金膜が
被覆された磁気記録媒体用基板である。
上に、表面に露出した膜として、チタニウム金属と下記
の金属群から選ばれた少なくとも１種からなる合金膜が
被覆された磁気記録媒体用基板である。
【０００５】金属群：Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ 本発明の合金膜は、六方最密充填構造をとるチタニウム
を主成分とし、これに体心立方格子（ｂｃｃ）構造をと
る上記金属群の少なくともいずれか１種を混入させたも
のとしている。上記金属は、その結晶構造がチタニウム
と異なるため、チタニウム中への固溶限界の値が非常に
小さい。このため、合金膜は大きな結晶に成長せず、非
晶質または微結晶の膜となっている。本発明の合金膜中
のチタニウム含有量は、５０〜９５原子％であることが
好ましい。チタニウムの含有量が５０重量％より少ない
と合金膜のゲッタリング作用が低下し、本発明の基板の
上に真空中でスパッタリングにより磁性膜の下地膜や磁
性膜を被覆して磁気記録媒体を製造するに際し、それら
の膜の中の不純物ガス量が増大し、その結晶性が低下
し、これにより磁気特性が低下するので好ましくない。
また、チタニウムの含有量が９５％より多いと、合金膜
が結晶質になり、その上に被覆される磁性膜や必要によ
り磁性膜に先だって磁性膜に接して被覆される下地膜の
結晶粒が大きく成長してしまうので好ましくない。前記
チタニウムの含有量は７０〜９０原子％とするのがさら
に好ましい。
を主成分とし、これに体心立方格子（ｂｃｃ）構造をと
る上記金属群の少なくともいずれか１種を混入させたも
のとしている。上記金属は、その結晶構造がチタニウム
と異なるため、チタニウム中への固溶限界の値が非常に
小さい。このため、合金膜は大きな結晶に成長せず、非
晶質または微結晶の膜となっている。本発明の合金膜中
のチタニウム含有量は、５０〜９５原子％であることが
好ましい。チタニウムの含有量が５０重量％より少ない
と合金膜のゲッタリング作用が低下し、本発明の基板の
上に真空中でスパッタリングにより磁性膜の下地膜や磁
性膜を被覆して磁気記録媒体を製造するに際し、それら
の膜の中の不純物ガス量が増大し、その結晶性が低下
し、これにより磁気特性が低下するので好ましくない。
また、チタニウムの含有量が９５％より多いと、合金膜
が結晶質になり、その上に被覆される磁性膜や必要によ
り磁性膜に先だって磁性膜に接して被覆される下地膜の
結晶粒が大きく成長してしまうので好ましくない。前記
チタニウムの含有量は７０〜９０原子％とするのがさら
に好ましい。
【０００６】また、本発明にかかるチタニウムと上記金
属群とからなる合金膜の厚みは、３ｎｍ以上とするのが
好ましい。厚みが３ｎｍより薄いと、その上に被覆され
る磁性膜または磁性膜に先立ち被覆される下地膜の結晶
性を良くすることが困難となり、これにより高保磁力、
大きい保磁力角型性を得るのが困難になる。また、膜自
身が有する内部応力により膜はがれの発生を防止するた
めに１００ｎｍ以下とするのが好ましい。上記合金膜の
厚み範囲は、１０〜６０ｎｍとするのがさらに好まし
い。
属群とからなる合金膜の厚みは、３ｎｍ以上とするのが
好ましい。厚みが３ｎｍより薄いと、その上に被覆され
る磁性膜または磁性膜に先立ち被覆される下地膜の結晶
性を良くすることが困難となり、これにより高保磁力、
大きい保磁力角型性を得るのが困難になる。また、膜自
身が有する内部応力により膜はがれの発生を防止するた
めに１００ｎｍ以下とするのが好ましい。上記合金膜の
厚み範囲は、１０〜６０ｎｍとするのがさらに好まし
い。
【０００７】本発明にかかる、非磁性支持体としては、
ガラス板、セラミック板、アルミニウム板、カーボン板
が例示できる。これらの中でも表面の平坦性が良好なソ
ーダライムガラスや結晶化ガラス板が好ましい。
ガラス板、セラミック板、アルミニウム板、カーボン板
が例示できる。これらの中でも表面の平坦性が良好なソ
ーダライムガラスや結晶化ガラス板が好ましい。
【０００８】また、本発明の磁気記録媒体用基板は、前
記合金膜と非磁性支持体との間に、非磁性支持体の表面
から放出される酸素や水などの酸化性ガスが磁気記録媒
体の製造時のスパッタリング工程で下地膜中に拡散する
のを防止するための金属膜を設けてもよい。そのような
金属膜としては、チタニウム、クロム、タングステンの
膜が好ましい。なかでもチタニウムの膜が好ましく、こ
れらのガストラップのための金属膜の厚みは、２ｎｍ以
上とするのが好ましい。また、１００ｎｍ以上で厚みが
増大しても、ガストラップ効果はさらに大きくならない
ので、１０〜５０ｎｍの範囲とするが好ましい。
記合金膜と非磁性支持体との間に、非磁性支持体の表面
から放出される酸素や水などの酸化性ガスが磁気記録媒
体の製造時のスパッタリング工程で下地膜中に拡散する
のを防止するための金属膜を設けてもよい。そのような
金属膜としては、チタニウム、クロム、タングステンの
膜が好ましい。なかでもチタニウムの膜が好ましく、こ
れらのガストラップのための金属膜の厚みは、２ｎｍ以
上とするのが好ましい。また、１００ｎｍ以上で厚みが
増大しても、ガストラップ効果はさらに大きくならない
ので、１０〜５０ｎｍの範囲とするが好ましい。
【０００９】また、本発明の磁気記録媒体用基板におい
ては、前記非晶質からなるまたは微結晶質からなる、ま
たはその両者を含む合金膜の表面に凹凸を形成するよう
に、前記合金膜の被覆に先立ち、低融点金属を層状また
は島状に設けることができる。低融点金属としてはアル
ミニウム、銀などを用いることができる。凹凸形成物を
設けることにより、合金膜の表面の平均粗さＲａを２〜
１０ｎｍ、最大高さＲmaxを１００ｎｍ以下とするのが
好ましい。かかる層状または島状に設けた凹凸形成物
は、前記ガストラップのための金属膜と非磁性支持体と
の間、前記ガストラップのための金属膜と前記合金膜の
間のいずれに設けても良い。この凹凸形成物は、磁気記
録媒体の最外層の保護膜に凹凸を与える。
ては、前記非晶質からなるまたは微結晶質からなる、ま
たはその両者を含む合金膜の表面に凹凸を形成するよう
に、前記合金膜の被覆に先立ち、低融点金属を層状また
は島状に設けることができる。低融点金属としてはアル
ミニウム、銀などを用いることができる。凹凸形成物を
設けることにより、合金膜の表面の平均粗さＲａを２〜
１０ｎｍ、最大高さＲmaxを１００ｎｍ以下とするのが
好ましい。かかる層状または島状に設けた凹凸形成物
は、前記ガストラップのための金属膜と非磁性支持体と
の間、前記ガストラップのための金属膜と前記合金膜の
間のいずれに設けても良い。この凹凸形成物は、磁気記
録媒体の最外層の保護膜に凹凸を与える。
【００１０】本発明にかかる合金膜は、チタニウムと上
記金属群から選ばれる金属とを含むターゲットを用い
て、それを減圧した不活性ガス雰囲気中でスパタリング
することにより形成される。前記ガストラップのための
金属膜は、その金属をターゲットとして用い、それを減
圧した不活性ガス雰囲気中でスパタリングすることによ
り形成できる。また、前記表面凹凸形成物は、低融点金
属をターゲットとして、スパッタリング法により設ける
ことができる。表面凹凸形成物の凹凸の程度は、低融点
金属を付着量、および付着するときの基板の加熱温度を
調整することにより定められる。
記金属群から選ばれる金属とを含むターゲットを用い
て、それを減圧した不活性ガス雰囲気中でスパタリング
することにより形成される。前記ガストラップのための
金属膜は、その金属をターゲットとして用い、それを減
圧した不活性ガス雰囲気中でスパタリングすることによ
り形成できる。また、前記表面凹凸形成物は、低融点金
属をターゲットとして、スパッタリング法により設ける
ことができる。表面凹凸形成物の凹凸の程度は、低融点
金属を付着量、および付着するときの基板の加熱温度を
調整することにより定められる。
【００１１】本発明の第２は、非磁性支持体と、前記非
磁性支持体上に３〜１００ｎｍの厚みに被覆された、チ
タニウム金属と上記の金属群から選ばれた少なくとも１
種とからなり、かつ、チタニウムが５０〜９５原子％含
む合金膜と、前記合金膜上に合金膜に接して被覆された
クロムまたはクロム主成分合金からなる下地膜と、前記
下地膜の上に被覆されたコバルト主成分の磁性膜と、前
記磁性膜上に被覆された保護膜と、前記保護膜上に設け
られた潤滑油膜とを有する磁気記録媒体である。
磁性支持体上に３〜１００ｎｍの厚みに被覆された、チ
タニウム金属と上記の金属群から選ばれた少なくとも１
種とからなり、かつ、チタニウムが５０〜９５原子％含
む合金膜と、前記合金膜上に合金膜に接して被覆された
クロムまたはクロム主成分合金からなる下地膜と、前記
下地膜の上に被覆されたコバルト主成分の磁性膜と、前
記磁性膜上に被覆された保護膜と、前記保護膜上に設け
られた潤滑油膜とを有する磁気記録媒体である。
【００１２】本発明の第２の合金膜は、六方最密充填構
造をとるチタニウムを主成分とし、これに体心立方格子
（ｂｃｃ）構造をとる上記金属群の少なくともいずれか
１種を混入させたものとしている。上記金属は、その結
晶構造がチタニウムと異なるため、チタニウム中への固
溶限界の値が非常に小さいため、合金膜は大きな結晶に
成長せず、非晶質または微結晶の膜となっている。本発
明の合金膜中のチタニウム含有量は、５０〜９５原子％
であることが好ましい。チタニウムの含有量が５０重量
％より少ないと合金膜のゲッタリング作用が低下し、真
空を破ることなく連続して、その上に被覆されるクロム
膜やクロムを主体とする下地膜の結晶性が低下するので
好ましくない。また、チタニウムの含有量が９５％より
多いと、合金膜が結晶質になり、その上に被覆される磁
性膜や必要により磁性膜に先だって磁性膜に接して被覆
される下地膜の結晶粒が大きくなりすぎるので好ましく
ない。前記チタニウムの含有量は７０〜９０原子％とす
ることがさらに好ましい。
造をとるチタニウムを主成分とし、これに体心立方格子
（ｂｃｃ）構造をとる上記金属群の少なくともいずれか
１種を混入させたものとしている。上記金属は、その結
晶構造がチタニウムと異なるため、チタニウム中への固
溶限界の値が非常に小さいため、合金膜は大きな結晶に
成長せず、非晶質または微結晶の膜となっている。本発
明の合金膜中のチタニウム含有量は、５０〜９５原子％
であることが好ましい。チタニウムの含有量が５０重量
％より少ないと合金膜のゲッタリング作用が低下し、真
空を破ることなく連続して、その上に被覆されるクロム
膜やクロムを主体とする下地膜の結晶性が低下するので
好ましくない。また、チタニウムの含有量が９５％より
多いと、合金膜が結晶質になり、その上に被覆される磁
性膜や必要により磁性膜に先だって磁性膜に接して被覆
される下地膜の結晶粒が大きくなりすぎるので好ましく
ない。前記チタニウムの含有量は７０〜９０原子％とす
ることがさらに好ましい。
【００１３】また、本発明にかかるチタニウムと上記金
属群とからなる合金膜の厚みは、３ｎｍ以上とするのが
好ましい。厚みが３ｎｍより薄いと、その上に被覆され
る磁性膜または磁性膜に先立ち被覆される下地膜の結晶
性を良くすることが困難となり、これにより高保持力、
大きい保持力角型性を得るのが困難になる。また、膜自
身が有する内部応力により、膜はがれの発生を防止する
ために１００ｎｍ以下とするのが好ましい。上記膜の厚
み範囲は、１０〜６０ｎｍとするのがさらに好ましい。
属群とからなる合金膜の厚みは、３ｎｍ以上とするのが
好ましい。厚みが３ｎｍより薄いと、その上に被覆され
る磁性膜または磁性膜に先立ち被覆される下地膜の結晶
性を良くすることが困難となり、これにより高保持力、
大きい保持力角型性を得るのが困難になる。また、膜自
身が有する内部応力により、膜はがれの発生を防止する
ために１００ｎｍ以下とするのが好ましい。上記膜の厚
み範囲は、１０〜６０ｎｍとするのがさらに好ましい。
【００１４】本発明にかかる、非磁性支持体としては、
ガラス板、セラミック板、アルミニウム板、カーボン板
が例示できる。これらの中でも表面の平坦性が良好なソ
ーダライムガラスや結晶化ガラス板が好ましい。
ガラス板、セラミック板、アルミニウム板、カーボン板
が例示できる。これらの中でも表面の平坦性が良好なソ
ーダライムガラスや結晶化ガラス板が好ましい。
【００１５】また、本発明の磁気記録媒体用基板におい
ては、前記合金膜と非磁性支持体との間に、非磁性支持
体の表面から放出される酸素や水などの酸化性ガスが磁
性膜中へ拡散するのを防止するための金属膜を設けるこ
とができる。そのような金属膜としては、チタニウム、
クロム、タングステンの膜が好ましい。なかでもチタニ
ウムの膜が好ましく、これらのガストラップのための金
属膜の厚みは、２ｎｍ以上とするのが好ましい。１００
ｎｍ以上の厚みにしてもガストラップ効果はさらに大き
くならないので、１０〜５０ｎｍの範囲が好ましい。
ては、前記合金膜と非磁性支持体との間に、非磁性支持
体の表面から放出される酸素や水などの酸化性ガスが磁
性膜中へ拡散するのを防止するための金属膜を設けるこ
とができる。そのような金属膜としては、チタニウム、
クロム、タングステンの膜が好ましい。なかでもチタニ
ウムの膜が好ましく、これらのガストラップのための金
属膜の厚みは、２ｎｍ以上とするのが好ましい。１００
ｎｍ以上の厚みにしてもガストラップ効果はさらに大き
くならないので、１０〜５０ｎｍの範囲が好ましい。
【００１６】本発明の第２にかかる下地膜として用いる
ことができる膜としては、クロム膜、クロムーモリブテ
ン、クロムータングステン等のクロム主成分の膜が例示
できる。
ことができる膜としては、クロム膜、クロムーモリブテ
ン、クロムータングステン等のクロム主成分の膜が例示
できる。
【００１７】本発明の第２の磁性膜は、コバルトーニッ
ケル合金、コバルトーニッケルークロム合金、コバルト
ーニッケルークロムータンタル合金、コバルトークロム
ータンタル合金、コバルトークロムージルコニウム合
金、コバルトークロムー白金合金、コバルトークロムー
白金ータンタル合金などを用いることができ、とりわけ
下地膜とのクロム膜と組み合わせたコバルトーニッケル
ークロム合金磁性膜が好んで用いられる。そして、磁性
膜の結晶粒径は、１０〜１００ｎｍ、好ましくは２０〜
５０ｎｍに揃えられる。
ケル合金、コバルトーニッケルークロム合金、コバルト
ーニッケルークロムータンタル合金、コバルトークロム
ータンタル合金、コバルトークロムージルコニウム合
金、コバルトークロムー白金合金、コバルトークロムー
白金ータンタル合金などを用いることができ、とりわけ
下地膜とのクロム膜と組み合わせたコバルトーニッケル
ークロム合金磁性膜が好んで用いられる。そして、磁性
膜の結晶粒径は、１０〜１００ｎｍ、好ましくは２０〜
５０ｎｍに揃えられる。
【００１８】また、本発明の第２の保護膜としては、公
知のカーボン膜、二酸化珪素膜などが用いることがで
き、潤滑油膜としてはパーフロロカーボンの潤滑油を塗
布したものが用いられる。
知のカーボン膜、二酸化珪素膜などが用いることがで
き、潤滑油膜としてはパーフロロカーボンの潤滑油を塗
布したものが用いられる。
【００１９】本発明の第２を構成する上記各膜は、公知
のインラインスパッタリング装置により連続して被覆す
ることができる。
のインラインスパッタリング装置により連続して被覆す
ることができる。
【００２０】
【作用】本発明の磁気記録媒体用基板にかかる合金膜
は、その上に減圧した不活性ガス雰囲気中でスパッタリ
ングにより下地膜あるいは磁性膜を形成するとき、下地
膜および磁性膜の結晶粒径をそろえ、磁気記録特性や記
録再生特性を向上させる。
は、その上に減圧した不活性ガス雰囲気中でスパッタリ
ングにより下地膜あるいは磁性膜を形成するとき、下地
膜および磁性膜の結晶粒径をそろえ、磁気記録特性や記
録再生特性を向上させる。
【００２１】
【実施例】以下に本発明を実施例により説明する。図１
の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の磁気記録媒体用
基板１の実施例の一部断面図で、図１（ａ）では、ガラ
ス板２の上にチタニウムとクロムとからなる合金膜３が
被覆されており、図１（ｂ）ではガラス板２の上にチタ
ニウム膜４が被覆され、さらにチタニウム膜４の上にチ
タニウムとクロムとからなる合金膜３が被覆されてい
る。図１（ｃ）では、ガラス板２の上にチタニウム膜４
が被覆され、チタニウム膜４の上に磁気記録媒体用基板
の表面に凹凸を形成するためのアルミニウム金属５が不
連続な島状構造を呈するように被覆され、さらにアルミ
ニウム金属５の上にチタニウムとクロムからなる合金膜
３が被覆されている。図２の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
は、本発明の磁気記録媒体１０の実施例の一部断面図
で、図２（ａ）では、図１（ｃ）で示される磁気記録媒
体用基板の上にクロムの下地膜１１が被覆され、クロム
下地膜１１の上にコバルトーニッケルークロム合金磁性
膜１２が被覆され、磁性膜１２の上にカーボン保護膜１
３が被覆され、さらにカーボン保護膜１３の上にパーフ
ロロアルキルポリエーテルの潤滑油膜１４が塗布されて
いる。そして、潤滑油膜１４の表面にはアルミニウム金
属５に基因する凹凸が形成されている。
の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の磁気記録媒体用
基板１の実施例の一部断面図で、図１（ａ）では、ガラ
ス板２の上にチタニウムとクロムとからなる合金膜３が
被覆されており、図１（ｂ）ではガラス板２の上にチタ
ニウム膜４が被覆され、さらにチタニウム膜４の上にチ
タニウムとクロムとからなる合金膜３が被覆されてい
る。図１（ｃ）では、ガラス板２の上にチタニウム膜４
が被覆され、チタニウム膜４の上に磁気記録媒体用基板
の表面に凹凸を形成するためのアルミニウム金属５が不
連続な島状構造を呈するように被覆され、さらにアルミ
ニウム金属５の上にチタニウムとクロムからなる合金膜
３が被覆されている。図２の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
は、本発明の磁気記録媒体１０の実施例の一部断面図
で、図２（ａ）では、図１（ｃ）で示される磁気記録媒
体用基板の上にクロムの下地膜１１が被覆され、クロム
下地膜１１の上にコバルトーニッケルークロム合金磁性
膜１２が被覆され、磁性膜１２の上にカーボン保護膜１
３が被覆され、さらにカーボン保護膜１３の上にパーフ
ロロアルキルポリエーテルの潤滑油膜１４が塗布されて
いる。そして、潤滑油膜１４の表面にはアルミニウム金
属５に基因する凹凸が形成されている。
【００２２】図２（ｂ）では、図１（ａ）で示される磁
気記録媒体用基板１の上にクロム下地膜１１が被覆さ
れ、クロム下地膜１１の上にコバルトーニッケルークロ
ム合金の磁性膜１２が被覆され、磁性膜１２の上にカー
ボン膜１３、パーフロロアルキルポリエーテル潤滑油膜
１４が設けられている。
気記録媒体用基板１の上にクロム下地膜１１が被覆さ
れ、クロム下地膜１１の上にコバルトーニッケルークロ
ム合金の磁性膜１２が被覆され、磁性膜１２の上にカー
ボン膜１３、パーフロロアルキルポリエーテル潤滑油膜
１４が設けられている。
【００２３】実施例１ ドーナツ状の円板に加工され化学強化されたソーダライ
ムシリカ組成のガラス板を良く洗浄し、インラインスパ
ッタリング装置内にセットし、連続してガラス板上に被
膜を被覆した。まず、０．００１３Ｐａ（パスカル）の
圧力下でガラス板を２００℃に加熱した。その後１．３
Ｐａのアルゴン雰囲気でチタニウムターゲットをスパッ
タし、３０ｎｍの厚みのチタニウム膜を２００℃のガラ
ス板に被覆した。次に、２００℃に加熱した状態で、ア
ルミニウムの凹凸形成物を被覆した。この凹凸形成物
は、アルミニウムのターゲットを１．３Ｐａのアルゴン
雰囲気でスパッタし、スパッタするアルミニウム量を調
整して、平均粗さＲａが５ｎｍ、最大高さＲmaxが６５
ｎｍの、チタニウム膜を覆う島状突起が多数存在するよ
うに形成した。次に１．３Ｐａのアルゴン雰囲気により
チタニウムとクロムからなるターゲット（チタニウム９
０原子％クロム１０原子％）をスパッタし４０ｎｍの厚
みのチタニウムとクロムとからなる非晶質合金膜を被覆
し、その後ガラス板を３００℃に加熱した。次に１．３
Ｐａのアルゴン雰囲気によりクロムターゲットをスパッ
タして１５０ｎｍの厚みのクロム膜を被覆した。次にコ
バルトニッケルクロム合金ターゲットを１．３Ｐａのア
ルゴン雰囲気でスパッタして、６０ｎｍの磁性膜を被覆
した。次に０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気でカーボンの
ターゲットをスパッタして、１５ｎｍの厚みの保護膜を
被覆した。次にガラス板をスパッタリング装置から取り
出し、パーフロロアルキルポリエーテル系の潤滑油膜を
塗布により設け、図２（ａ）に示す膜構成の磁気記録媒
体を得た。
ムシリカ組成のガラス板を良く洗浄し、インラインスパ
ッタリング装置内にセットし、連続してガラス板上に被
膜を被覆した。まず、０．００１３Ｐａ（パスカル）の
圧力下でガラス板を２００℃に加熱した。その後１．３
Ｐａのアルゴン雰囲気でチタニウムターゲットをスパッ
タし、３０ｎｍの厚みのチタニウム膜を２００℃のガラ
ス板に被覆した。次に、２００℃に加熱した状態で、ア
ルミニウムの凹凸形成物を被覆した。この凹凸形成物
は、アルミニウムのターゲットを１．３Ｐａのアルゴン
雰囲気でスパッタし、スパッタするアルミニウム量を調
整して、平均粗さＲａが５ｎｍ、最大高さＲmaxが６５
ｎｍの、チタニウム膜を覆う島状突起が多数存在するよ
うに形成した。次に１．３Ｐａのアルゴン雰囲気により
チタニウムとクロムからなるターゲット（チタニウム９
０原子％クロム１０原子％）をスパッタし４０ｎｍの厚
みのチタニウムとクロムとからなる非晶質合金膜を被覆
し、その後ガラス板を３００℃に加熱した。次に１．３
Ｐａのアルゴン雰囲気によりクロムターゲットをスパッ
タして１５０ｎｍの厚みのクロム膜を被覆した。次にコ
バルトニッケルクロム合金ターゲットを１．３Ｐａのア
ルゴン雰囲気でスパッタして、６０ｎｍの磁性膜を被覆
した。次に０．１３Ｐａのアルゴン雰囲気でカーボンの
ターゲットをスパッタして、１５ｎｍの厚みの保護膜を
被覆した。次にガラス板をスパッタリング装置から取り
出し、パーフロロアルキルポリエーテル系の潤滑油膜を
塗布により設け、図２（ａ）に示す膜構成の磁気記録媒
体を得た。
【００２４】得られた磁気記録媒体の保磁力を測定した
ところ、約１５００Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ*は
０．９１で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気記録媒体表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３０ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６０ｋＦＣＩ（１インチ当たりの磁化反転回数）
であった。
ところ、約１５００Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ*は
０．９１で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気記録媒体表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３０ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６０ｋＦＣＩ（１インチ当たりの磁化反転回数）
であった。
【００２５】実施例２ ドーナツ状の円板に加工され化学強化されたソーダライ
ムシリカ組成のガラス板を良く洗浄し、インラインスパ
ッタリング装置内にセットし、連続してガラス板上に被
膜を被覆した。まず、０．００１３Ｐａ（パスカル）の
圧力下でガラス板を２００℃に加熱した。その後１．３
Ｐａのアルゴン雰囲気でチタニウムとクロムからなるタ
ーゲット（チタニウム８０原子％クロム２０原子％）を
スパッタし３０ｎｍの厚みのチタニウムとクロムとから
なる非晶質合金膜を被覆し、その後ガラス板を３００℃
に加熱した。次に１．３Ｐａのアルゴン雰囲気によりク
ロムターゲットをスパッタして１２０ｎｍの厚みのクロ
ム膜を被覆した。次にコバルトニッケルクロム合金ター
ゲットを１．３Ｐａのアルゴン雰囲気でスパッタして、
５０ｎｍの磁性膜を被覆した。次に０．１３Ｐａのアル
ゴン雰囲気でカーボンのターゲットをスパッタして１５
ｎｍの厚みの保護膜を被覆した。次にガラス板をスパッ
タリング装置から取り出し、パーフロロアルキルポリエ
ーテル系の潤滑油膜を塗布により設け、図２（ｂ）に示
す膜構成の磁気記録媒体を得た。
ムシリカ組成のガラス板を良く洗浄し、インラインスパ
ッタリング装置内にセットし、連続してガラス板上に被
膜を被覆した。まず、０．００１３Ｐａ（パスカル）の
圧力下でガラス板を２００℃に加熱した。その後１．３
Ｐａのアルゴン雰囲気でチタニウムとクロムからなるタ
ーゲット（チタニウム８０原子％クロム２０原子％）を
スパッタし３０ｎｍの厚みのチタニウムとクロムとから
なる非晶質合金膜を被覆し、その後ガラス板を３００℃
に加熱した。次に１．３Ｐａのアルゴン雰囲気によりク
ロムターゲットをスパッタして１２０ｎｍの厚みのクロ
ム膜を被覆した。次にコバルトニッケルクロム合金ター
ゲットを１．３Ｐａのアルゴン雰囲気でスパッタして、
５０ｎｍの磁性膜を被覆した。次に０．１３Ｐａのアル
ゴン雰囲気でカーボンのターゲットをスパッタして１５
ｎｍの厚みの保護膜を被覆した。次にガラス板をスパッ
タリング装置から取り出し、パーフロロアルキルポリエ
ーテル系の潤滑油膜を塗布により設け、図２（ｂ）に示
す膜構成の磁気記録媒体を得た。
【００２６】得られた磁気記録媒体の保磁力を測定した
ところ、約１６５０Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ*は
０．８８で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気記録媒体表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３０ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６５ｋＦＣＩ（１インチ当たりの磁化反転回数）
であった。
ところ、約１６５０Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ*は
０．８８で良好な値であった。また、グライド特性は２
マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッド
と磁気記録媒体表面の間の距離フライングハイトを３マ
イクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３０ｄ
Ｂ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波
数）が６５ｋＦＣＩ（１インチ当たりの磁化反転回数）
であった。
【００２７】実施例３ 実施例２とは、非晶質合金膜を被覆するときのターゲッ
トとしてチタニウム５０原子％クロム５０原子％のター
ゲットを用いた他は同じようにして、磁気記録媒体を製
作した。得られた磁気記録媒体の保磁力を測定したとこ
ろ、約１４５０Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ*は０．８
６で良好な値であった。また、グライド特性は２マイク
ロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッドと磁気
記録媒体表面の間の距離フライングハイトを３マイクロ
インチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が２９ｄＢ、Ｄ
５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波数）が
５８ｋＦＣＩ（１インチ当たりの磁化反転回数）であっ
た。
トとしてチタニウム５０原子％クロム５０原子％のター
ゲットを用いた他は同じようにして、磁気記録媒体を製
作した。得られた磁気記録媒体の保磁力を測定したとこ
ろ、約１４５０Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ*は０．８
６で良好な値であった。また、グライド特性は２マイク
ロインチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッドと磁気
記録媒体表面の間の距離フライングハイトを３マイクロ
インチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が２９ｄＢ、Ｄ
５０（出力が低周波数での値の１／２になる周波数）が
５８ｋＦＣＩ（１インチ当たりの磁化反転回数）であっ
た。
【００２８】実施例４ 実施例１とは、凹凸形成物の次に被覆する非晶質合金膜
を被覆するときのターゲットとしてチタニウムとモリブ
デンからなるターゲット（チタニウム９０原子％モリブ
デン１０原子％）としたことの他は、全く同じようにし
て、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体の保磁
力を測定したところ、約１５５０Ｏｅであり、保磁力角
型比Ｓ*は０．９１で良好な値であった。また、グライ
ド特性は２マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好
で、ヘッドと磁気記録媒体表面の間の距離フライングハ
イトを３マイクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ
値が２９ｄＢ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２
になる周波数）が６２ｋＦＣＩ（１インチ当たりの磁化
反転回数）であった。
を被覆するときのターゲットとしてチタニウムとモリブ
デンからなるターゲット（チタニウム９０原子％モリブ
デン１０原子％）としたことの他は、全く同じようにし
て、磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体の保磁
力を測定したところ、約１５５０Ｏｅであり、保磁力角
型比Ｓ*は０．９１で良好な値であった。また、グライ
ド特性は２マイクロインチ以下で、記録再生特性は良好
で、ヘッドと磁気記録媒体表面の間の距離フライングハ
イトを３マイクロインチとして測定したところ、Ｓ／Ｎ
値が２９ｄＢ、Ｄ５０（出力が低周波数での値の１／２
になる周波数）が６２ｋＦＣＩ（１インチ当たりの磁化
反転回数）であった。
【００２９】実施例５ 実施例１とは、合金膜の厚みを３ｎｍとしたことの他は
全く同じようにして、磁気記録媒体を製作した。得られ
た磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、約１４００
Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ*は０．８８で良好な値で
あった。また、グライド特性は２マイクロインチ以下
で、記録再生特性は良好で、ヘッドと磁気記録媒体表面
の間の距離フライングハイトを３マイクロインチとして
測定したところ、Ｓ／Ｎ値が２８ｄＢ、Ｄ５０（出力が
低周波数での値の１／２になる周波数）が５５ｋＦＣＩ
（１インチ当たりの磁化反転回数）であった。
全く同じようにして、磁気記録媒体を製作した。得られ
た磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、約１４００
Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ*は０．８８で良好な値で
あった。また、グライド特性は２マイクロインチ以下
で、記録再生特性は良好で、ヘッドと磁気記録媒体表面
の間の距離フライングハイトを３マイクロインチとして
測定したところ、Ｓ／Ｎ値が２８ｄＢ、Ｄ５０（出力が
低周波数での値の１／２になる周波数）が５５ｋＦＣＩ
（１インチ当たりの磁化反転回数）であった。
【００３０】実施例６ 実施例１とは、合金膜の厚みを１００ｎｍとしたことの
他は全く同じようにして、磁気記録媒体を製作した。得
られた磁気記録媒体の保持力を測定したところ、約１５
５０Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ*は０．８９で良好な
値であった。また、グライド特性は２マイクロインチ以
下で、記録再生特性は良好で、ヘッドと磁気記録媒体表
面の間の距離フライングハイトを３マイクロインチとし
て測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３１ｄＢ、Ｄ５０（出力
が低周波数での値の１／２になる周波数）が６２ｋＦＣ
Ｉ（１インチ当たりの磁化反転回数）であった。
他は全く同じようにして、磁気記録媒体を製作した。得
られた磁気記録媒体の保持力を測定したところ、約１５
５０Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ*は０．８９で良好な
値であった。また、グライド特性は２マイクロインチ以
下で、記録再生特性は良好で、ヘッドと磁気記録媒体表
面の間の距離フライングハイトを３マイクロインチとし
て測定したところ、Ｓ／Ｎ値が３１ｄＢ、Ｄ５０（出力
が低周波数での値の１／２になる周波数）が６２ｋＦＣ
Ｉ（１インチ当たりの磁化反転回数）であった。
【００３１】比較例１ 実施例１とは、チタニウムとクロムからなる合金膜を設
けなかったことの他は全く同じようにして磁気記録媒体
を製作した。得られた磁気記録媒体の保持力を測定した
ところ、約１３５０Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ*は
０．８８であった。また、グライド特性は２マイクロイ
ンチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッドと磁気記録
媒体表面の間の距離フライングハイトを３マイクロイン
チとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が２６ｄＢ、Ｄ５０
（出力が低周波数での値の１／２になる周波数）が５２
ｋＦＣＩ（１インチ当たりの磁化反転回数）で、保磁
力、Ｓ／Ｎ値，Ｄ５０のいずれの値も実施例よりも低下
していた。以上説明したように、本発明の磁気記録媒体
を用いた磁気記録媒体は、とりわけ、ノイズ特性及び周
波数特性が改善されていることが分かる。
けなかったことの他は全く同じようにして磁気記録媒体
を製作した。得られた磁気記録媒体の保持力を測定した
ところ、約１３５０Ｏｅであり、保磁力角型比Ｓ*は
０．８８であった。また、グライド特性は２マイクロイ
ンチ以下で、記録再生特性は良好で、ヘッドと磁気記録
媒体表面の間の距離フライングハイトを３マイクロイン
チとして測定したところ、Ｓ／Ｎ値が２６ｄＢ、Ｄ５０
（出力が低周波数での値の１／２になる周波数）が５２
ｋＦＣＩ（１インチ当たりの磁化反転回数）で、保磁
力、Ｓ／Ｎ値，Ｄ５０のいずれの値も実施例よりも低下
していた。以上説明したように、本発明の磁気記録媒体
を用いた磁気記録媒体は、とりわけ、ノイズ特性及び周
波数特性が改善されていることが分かる。
【００３２】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体用基板は、六方最
密充填構造を有するチタニウム金属に体心立方構造を有
する金属を含有させた非晶質あるいは非晶質と微結晶か
らなる合金膜が被覆されている。したがって、本発明の
磁気記録媒体用基板の上に磁性膜を被覆して磁気記録媒
体を製造すると、磁性膜の結晶粒径が小さくなり、その
粒径を再現性よく制御することができる。また、本発明
の磁気記録媒体用基板を用いた磁気記録媒体は、大きい
保磁力と大きい保磁力角型比を有し、さらに記録再生時
のＳ／Ｎが大きい。
密充填構造を有するチタニウム金属に体心立方構造を有
する金属を含有させた非晶質あるいは非晶質と微結晶か
らなる合金膜が被覆されている。したがって、本発明の
磁気記録媒体用基板の上に磁性膜を被覆して磁気記録媒
体を製造すると、磁性膜の結晶粒径が小さくなり、その
粒径を再現性よく制御することができる。また、本発明
の磁気記録媒体用基板を用いた磁気記録媒体は、大きい
保磁力と大きい保磁力角型比を有し、さらに記録再生時
のＳ／Ｎが大きい。
【図１】本発明の磁気記録媒体用基板の実施例の一部断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体の実施例の一部断面図で
ある。
ある。
１・・・磁気記録媒体用基板、２・・・ガラス板、３・
・・チタニウムとクロムとからなる合金膜、４・・・チ
タニウム膜、５・・・アルミニウム凹凸形成物、１１・
・・クロム膜、１２・・・磁性膜、１３・・・カーボン
膜、１４・・・潤滑油膜
・・チタニウムとクロムとからなる合金膜、４・・・チ
タニウム膜、５・・・アルミニウム凹凸形成物、１１・
・・クロム膜、１２・・・磁性膜、１３・・・カーボン
膜、１４・・・潤滑油膜
Claims (6)
- 【請求項１】非磁性支持体上に、表面に露出した膜とし
て、チタニウム金属と下記の金属群から選ばれた少なく
とも１種とからなる合金膜が被覆された磁気記録媒体用
基板。 金属群：Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ - 【請求項２】前記合金膜のチタニウム含有量が、５０〜
９５原子％である請求項１に記載の磁気記録媒体用基
板。 - 【請求項３】前記合金膜の厚みが３〜１００ｎｍである
請求項１または２に記載の磁気記録媒体用基板。 - 【請求項４】前記合金膜の表面に凹凸を形成するよう
に、前記合金膜の被覆に先立ち低融点金属を層状または
島状に設けた請求項１乃至３のいずれかに記載の磁気記
録媒体用基板。 - 【請求項５】非磁性支持体と、前記非磁性支持体上に３
〜１００ｎｍの厚みに被覆され、チタニウム金属と下記
の金属群から選ばれた少なくとも１種からなり、かつ、
チタニウムが５０〜９５原子％含む合金膜と、前記合金
膜上に被覆されたクロムまたはクロム主成分合金からな
る下地膜と、前記下地膜の上に被覆されたコバルト主成
分の磁性膜と、前記磁性膜上に被覆された保護膜と、前
記保護膜上に設けられた潤滑油膜とを有する磁気記録媒
体。 金属群：Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ - 【請求項６】前記非磁性支持体と前記合金膜との間に、
前記保護層表面の平均粗さＲａが２〜１０ｎｍ、最大粗
さＲmaxが１００ｎｍ以下となるように、低融点金属か
らなる凹凸形成物を層状または島状に設けた請求項５に
記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22678793A JP2853529B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 磁気記録媒体用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22678793A JP2853529B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 磁気記録媒体用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0785440A true JPH0785440A (ja) | 1995-03-31 |
| JP2853529B2 JP2853529B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=16850612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22678793A Expired - Lifetime JP2853529B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 磁気記録媒体用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853529B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334424A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
| JP2007242880A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Tdk Corp | 成膜方法 |
-
1993
- 1993-09-13 JP JP22678793A patent/JP2853529B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334424A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
| JP2007242880A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Tdk Corp | 成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2853529B2 (ja) | 1999-02-03 |
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