JPH01170014A - 水平層状空気流ワークステーション - Google Patents
水平層状空気流ワークステーションInfo
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- JPH01170014A JPH01170014A JP63289021A JP28902188A JPH01170014A JP H01170014 A JPH01170014 A JP H01170014A JP 63289021 A JP63289021 A JP 63289021A JP 28902188 A JP28902188 A JP 28902188A JP H01170014 A JPH01170014 A JP H01170014A
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
- F24F3/00—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems
- F24F3/12—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling
- F24F3/16—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling by purification, e.g. by filtering; by sterilisation; by ozonisation
- F24F3/163—Clean air work stations, i.e. selected areas within a space which filtered air is passed
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Ventilation (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体処理機器、特に微粒子汚染を減少させる
ため選択された空気流パターンをもたらすロードチャン
バ(又はステーション)に関するものである。
ため選択された空気流パターンをもたらすロードチャン
バ(又はステーション)に関するものである。
高密度のデバイス及びより小さいデバイス形状への傾向
が続いているため、微粒子汚染は次第に重要な問題にな
ってきている0周知のように、半導体ウェーハの表面上
に径1ミクロンのオーダーの粒子1個が付着してもウェ
ーハ全体をだめにすることがある。粒子汚染問題を解決
するための従来技術のアプローチの1つは、半導体処理
のためのクリーンルームを設けることであった。典型的
なりリーンルームにおいては、層状の空気流が一般にク
リーンルームの天井から下向きに床又は壁の排気装置の
方向へ送られる。層状空気流はオペレータと半導体機器
とを濾過された空気の中に浸漬する。成るクリーンルー
ムでは、水平空気流が1つのクリーンルーム壁から向き
合ったクリーンルーム壁へ流される。
が続いているため、微粒子汚染は次第に重要な問題にな
ってきている0周知のように、半導体ウェーハの表面上
に径1ミクロンのオーダーの粒子1個が付着してもウェ
ーハ全体をだめにすることがある。粒子汚染問題を解決
するための従来技術のアプローチの1つは、半導体処理
のためのクリーンルームを設けることであった。典型的
なりリーンルームにおいては、層状の空気流が一般にク
リーンルームの天井から下向きに床又は壁の排気装置の
方向へ送られる。層状空気流はオペレータと半導体機器
とを濾過された空気の中に浸漬する。成るクリーンルー
ムでは、水平空気流が1つのクリーンルーム壁から向き
合ったクリーンルーム壁へ流される。
しかし、クリーンルーム内に濾過された空気流を生じる
一般的なアプローチは、機器の設計の必要上クリーンル
ームの空気流から遮られている区域での粒子発生の問題
を解決していない。このような区域の1つは真空ロード
ロックを含んでいる多くの機械のロードチャンバ領域で
ある。ロードチャンバはロードロックへの入口に近い領
域内のロードロックの外側に位置している。
一般的なアプローチは、機器の設計の必要上クリーンル
ームの空気流から遮られている区域での粒子発生の問題
を解決していない。このような区域の1つは真空ロード
ロックを含んでいる多くの機械のロードチャンバ領域で
ある。ロードチャンバはロードロックへの入口に近い領
域内のロードロックの外側に位置している。
本発明はロードチャンバを含む半導体処理装置用のロー
ドステーションであって、ロードチャンバ内に保持され
たウェーハを浸す濾過された空気の水平流を発生すると
同時に、ロードチャンバ内で発生された水平流をクリー
ンルームから遮断するためロードチャンバの入口開口を
横切って垂直なエアカーテンを発生させる手段を有する
ロードステーションを実現する。こうしてクリーンルー
ム内の層状の下向き空気流はロードチャンバ内の水平流
によって乱されることがなく、しかもロードチャンバ内
のウェーハはウェーハカセットより上の領域内での粒子
発生から水平空気流によって保護される。
ドステーションであって、ロードチャンバ内に保持され
たウェーハを浸す濾過された空気の水平流を発生すると
同時に、ロードチャンバ内で発生された水平流をクリー
ンルームから遮断するためロードチャンバの入口開口を
横切って垂直なエアカーテンを発生させる手段を有する
ロードステーションを実現する。こうしてクリーンルー
ム内の層状の下向き空気流はロードチャンバ内の水平流
によって乱されることがなく、しかもロードチャンバ内
のウェーハはウェーハカセットより上の領域内での粒子
発生から水平空気流によって保護される。
垂直エアーカーテンに加えて、垂直下方へ向けられた濾
過された空気の層状流はウェーハカセットより上方でも
発生されるからロードチャンバ内に澱んだ空気の領域は
生じない、水平流は垂直層状下向き流と合流する。ロー
ドチャンバの下方表面には空気戻しスロットが設けられ
る。
過された空気の層状流はウェーハカセットより上方でも
発生されるからロードチャンバ内に澱んだ空気の領域は
生じない、水平流は垂直層状下向き流と合流する。ロー
ドチャンバの下方表面には空気戻しスロットが設けられ
る。
第1図は、半導体クリーンルーム3に関連して本発明の
ロードステーション1の一実施例を略示的斜視図で示す
ものである。オペレータ2はコントロールパネル4によ
って処理パラメータを調節する。第1図の実施例におい
て、ロードステーション1のロードチャンバ6は、テー
ブル12と、両側壁7,10と、背壁29と天井28(
第2図参照)とで仕切られたはゾ矩形状の形状を有して
いる。ロードステーション1の前面開口8はロードチャ
ンバ6をクリーンルーム3に連通し、オペレータ2によ
るウェーハカセット1G(第1図では1個だけ示す)へ
の接近、及び(又は)クリーンルーム3内のカセット移
送装置(図示せず)への接近を可能にしている。
ロードステーション1の一実施例を略示的斜視図で示す
ものである。オペレータ2はコントロールパネル4によ
って処理パラメータを調節する。第1図の実施例におい
て、ロードステーション1のロードチャンバ6は、テー
ブル12と、両側壁7,10と、背壁29と天井28(
第2図参照)とで仕切られたはゾ矩形状の形状を有して
いる。ロードステーション1の前面開口8はロードチャ
ンバ6をクリーンルーム3に連通し、オペレータ2によ
るウェーハカセット1G(第1図では1個だけ示す)へ
の接近、及び(又は)クリーンルーム3内のカセット移
送装置(図示せず)への接近を可能にしている。
ロードロックチャンバ20が、第1図で1個を上昇位置
に示すロードロックカバー17の下に位置している。ロ
ードロックカバー17は軌条19上を在来の機構(図示
せず)により上昇下降させられる。カセット16内のウ
ェーハWが処理されるべき時、カセット16はエレベー
タ手段(図示せず)によってロードロックチャンバ20
内へ下降される。ついでウェーハはカセット16から移
送機構(図示せず)によってウェーハ処理機器、図示し
ないが例えばロードロック20と連通していて、ロード
ロックチャンバ20によりクリーンルーム3から真空遮
断されている真空室(図示せず)内に位置するイオンイ
ンプランテーション機器、などへ移送される。
に示すロードロックカバー17の下に位置している。ロ
ードロックカバー17は軌条19上を在来の機構(図示
せず)により上昇下降させられる。カセット16内のウ
ェーハWが処理されるべき時、カセット16はエレベー
タ手段(図示せず)によってロードロックチャンバ20
内へ下降される。ついでウェーハはカセット16から移
送機構(図示せず)によってウェーハ処理機器、図示し
ないが例えばロードロック20と連通していて、ロード
ロックチャンバ20によりクリーンルーム3から真空遮
断されている真空室(図示せず)内に位置するイオンイ
ンプランテーション機器、などへ移送される。
第2図はロードステーション1のロードチャンバ6の部
分の斜視図を示す。テーブル12は3個の昇降台54を
有し、その各々はウェーハカセット16を支持する(第
2図では2個のカセット16だけが示される)、昇降台
54はエレベータ機構(図示せず)によって下降され、
カセット16をチャンバ20に装填する。カセット16
は側壁S1とS2を有し、この側壁内のみぞがウェーハ
Wをカセット16内ではゾ水平向きに支持する。カセッ
ト16の前部S、と後部S4は開放していて、カセット
16内のウェーハW間に矢印H□、H8、Hl及びH4
で示すような水平空気流を、背壁26に凹設した水平エ
アフィルタ26bから前面開口8の方へ通過可能にする
。好適に、水平エアフィルタ26bの垂直高さはカセッ
ト16の高さよりいくらか大きくする。一実施例でフィ
ルタ26bはHEPAフィルタ(高性能微粒子除去フィ
ルタ)である。
分の斜視図を示す。テーブル12は3個の昇降台54を
有し、その各々はウェーハカセット16を支持する(第
2図では2個のカセット16だけが示される)、昇降台
54はエレベータ機構(図示せず)によって下降され、
カセット16をチャンバ20に装填する。カセット16
は側壁S1とS2を有し、この側壁内のみぞがウェーハ
Wをカセット16内ではゾ水平向きに支持する。カセッ
ト16の前部S、と後部S4は開放していて、カセット
16内のウェーハW間に矢印H□、H8、Hl及びH4
で示すような水平空気流を、背壁26に凹設した水平エ
アフィルタ26bから前面開口8の方へ通過可能にする
。好適に、水平エアフィルタ26bの垂直高さはカセッ
ト16の高さよりいくらか大きくする。一実施例でフィ
ルタ26bはHEPAフィルタ(高性能微粒子除去フィ
ルタ)である。
テーブル12は空気戻しスロット40〜44を有し。
これらはテーブル12の頂部エツジに沿って且つカセッ
ト16とカセット16の間に設けられている。空気戻し
スロット40〜44は在来の設計のダクト網(図示せず
)により送風機51の空気取入口50に連結されている
。送風機51からの空気は、ダクトd2とH2を通って
水平エアフィルタ26bへ連通され、ダクトd1とH2
を通って垂直エアフィルタ28b(ロードチャンバ6の
天井28に凹設された)へ連通される。プレート32と
34が両側壁7.10に取付けられて、フロントプレー
ト30と共にほぼ垂直な通路33を形成し、濾過された
エアカーテンをエアフィルタ28bから前面開口8を横
切って垂直下方に空気戻しスロット40へと導く。プレ
ート34は内側から外方へ傾斜していて、垂直エアフィ
ルタ28bからの流れをしぼり、垂直通路33へと流れ
を加速させる。
ト16とカセット16の間に設けられている。空気戻し
スロット40〜44は在来の設計のダクト網(図示せず
)により送風機51の空気取入口50に連結されている
。送風機51からの空気は、ダクトd2とH2を通って
水平エアフィルタ26bへ連通され、ダクトd1とH2
を通って垂直エアフィルタ28b(ロードチャンバ6の
天井28に凹設された)へ連通される。プレート32と
34が両側壁7.10に取付けられて、フロントプレー
ト30と共にほぼ垂直な通路33を形成し、濾過された
エアカーテンをエアフィルタ28bから前面開口8を横
切って垂直下方に空気戻しスロット40へと導く。プレ
ート34は内側から外方へ傾斜していて、垂直エアフィ
ルタ28bからの流れをしぼり、垂直通路33へと流れ
を加速させる。
作用について説明すると、送風機51は空気をダクトd
、から水平エアフィルタ26bへ送る。フィルタ26b
からの水平空気流H□〜H1はカセット16内のウェー
ハWとウェーハWの間を前面開口8の方へ通過する。送
風機51はまたダクトd0とH2を通って空気を垂直エ
アフィルタ28bへも送る。垂直エアフィルタ28bか
ら濾過された空気の第1の部分は矢印v0とv2で略示
するように下向きにロードチャンバ6の中へ流れ、また
水平エアフィルタ26bから水平に流出する空気と合流
して、矢印D工〜D3で略示するような直角方向の流れ
を形成する。この合流は非乱流状に行なわれる。水平エ
アフィルタ26bはカセット16の頂部の上方へ十分高
く延びているから、この直角方向の流れはカセット16
の頂部の上方で水平に達する。垂直エアフィルタ28b
から濾過された空気の第2の部分は下向きに垂直通路3
3を通って流れ、濾過された垂直なエアカーテン、典型
的に第1の部分より高速のエアカーテンを生じ、これは
前面開口8を横切ってテーブル12の前縁に沿って延び
るスロット40へ流れる6層状の垂直エアカーテンはま
た水平流v1〜V、を捕捉し、これらをスロット40へ
導く。
、から水平エアフィルタ26bへ送る。フィルタ26b
からの水平空気流H□〜H1はカセット16内のウェー
ハWとウェーハWの間を前面開口8の方へ通過する。送
風機51はまたダクトd0とH2を通って空気を垂直エ
アフィルタ28bへも送る。垂直エアフィルタ28bか
ら濾過された空気の第1の部分は矢印v0とv2で略示
するように下向きにロードチャンバ6の中へ流れ、また
水平エアフィルタ26bから水平に流出する空気と合流
して、矢印D工〜D3で略示するような直角方向の流れ
を形成する。この合流は非乱流状に行なわれる。水平エ
アフィルタ26bはカセット16の頂部の上方へ十分高
く延びているから、この直角方向の流れはカセット16
の頂部の上方で水平に達する。垂直エアフィルタ28b
から濾過された空気の第2の部分は下向きに垂直通路3
3を通って流れ、濾過された垂直なエアカーテン、典型
的に第1の部分より高速のエアカーテンを生じ、これは
前面開口8を横切ってテーブル12の前縁に沿って延び
るスロット40へ流れる6層状の垂直エアカーテンはま
た水平流v1〜V、を捕捉し、これらをスロット40へ
導く。
水平流は、速度と慣性の差により垂直エアカーテンに侵
入することはなく、従って典型的にクリーンルーム3内
に存在するほぼ垂直な下向き流(図示しない在来手段に
より生じる)は、ロードステーション1のロードチャン
バ6内に存在する水平流から隔絶され、それによって乱
されることがない。
入することはなく、従って典型的にクリーンルーム3内
に存在するほぼ垂直な下向き流(図示しない在来手段に
より生じる)は、ロードステーション1のロードチャン
バ6内に存在する水平流から隔絶され、それによって乱
されることがない。
クリーンルーム3内のオペレータ2又は自動機器(図示
せず)がエアカーテンを破ったような場合、ウェーハW
を浸しているが過空気の水平流H1〜H4はオペレータ
2の方へ流れるから、オペレータ2が発する粒子、特に
オペレータ2がロードチャンバ6内でウェーハカセット
16の上方で発生するような粒子はウェーハWから遠ざ
けられ、ウェーハWの表面を汚染することはない。
せず)がエアカーテンを破ったような場合、ウェーハW
を浸しているが過空気の水平流H1〜H4はオペレータ
2の方へ流れるから、オペレータ2が発する粒子、特に
オペレータ2がロードチャンバ6内でウェーハカセット
16の上方で発生するような粒子はウェーハWから遠ざ
けられ、ウェーハWの表面を汚染することはない。
細いスロット41,42.43及び44は水平空気流も
垂直空気流をも、カセット16とカセット16の間、並
びにカセット16と側壁7.10との間から吸引するか
ら、クリーンルーム3とロードチャンバ6との間で正味
の空気の交換はない。
垂直空気流をも、カセット16とカセット16の間、並
びにカセット16と側壁7.10との間から吸引するか
ら、クリーンルーム3とロードチャンバ6との間で正味
の空気の交換はない。
第2図に破線で示すように、好適変形例においては2個
の別々の送風機56と51がスロット40〜44から空
気を吸い込み、両側のダクト57を加圧する。
の別々の送風機56と51がスロット40〜44から空
気を吸い込み、両側のダクト57を加圧する。
この構成は、ダクト57に沿ってより平均に分配された
より大きい流量を生じる。ダンパ58,59を回して垂
直流と水平流の相対的流速を調節するようにしてもよい
。
より大きい流量を生じる。ダンパ58,59を回して垂
直流と水平流の相対的流速を調節するようにしてもよい
。
これと異なり、他の実施例では、送風機51の出力を第
1ダクト(図示せず)によりフィルタ26bに。
1ダクト(図示せず)によりフィルタ26bに。
送風機56の出力を第1ダクトと接続されていない第2
ダクト(図示せず)によりフィルタ28bに接続するよ
うにしてもよい。そして水平流と垂直流の相対速度を、
個々の送風機の速度調節により調節すればよい。
ダクト(図示せず)によりフィルタ28bに接続するよ
うにしてもよい。そして水平流と垂直流の相対速度を、
個々の送風機の速度調節により調節すればよい。
第2図に示した実施例は、構成が簡単であり、濾過空気
を再循環させる自蔵式ユニットをもつ点で有効である。
を再循環させる自蔵式ユニットをもつ点で有効である。
しかし、空気冷却及び加湿装置(所望により使用され得
る)がない所では、再循環空気の温度が上昇しやすく、
同時に再循環空気の湿度が減少することがある。また、
静電気がウェーハWの上に集積しやすく、非常に乾燥し
た空気流の存在下ではウェーハW上のデリケートな半導
体デバイスを破壊させやすい。
る)がない所では、再循環空気の温度が上昇しやすく、
同時に再循環空気の湿度が減少することがある。また、
静電気がウェーハWの上に集積しやすく、非常に乾燥し
た空気流の存在下ではウェーハW上のデリケートな半導
体デバイスを破壊させやすい。
第3図は、第2図と類似するが、ダクトd、とd2がな
い本発明のさらに他の実施例を示す。この例ではダクト
60が、濾過された空気をクリーンルーム3へ供給する
クリーンルーム給気手段80と接続されるようにして設
けられる。給気手段80から供給される空気はダクト6
0から垂直エアフィルタ28bへ分岐管を経て送られ、
水平エアフィルタ26bへは分岐管61を経て送られる
。空気戻り管63はスロット40〜44を送風機75へ
接続し、その出力端76はクリーンルーム給気手段80
の空気取入管81へ接続されるように構成される。流れ
調節ダンパ70.71.72及び73(それぞれダクト
60、分岐管61.62、戻り管63内の)がそれぞれ
の管路の流速を調節する。
い本発明のさらに他の実施例を示す。この例ではダクト
60が、濾過された空気をクリーンルーム3へ供給する
クリーンルーム給気手段80と接続されるようにして設
けられる。給気手段80から供給される空気はダクト6
0から垂直エアフィルタ28bへ分岐管を経て送られ、
水平エアフィルタ26bへは分岐管61を経て送られる
。空気戻り管63はスロット40〜44を送風機75へ
接続し、その出力端76はクリーンルーム給気手段80
の空気取入管81へ接続されるように構成される。流れ
調節ダンパ70.71.72及び73(それぞれダクト
60、分岐管61.62、戻り管63内の)がそれぞれ
の管路の流速を調節する。
この最後の実施例は、十分調和され、湿度制御されたク
リーンルーム給気手段80からの濾過空気がロードチャ
ンバ6へ供給され、そのため熱や静電気の集積の可能性
を排除する利点を有する。
リーンルーム給気手段80からの濾過空気がロードチャ
ンバ6へ供給され、そのため熱や静電気の集積の可能性
を排除する利点を有する。
第3図に示した実施例は垂直と水平の流速を調節するた
めダンパのバランスを必要とする。第3図の実施例は、
ダクトdいd2についての変更だけで同じハードウェア
と送風機を使用し得るという意味で第2図の実施例と両
立性のあるものである。
めダンパのバランスを必要とする。第3図の実施例は、
ダクトdいd2についての変更だけで同じハードウェア
と送風機を使用し得るという意味で第2図の実施例と両
立性のあるものである。
第3図に示したのと同様な他の実施例として、送風機7
5をなくし、戻り管63を直接にスロット40〜44と
給気手段80の取入管81とへ接続するようにすること
ができる。
5をなくし、戻り管63を直接にスロット40〜44と
給気手段80の取入管81とへ接続するようにすること
ができる。
以上の諸実施例は例示であって限定する意味ではなく、
上記したところから多くの修正が本発明の範囲を逸脱す
ることなく当業者には明らかであろう。
上記したところから多くの修正が本発明の範囲を逸脱す
ることなく当業者には明らかであろう。
第1図は半導体クリーンルームと関連して本発明のロー
ドステーションの一実施例を略示する斜視図、 第2図は第1図の実施例の一部を詳細に示す一部切断し
た拡大斜視図、 第3図は本発明のロードステーションの他の実施例を示
す略示断面図である。 [主要符号〕 6・・・ロードチャンバ 8・・・前部開口 12・・・テーブル16・・・ウ
ェー八カセット W・・・ウェーハ26b・・・水平
エアフィルタ 28b・・・垂直エアフィルタ 30・
・・フロントプレート 32.34・・・プレート33
・・・通路 44〜44・・・スロット dl、d、・
・・ダクト54・・・昇降台 51.56・・・送風機
6o・・・ダクト80・・・クリーンルーム給気手段 特許出願人 パリアン・アソシェイッ・インコーホレイ
テッド 代理人 弁理士 竹 内 澄 夫 FIG、1 FIG−2
ドステーションの一実施例を略示する斜視図、 第2図は第1図の実施例の一部を詳細に示す一部切断し
た拡大斜視図、 第3図は本発明のロードステーションの他の実施例を示
す略示断面図である。 [主要符号〕 6・・・ロードチャンバ 8・・・前部開口 12・・・テーブル16・・・ウ
ェー八カセット W・・・ウェーハ26b・・・水平
エアフィルタ 28b・・・垂直エアフィルタ 30・
・・フロントプレート 32.34・・・プレート33
・・・通路 44〜44・・・スロット dl、d、・
・・ダクト54・・・昇降台 51.56・・・送風機
6o・・・ダクト80・・・クリーンルーム給気手段 特許出願人 パリアン・アソシェイッ・インコーホレイ
テッド 代理人 弁理士 竹 内 澄 夫 FIG、1 FIG−2
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、開口を有するチャンバと、 該チャンバ内に半導体ウェーハを保持する少なくとも1
個のウェーハカセットを支持する支持手段と、 前記チャンバ内で水平空気流を前記支持手段に支持され
ているカセットの方へ及び前記開口の方へ導くため、且
つ該開口を横切って垂直下方へのエアカーテンを導くた
めの通路手段とから成る半導体ウェーハ用のロードステ
ーション。 2、前記通路手段が前記水平空気流を濾過する手段、及
び前記垂直エアカーテンを濾過する手段を包含する特許
請求の範囲第1項記載のロードステーション。 3、前記通路手段が、前記エアカーテンに加えて、前記
チャンバ内で垂直下方へ流れる空気を導く手段を包含す
る特許請求の範囲第1項記載のロードステーション。 4、さらに、前記水平空気流を発生させ、且つ前記エア
カーテンを発生させるための手段を包含する特許請求の
範囲第1項記載のロードステーション。 5、前記発生手段が並列の2個の送風機である特許請求
の範囲第4項記載のロードステーション。 6、前記発生手段が前記エアカーテンを発生させる第1
の送風機と、前記水平空気流を発生させる第2の送風機
とから成る特許請求の範囲第4項記載のロードステーシ
ョン。 7、前記支持手段が、半導体ウェーハを保持する多数の
カセットを支持する手段を含み、前記通路手段はこの支
持手段の少なくとも2個の間に位置し空気を前記発生手
段へ戻すスロットから成る特許請求の範囲第4項記載の
ロードステーション。 8、前記チャンバがほぼ水平な下表面を有し、前記通路
手段がこの下表面において空気を前記水平流とエアカー
テンの発生手段へ戻すスロットから成る特許請求の範囲
第1項記載のロードステーション。 9、前記通路手段がクリーンルームの給気手段に接続し
ているダクトから成り、この給気手段からの空気が前記
通路手段へ供給される特許請求の範囲第1項記載のロー
ドステーション。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12665687A | 1987-12-01 | 1987-12-01 | |
| US126,656 | 1987-12-01 |
Publications (2)
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|---|---|
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| JP2562359B2 JP2562359B2 (ja) | 1996-12-11 |
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ID=22426026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63289021A Expired - Fee Related JP2562359B2 (ja) | 1987-12-01 | 1988-11-17 | 水平層状空気流ワークステーション |
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|---|---|
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| JP (1) | JP2562359B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US3494112A (en) * | 1969-04-16 | 1970-02-10 | Dexon Inc | Clean air work station |
| US4050368A (en) * | 1976-01-02 | 1977-09-27 | Marion L. Eakes Co. | Exhaust system for industrial processes |
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- 1988-11-17 JP JP63289021A patent/JP2562359B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5222883A (en) * | 1975-08-14 | 1977-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Air cleaner unit for semiconductor unit |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JP2562359B2 (ja) | 1996-12-11 |
| EP0319145A3 (en) | 1991-05-29 |
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|---|---|---|---|
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