JPH01173342A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH01173342A JPH01173342A JP62329571A JP32957187A JPH01173342A JP H01173342 A JPH01173342 A JP H01173342A JP 62329571 A JP62329571 A JP 62329571A JP 32957187 A JP32957187 A JP 32957187A JP H01173342 A JPH01173342 A JP H01173342A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- recording medium
- polymer
- layer
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、ポリビニリデン系重合体（以下ＰＶＤ系重合
体という）を記録層として用いた強誘電性高分子光可逆
記録媒体に関する。
体という）を記録層として用いた強誘電性高分子光可逆
記録媒体に関する。
［従来技術］
ＰＶＤ系重合体を記録媒体とした高分子光メモリーは、
すでに知られている。
すでに知られている。
これは、ＰＶＤ系重合体の強誘電性を利用した画期的な
光メモリーで、その記録原理は特開昭５９−２１５０９
６及び同５９−２１５０９７号公報、あるいはＩＩＥＩ
ＥＩＥ Ｔｒａｎｓ、Ｅｌｅｓｔｒ、Ｉｎｓ、、 Ｅｌ
−２１，３５９，１９８Ｂ高分子加工３５，４１８（１
９８Ｂ）に開示されているように、強誘電性高分子材料
が電界によって分極する性質を利用して、高い電界を印
加して一方向に分極させた該強誘電性高分子材料に対し
て、抗電界以下の弱い逆電界を印加した状態で任意の部
分に光ビームを照射加熱して該光照射部のみを選択的に
分極反転せしめることにより書き込みを可能にし、さら
に光または熱による焦電効果を利用して読み出すことが
できるというものである。
光メモリーで、その記録原理は特開昭５９−２１５０９
６及び同５９−２１５０９７号公報、あるいはＩＩＥＩ
ＥＩＥ Ｔｒａｎｓ、Ｅｌｅｓｔｒ、Ｉｎｓ、、 Ｅｌ
−２１，３５９，１９８Ｂ高分子加工３５，４１８（１
９８Ｂ）に開示されているように、強誘電性高分子材料
が電界によって分極する性質を利用して、高い電界を印
加して一方向に分極させた該強誘電性高分子材料に対し
て、抗電界以下の弱い逆電界を印加した状態で任意の部
分に光ビームを照射加熱して該光照射部のみを選択的に
分極反転せしめることにより書き込みを可能にし、さら
に光または熱による焦電効果を利用して読み出すことが
できるというものである。
このような強誘電性高分子を光メモリーとして使用する
場合には、該メモリーに照射される光に対する吸収効率
は重要な要素となるが、ＰＶＤ系重合体膜は一般に光透
過性が高いために、高出力のレーザー光を照射してもロ
スが多く、実用化に際して大きな問題となっていた。
場合には、該メモリーに照射される光に対する吸収効率
は重要な要素となるが、ＰＶＤ系重合体膜は一般に光透
過性が高いために、高出力のレーザー光を照射してもロ
スが多く、実用化に際して大きな問題となっていた。
［ｇ 的コ
本発明はこうした事情に鑑み、高感度をもつＰＶＤ系重
合体記録層を用いた光記録媒体を提（共することを目的
とするものである。
合体記録層を用いた光記録媒体を提（共することを目的
とするものである。
［構 成］
このような問題点を解決するために、本発明者らは鋭意
研究し、強誘電性のビニリデン系重合体からなる記録層
上に、少くとも半導体レーザーの発振波長に感度を有す
る太陽電池を設けることにより、太陽電池で発生するジ
ュール熱、及び光吸収に伴う発熱を利用することができ
、従来の問題点を解決した高解度で高Ｓ／Ｎ比の光記録
媒体が得られることを見出した。すなわち、本発明は強
誘電性高分子光記録媒体において、記録層上に少くとも
半導体レーザーの発振波長に感度を有する太陽電池を設
けて構成されることを特徴とする光記録媒体である。
研究し、強誘電性のビニリデン系重合体からなる記録層
上に、少くとも半導体レーザーの発振波長に感度を有す
る太陽電池を設けることにより、太陽電池で発生するジ
ュール熱、及び光吸収に伴う発熱を利用することができ
、従来の問題点を解決した高解度で高Ｓ／Ｎ比の光記録
媒体が得られることを見出した。すなわち、本発明は強
誘電性高分子光記録媒体において、記録層上に少くとも
半導体レーザーの発振波長に感度を有する太陽電池を設
けて構成されることを特徴とする光記録媒体である。
以下本発明の構成を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の強誘電性高分子記録媒体の構成モデル
図である。この図中の １が透明基板、２が透明第１電
極、３がＰＶＤ系重合体から成る記録層、４が第２電極
、５が太陽電池の光活性層と成り得る半導体層、６が第
３電極である。
図である。この図中の １が透明基板、２が透明第１電
極、３がＰＶＤ系重合体から成る記録層、４が第２電極
、５が太陽電池の光活性層と成り得る半導体層、６が第
３電極である。
本発明において記録層３を構成するＰＶＤ系重合体には
種々の化合物が報告されているが、本記録媒体において
は強誘電性を有し、かつ誘電ヒステリシス測定で矩形を
示すようなものが望ましく、たとえばぶつ化ビニリデン
のホモ重合体、及びぶつ化ビニリデンを５０重量％以上
含むふっ化ビニリデン共重合体である。該共重合体とし
てはふっ化ビニリデンと三ふり化エチレン、六ふっ化プ
ロピレン、三ふり化塩化エチレン等との共重合体等を挙
げることができる。また、ポリシアン化ビニリデン、シ
アン化ビニリデン及び酢酸ビニル共重合体等も挙げられ
るが、これらの中でも弗化ビニリデン及び三弗化エチレ
ン共重合体［以下Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）と略す］が
最も好ましい。
種々の化合物が報告されているが、本記録媒体において
は強誘電性を有し、かつ誘電ヒステリシス測定で矩形を
示すようなものが望ましく、たとえばぶつ化ビニリデン
のホモ重合体、及びぶつ化ビニリデンを５０重量％以上
含むふっ化ビニリデン共重合体である。該共重合体とし
てはふっ化ビニリデンと三ふり化エチレン、六ふっ化プ
ロピレン、三ふり化塩化エチレン等との共重合体等を挙
げることができる。また、ポリシアン化ビニリデン、シ
アン化ビニリデン及び酢酸ビニル共重合体等も挙げられ
るが、これらの中でも弗化ビニリデン及び三弗化エチレ
ン共重合体［以下Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）と略す］が
最も好ましい。
また本発明で使用する透明基板１は例えばポリエチレン
、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリ
スチレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルアセテート、ポリアミド、
ポリイミド、ポリオレフィン、アクリル樹脂、フェノー
ル樹脂、エポキシ樹脂及び上記の誘導体等の各種プラス
チックやガラス、石英板、セラミックなどが好適である
が、電極同様照射光に対して透明であることが望ましく
、又電極との絶縁を兼ねているも゛のであることが好ま
しいが、本発明は特にこれらに限定されるものではない
。
、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリ
スチレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルアセテート、ポリアミド、
ポリイミド、ポリオレフィン、アクリル樹脂、フェノー
ル樹脂、エポキシ樹脂及び上記の誘導体等の各種プラス
チックやガラス、石英板、セラミックなどが好適である
が、電極同様照射光に対して透明であることが望ましく
、又電極との絶縁を兼ねているも゛のであることが好ま
しいが、本発明は特にこれらに限定されるものではない
。
また透明第１電極２はインジウムをドープした酸化スズ
（ＩＴＯ） 、５ｎＯｚ、ＺｎＯ等が使用できる。また
図中４．５．６で構成される太陽電池は、５の光活性層
（半導体層）は例えばアゾ顔料、フタロシアニン、金属
フタロシアニン、メロシアニン、スフウェアリック染料
、シアニン染料、ペリレン顔料、ジチオール系金属錯体
、多環牛ノン顔料等の有機顔料、カチオンもしくはアニ
オンをドープしたポリアセチレン、ポリジアセチレン、
ポリピロール、ポリ−ｐ−フェニレン、ポリチオフェン
、ポリアニリン等の導電性高分子を単独もしくは二種以
上で、単層もしくは複層の型で設けることができる。
（ＩＴＯ） 、５ｎＯｚ、ＺｎＯ等が使用できる。また
図中４．５．６で構成される太陽電池は、５の光活性層
（半導体層）は例えばアゾ顔料、フタロシアニン、金属
フタロシアニン、メロシアニン、スフウェアリック染料
、シアニン染料、ペリレン顔料、ジチオール系金属錯体
、多環牛ノン顔料等の有機顔料、カチオンもしくはアニ
オンをドープしたポリアセチレン、ポリジアセチレン、
ポリピロール、ポリ−ｐ−フェニレン、ポリチオフェン
、ポリアニリン等の導電性高分子を単独もしくは二種以
上で、単層もしくは複層の型で設けることができる。
さらにドープしたａ−５ｔ、ＣｄＳ、ＧａＡｓ。
Ｓｅ等の無機材料も同様に使用できる。
電極４．６は光活性層がショットキー接合型の太陽電池
を形成するか、Ｐ−Ｎ接合型の太陽電池を形成するかで
異なる。
を形成するか、Ｐ−Ｎ接合型の太陽電池を形成するかで
異なる。
すなわちショットキー接合型の太陽電池を形成する場合
には第２電極、光活性層（半導体層）、第３電極の仕事
関数φ８□、φ５、φ、がφ８□くφ５くφ８．もしく
はφｇ２＞φＳ 〉φＥ３の関係を充していることが必
要であり、第２電極と光活性層との間で接合を形成させ
る様に電極材料を選ぶ方が好ましい。さらにＰ−Ｎ接合
型の太陽電池を形成させるためには、第２、第３電極と
しては光活性層とオーミック接触する電極材料を選ぶ必
要がある。具体的な電極材料としては、ＡＩ、Ａｇ５Ａ
ｕ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｃｕ。
には第２電極、光活性層（半導体層）、第３電極の仕事
関数φ８□、φ５、φ、がφ８□くφ５くφ８．もしく
はφｇ２＞φＳ 〉φＥ３の関係を充していることが必
要であり、第２電極と光活性層との間で接合を形成させ
る様に電極材料を選ぶ方が好ましい。さらにＰ−Ｎ接合
型の太陽電池を形成させるためには、第２、第３電極と
しては光活性層とオーミック接触する電極材料を選ぶ必
要がある。具体的な電極材料としては、ＡＩ、Ａｇ５Ａ
ｕ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｃｕ。
Ｃｒ、Ｎｉ等の金属、Ｚ ｎ Ｏｓ Ｓ ｎ Ｏ２、Ｉ
ＴＯ等の金属酸化物、ＣｄＳ、Ｃｕｚ Ｓ、ＰｂＳ等の
金属硫化物を用い、乾式もしくは湿式の適当なプロセス
により電極を形成する。
ＴＯ等の金属酸化物、ＣｄＳ、Ｃｕｚ Ｓ、ＰｂＳ等の
金属硫化物を用い、乾式もしくは湿式の適当なプロセス
により電極を形成する。
該記録層のＰＶＤ系重合体膜を製膜する方法としでは浸
漬コーティング、スプレーコーティング、スピナーコー
ティング、ブレードコーティング、ローラコーティング
、カーテンコーティング等の溶液塗布法によって形成す
ることができる。この中でも浸漬コーティングやスピナ
ーコーティングによるものが該ＰＶＤ系重合体膜を均一
な膜厚に形成する上に、超薄膜が得られる点からも好ま
しい。
漬コーティング、スプレーコーティング、スピナーコー
ティング、ブレードコーティング、ローラコーティング
、カーテンコーティング等の溶液塗布法によって形成す
ることができる。この中でも浸漬コーティングやスピナ
ーコーティングによるものが該ＰＶＤ系重合体膜を均一
な膜厚に形成する上に、超薄膜が得られる点からも好ま
しい。
また該光活性層は必要ならばバインダー樹脂とともに溶
媒を加えてボールミリング等の方法で分散液を作成し、
浸漬コーティング、スプレーコーティング、スピナーコ
ーティング、ブレードコーティング等の方法、もしくは
蒸着、スパッタリング等の方法で形成される。
媒を加えてボールミリング等の方法で分散液を作成し、
浸漬コーティング、スプレーコーティング、スピナーコ
ーティング、ブレードコーティング等の方法、もしくは
蒸着、スパッタリング等の方法で形成される。
以下に実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。
実施例
ＩＴＯ蒸着ガラス基板上にスピンコード法によりＰ （
ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）膜を厚さ１μｍで塗布して記録層３
を形成した。
ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）膜を厚さ１μｍで塗布して記録層３
を形成した。
次いで第２電極としてＡｔを約５００人の厚さに蒸着し
た。さらに下記構造式のアゾ顔料２部、塩ビー酢ビ共重
合体（デンカビニール＃ｌ０００Ｌ■デンカ）１部から
成る分散液をボールミリング法で調製し、スピナーコー
ト法により第２電極上にアゾ顔料／樹脂分散膜から成る
光活性層さらに光活性層上にＡｕを蒸着により設は第３
電極とし、本発明の光記録媒体を作成した。
た。さらに下記構造式のアゾ顔料２部、塩ビー酢ビ共重
合体（デンカビニール＃ｌ０００Ｌ■デンカ）１部から
成る分散液をボールミリング法で調製し、スピナーコー
ト法により第２電極上にアゾ顔料／樹脂分散膜から成る
光活性層さらに光活性層上にＡｕを蒸着により設は第３
電極とし、本発明の光記録媒体を作成した。
次に第１透明電極と第２電極との間に１００Ｖの電圧を
印加しポーリング処理を施した。さらに２５Ｖの逆電界
をかけながら、発振波長８３０ｒｖの半導体レーザーを
用いて照射光強度５．５＋ａＷで基板側からＰ （ＶＤ
Ｆ−ＴｒＦＥ）層内の数箇所を加熱して情報を記録した
。その後、半導体レーザー光強度を０．５５ ｍＷに弱
めて １ＯｋＨｚでチョッピングしながら再度Ｐ （Ｖ
ＤＦ−Ｔ ｒ Ｆ Ｅ）層に半導体レーザー光を照射し
て電極間に生じる焦電電流を計ｎ１シて記録した情報の
読み出し操作を行うと、Ｓ／Ｎ比が４８ｄＢであること
が判明した。
印加しポーリング処理を施した。さらに２５Ｖの逆電界
をかけながら、発振波長８３０ｒｖの半導体レーザーを
用いて照射光強度５．５＋ａＷで基板側からＰ （ＶＤ
Ｆ−ＴｒＦＥ）層内の数箇所を加熱して情報を記録した
。その後、半導体レーザー光強度を０．５５ ｍＷに弱
めて １ＯｋＨｚでチョッピングしながら再度Ｐ （Ｖ
ＤＦ−Ｔ ｒ Ｆ Ｅ）層に半導体レーザー光を照射し
て電極間に生じる焦電電流を計ｎ１シて記録した情報の
読み出し操作を行うと、Ｓ／Ｎ比が４８ｄＢであること
が判明した。
［効 果コ
以上説明したように、本発明の構成によればＰＶＤ系重
合体記録層を用いた光記録媒体の感度を著しく向上する
ことができる。
合体記録層を用いた光記録媒体の感度を著しく向上する
ことができる。
第１図は本発明の強誘電性高分子記録媒体の構成モデル
図。 ｌ・・・透明基板、２・・・透明第１電極、３・・・記
録層、４・・・第２電極、５・・・太陽電池の光活性層
、６・・・第３電極。 ２・１図
図。 ｌ・・・透明基板、２・・・透明第１電極、３・・・記
録層、４・・・第２電極、５・・・太陽電池の光活性層
、６・・・第３電極。 ２・１図
Claims (1)
- 強誘電性高分子光記録媒体において、記録層上に少く
とも半導体レーザー発振波長に感度を有する太陽電池を
設けてなることを特徴とする該光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62329571A JPH01173342A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62329571A JPH01173342A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173342A true JPH01173342A (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=18222838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62329571A Pending JPH01173342A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01173342A (ja) |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP62329571A patent/JPH01173342A/ja active Pending
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