JPH01173721A - 多層体形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 一産業上の利用分野 本発明は、基板上に形成された第１のパターン化層と、
その第１のパターン化層上に基板上に延長して形成され
た第２のパターン化層とを有する多層体を形成するため
の多層体形成法にＰＡする。

従来の技術 従来、上述した多層体を形成ザるにつき、まず、基板上
に、第１のパターン化層を形成し、次に、第１のパター
ン化層上に、第２のパターン化層をマスクを用いて形成
し、この場合、マスクを、第１のパターン化層に対し、
高精度に位置合せする、という多層体形成法が提案され
ている。

発明が解決しようとする問題点 このような従来の多層体形成法の場合、第２のパターン
化層を形成するのに、マスクを、第１のパターン化層に
対し、高ｆａａに位置合せする必要がある、という欠点
を有していた。

問題点を解決するための手段 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な多層体
形成法を提案せんとするものである。

本発明による多層体形成法によれば、基板上に形成され
た第１のパターン化層と、その第１のパターン化層上に
基板上に延長して形成された第２のパターン化層とを有
する多層体を、次のようにして形成する。

すなわち、基板として、ポジ型感光性樹脂でなる感光性
層が感光する波長を有する光に対して高い透過率を有す
る透光性基板を用いる。

そして、まず、透光性基板の第１の主面上に、第１のパ
ターン化層を、上記光に対して低い透過率を右するパタ
ーン化遮光性層で、形成する。

次に、上記透光性基板の第１の主面上に、パターン化さ
れることによって上記第２のパターン化層になる層を、
上記光に対して高い透過率を有する透光性層で、上記パ
ターン化遮光性層を覆って形成する。

次に、上記透光性層上に、上記感光性層を形成する。

次に、上記光を、上記透光性基板に、その上記第１の主
面と対向する第２の主面側の外部から、その第２の主面
に対し斜めに入射させるようにして、上記光を、上記感
光性層に、上記透光性基板を通じ且つ上記パターン化遮
光性層をマスクとして、露光させる。

次に、上記感光性層に対し、現像処理を施すことによっ
て、上記感光性層から、上記パターン化遮光性層に対応
したパターンを有するパターン化感光性層を形成する。

次に、上記透光性層に対し、上記パターン化感光性層を
マスクとするエツチング処理を施すことによって、上記
透光性層から、−上記第２のパターン化層を形成する。

作用効果 このような本発明による多層体形成法によれば、第２の
パターン化層を、パターン化感光性層をマスクとして用
いて形成する。このため、そのパターン化感光性層が、
従来の多層体形成法において、第２のパターン化層を形
成するのに用いているマスクに対応している。

しかしながら、パターン化感光性層は、第１のパターン
化層に対して高精度に位置合せされた状態に、自己整合
的に形成されている。

従って、本発明による多層体形成法の場合、第２のパタ
ーン化層を形成するのに、従来の多層体形成法の場合の
ように、マスクを、第１のパターン化層に対し、高精度
に位置合ぜする、という必要がない。

実施例１ 次に第１図を伴って本発明による多層体形成法の第１の
実施例を述べよう。

第１図に示す本発明による多層体形成法は、ＪＪ板上に
形成された第１のパターン化層と、その第１のパターン
他店上に基板上に延長して形成された第２のパターン化
層とを有する多層体を、次のようにして形成する。

すなわち、基板１として、第１図△に示すような後述す
るポジ型感光性樹脂でなる感光性層６が感光する後述す
る光７に対し高い透過率を右する、例えばガラスでなる
透光性基板１′を用いる。

そして、まず、透光性基板１′の主面２上に、第１図Ｂ
に示すように、第１のパターン化層３を、それ自体は公
知のマスクを用いた種々の方法によって、後述する光７
に対して低い透過率を有するパターン化遮光性層３′で
、形成する。

この場合、第１のパターン化層３を、パターン化電極層
として形成する場合、第１のパターン化層３を、例えば
１０００人の厚さを有し且つＭ。でなるパターン化遮光
性層３′で形成する。

次に、透光性基板１′の主面２上に、第１図Ｃに示すよ
うに、パターン化されることによって第２のパターン化
層４になる層５を、後述する光　に対して高い透過率を
有する透光性層５′で形成する。この場合、第２のパタ
ーン化層４を、ｎ＋型のパターン化半導体層として形成
する場合、パターン化されることによって第２のパター
ン化層４になる層５を、例えば化学気相１「積法によっ
て、例えば５００人の犀さを右するとともに、例えばア
モルファスシリコンでなり且つｎ型不純物を導入してい
る透光性層５′で形成する。

次に、透光性層５′上に、第１図りに示すように、上述
した感光性層６を、例えば約１．５μｍの厚さに塗布形
成する。

次に、第１図Ｅに示すように、上述した光７を、透光性
基板１′に、そのパターン化遮光性層３′を形成してい
る主面２と対向している主面２′側の外部から、その主
面２′に対し、例えば、４５°傾斜角を以って斜めに入
射させるようにして、光７を、感光性層６に、透光性基
板１′を通じ且つパターン化遮光性層３′をマスクとし
て、露光さける。

次に、感光性層６に対し現像処理を施覆ことによって、
感光性層６から、第１図Ｆに示すように、パターン化遮
光性層３′に対応しているパターンを有するパターン化
感光性層６′を右する。この場合、パターン化感光性層
６′は、上方からみて、パターン化遮光惨苦り′上から
、パターン化遮光性層３′の外側面の光７によって影に
なっていた領域のみを通って、透光性基板１′上に延長
している。

この延長長さは、感光性層６が、上述したように約１．
５μｍの厚さに形成され、また、光７が、透光性基板１
′に、その主面２′に対して約４５°の角度で入射され
る場合、約０．７〜０．５μｍの良さを有する。

次に、透光性層５に対し、パターン化感光性層６′をマ
スクとする、例えばＣ（４Ｆ２ガスを用いた反応性イオ
ンエツチング法によるエツチング処理を、透光性基板１
′の主面２に対して垂直方向から、施すことによって、
第１図Ｇに示すように、透光性層５から、第２のパター
ン化層４を形成する。この場合、第２のパターン化層４
は、パターン化感光性層６′が、上方からみて、パター
ン化遮光性層３′の外側面の一部領域のみを通って透光
性基板１′上に延長しているので、パターン化遮光惨苦
り′上から、その外側面の一部領域のみを通って、透光
性基板１′上に上述した長さで延長している。

次に、第２のパターン化層４上から、第１図Ｈに示すよ
うに、パターン化感光性層６′を除去する。

以上が、本発明による多層体形成法の第１の実／１色例
である。

このような本発明による多層体形成法によれば、第２の
パターン化層４を、パターン化感光性層６′をマスクと
して用いて形成するので、そのパターン化感光性層６′
が、従来の多層体形成法において、第２のパターン化層
を形成するのに用いるマスクに対応している。

しかしながら、パターン化感光性層６′は、第１のパタ
ーン化層３に対して高精度に位置合せされた状態に、自
己整合的に形成される。

従って、第２のパターン化層４を形成するのに、従来の
多層体形成法の場合のように、マスクを、第１のパター
ン化層３にり・１し高積度に位置合せする、という必要
がない。

実ｆ進１列　２ 次に、第２図を伴って本発明による多層体形成法の第２
の実施例を）ホベよう。

第２図において、第１図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明を省略する。

第２図に示す本発明による多層体形成法は、次のように
して、第１及び第２のパターン化層とを有する多層体を
形成する。

づなわち、基板１として、第１図Ａで上述したと同様に
、透光性基板１′を用い、そして、まず、第１図Ｂで上
述したと同様に、透光性基板１′上に、第１のパターン
化層３を、パターン化遮光性＆３′で、形成し、次に、
第１図Ｃで上述したと同様に、パターン化されることに
よって第２のパターン化層４になる層５を、透光性層５
′で、形成し、次に、第１図りで上述したと同様に、透
光性層５′上に、感光性層６を形成し、次に、第１図Ｅ
で上述したと同様に、光７を、感光性層６に、透光性基
板１′を通し且つパターン化遮光性層３′をマスクとし
て露光させる。

この場合、透光性基板１′を、パターン化遮光性層３′
の中心を通って透光性基板１′の主面２′と直交する軸
を中心として、例えば毎分５０回の速度で、回転させる
。

次に、第１図Ｅで上述したと同様に、感光性層６に対し
現像処理を施すことによって、感光性層６から、第２図
へに示すように、パターン化遮光性層３′に対応してい
るパターンを有するパターン化感光性層６′を形成する
。この場合、パターン化感光性層６′は、上方からみて
、パターン化遮光性層３′の全外側面上を通って透光性
基板１′上に延長し、従って、パターン化遮光性Ｂ３′
を内包して、透光性基板１′上に延長している。

次に、第１図Ｇで上述したと同様に、透光性ＦＩ５に対
してパターン化感光性層６′をマスクとするエツチング
処理を加重ことによって、第２図Ｂに示すように、透光
性層５から、第２のパターン化層４を形成する。この場
合、第２のパターン化層４は、パターン化感光性層６′
が、上方からみて、パターン化遮光性ＥｉＪ３’　を内
包して透光性基板１′上に延長しているので、パターン
化遮光性層３′を内包して透光性基板１′上に延長して
いる。

次に、第１図Ｈで上述したと同様に、第２のパターン化
層４上から、第２図Ｃに示すように、パターン化感光性
層６′を除去する。

以上が、本発明による多層体形成法の第２の実施例であ
る。

このような本発明による多層体形成法によっても、詳ｍ
説明は省略するが、第１図で上述した本発明による多層
体形成法の第１の実施例と同様の作用効果が１ｑられる
。

なお、上述においては、本発明による多層体形成法の僅
かな実施例を示したに過ぎず、例えば、第１のパターン
化層３を、パターン化電極層として形成する場合、その
第１のパターン化層３を、透光性を有する層（例えばＩ
ＴＯでなる）と遮光性を右する貿（例えばＭ。でなる）
との積層体でなるパターン化遮光性層で、形成１ｙるこ
ともできる。

また、上述においては、第１のパターン化層を、パター
ン化層上４ｆｆとして形成し、また、第２のパターン化
層をパターン化半導体層として形成する場合につき述べ
たが、第１及び第２のパターン化層を神々の用途に応じ
パターン化電極層及びパターン化半導体層以外のパター
ン化層として形成する場合にも、本発明を適用し得るこ
とは明らかであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による多層体形成法の第１の実施例を
示す順次の■程における路線的断面図である。 第２図は、本発明による多層体形成法の第２の実施例を
示す順次の工程における路線的断面図である。 １　・・・・・・・・・・・・・・・基板１′・・・・
・・・・・・・・・・・透光性基板２．２′・・・・・
・・・・主面 ３　・・・・・・・・・・・・・・・第１のパターン化
層３′・・・・・・・・・・・・・・・パターン化遮光
性層４　・・・・・・・・・・・・・・・第２のパター
ン化層５　・・・・・・・・・・・・・・・パターン化
されることによって第２のパターン化層に なる層 ５′・・・・・・・・・・・・・・・透光性層６　・・
・・・・・・・・・・・・・感光性層６′・・・・・・
・・・・・・・・・パターン化感光性層７　・・・・・
・・・・・・・・・・先出願人　　日本電信電話株式会
社 第１　図 笛１　−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　基板上に形成された第１のパターン化層と、その第１
   のパターン化層上に上記基板上に延長して形成された第
   ２のパターン化層とを有する多層体を形成するにつき、 上記基板として、ポジ型感光性樹脂でなる感光性層が感
   光する波長を有する光に対して高い透過率を有する透光
   性基板を用い、 上記透光性基板の第１の主面上に、第１のパターン化層
   を、上記光に対して低い透過率を有するパターン化遮光
   性層で、形成し、 次に、上記透光性基板の第１の主面上に、パターン化さ
   れることによつて上記第２のパターン化層になる層を、
   上記光に対して高い透過率を有する透光性層で、上記パ
   ターン化遮光性層を覆って形成し、 次に、上記透光性層上に、上記感光性層を形成し、 次に、上記光を、上記透光性基板に、その上記第１の主
   面と対向する第２の主面側の外部から、その第２の主面
   に対し斜めに入射させるようにして、上記光を、上記感
   光性層に、上記透光性基板を通じ且つ上記パターン化遮
   光性層をマスクとして、露光させ、 次に、上記感光性層に対し、現像処理を施すことによっ
   て、上記感光性層から、上記遮光性層に対応したパター
   ンを有するパターン化感光性層を形成し、 次に、上記透光性層に対し、上記パターン化感光性層を
   マスクとするエッチング処理を施すことによって、上記
   透光性層から、上記第２のパターン化層を形成すること
   を特徴とする多層体形成法。