JPH01173930U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01173930U JPH01173930U JP6898188U JP6898188U JPH01173930U JP H01173930 U JPH01173930 U JP H01173930U JP 6898188 U JP6898188 U JP 6898188U JP 6898188 U JP6898188 U JP 6898188U JP H01173930 U JPH01173930 U JP H01173930U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- furnace
- wafer heat
- furnace body
- heat treatment
- Prior art date
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
Description
第１図はこの考案の一実施例を示す断面側面図
、第２図は従来装置を示す断面側面図である。 図において、１は反応炉、２はガス導入口、３
は炉口、４はヒータ、５は半導体ウエハ、６は治
具、７はパージ用ガス吹出部、８はパージ用ガス
吸入部、１１は遮へい板、１２は支え棒である。
なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示
す。
、第２図は従来装置を示す断面側面図である。 図において、１は反応炉、２はガス導入口、３
は炉口、４はヒータ、５は半導体ウエハ、６は治
具、７はパージ用ガス吹出部、８はパージ用ガス
吸入部、１１は遮へい板、１２は支え棒である。
なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示
す。
Claims (1)
- 半導体ウエハを出入れする炉口部を有する炉本
体と、前記炉本体の内部を一定温度に保つための
ヒータ部と、前記炉本体の内部にガスを導入する
ためのガス導入部を備えた半導体ウエハ熱処理装
置において、前記炉口部近傍を移動できる遮へい
板と、前記炉口部近傍にガス吹出部とガス吸入部
とを、前記ガス吹き出し部から前記ガス吸入部に
向けてガス流が形成されるように設けたことを特
徴とする半導体ウエハ熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6898188U JPH01173930U (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6898188U JPH01173930U (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173930U true JPH01173930U (ja) | 1989-12-11 |
Family
ID=31294273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6898188U Pending JPH01173930U (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01173930U (ja) |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP6898188U patent/JPH01173930U/ja active Pending
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