JPH01177719A - 周波数標準器 - Google Patents
周波数標準器Info
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- JPH01177719A JPH01177719A JP199588A JP199588A JPH01177719A JP H01177719 A JPH01177719 A JP H01177719A JP 199588 A JP199588 A JP 199588A JP 199588 A JP199588 A JP 199588A JP H01177719 A JPH01177719 A JP H01177719A
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- frequency
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- absorption cell
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- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、標準物質の超微細スペクトル遷移を利用し
た周波数標準器に関し、特に構成が簡単な周波数標準器
に関するものである。
た周波数標準器に関し、特に構成が簡単な周波数標準器
に関するものである。
〈従来技術〉
高安定な周波数出力を発生する周波数標準器として原子
の超微細スペクトル遷移を利用したものが知られている
。第4図にこの様な周波数標準器の一例を示す、第4図
において、ルビジウムランプ1の光はRb87が封入さ
れている共鳴セル2に照射される。この共鳴セル2の透
過光は光検出器3で検出され、その検出出力は信号増幅
器4で増幅されて同期検波器5に入力される。一方、電
圧制御水晶発振器6の出力は周波数合成器7に入力され
その周波数が逓倍される。また低周波発振器8の出力に
より位相変調される0周波数合成器7の出力はバラクタ
ダイオード9を介して共鳴セル2を取囲む空胴共振器1
0に入力され、共鳴セル2に電磁波が照射される。同期
検波器5は低周波発振器8の出力で動作され、その出力
は積分器11で積分されて電圧制御水晶発振器6に入力
される。この電圧制御水晶発振器6の出力は周波数標準
出力として取出される。ルビジウムランプ1は駆動部1
2で駆動される。 。
の超微細スペクトル遷移を利用したものが知られている
。第4図にこの様な周波数標準器の一例を示す、第4図
において、ルビジウムランプ1の光はRb87が封入さ
れている共鳴セル2に照射される。この共鳴セル2の透
過光は光検出器3で検出され、その検出出力は信号増幅
器4で増幅されて同期検波器5に入力される。一方、電
圧制御水晶発振器6の出力は周波数合成器7に入力され
その周波数が逓倍される。また低周波発振器8の出力に
より位相変調される0周波数合成器7の出力はバラクタ
ダイオード9を介して共鳴セル2を取囲む空胴共振器1
0に入力され、共鳴セル2に電磁波が照射される。同期
検波器5は低周波発振器8の出力で動作され、その出力
は積分器11で積分されて電圧制御水晶発振器6に入力
される。この電圧制御水晶発振器6の出力は周波数標準
出力として取出される。ルビジウムランプ1は駆動部1
2で駆動される。 。
次にこの周波数標準器の動作を第5図に基づいて説明す
る。第5図はRb87のエネルギー単位であり、その基
底状fi5sはF=1とF=2の2つの超微細単位に分
かれている。ルビジウムランプ1の光を吸収すると、R
b87はF−1の単位から5Pの励起単位に励起され、
そこから等確率でF=1とF=2の単位におちる。F=
1の単位におちたRb87はルビジウムランプ1の光に
より再度励起準位5Pに励起される。この様にしてF=
1の単位にあるRb87は次第に少なくなりF=2の単
位にあるRb87が増加する。この様な状態において、
空胴共振器10にF=1とF=2のエネルギー差である
6、8GHzの電磁波を与えると、F=2の単位にあっ
たvt b 87は誘導放出によりF=1の単位に落ち
、共鳴セル2による吸収が強くなる。共鳴セル2の透過
光を光検出器3で検出し、この透過光の強度が最小すな
わち吸収光が最大になるように電圧制御水晶発振器6を
制御すると、この電圧制御水晶発振器6の出力周波数は
Rb87の超微細単位で規制されるので高安定になる。
る。第5図はRb87のエネルギー単位であり、その基
底状fi5sはF=1とF=2の2つの超微細単位に分
かれている。ルビジウムランプ1の光を吸収すると、R
b87はF−1の単位から5Pの励起単位に励起され、
そこから等確率でF=1とF=2の単位におちる。F=
1の単位におちたRb87はルビジウムランプ1の光に
より再度励起準位5Pに励起される。この様にしてF=
1の単位にあるRb87は次第に少なくなりF=2の単
位にあるRb87が増加する。この様な状態において、
空胴共振器10にF=1とF=2のエネルギー差である
6、8GHzの電磁波を与えると、F=2の単位にあっ
たvt b 87は誘導放出によりF=1の単位に落ち
、共鳴セル2による吸収が強くなる。共鳴セル2の透過
光を光検出器3で検出し、この透過光の強度が最小すな
わち吸収光が最大になるように電圧制御水晶発振器6を
制御すると、この電圧制御水晶発振器6の出力周波数は
Rb87の超微細単位で規制されるので高安定になる。
なお、周波数合成器7における逓倍率を例えば約136
0とし、5MHzの周波数が得られるようにする。
0とし、5MHzの周波数が得られるようにする。
第6図に他の周波数標準器の構成を示す、この例は光源
として半導体レーザな用いたものである。
として半導体レーザな用いたものである。
第6図において、半導体レーザ13の出力光はハーフミ
ラ−14で2つに分けられ、それぞれRb87共鳴セル
15およびRb87吸収セル16に入射される。Rb8
7吸収セル16の透過光は光検出器17で検出され、そ
の検出出力多よ周波数制御手段18に入力される0周波
数制御手段18は半導体レーザ13の出力光の周波数が
Rb87の吸収線と一致するようにその周波数を制御す
る。Rb87共鳴セル15の透過光は光検出器19で検
出され周波数制御手段20に入力される0周波数制御手
段20は光検出器19が検出する光の強度が最小になる
ように水晶発振器21の出力周波数を制御する。水晶発
振器21の出力1よ標準周波数として取出されると共に
周波数逓倍手段22でその周波数が逓倍され、Rb87
共鳴セル15を取囲む空胴共振器23に入力される。動
作原理は第4図と同じなので説明を省略する。
ラ−14で2つに分けられ、それぞれRb87共鳴セル
15およびRb87吸収セル16に入射される。Rb8
7吸収セル16の透過光は光検出器17で検出され、そ
の検出出力多よ周波数制御手段18に入力される0周波
数制御手段18は半導体レーザ13の出力光の周波数が
Rb87の吸収線と一致するようにその周波数を制御す
る。Rb87共鳴セル15の透過光は光検出器19で検
出され周波数制御手段20に入力される0周波数制御手
段20は光検出器19が検出する光の強度が最小になる
ように水晶発振器21の出力周波数を制御する。水晶発
振器21の出力1よ標準周波数として取出されると共に
周波数逓倍手段22でその周波数が逓倍され、Rb87
共鳴セル15を取囲む空胴共振器23に入力される。動
作原理は第4図と同じなので説明を省略する。
〈発明が解決すべき問題点〉
しかしながら、この様な周波数標準器には次のような問
題点がある。第4図の周波数標準器はルビジウムランプ
1を励起するために大きなパワーが必要であり、またラ
ンプの寿命が短いという欠点があった。さらに、ルビジ
ウムランプ1の出力光のスペクトル幅が広いので、短期
安定性、周波数確度の点で第6図のレーザ励起方式に比
べて劣るという欠点があった。
題点がある。第4図の周波数標準器はルビジウムランプ
1を励起するために大きなパワーが必要であり、またラ
ンプの寿命が短いという欠点があった。さらに、ルビジ
ウムランプ1の出力光のスペクトル幅が広いので、短期
安定性、周波数確度の点で第6図のレーザ励起方式に比
べて劣るという欠点があった。
第6図の周波数標準器は光源として半導体レーザを用い
ているので寿命が長・く、また半導体レーザの出力光の
スペクトル幅は狭いので短期安定性、周波数確度共優れ
ている。しかしながらRb87のセルを2つ必要とする
ので、構成が複雑になり、また装置が大きくなるという
欠点があった。
ているので寿命が長・く、また半導体レーザの出力光の
スペクトル幅は狭いので短期安定性、周波数確度共優れ
ている。しかしながらRb87のセルを2つ必要とする
ので、構成が複雑になり、また装置が大きくなるという
欠点があった。
〈発明の目的〉
この発明の目的は、小型化が可能な周波数標準器を提供
することにある。
することにある。
く問題点を解決するための手段〉
前記問題点を解決するために本発明では、所定の周波数
の光を特定の吸収スペクトルを有する標準物質を封入し
た吸収セルに照射し、またこの吸収セルに電磁波を与え
てこの標準物質に超微細スペクトル遷移を生じさせ、こ
の超微細スペクトル遷移に基づいて標準周波数を発生さ
せる周波数標準器において、半導体レーザの出力光を第
1の変調手段によって第1の周波数で変調し、この半導
体レーザの出力光を内部に特定の吸収スペクトルを有す
る標準物質を封入した吸収セルに照射する。
の光を特定の吸収スペクトルを有する標準物質を封入し
た吸収セルに照射し、またこの吸収セルに電磁波を与え
てこの標準物質に超微細スペクトル遷移を生じさせ、こ
の超微細スペクトル遷移に基づいて標準周波数を発生さ
せる周波数標準器において、半導体レーザの出力光を第
1の変調手段によって第1の周波数で変調し、この半導
体レーザの出力光を内部に特定の吸収スペクトルを有す
る標準物質を封入した吸収セルに照射する。
この吸収セルには電磁波発生手段により電磁波を与える
。この電磁波は発振器の出力を第2の変調手段により第
1の周波数とは異なる第2の周波数で変調し、この変調
した出力を逓倍して作る。また前記吸収セルの透過光強
度を光検出器で検出し、この光検出器の出力を第1のロ
ックインアンプで前記第1の周波数に関連する周波数で
同期検波し、その出力に基づいて前記半導体レーザの出
力光の周波数を周波数安定化手段で安定化し、また前記
光検出器の出力を第2のロックインアンプで前記第2の
周波数に関連する周波数で同期検波し、この出力に基づ
いて前記発振器の出力周波数を周波数制御手段で制御す
るようにしたものである。
。この電磁波は発振器の出力を第2の変調手段により第
1の周波数とは異なる第2の周波数で変調し、この変調
した出力を逓倍して作る。また前記吸収セルの透過光強
度を光検出器で検出し、この光検出器の出力を第1のロ
ックインアンプで前記第1の周波数に関連する周波数で
同期検波し、その出力に基づいて前記半導体レーザの出
力光の周波数を周波数安定化手段で安定化し、また前記
光検出器の出力を第2のロックインアンプで前記第2の
周波数に関連する周波数で同期検波し、この出力に基づ
いて前記発振器の出力周波数を周波数制御手段で制御す
るようにしたものである。
〈実施例〉
第1図に本発明に係る周波数標準器の一実施例を示す、
第1図において、30は半導体レーザであり、その出力
光は吸収セル31に入射される。
第1図において、30は半導体レーザであり、その出力
光は吸収セル31に入射される。
吸収セル31には特定の周波数の光を吸収する標準物質
、例えばRb 87が封入されている。32は光検出器
であり、吸収セル31の透過光の強度を電気信号に変換
する。33は前〜買増幅器であり、光検出器32の出力
を増幅する。34は第1のロックインアンプであり、前
置増幅器33の出力が入力される。35はPID制御部
であり、第1のロックインアンプ34の出力が入力され
る。36は加算器であり、発振器37の出力及びPID
iiIJ御部35の出力が入力される。この発振器37
の出力はまた第1のロックインアンプ34に入力される
0発振器37と加算器36で第1の変調手段を構成し、
PID制御部35、加算器36で周波数安定化手段を構
成している。38は第2のロックインアンプであり、前
置増幅器33の出力が入力される。39はPID制御部
であり、第2のロックインアンプ38の出力が入力され
る。40は水晶発振器であり、例えば10MHzの信号
な出力する。この水晶発振器40にはPIDIIJI1
1部39の出力が入力される。41は位相変調器であり
、水晶発振器40の出力が入力される。この位相変調器
41にはまた発振器42の出力が入力される。
、例えばRb 87が封入されている。32は光検出器
であり、吸収セル31の透過光の強度を電気信号に変換
する。33は前〜買増幅器であり、光検出器32の出力
を増幅する。34は第1のロックインアンプであり、前
置増幅器33の出力が入力される。35はPID制御部
であり、第1のロックインアンプ34の出力が入力され
る。36は加算器であり、発振器37の出力及びPID
iiIJ御部35の出力が入力される。この発振器37
の出力はまた第1のロックインアンプ34に入力される
0発振器37と加算器36で第1の変調手段を構成し、
PID制御部35、加算器36で周波数安定化手段を構
成している。38は第2のロックインアンプであり、前
置増幅器33の出力が入力される。39はPID制御部
であり、第2のロックインアンプ38の出力が入力され
る。40は水晶発振器であり、例えば10MHzの信号
な出力する。この水晶発振器40にはPIDIIJI1
1部39の出力が入力される。41は位相変調器であり
、水晶発振器40の出力が入力される。この位相変調器
41にはまた発振器42の出力が入力される。
この発振器42の出力はまた第2のロックインアンプ3
8にも入力される。43は周波数合成器であり、位相変
調器41の出力が入力される。44は空洞共振器であり
、吸収セル31を取り囲むように配置されている。この
空胴共振器44には周波数合成器43の出力が入力され
る9発振器42と位相変調器41で第2の変調手段を、
PID制御部39で周波数安定化手段を、周波数合成器
43と空胴共振器44で電磁波発生手段を構成する。
8にも入力される。43は周波数合成器であり、位相変
調器41の出力が入力される。44は空洞共振器であり
、吸収セル31を取り囲むように配置されている。この
空胴共振器44には周波数合成器43の出力が入力され
る9発振器42と位相変調器41で第2の変調手段を、
PID制御部39で周波数安定化手段を、周波数合成器
43と空胴共振器44で電磁波発生手段を構成する。
次に、この実施例の動作を説明する。加算器36には発
振器37の出力が入力され、この加算器36の出力で半
導体レーザ30の駆動電流が制御されるので、半導体レ
ーザ30の出力光周波数は発振器37の出力周波数であ
る周波数f、1(例えば2kHz>で変調される。この
半導体レーザ30の出力光は吸収セル31に入射されて
Rb87で吸収され、その透過光強度が光検出器32に
より検出される。この光検出器32の出力は第1のロッ
クインアンプ34で周波数f1で同期検波され、半導体
レーザ30の出力光の周波数変化信号のみが分離される
。PID制御部35はこの第1のロックインアンプ34
の出力が一定になるように加算器36を介して半導体レ
ーザ30の駆動電流をi9HM+するので、半導体レー
ザ30の出力周波数は吸収セル31に封入されているR
b 87の基底状態から5Pの励起状態に遷移させる光
周波数になるように制御される。一方、水晶発振器40
の出力は位相変調器41で周波数f、2(例えば150
H2)で変調され、周波数合成器43で6.8GH2に
逓倍されて空胴共振器44に加えられる。空胴共振器4
4は吸収セル31に6.8GHzの電磁波を照射する。
振器37の出力が入力され、この加算器36の出力で半
導体レーザ30の駆動電流が制御されるので、半導体レ
ーザ30の出力光周波数は発振器37の出力周波数であ
る周波数f、1(例えば2kHz>で変調される。この
半導体レーザ30の出力光は吸収セル31に入射されて
Rb87で吸収され、その透過光強度が光検出器32に
より検出される。この光検出器32の出力は第1のロッ
クインアンプ34で周波数f1で同期検波され、半導体
レーザ30の出力光の周波数変化信号のみが分離される
。PID制御部35はこの第1のロックインアンプ34
の出力が一定になるように加算器36を介して半導体レ
ーザ30の駆動電流をi9HM+するので、半導体レー
ザ30の出力周波数は吸収セル31に封入されているR
b 87の基底状態から5Pの励起状態に遷移させる光
周波数になるように制御される。一方、水晶発振器40
の出力は位相変調器41で周波数f、2(例えば150
H2)で変調され、周波数合成器43で6.8GH2に
逓倍されて空胴共振器44に加えられる。空胴共振器4
4は吸収セル31に6.8GHzの電磁波を照射する。
この電磁波の周波数は周波数fn2で変調されている。
第5図で説明したように、基底状態5SのF=2の準位
にあるRb87は誘導放出によりF=1の単位に落ち、
吸収セル31による半導体レーザ30の出力光の吸収が
増加してその透過光強度が減少する。この透過光の強度
は光検出器32で検出されて第2のロックインアンプ3
8(こより周波数f12で同期検波される。従って、第
2のロックインアンプ38の出力には空胴共振器44に
よって吸収セル31に照射される電磁波に起因する透過
光強度の変化分のみが分離されて表われる。PID制御
部39は第2のロックインアンプ38の出力が最小、す
なわち空胴共振器44によって吸収セル31に照射され
る電磁波によるF=2からF=1への誘導放出が最大に
なるように水晶発振器40の出力周波数を制御する。
にあるRb87は誘導放出によりF=1の単位に落ち、
吸収セル31による半導体レーザ30の出力光の吸収が
増加してその透過光強度が減少する。この透過光の強度
は光検出器32で検出されて第2のロックインアンプ3
8(こより周波数f12で同期検波される。従って、第
2のロックインアンプ38の出力には空胴共振器44に
よって吸収セル31に照射される電磁波に起因する透過
光強度の変化分のみが分離されて表われる。PID制御
部39は第2のロックインアンプ38の出力が最小、す
なわち空胴共振器44によって吸収セル31に照射され
る電磁波によるF=2からF=1への誘導放出が最大に
なるように水晶発振器40の出力周波数を制御する。
すなわち、水晶発振器40の出力周波数はRb87のF
=2からF=1の単位のエネルギー差によってロックさ
れるので高安定になる。この実施例では周波数で1とf
1□を異ならせることにより、水晶発振器40の出力周
波数の変化と半導体レーザ30の出力光の周波数変化の
2つの情報を分離するようにしたものである。
=2からF=1の単位のエネルギー差によってロックさ
れるので高安定になる。この実施例では周波数で1とf
1□を異ならせることにより、水晶発振器40の出力周
波数の変化と半導体レーザ30の出力光の周波数変化の
2つの情報を分離するようにしたものである。
第2図に他の実施例を示す、なお、第1図と同じ要素に
は同一符号を付し、説明を省略する。この実施例は半導
体レーザの出力光の周波数を変調する手段として音響光
学変調器を用いたものである。第2図において、45は
音響光学変調器であり、半導体レーザ30の出力光が入
射され、その出力光は吸収セル31に入射される。46
は発振器であり、周波数f、の信号を発振する。この信
号はスイッチ47を介して音響光学変調器45に印加さ
れる。スイッチ47は発振器37の出力によって駆動さ
れる。音響光学変調器45はスイッチ47がオンしてい
るときのみ半導体レーザ30の出力光の周波数をf。た
けシフトする。従って、半導体レーザ30の出力光の周
波数は周波数f、1で変調される。動作は第1図と同じ
なので、説明を省略する。このようにすると、半導体レ
ーザ30の出力光の周波数は変調されないので、光周波
数標準として用いる事も出来る。また、音響光学変調器
45の代わりに導波路型位相変調器やバルク型電気光学
素子を用いた位相変調器を用いてもよい、これには例え
ば縦型変調器、横型変調器、進行波形変調器等がある。
は同一符号を付し、説明を省略する。この実施例は半導
体レーザの出力光の周波数を変調する手段として音響光
学変調器を用いたものである。第2図において、45は
音響光学変調器であり、半導体レーザ30の出力光が入
射され、その出力光は吸収セル31に入射される。46
は発振器であり、周波数f、の信号を発振する。この信
号はスイッチ47を介して音響光学変調器45に印加さ
れる。スイッチ47は発振器37の出力によって駆動さ
れる。音響光学変調器45はスイッチ47がオンしてい
るときのみ半導体レーザ30の出力光の周波数をf。た
けシフトする。従って、半導体レーザ30の出力光の周
波数は周波数f、1で変調される。動作は第1図と同じ
なので、説明を省略する。このようにすると、半導体レ
ーザ30の出力光の周波数は変調されないので、光周波
数標準として用いる事も出来る。また、音響光学変調器
45の代わりに導波路型位相変調器やバルク型電気光学
素子を用いた位相変調器を用いてもよい、これには例え
ば縦型変調器、横型変調器、進行波形変調器等がある。
なお、この実施例ではF=2とF=1の単位の誘導放出
を利用したが、電磁波の吸収による光−マイクロ波2重
共鳴信号を用いるようにしてもよい、これを第3図を用
いて説明する。基底状態5SのF=2の単位のRb87
は半導体レーザ30の出力光を吸収して5Pの励起状態
に遷移し、等確率で58のF=1とF=2の準位に落ち
る。ここで電磁波を吸収セル31に照射してF=1の準
位からF=2の単位に遷移させるようにする。構成は第
1図及び第2図と同じなので、詳細説明は省−路する。
を利用したが、電磁波の吸収による光−マイクロ波2重
共鳴信号を用いるようにしてもよい、これを第3図を用
いて説明する。基底状態5SのF=2の単位のRb87
は半導体レーザ30の出力光を吸収して5Pの励起状態
に遷移し、等確率で58のF=1とF=2の準位に落ち
る。ここで電磁波を吸収セル31に照射してF=1の準
位からF=2の単位に遷移させるようにする。構成は第
1図及び第2図と同じなので、詳細説明は省−路する。
また、この実施例では吸収セル31に封入する物質とし
てRb87を用いたが、このほかRb 85、c 51
33を用いてもよい、Rb85の場合は照射する電磁波
は3GH2,C5133の場合は9.2GHzになる。
てRb87を用いたが、このほかRb 85、c 51
33を用いてもよい、Rb85の場合は照射する電磁波
は3GH2,C5133の場合は9.2GHzになる。
また、電磁波を吸収セルに照射する手段として、空胴共
振器の他に一般のアンテナ等電磁波が出力出来るもので
あれば任意のものが使用出来る。
振器の他に一般のアンテナ等電磁波が出力出来るもので
あれば任意のものが使用出来る。
また、半導体レーザの出力光の周波数を変化させる手段
としてその温度を制御するようにしてもよい。
としてその温度を制御するようにしてもよい。
さらに、第1のロックインアンプ34、第2のロックイ
ンアンプ38に発振器37.42の出力である周波数f
f の信号を入力するようにIll・ m2 したが、その整数倍の周波数を用いるようにしてもよい
。
ンアンプ38に発振器37.42の出力である周波数f
f の信号を入力するようにIll・ m2 したが、その整数倍の周波数を用いるようにしてもよい
。
〈発明の効果〉
以上実施例に基づいて具体的に説明したように、この発
明では吸収セルを1つとして、半導体レーザの出力光及
び吸収セルに照射する電磁波を異なる周波数で変調して
分離するようにした。その為、光源を半導体レーザとし
た事により、ルビジウムランプを使用するものに比べて
スペクトル幅が狭くなるので短期安定性、周波数確度が
向上し、また寿命を長くする事が出来る。また1つの吸
収セルを用い、電磁波を吸収セルに照射して、電磁波及
び半導体レーザの出力光の周波数を異なる周波数で変調
してこれらの信号を分離するようにした為、大幅に小型
化、簡略化が可能になる。
明では吸収セルを1つとして、半導体レーザの出力光及
び吸収セルに照射する電磁波を異なる周波数で変調して
分離するようにした。その為、光源を半導体レーザとし
た事により、ルビジウムランプを使用するものに比べて
スペクトル幅が狭くなるので短期安定性、周波数確度が
向上し、また寿命を長くする事が出来る。また1つの吸
収セルを用い、電磁波を吸収セルに照射して、電磁波及
び半導体レーザの出力光の周波数を異なる周波数で変調
してこれらの信号を分離するようにした為、大幅に小型
化、簡略化が可能になる。
まな、吸収セルに照射する光の周波数が変化すると共鳴
周波数がシフトして周波数確度が若干低下するという欠
点はあるが、吸収セルを1つにすることが出来るので大
幅に小型化、簡略化が可能になり、特に2次標準器とし
て用いると効果が大きいという特徴がある。
周波数がシフトして周波数確度が若干低下するという欠
点はあるが、吸収セルを1つにすることが出来るので大
幅に小型化、簡略化が可能になり、特に2次標準器とし
て用いると効果が大きいという特徴がある。
第1図は本発明に係る周波数標準器の一実施例を示すブ
ロック図、第2図は他の実施例を示すブロック図、第3
図及び第5図は吸収特性を示す特性曲線図、第4図、第
6図は従来の周波数標準器の構成を示すブロック図であ
る。 30・・・半導体レーザ、31・・・吸収セル、32・
・・光検出器、34・・・第1のロックインアンプ、3
5゜39・・・PID制御部、36・・・加算器、37
,42゜46・・・発振器、38・・・第2のロックイ
ンアンプ、40・・・水晶発振器、41・・・位相変調
器、43・・・周波数合成器、44・・・空胴共振器、
45・・・音響光学変調器、47・・・スイッチ。 第3図 第41!l
ロック図、第2図は他の実施例を示すブロック図、第3
図及び第5図は吸収特性を示す特性曲線図、第4図、第
6図は従来の周波数標準器の構成を示すブロック図であ
る。 30・・・半導体レーザ、31・・・吸収セル、32・
・・光検出器、34・・・第1のロックインアンプ、3
5゜39・・・PID制御部、36・・・加算器、37
,42゜46・・・発振器、38・・・第2のロックイ
ンアンプ、40・・・水晶発振器、41・・・位相変調
器、43・・・周波数合成器、44・・・空胴共振器、
45・・・音響光学変調器、47・・・スイッチ。 第3図 第41!l
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所定の周波数の光を特定の吸収スペクトルを有する標準
物質を封入した吸収セルに照射し、またこの吸収セルに
電磁波を与えて前記標準物質の超微細スペクトル遷移を
生じさせ、この超微細スペクトル遷移に基づいて標準周
波数を発生させる周波数標準器において、 半導体レーザと、この半導体レーザの出力光を第1の周
波数で変調する第1の変調手段と、前記半導体レーザの
出力光が照射されその内部に特定の吸収スペクトルを有
する標準物質を封入した吸収セルと、この吸収セルの透
過光を検出する光検出器と、発振器と、この発振器の出
力を第2の周波数で変調する第2の変調手段と、この第
2の変調手段の出力を逓倍して前記吸収セルに電磁波を
与える電磁波発生手段と、前記光検出器の出力を前記第
1の周波数に関連する周波数で同期検波する第1のロッ
クインアンプと、この第1のロックインアンプの出力に
基づいて前記半導体レーザの出力光の周波数を安定化す
る周波数安定化手段と、前記光検出器の出力を前記第2
の周波数に関連する周波数で同期検波する第2のロック
インアンプと、この第2のロックインアンプの出力に基
づいて前記発振器の出力周波数を制御する周波数制御手
段とを有し、前記第1及び第2の周波数を異ならしめる
ようにした事を特徴とする周波数標準器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63001995A JP2555660B2 (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 周波数標準器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63001995A JP2555660B2 (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 周波数標準器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01177719A true JPH01177719A (ja) | 1989-07-14 |
| JP2555660B2 JP2555660B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=11517036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63001995A Expired - Lifetime JP2555660B2 (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 周波数標準器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555660B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5077748A (en) * | 1991-04-01 | 1991-12-31 | International Business Machines Corporation | Laser system and method |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60126702A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-06 | Taniguchi Seisakusho:Kk | 自動液温調節器 |
| JPS62171174A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Yokogawa Electric Corp | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
| JPS6383300A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-13 | Toshiba Corp | 情報記録デイスク用スタンパの製造装置 |
| JPS6412620A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Yokogawa Electric Corp | Frequency standard instrument |
| JPH02122067U (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-04 |
-
1988
- 1988-01-08 JP JP63001995A patent/JP2555660B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60126702A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-06 | Taniguchi Seisakusho:Kk | 自動液温調節器 |
| JPS62171174A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Yokogawa Electric Corp | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
| JPS6383300A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-13 | Toshiba Corp | 情報記録デイスク用スタンパの製造装置 |
| JPS6412620A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Yokogawa Electric Corp | Frequency standard instrument |
| JPH02122067U (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-04 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5077748A (en) * | 1991-04-01 | 1991-12-31 | International Business Machines Corporation | Laser system and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2555660B2 (ja) | 1996-11-20 |
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