JPS6383300A - 情報記録デイスク用スタンパの製造装置 - Google Patents
情報記録デイスク用スタンパの製造装置Info
- Publication number
- JPS6383300A JPS6383300A JP22728186A JP22728186A JPS6383300A JP S6383300 A JPS6383300 A JP S6383300A JP 22728186 A JP22728186 A JP 22728186A JP 22728186 A JP22728186 A JP 22728186A JP S6383300 A JPS6383300 A JP S6383300A
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- Japan
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- plating
- plating solution
- tank
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はビデオディスク、デジタルオーディオディスク
、ドキュメントファイルディスク等の情報記録ディスク
を複製するために用いられるスタンパの製造装置の改良
に関する。
、ドキュメントファイルディスク等の情報記録ディスク
を複製するために用いられるスタンパの製造装置の改良
に関する。
（従来の技術）
一般に、ビデオディスク、デジタルオーディオディスク
、ドキュメントファイルディスク等の情報記録ディスク
は以下のような方法により製造されている。
、ドキュメントファイルディスク等の情報記録ディスク
は以下のような方法により製造されている。
まず、ガラス等の基板に感光性樹脂を塗布し、光学的エ
ツチング処理を施し、所望の微細パターンを形成して原
盤を作製する。この原盤表面に、銀鏡反応、無電解Ｎｉ
めつき、蒸着、スパッタ等の方法により金属薄膜を設け
る。次に、原盤をＮｉ電気めっきにより所望の厚さまで
肉盛した後、これを原盤から剥離してＮｉ膜のマスター
を作製する。このマスター表面に付着している感光性樹
脂を洗い流した後、マスター表面を重クロム酸カリウム
の水溶液中で処理する。更に、マスターをＮｉ電気めっ
きにより所望の厚さまで肉盛した後、これをマスターか
ら剥離してマザーを作製する。
ツチング処理を施し、所望の微細パターンを形成して原
盤を作製する。この原盤表面に、銀鏡反応、無電解Ｎｉ
めつき、蒸着、スパッタ等の方法により金属薄膜を設け
る。次に、原盤をＮｉ電気めっきにより所望の厚さまで
肉盛した後、これを原盤から剥離してＮｉ膜のマスター
を作製する。このマスター表面に付着している感光性樹
脂を洗い流した後、マスター表面を重クロム酸カリウム
の水溶液中で処理する。更に、マスターをＮｉ電気めっ
きにより所望の厚さまで肉盛した後、これをマスターか
ら剥離してマザーを作製する。
このマザー表面を重クロム酸カリウムの水溶液中で処理
する。次いで、マザーをＮｉ電気めっきにより所望の厚
さまで肉盛した後、これをマザーから剥離してスタンパ
を作製する。
する。次いで、マザーをＮｉ電気めっきにより所望の厚
さまで肉盛した後、これをマザーから剥離してスタンパ
を作製する。
上記のようにして得られたスタンパを用いて、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル共重合体を圧縮成形したり、アクリル樹
脂やポリカーボネート樹脂を射出成形する。更に、反射
用の金属膜を形成した後、保護膜を形成するなどして情
報記録ディスクを製造する。
ル−酢酸ビニル共重合体を圧縮成形したり、アクリル樹
脂やポリカーボネート樹脂を射出成形する。更に、反射
用の金属膜を形成した後、保護膜を形成するなどして情
報記録ディスクを製造する。
ところで、上記のＮｉめつき工程で溶解アノードを用い
た場合、アノードからの不純物、スラッジがカソード表
面に付着し、その結果としてスタンパ表面の信号を損傷
させ、特にスタンパ自体の信号特性に影響を及ぼすとい
う問題があった。
た場合、アノードからの不純物、スラッジがカソード表
面に付着し、その結果としてスタンパ表面の信号を損傷
させ、特にスタンパ自体の信号特性に影響を及ぼすとい
う問題があった。
この問題はアノードとして不溶解アノードを使用すれば
解決することができる（例えば特開昭５８−１５７９８
４号）。しかし、不溶解アノードを使用した場合、カソ
ード表面に析出するＮｉはめつき液からのみ供給される
ため、長時間めっきを続けると、めっき液中のＮｉｌｌ
ｉ度が減少してしまう。このようにＮｉ濃度が減少する
と、カソード表面での水素の放電量が増加し、Ｎｉの放
電量が減少してカソード効率が低下する。このため、め
っき時間が増大して定時間内でのスタンパ製造ができな
くなる。また、析出したＮｉ皮膜中に水素ガスが共析し
たり、スタンパ表面に水素ガスの泡が付着してガスピッ
トが発生する。
解決することができる（例えば特開昭５８−１５７９８
４号）。しかし、不溶解アノードを使用した場合、カソ
ード表面に析出するＮｉはめつき液からのみ供給される
ため、長時間めっきを続けると、めっき液中のＮｉｌｌ
ｉ度が減少してしまう。このようにＮｉ濃度が減少する
と、カソード表面での水素の放電量が増加し、Ｎｉの放
電量が減少してカソード効率が低下する。このため、め
っき時間が増大して定時間内でのスタンパ製造ができな
くなる。また、析出したＮｉ皮膜中に水素ガスが共析し
たり、スタンパ表面に水素ガスの泡が付着してガスピッ
トが発生する。
したがって、これらの問題を解決し同一条件下でＮｉめ
っきを行なうためには、作業を一旦中止しめっき液をサ
ンプリングしてＮｉ１濃度を測定し、適当な量のめっき
液を補給しなければならず、作業能率を低下させる原因
となっていた。
っきを行なうためには、作業を一旦中止しめっき液をサ
ンプリングしてＮｉ１濃度を測定し、適当な量のめっき
液を補給しなければならず、作業能率を低下させる原因
となっていた。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、Ｎｉめっき液のＮｉ濃度の測定及びめっき液の補給
を自動的に行なうことかでき、作業能率を低下させるこ
となくほぼ同一の条件でめっきを継続することができ、
信号特性等の劣化しない情報記録ディスク用スタンパを
連続的に製造し得る装置を提供することを目的とする。
り、Ｎｉめっき液のＮｉ濃度の測定及びめっき液の補給
を自動的に行なうことかでき、作業能率を低下させるこ
となくほぼ同一の条件でめっきを継続することができ、
信号特性等の劣化しない情報記録ディスク用スタンパを
連続的に製造し得る装置を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明の情報記録ディスク用スタンパの製造装置は、Ｎ
ｉめつき液を収容するめつき槽と、めっき液中のＮｉ濃
度を検出する吸光光度計と、該吸光光度計に前記めっき
槽中のＮｉめっき液を所定量供給する手段と、前記めっ
き槽にＮｉめっき液を補給する手段と、前記吸光光度計
の検出信号に応じて前記Ｎｉめっき液補給手段の駆動信
号を出力する演算制御器とを具備したことを特徴とする
ものである。
ｉめつき液を収容するめつき槽と、めっき液中のＮｉ濃
度を検出する吸光光度計と、該吸光光度計に前記めっき
槽中のＮｉめっき液を所定量供給する手段と、前記めっ
き槽にＮｉめっき液を補給する手段と、前記吸光光度計
の検出信号に応じて前記Ｎｉめっき液補給手段の駆動信
号を出力する演算制御器とを具備したことを特徴とする
ものである。
本発明において、演算制御器としては、汎用コンピュー
タ、マイクロコンピュータ、デジタル論理回路等で構成
されるものが挙げられる。
タ、マイクロコンピュータ、デジタル論理回路等で構成
されるものが挙げられる。
（作用）
上記のような情報記録ディスク用スタンパの製造装置に
よれば、めっき中に常時Ｎｉめつき液中のＮｉ′ａ度を
測定し、Ｎｉ濃度が設定値以下になった場合には直ちに
Ｎｉめっき液を補給することができるので、Ｎｉ濃度の
低下による製造時間の増大等の問題を生ずることなく、
良好なスタンパを製造することができる。
よれば、めっき中に常時Ｎｉめつき液中のＮｉ′ａ度を
測定し、Ｎｉ濃度が設定値以下になった場合には直ちに
Ｎｉめっき液を補給することができるので、Ｎｉ濃度の
低下による製造時間の増大等の問題を生ずることなく、
良好なスタンパを製造することができる。
＝５−
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明に係る情報記録ディスク用スタンパの製
造装置の構成図である。第１図において、めっき槽１に
はＮｉめっき液２が収容され、アノード（例えば不溶解
性の白金電極）３及びカソード（例えばマザー）４が浸
漬される。これらアノード３とカソード４とは図示しな
い電源に接続され、両者の間に直流電圧が印加される。
造装置の構成図である。第１図において、めっき槽１に
はＮｉめっき液２が収容され、アノード（例えば不溶解
性の白金電極）３及びカソード（例えばマザー）４が浸
漬される。これらアノード３とカソード４とは図示しな
い電源に接続され、両者の間に直流電圧が印加される。
また、予備槽５にもＮｉめっき液２が収容されており、
このＮｉめっき液２は循環ポンプ６によりくみあげられ
、熱交換器７で所定温度に調整され、供給配管８を通っ
て前記めっき槽１へ供給される。そして、めっき槽１で
オーバーフローしたＮｉめっき液２はオーバーフロー配
管９を通って予備槽５へ戻される。更に、補給槽１０に
もＮｉめっぎ液２が収容され、このＮｉめっき液２は後
記する演算制御器１８の信号により駆動する補給ポンプ
１１によってくみあげられ、補給配管１２を通って前記
予備槽５へ供給される。なお、補給槽１０内のＮｉめっ
き液２の濃度は、めつき槽１及び予備槽５内のＮｉめつ
き液２の濃度よりも高濃度に設定されている。
このＮｉめっき液２は循環ポンプ６によりくみあげられ
、熱交換器７で所定温度に調整され、供給配管８を通っ
て前記めっき槽１へ供給される。そして、めっき槽１で
オーバーフローしたＮｉめっき液２はオーバーフロー配
管９を通って予備槽５へ戻される。更に、補給槽１０に
もＮｉめっぎ液２が収容され、このＮｉめっき液２は後
記する演算制御器１８の信号により駆動する補給ポンプ
１１によってくみあげられ、補給配管１２を通って前記
予備槽５へ供給される。なお、補給槽１０内のＮｉめっ
き液２の濃度は、めつき槽１及び予備槽５内のＮｉめつ
き液２の濃度よりも高濃度に設定されている。
前記めっき槽１内のＮｉめっき液２は測定用ポンプ１３
によりくみあげられ、測定用配管１４を通って吸光光度
計１５へ供給される。この吸光光度計１５での測定が終
了したＮｉめつき液２は戻り配管１６を通ってめつき槽
１へ戻される。この吸光光度計１５では所定波長でのＮ
ｉめつき液２の吸光度（Ｎｉ？ｇ濃度に対応する）が測
定される。
によりくみあげられ、測定用配管１４を通って吸光光度
計１５へ供給される。この吸光光度計１５での測定が終
了したＮｉめつき液２は戻り配管１６を通ってめつき槽
１へ戻される。この吸光光度計１５では所定波長でのＮ
ｉめつき液２の吸光度（Ｎｉ？ｇ濃度に対応する）が測
定される。
この吸光光度計１５での検出信号はＡ／Ｄ変換器１７を
介して演算制御器１８に入力され、印字装置１９により
Ｎｉ１濃度として記録される。また、演算制御器１８に
おいて吸光光度計１５で測定されたＮｉｍ度と制御のた
めに設定した所定のＮｉ濃度とを比較して、前者が後者
よりも低くなった場合に、演算制御器１８から補給ポン
プ１１へ駆動信号が出力され、補給槽１０から予備槽５
へ高濃度のＮｉめつき液２が補給される。そして、補給
ポンプ１１は一定量の高濃度のＮｉめつき液２が補給さ
れた時点で停止される。なお、補給ポンプ１１は吸光光
度計１５で測定されるＮＨ３度が第２の設定値まで増加
した時点で停止するようにしてもよい。
介して演算制御器１８に入力され、印字装置１９により
Ｎｉ１濃度として記録される。また、演算制御器１８に
おいて吸光光度計１５で測定されたＮｉｍ度と制御のた
めに設定した所定のＮｉ濃度とを比較して、前者が後者
よりも低くなった場合に、演算制御器１８から補給ポン
プ１１へ駆動信号が出力され、補給槽１０から予備槽５
へ高濃度のＮｉめつき液２が補給される。そして、補給
ポンプ１１は一定量の高濃度のＮｉめつき液２が補給さ
れた時点で停止される。なお、補給ポンプ１１は吸光光
度計１５で測定されるＮＨ３度が第２の設定値まで増加
した時点で停止するようにしてもよい。
実際に、第１図図示の装置を用い、以下のような条件で
スタンパの製造を行なった。まず、めつき槽１と予備槽
５内のめっき液及び補給槽１０内の補給用めっき液とし
てそれぞれ以下の組成のものを用意した。
スタンパの製造を行なった。まず、めつき槽１と予備槽
５内のめっき液及び補給槽１０内の補給用めっき液とし
てそれぞれ以下の組成のものを用意した。
めっき液
スルファミン酸Ｎｉ ６００ｑ／り
臭化Ｎｉ ５０／ρ
゛ホウ酸 ４０ｑ／ク
ビツト防止剤 １ｄ、／／１（ナイスター８
０６、上材工業製商品名）補給用めっき液 スルファミンＩ！！Ｎｉ ９００ｇ／ｇスルファミン
酸Ｎｉ水溶液の吸光度分布（８７０〜３００ｎｍ）を第
２図に示す。第２図から明らかなように、７２０ｎｍ及
び３９５ｎｍに吸光ピークが現われている。
０６、上材工業製商品名）補給用めっき液 スルファミンＩ！！Ｎｉ ９００ｇ／ｇスルファミン
酸Ｎｉ水溶液の吸光度分布（８７０〜３００ｎｍ）を第
２図に示す。第２図から明らかなように、７２０ｎｍ及
び３９５ｎｍに吸光ピークが現われている。
また、吸光光度計の光源として、発光ピークが７００ｎ
ｍのＬＥＤ （ＴＬＲｌｏｌ、東芝製商品名）を使用し
た。第３図にスルファミン酸Ｎｉ濃度と波長７００ｎｍ
における吸光度との関係を示す。第３図から明らかなよ
うに、スルファミン酸Ｎｉ濃度と波長７００ｎｍにおけ
る吸光度とは直線的な関係を示す。
ｍのＬＥＤ （ＴＬＲｌｏｌ、東芝製商品名）を使用し
た。第３図にスルファミン酸Ｎｉ濃度と波長７００ｎｍ
における吸光度との関係を示す。第３図から明らかなよ
うに、スルファミン酸Ｎｉ濃度と波長７００ｎｍにおけ
る吸光度とは直線的な関係を示す。
そして、演算制御器１８によりめっき槽１のスルファミ
ン酸Ｎｉ濃度が初期値（６００Ｃ］／１）の９５％以下
の濃度になった場合に、補給ポンプ１１を駆動させて補
給槽１０内のＮｉめつき液が予備槽５に補給されるよう
にプログラムしてめっきを行なった。第４図に経過時間
とスルファミン酸Ｎｉ′ａ度との関係を示す。第４図か
ら明らかなように、めっき液中のスルファミン酸Ｎｉ濃
度を一定の幅で維持管理できることが確認された。
ン酸Ｎｉ濃度が初期値（６００Ｃ］／１）の９５％以下
の濃度になった場合に、補給ポンプ１１を駆動させて補
給槽１０内のＮｉめつき液が予備槽５に補給されるよう
にプログラムしてめっきを行なった。第４図に経過時間
とスルファミン酸Ｎｉ′ａ度との関係を示す。第４図か
ら明らかなように、めっき液中のスルファミン酸Ｎｉ濃
度を一定の幅で維持管理できることが確認された。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明の情報記録ディスり用スタン
バの製造装置によれば、めっき液中のＮｉｓ度を容易に
維持することができ、作業能率を低下させることなく信
号特性等の劣化しない情報記録ディスク用スタンパを連
続的に製造でき、その工業的価値は極めて大である。
バの製造装置によれば、めっき液中のＮｉｓ度を容易に
維持することができ、作業能率を低下させることなく信
号特性等の劣化しない情報記録ディスク用スタンパを連
続的に製造でき、その工業的価値は極めて大である。
第１図は本発明の実施例における情報記録ディスク用ス
タンパの製造装置の構成図、第２図はスルファミン酸Ｎ
ｉ水溶液の吸光度分布図、第３図はスルファミン酸Ｎｉ
８濃度と７００ｎｍにお（ブる吸光度との関係を示す特
性図、第４図は本発明の実施例における情報記録ディス
ク用スタンパの製造装置を使用した場合のめっき液中の
スルファミン酸Ｎｉ濃度の経時変化を示す特性図である
。 １・・・めっき槽、２・・・Ｎｉめっき液、３・・・カ
ソード、４・・・アノード、５・・・予備槽、６・・・
循環ポンプ、７・・・熱交換器、８・・・供給配管、９
・・・オーバーフロー配管、１０・・・補給槽、１１・
・・補給ポンプ、１２・・・補給配管、１３・・・測定
用ポンプ、１４・・・測定用配管、１５・・・吸光光度
計、１６・・・戻り配管、１７・・・Ａ／Ｄ変換器、１
８・・・演算制御器、１９・・・印字装置。
タンパの製造装置の構成図、第２図はスルファミン酸Ｎ
ｉ水溶液の吸光度分布図、第３図はスルファミン酸Ｎｉ
８濃度と７００ｎｍにお（ブる吸光度との関係を示す特
性図、第４図は本発明の実施例における情報記録ディス
ク用スタンパの製造装置を使用した場合のめっき液中の
スルファミン酸Ｎｉ濃度の経時変化を示す特性図である
。 １・・・めっき槽、２・・・Ｎｉめっき液、３・・・カ
ソード、４・・・アノード、５・・・予備槽、６・・・
循環ポンプ、７・・・熱交換器、８・・・供給配管、９
・・・オーバーフロー配管、１０・・・補給槽、１１・
・・補給ポンプ、１２・・・補給配管、１３・・・測定
用ポンプ、１４・・・測定用配管、１５・・・吸光光度
計、１６・・・戻り配管、１７・・・Ａ／Ｄ変換器、１
８・・・演算制御器、１９・・・印字装置。
Claims (1)
- Ｎｉめっき液を収容するめっき槽と、めっき液中のＮｉ
濃度を検出する吸光光度計と、該吸光光度計に前記めつ
き槽中のＮｉめつき液を所定量供給する手段と、前記め
つき槽にＮｉめつき液を補給する手段と、前記吸光光度
計の検出信号に応じて前記Ｎｉめつき液補給手段の駆動
信号を出力する演算制御器とを具備したことを特徴とす
る情報記録ディスク用スタンパの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22728186A JPS6383300A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 情報記録デイスク用スタンパの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22728186A JPS6383300A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 情報記録デイスク用スタンパの製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6383300A true JPS6383300A (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=16858356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22728186A Pending JPS6383300A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 情報記録デイスク用スタンパの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6383300A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01177719A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-14 | Yokogawa Electric Corp | 周波数標準器 |
| JP2001234382A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-31 | Memory Tec Kk | ニッケル電鋳方法及び装置 |
| JP2009079247A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | C Uyemura & Co Ltd | 電気めっき方法 |
| CN102912410A (zh) * | 2012-11-12 | 2013-02-06 | 江苏矽研半导体科技有限公司 | 一种电镀设备用挡液装置 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22728186A patent/JPS6383300A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01177719A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-14 | Yokogawa Electric Corp | 周波数標準器 |
| JP2001234382A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-31 | Memory Tec Kk | ニッケル電鋳方法及び装置 |
| JP2009079247A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | C Uyemura & Co Ltd | 電気めっき方法 |
| CN102912410A (zh) * | 2012-11-12 | 2013-02-06 | 江苏矽研半导体科技有限公司 | 一种电镀设备用挡液装置 |
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