JPH0117792B2 - - Google Patents
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- JPH0117792B2 JPH0117792B2 JP14496680A JP14496680A JPH0117792B2 JP H0117792 B2 JPH0117792 B2 JP H0117792B2 JP 14496680 A JP14496680 A JP 14496680A JP 14496680 A JP14496680 A JP 14496680A JP H0117792 B2 JPH0117792 B2 JP H0117792B2
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- welding
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Landscapes
- Arc Welding Control (AREA)
Description
本発明はパルスアーク溶接における溶接制御装
置に関するものである。 一般に、パルスMIG溶接機は、商用電源の整
流、位相制御を行ない、商用周波数に同期させて
溶接条件に適したパルス周波数を25／30、50／
60、100／120Hzというように、ベース出力に重畳
する方法が一般に採用されており、パルス周波数
の切換にはリレー、スイツチ等が用いられてい
る。 兼用型MIG溶接において、パルス周波数120Hz
で溶接を行なう時のクレータ溶接は、適正条件範
囲の広い60Hzで溶接を行ない、パルス周波数60Hz
で溶接を行なう時のアーク発生は、より良いアー
ク発生が得られる120Hzで行ない、またCO2、
MIG、MAG等の溶接も行なえるパルスMIG溶接
機においてパルスMIG以外の溶接を行なう時は、
アークスタート改善のためアーク発生時に、パル
スを重畳するなど溶接中にパルス周波数を切換え
ることが多い。前述のような場合、パルス周波数
の切換をリレー等で行なうと応答速度の遅れや、
接触不良等による誤動作や、周波数切換が多くな
ることにより、回路の複雑化等の問題が生じる。 本発明はこのような問題点を改良するととも
に、パルスMIG溶接に適したパルス周波数の切
換えを行なうものである。 パルスMIG溶接機において、現在一般に使用
されているパルス周波数は、商用周波数とその２
倍の周波数の50／60Hz、100／120Hzが多い。第１
図、第２図にその従来の回路の主な例を示してい
る。 第１図に示す回路は、ベース電流とパルス電流
を１つのトランス１より供給する一体形方式であ
る。ベース電流は、三相二重星形の６相をサイリ
スタ２ａ〜２ｆで位相制御し、パルス電流はサイ
リスタ２ｇ（この場合、パルス周波数は商用周波
数と同じ50または60Hz）、あるいはサイリスタ２
ｇ，２ｈ（この場合、パルス周波数は商用周波数
の２倍の100または120Hz）で位相制御する。な
お、３は相間リアクトル、４は平滑用リアクトル
であり、ベース電流の平滑を行ない、この平滑用
リアクトル４の途中より取り出してパルス電流の
過渡特性の設定を行なつている。このパルス電流
用に用いられる部分は別に独立した直流リアクト
ルでもよい。 また、第２図はベース電流とパルス電流を別々
のトランス５，６より供給する分離方式である。
ベース電流はダイオード７ａ〜７ｃ、サイリスタ
８ａ〜８ｃの三相混合ブリツジによりトランス５
より供給し、サイリスタ８ａ〜８ｃでオン、オフ
制御を行なつている。一方、パルス電流はサイリ
スタ８ｄ，８ｅ、ダイオード７ｄ，７ｅの単相混
合ブリツジによりトランス６より供給し、サイリ
スタ８ｄ（この場合、パルス周波数は商用周波数
と同じ50または60Hz）、あるいはサイリスタ８ｄ，
８ｅ（この場合、パルス周波数は商用周波数の２
倍の100または120Hz）で位相制御する。ベース出
力は抵抗９により垂下特性となり、この抵抗９を
可変することによりベース電流を調整することが
できる。１０はベース電流の平滑リアクトル、１
１はパルス電流の過渡特性の設定を行なうための
直流リアクトル、１２ａ，１２ｂはフリーホイー
リングダイオードである。 最近、パルス周波数はアークスタートの改善
や、適正な溶接条件にするために、上述したよう
に溶接中に変更することが多くなつている。この
場合の溶接中のパルス周波数の代表的な切換例を
次表に示し、その回路図を第３図に示している。
置に関するものである。 一般に、パルスMIG溶接機は、商用電源の整
流、位相制御を行ない、商用周波数に同期させて
溶接条件に適したパルス周波数を25／30、50／
60、100／120Hzというように、ベース出力に重畳
する方法が一般に採用されており、パルス周波数
の切換にはリレー、スイツチ等が用いられてい
る。 兼用型MIG溶接において、パルス周波数120Hz
で溶接を行なう時のクレータ溶接は、適正条件範
囲の広い60Hzで溶接を行ない、パルス周波数60Hz
で溶接を行なう時のアーク発生は、より良いアー
ク発生が得られる120Hzで行ない、またCO2、
MIG、MAG等の溶接も行なえるパルスMIG溶接
機においてパルスMIG以外の溶接を行なう時は、
アークスタート改善のためアーク発生時に、パル
スを重畳するなど溶接中にパルス周波数を切換え
ることが多い。前述のような場合、パルス周波数
の切換をリレー等で行なうと応答速度の遅れや、
接触不良等による誤動作や、周波数切換が多くな
ることにより、回路の複雑化等の問題が生じる。 本発明はこのような問題点を改良するととも
に、パルスMIG溶接に適したパルス周波数の切
換えを行なうものである。 パルスMIG溶接機において、現在一般に使用
されているパルス周波数は、商用周波数とその２
倍の周波数の50／60Hz、100／120Hzが多い。第１
図、第２図にその従来の回路の主な例を示してい
る。 第１図に示す回路は、ベース電流とパルス電流
を１つのトランス１より供給する一体形方式であ
る。ベース電流は、三相二重星形の６相をサイリ
スタ２ａ〜２ｆで位相制御し、パルス電流はサイ
リスタ２ｇ（この場合、パルス周波数は商用周波
数と同じ50または60Hz）、あるいはサイリスタ２
ｇ，２ｈ（この場合、パルス周波数は商用周波数
の２倍の100または120Hz）で位相制御する。な
お、３は相間リアクトル、４は平滑用リアクトル
であり、ベース電流の平滑を行ない、この平滑用
リアクトル４の途中より取り出してパルス電流の
過渡特性の設定を行なつている。このパルス電流
用に用いられる部分は別に独立した直流リアクト
ルでもよい。 また、第２図はベース電流とパルス電流を別々
のトランス５，６より供給する分離方式である。
ベース電流はダイオード７ａ〜７ｃ、サイリスタ
８ａ〜８ｃの三相混合ブリツジによりトランス５
より供給し、サイリスタ８ａ〜８ｃでオン、オフ
制御を行なつている。一方、パルス電流はサイリ
スタ８ｄ，８ｅ、ダイオード７ｄ，７ｅの単相混
合ブリツジによりトランス６より供給し、サイリ
スタ８ｄ（この場合、パルス周波数は商用周波数
と同じ50または60Hz）、あるいはサイリスタ８ｄ，
８ｅ（この場合、パルス周波数は商用周波数の２
倍の100または120Hz）で位相制御する。ベース出
力は抵抗９により垂下特性となり、この抵抗９を
可変することによりベース電流を調整することが
できる。１０はベース電流の平滑リアクトル、１
１はパルス電流の過渡特性の設定を行なうための
直流リアクトル、１２ａ，１２ｂはフリーホイー
リングダイオードである。 最近、パルス周波数はアークスタートの改善
や、適正な溶接条件にするために、上述したよう
に溶接中に変更することが多くなつている。この
場合の溶接中のパルス周波数の代表的な切換例を
次表に示し、その回路図を第３図に示している。
【表】
また、第３図の回路において、サイリスタ１３
ａ，１３ｂが共にオフ状態の時、パルス周波数は
０、つまりパルス出力はベース部に重畳されな
い。サイリスタ１３ａのみがON状態の時、パル
ス周波数は50／60Hzとなり、サイリスタ１３ａ，
１３ｂがON状態の時、パルス周波数は100／120
Hzとなり、これらパルス出力がベース部に重畳さ
れる。 リレー接点１４は溶接電圧が発生中動作を行な
い、リレー接点１５ａ，１５ｂは溶接電流が通電
中動作を行ない、リレー接点１６ａ，１６ｂは
MIG／MAG、CO2溶接時の溶接電圧が発生中で
かつ溶接電流が通電を行なつていない時動作を行
ない、リレー接点１７はクレータ溶接中動作を行
なう。なお、リレー１６以外は、リレー接点のみ
を示している。 パルスMIG溶接のパルス周波数50／60Hzの時、
無負荷状態では、サイリスタ１３ａ，１３ｂの各
ゲート、カソード間の各リレー接点１５ｂ，１６
ａ，１６ｂ，１７が開路となり、各ゲート、カソ
ード間に点弧パルスが印加されると、各サイリス
タ１３ａ，１３ｂはON状態となり、パルス周波
数100／120Hzを発生する。 本溶接状態では溶接電流が通電されるため、リ
レー接点１５ａ，１５ｂがON状態となり、サイ
リスタ１３ｂのゲート、カソード間が短絡され、
各ゲート、カソード間に点弧パルスが印加される
と、サイリスタ１３ａはON状態となり、サイリ
スタ１３ｂはOFF状態となり、これによつてパ
ルス周波数50／60が発生する。 クレータ溶接状態では、リレー接点１７がON
状態となるが、サイリスタ１３ｂのゲート、カソ
ード間はすでに短絡されており、本溶接状態と同
様の50／60Hzのパルス周波数を発生する。 他のパルスMIG溶接のパルス周波数100／120
Hz、MIG／MAG溶接、CO2溶接における各状態
のパルス周波数切換は、パルスMIG溶接のパル
ス周波数50／60Hzの時と同様に考えられ、かつ表
に記載しているため説明を省略する。 以上のように、従来は第３図のようにパルス周
波数の切換えをリレー等で行なつていたため、応
答速度の遅れや、接触不良による誤動作や、周波
数切換が多くなることによる回路の複雑化等の欠
点が生じていた。 本発明はこのような従来の問題点を解決するた
めのものであり、以下本発明の内容について、第
４図および第５図の図面を用いて説明する。 第４図に本発明の一実施例による溶接制御装置
を示している。トランス２０とトランス２０の２
次側の誘起電圧を全波整流するダイオード２２，
２３，２４，２５と、半波整流するダイオード３
２と、パルス出力を商用周波数と同期させて発生
するための同期回路２１は負の単相全波整流され
た信号と、正の直流信号を分圧する抵抗２６，２
７とクランプダイオード３１より構成されてい
る。 ３３はこの同期回路２１によりスイツチングさ
れるトランジスタ、３４はパルス出力制御用のコ
ンデンサであり、前記トランジスタ３３のコレク
タ、エミツタ間に抵抗３５を介して接続されてい
る。また、このコンデンサ３４には抵抗３６を介
して制御電流が充填される。３７はパルス制御用
サイリスタを点弧するためのトリガ素子３７ａに
より構成した点弧回路であり、この点弧回路３７
のトリガ素子は前記コンデンサ３４の充電電圧が
一定値以上になつた時に動作する。 選択命令回路３９は単相半波整流信号と単相全
波整流信号との切換えによりパルス周波数50／60
Hzと０Hzの切換えを行なうスイツチ３８とＣ点が
負の直流電圧の時100／120Hzとなりその状態を変
化さす溶接状態切換信号のリレー接点４２，４３
とその信号を選択するスイツチ４０と分圧用の抵
抗２８，４１と逆方向電流を阻止するためのダイ
オード２９，３０により構成されており、前記ト
ランジスタ３３の導通を制御する。 上記構成において、各制御電圧（AC24V、±
15V）が印加されている状態でＡ点のースに対す
る電圧（以下断わりなき場合はアースを基準とす
る）は、第５図ａのようにダイオード２２，２３
によつて得られるAC24Vの負の全波整流された
電圧と、＋15Vの電圧とを抵抗２６，２７で分圧
された電圧が印加される。全波整流された電圧が
各サイクル毎に0Vに近くなつた時、＋15Vより抵
抗２７を通してトランジスタ３３へベース電流が
流れ、トランジスタ３３がON状態となり、全波
整流された電圧が負の大きな値の時アースよりダ
イオード３１、抵抗２６を通して通電されトラン
ジスタ３３はオフ状態となる。従つて、制御電流
が抵抗３６を通してコンデンサ３４に充電され、
回路定数または回路部品によつて決まる定電圧に
なつた時、ユニジヤンクシヨントランジスタやプ
ログラマブルユニジヤンクシヨントランジスタ等
のパルス制御用サイリスタを点弧するためのトリ
ガ素子３７ａが動作し、電源周波数の２倍のサイ
クルで同期を取る。 ここで、リレー接点４２は溶接電流が通電中に
動作し、リレー接点４３はクレータ溶接中に動作
を行なうが、これらはトランジスタやアナログス
イツチ等の部品を代わりに用いて開閉を行なつて
もよい。 パルスMIG溶接のパルス周波数50／60Hzの時、
無負荷状態ではリレー接点４２が閉路となり、Ｃ
点の電圧は−15Vとなる。従つてＢ点の電圧は、
第５図ｂに示すように−15VとAC24Vの正の半
波整流された電圧とを抵抗２８，４１で分圧され
た電圧が印加され、また常に負になるように抵抗
２８，４１の定数を決定しているため、Ａ点の電
圧は第５図ａのようになり、１サイクル中２回パ
ルス制御用サイリスタを点弧させることができ、
パルス周波数は100／120Hzとなる。 本溶接状態では、リレー接点４２が開路となる
ため、Ａ点の電圧は、AC24Vの単相半波、＋
15V、AC24Vの負の単相全波の電圧を抵抗２６，
２７，２８で分圧したものとなり、第５図ｃのよ
うに同期回路２１の半サイクルの約−0.6Vの谷
間が約＋0.6Vになるように、抵抗２６，２７，
２８の定数を決定しているため、Ａ点の電圧が＋
0.6Vになつた半サイクル中は、コンデンサ３４
に制御電流が充電できないので、１サイクル中半
サイクルは、パルス制御用サイリスタを点弧させ
ることができなく、パルス周波数は50／60Hzとな
る。 クレータ溶接では、スイツチ４０がパルス50／
60Hz側になつているため、回路の状態は変化しな
く、パルス周波数は50／60Hzとなる。 同様に、パルス周波数100／120Hzの時、無負
荷、本溶接状態では、Ｃ点の電圧は−15Vとな
り、パルス周波数は100／120Hzとなる。 クレータ溶接では、リレー接点４３が開路とな
るため、パルス周波数は50／60Hzとなり、CO2、
MIG／MAG溶接の時、無負荷状態では、Ｃ点の
電圧は−15Vとなり、パルス周波数は100／120Hz
となり、また本溶接、クレータ溶接状態ではリレ
ー接点４２が開路となるため、Ａ点の電圧は、
AC24Vの単相全波、＋15V、AC24Vの負の単相全
波の電圧を抵抗２６，２７，２８で分圧したもの
となり、同期回路の１サイクル全体が約−0.6V
となる。従つて、Ａ点の電圧が１サイクル中、＋
0.6Vになるため制御電流がコンデンサ３４に充
電できなく、パルス制御用サイリスタを点弧させ
ることができなくなり、パルス出力は発生しな
い。 このように本発明では、同期回路２１を強制的
に操作することによつて、パルス制御用サイリス
タ等を点弧させるトリガ素子３７ａの発振を停止
させ、これによつてパルス周波数を制御するもの
である。 なお、上記実施例における制御電圧の値は一例
であり、この値に限定されるものではない。 以上のように本発明によれば、部品点数が少な
く、無接点化が可能となるため、接触不良等の誤
動作がなくなり、パルス周波数切換の応答性が飛
躍的に向上し、かつ回路を簡素化することができ
るのである。
ａ，１３ｂが共にオフ状態の時、パルス周波数は
０、つまりパルス出力はベース部に重畳されな
い。サイリスタ１３ａのみがON状態の時、パル
ス周波数は50／60Hzとなり、サイリスタ１３ａ，
１３ｂがON状態の時、パルス周波数は100／120
Hzとなり、これらパルス出力がベース部に重畳さ
れる。 リレー接点１４は溶接電圧が発生中動作を行な
い、リレー接点１５ａ，１５ｂは溶接電流が通電
中動作を行ない、リレー接点１６ａ，１６ｂは
MIG／MAG、CO2溶接時の溶接電圧が発生中で
かつ溶接電流が通電を行なつていない時動作を行
ない、リレー接点１７はクレータ溶接中動作を行
なう。なお、リレー１６以外は、リレー接点のみ
を示している。 パルスMIG溶接のパルス周波数50／60Hzの時、
無負荷状態では、サイリスタ１３ａ，１３ｂの各
ゲート、カソード間の各リレー接点１５ｂ，１６
ａ，１６ｂ，１７が開路となり、各ゲート、カソ
ード間に点弧パルスが印加されると、各サイリス
タ１３ａ，１３ｂはON状態となり、パルス周波
数100／120Hzを発生する。 本溶接状態では溶接電流が通電されるため、リ
レー接点１５ａ，１５ｂがON状態となり、サイ
リスタ１３ｂのゲート、カソード間が短絡され、
各ゲート、カソード間に点弧パルスが印加される
と、サイリスタ１３ａはON状態となり、サイリ
スタ１３ｂはOFF状態となり、これによつてパ
ルス周波数50／60が発生する。 クレータ溶接状態では、リレー接点１７がON
状態となるが、サイリスタ１３ｂのゲート、カソ
ード間はすでに短絡されており、本溶接状態と同
様の50／60Hzのパルス周波数を発生する。 他のパルスMIG溶接のパルス周波数100／120
Hz、MIG／MAG溶接、CO2溶接における各状態
のパルス周波数切換は、パルスMIG溶接のパル
ス周波数50／60Hzの時と同様に考えられ、かつ表
に記載しているため説明を省略する。 以上のように、従来は第３図のようにパルス周
波数の切換えをリレー等で行なつていたため、応
答速度の遅れや、接触不良による誤動作や、周波
数切換が多くなることによる回路の複雑化等の欠
点が生じていた。 本発明はこのような従来の問題点を解決するた
めのものであり、以下本発明の内容について、第
４図および第５図の図面を用いて説明する。 第４図に本発明の一実施例による溶接制御装置
を示している。トランス２０とトランス２０の２
次側の誘起電圧を全波整流するダイオード２２，
２３，２４，２５と、半波整流するダイオード３
２と、パルス出力を商用周波数と同期させて発生
するための同期回路２１は負の単相全波整流され
た信号と、正の直流信号を分圧する抵抗２６，２
７とクランプダイオード３１より構成されてい
る。 ３３はこの同期回路２１によりスイツチングさ
れるトランジスタ、３４はパルス出力制御用のコ
ンデンサであり、前記トランジスタ３３のコレク
タ、エミツタ間に抵抗３５を介して接続されてい
る。また、このコンデンサ３４には抵抗３６を介
して制御電流が充填される。３７はパルス制御用
サイリスタを点弧するためのトリガ素子３７ａに
より構成した点弧回路であり、この点弧回路３７
のトリガ素子は前記コンデンサ３４の充電電圧が
一定値以上になつた時に動作する。 選択命令回路３９は単相半波整流信号と単相全
波整流信号との切換えによりパルス周波数50／60
Hzと０Hzの切換えを行なうスイツチ３８とＣ点が
負の直流電圧の時100／120Hzとなりその状態を変
化さす溶接状態切換信号のリレー接点４２，４３
とその信号を選択するスイツチ４０と分圧用の抵
抗２８，４１と逆方向電流を阻止するためのダイ
オード２９，３０により構成されており、前記ト
ランジスタ３３の導通を制御する。 上記構成において、各制御電圧（AC24V、±
15V）が印加されている状態でＡ点のースに対す
る電圧（以下断わりなき場合はアースを基準とす
る）は、第５図ａのようにダイオード２２，２３
によつて得られるAC24Vの負の全波整流された
電圧と、＋15Vの電圧とを抵抗２６，２７で分圧
された電圧が印加される。全波整流された電圧が
各サイクル毎に0Vに近くなつた時、＋15Vより抵
抗２７を通してトランジスタ３３へベース電流が
流れ、トランジスタ３３がON状態となり、全波
整流された電圧が負の大きな値の時アースよりダ
イオード３１、抵抗２６を通して通電されトラン
ジスタ３３はオフ状態となる。従つて、制御電流
が抵抗３６を通してコンデンサ３４に充電され、
回路定数または回路部品によつて決まる定電圧に
なつた時、ユニジヤンクシヨントランジスタやプ
ログラマブルユニジヤンクシヨントランジスタ等
のパルス制御用サイリスタを点弧するためのトリ
ガ素子３７ａが動作し、電源周波数の２倍のサイ
クルで同期を取る。 ここで、リレー接点４２は溶接電流が通電中に
動作し、リレー接点４３はクレータ溶接中に動作
を行なうが、これらはトランジスタやアナログス
イツチ等の部品を代わりに用いて開閉を行なつて
もよい。 パルスMIG溶接のパルス周波数50／60Hzの時、
無負荷状態ではリレー接点４２が閉路となり、Ｃ
点の電圧は−15Vとなる。従つてＢ点の電圧は、
第５図ｂに示すように−15VとAC24Vの正の半
波整流された電圧とを抵抗２８，４１で分圧され
た電圧が印加され、また常に負になるように抵抗
２８，４１の定数を決定しているため、Ａ点の電
圧は第５図ａのようになり、１サイクル中２回パ
ルス制御用サイリスタを点弧させることができ、
パルス周波数は100／120Hzとなる。 本溶接状態では、リレー接点４２が開路となる
ため、Ａ点の電圧は、AC24Vの単相半波、＋
15V、AC24Vの負の単相全波の電圧を抵抗２６，
２７，２８で分圧したものとなり、第５図ｃのよ
うに同期回路２１の半サイクルの約−0.6Vの谷
間が約＋0.6Vになるように、抵抗２６，２７，
２８の定数を決定しているため、Ａ点の電圧が＋
0.6Vになつた半サイクル中は、コンデンサ３４
に制御電流が充電できないので、１サイクル中半
サイクルは、パルス制御用サイリスタを点弧させ
ることができなく、パルス周波数は50／60Hzとな
る。 クレータ溶接では、スイツチ４０がパルス50／
60Hz側になつているため、回路の状態は変化しな
く、パルス周波数は50／60Hzとなる。 同様に、パルス周波数100／120Hzの時、無負
荷、本溶接状態では、Ｃ点の電圧は−15Vとな
り、パルス周波数は100／120Hzとなる。 クレータ溶接では、リレー接点４３が開路とな
るため、パルス周波数は50／60Hzとなり、CO2、
MIG／MAG溶接の時、無負荷状態では、Ｃ点の
電圧は−15Vとなり、パルス周波数は100／120Hz
となり、また本溶接、クレータ溶接状態ではリレ
ー接点４２が開路となるため、Ａ点の電圧は、
AC24Vの単相全波、＋15V、AC24Vの負の単相全
波の電圧を抵抗２６，２７，２８で分圧したもの
となり、同期回路の１サイクル全体が約−0.6V
となる。従つて、Ａ点の電圧が１サイクル中、＋
0.6Vになるため制御電流がコンデンサ３４に充
電できなく、パルス制御用サイリスタを点弧させ
ることができなくなり、パルス出力は発生しな
い。 このように本発明では、同期回路２１を強制的
に操作することによつて、パルス制御用サイリス
タ等を点弧させるトリガ素子３７ａの発振を停止
させ、これによつてパルス周波数を制御するもの
である。 なお、上記実施例における制御電圧の値は一例
であり、この値に限定されるものではない。 以上のように本発明によれば、部品点数が少な
く、無接点化が可能となるため、接触不良等の誤
動作がなくなり、パルス周波数切換の応答性が飛
躍的に向上し、かつ回路を簡素化することができ
るのである。
第１図および第２図はそれぞれ一般的なパルス
MIG溶接機を示す電気回路図、第３図は従来の
パルス周波数切換回路の一例を示す電気回路図、
第４図は本発明の一実施例による溶接制御装置を
示す電気回路図、第５図ａ〜ｃは同回路の要部の
電圧波形図である。 ２１……同期回路、３３……トランジスタ、３
４……コンデンサ、３７……点弧回路、３９……
選択命令回路。
MIG溶接機を示す電気回路図、第３図は従来の
パルス周波数切換回路の一例を示す電気回路図、
第４図は本発明の一実施例による溶接制御装置を
示す電気回路図、第５図ａ〜ｃは同回路の要部の
電圧波形図である。 ２１……同期回路、３３……トランジスタ、３
４……コンデンサ、３７……点弧回路、３９……
選択命令回路。
Claims (1)
- １ パルス出力を商用周波数に同期させて発生す
るための負の全波整流信号と正の直流信号とを分
圧する抵抗とクランプするダイオードより構成さ
れた同期回路と、この同期回路の出力信号により
制御されるスイツチング素子と、このスイツチン
グ素子によつて充放電が制御されるパルス出力制
御用のコンデンサと、このコンデンサの端子電圧
によりパルス制御用素子を駆動するためのトリガ
素子を有した点弧回路と、切換スイツチにより選
択される単相半波整流信号または全波整流信号と
溶接状態切換信号により開閉される接点および印
加を制御するスイツチを介して入力される負の直
流信号とを分圧する抵抗および逆方向の信号を阻
止するダイオードを有し前記スイツチング素子の
導通を制御しパルス周波数を決定する選択命令回
路を備えてなる溶接制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55144966A JPS5768272A (en) | 1980-10-15 | 1980-10-15 | Welding control device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55144966A JPS5768272A (en) | 1980-10-15 | 1980-10-15 | Welding control device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5768272A JPS5768272A (en) | 1982-04-26 |
| JPH0117792B2 true JPH0117792B2 (ja) | 1989-04-03 |
Family
ID=15374325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55144966A Granted JPS5768272A (en) | 1980-10-15 | 1980-10-15 | Welding control device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5768272A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4095614A1 (en) | 2021-05-25 | 2022-11-30 | FUJIFILM Business Innovation Corp. | Electrostatic image developing toner set, electrostatic image developer set, toner cartridge set, and process cartridge |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58224071A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ア−ク溶接機 |
| JPH04104576U (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-09 | ジエコー株式会社 | 交差コイル式計器 |
-
1980
- 1980-10-15 JP JP55144966A patent/JPS5768272A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4095614A1 (en) | 2021-05-25 | 2022-11-30 | FUJIFILM Business Innovation Corp. | Electrostatic image developing toner set, electrostatic image developer set, toner cartridge set, and process cartridge |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5768272A (en) | 1982-04-26 |
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