JPH01179719A - 酸化物系超電導体及びその製造方法 - Google Patents
酸化物系超電導体及びその製造方法Info
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- JPH01179719A JPH01179719A JP63001536A JP153688A JPH01179719A JP H01179719 A JPH01179719 A JP H01179719A JP 63001536 A JP63001536 A JP 63001536A JP 153688 A JP153688 A JP 153688A JP H01179719 A JPH01179719 A JP H01179719A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、臨界電流密度（ＪＣ）が大きく、月つその磁
場（Ｂ）依存性が小さい酸化物系超電導体及びその製造
方法に関するものである。
場（Ｂ）依存性が小さい酸化物系超電導体及びその製造
方法に関するものである。
一般式ＹＢａｚＣｕｉＯ７−２、ＬａＢａｚＣｕ：＋０
□−２等の希土類元素、アルカリ土金属、銅及び酸素か
らなる酸化物系超電導体は、３層単位の層状ペロブスカ
イト構造を有していて、臨界温度（Ｔｅ）が高く、その
応用が期待されている。
□−２等の希土類元素、アルカリ土金属、銅及び酸素か
らなる酸化物系超電導体は、３層単位の層状ペロブスカ
イト構造を有していて、臨界温度（Ｔｅ）が高く、その
応用が期待されている。
前記酸化物系超電導体の製造方法としては、粉末法等の
固相法或いは共沈法、ゾル・ゲル法等の溶液法等が試み
られているが、従来固相法で製造された超電導体は、臨
界電流密度（Ｊｃ）が小さくて、１０２〜１０３Ａ／ｃ
ｍ２程度であり、溶液法で製造した場合も若干Ｊｃが向
上する程度でしかなかった。更にＪＣの磁場（Ｂ）依存
性が大きく、Ｂ＝ＩＴでＪｃの値が２桁以上減少してし
まうという問題があった。
固相法或いは共沈法、ゾル・ゲル法等の溶液法等が試み
られているが、従来固相法で製造された超電導体は、臨
界電流密度（Ｊｃ）が小さくて、１０２〜１０３Ａ／ｃ
ｍ２程度であり、溶液法で製造した場合も若干Ｊｃが向
上する程度でしかなかった。更にＪＣの磁場（Ｂ）依存
性が大きく、Ｂ＝ＩＴでＪｃの値が２桁以上減少してし
まうという問題があった。
（課題を解決する為の手段〕
本発明は上記の点に鑑み鋭意検討の結果なされたもので
あり、その目的とするところは、臨界電流密度（Ｊ、）
が大きく、且つＪｃの磁場（Ｂ）依存性が小さい酸化物
系超電導体及びその製造方法を提供する事である。
あり、その目的とするところは、臨界電流密度（Ｊ、）
が大きく、且つＪｃの磁場（Ｂ）依存性が小さい酸化物
系超電導体及びその製造方法を提供する事である。
本発明者等は、−儀式ＲＩＡ ｚ Ｃｕ ：＋○、−，
（Ｒ：希土類元素、Ａ：アルカリ土金属）の組成の酸化
物系超電導体のＣｕの一部を少量のＩｌｉ／ａ族遷移金
属（Ｍ）で置換し、−儀式ＲＩＡ２Ｃｕｌ−ｙＭｙ０７
−４（１０−５≦ｙ≦１０−２、Ｑ ＜ ｚ ＜ ０．
５ ）なる組成にする事により、高いＪＣ値を持ち、且
つ前記■ａ族遷移金属（Ｍ）が磁束の侵入に対する一種
のビン止め効果を発揮して、Ｊｃの磁場（Ｂ）依存性が
小さくなる事を見出して、本発明の完成に到ったもので
ある。
（Ｒ：希土類元素、Ａ：アルカリ土金属）の組成の酸化
物系超電導体のＣｕの一部を少量のＩｌｉ／ａ族遷移金
属（Ｍ）で置換し、−儀式ＲＩＡ２Ｃｕｌ−ｙＭｙ０７
−４（１０−５≦ｙ≦１０−２、Ｑ ＜ ｚ ＜ ０．
５ ）なる組成にする事により、高いＪＣ値を持ち、且
つ前記■ａ族遷移金属（Ｍ）が磁束の侵入に対する一種
のビン止め効果を発揮して、Ｊｃの磁場（Ｂ）依存性が
小さくなる事を見出して、本発明の完成に到ったもので
ある。
即ち本発明は、希土類元素、アルカリ土金属、銅及び酸
素からなる一般式Ｒ＋ＡｚＣｕｉ０７−ｚ（Ｒ：希土類
元素、Ａ：アルカリ土金属）の組成の酸化物系超電導体
のＣｕの一部をｌＶａ族遷移金属（Ｍ）で置換し、−儀
式ＲＩＡ２Ｃｕ３−．Ｍ、０７−ｚ（１０−５≦ｙ≦１
０−２．０ ＜ ｚ ＜ ０．５ ）なる組成にした事
を特徴とする酸化物系超電導体を第一の発明とするもの
である。
素からなる一般式Ｒ＋ＡｚＣｕｉ０７−ｚ（Ｒ：希土類
元素、Ａ：アルカリ土金属）の組成の酸化物系超電導体
のＣｕの一部をｌＶａ族遷移金属（Ｍ）で置換し、−儀
式ＲＩＡ２Ｃｕ３−．Ｍ、０７−ｚ（１０−５≦ｙ≦１
０−２．０ ＜ ｚ ＜ ０．５ ）なる組成にした事
を特徴とする酸化物系超電導体を第一の発明とするもの
である。
而して、前記ｙの値が１０−５未満の場合は、■ａ族遷
移金属（Ｍ）によるビン止め効果が不充分で、Ｊｃが余
り向上しなく、又ｙの値が１０−２を超えると、Ｊｃの
値が著しく低下するので、ｙの値は１０−５〜１０−２
の範囲内にする必要がある。
移金属（Ｍ）によるビン止め効果が不充分で、Ｊｃが余
り向上しなく、又ｙの値が１０−２を超えると、Ｊｃの
値が著しく低下するので、ｙの値は１０−５〜１０−２
の範囲内にする必要がある。
本発明において、ｌＶａ族遷移金属（Ｍ）をピンニング
センターとして有効に作用させる為には、これらを均一
に分散させると共に、その分布（間隔）が酸化物系超電
導体のコヒーレント長さ（１〜３ｎｍ程度）とほぼ同等
となる様に、これらの濃度を調整する必要があるが、本
発明者等は共沈法、ゾル・ゲル法、熱分解法等の溶液法
により、均一で微細な粉体を作り、これを焼結処理する
事によって、前記遷移金属（Ｍ）の分布を比較的容易に
コントロール出来る事を見出したものである。
センターとして有効に作用させる為には、これらを均一
に分散させると共に、その分布（間隔）が酸化物系超電
導体のコヒーレント長さ（１〜３ｎｍ程度）とほぼ同等
となる様に、これらの濃度を調整する必要があるが、本
発明者等は共沈法、ゾル・ゲル法、熱分解法等の溶液法
により、均一で微細な粉体を作り、これを焼結処理する
事によって、前記遷移金属（Ｍ）の分布を比較的容易に
コントロール出来る事を見出したものである。
即ち本発明は、−儀式Ｒ（ＮＯ３）３、Ａ（Ｎ０３）２
及びＣｕ（ＮＯ３）ｚで示される希土類元素（Ｒ）、ア
ルカリ土金属（Ａ）及び銅の硝酸塩からなる水溶液に、
−Ｇ式ＭＯ（ＮＯり２で示されるｒＶａ族遷移金属（Ｍ
）の硝酸塩を添加して、溶液法により酸化物系超電導体
の原料粉体を作った後、該原料粉体を焼結処理する事を
特徴とする一般式ＲｌＡ２Ｃｕ ３−ｙＭｙＯｔ−２（
１０−５≦ｙ≦１０−２、Ｑ ＜ ｚ ＜ ０．５ ）
なる組成の酸化物系超電導体の製造方法を、第二の発明
とするものである。
及びＣｕ（ＮＯ３）ｚで示される希土類元素（Ｒ）、ア
ルカリ土金属（Ａ）及び銅の硝酸塩からなる水溶液に、
−Ｇ式ＭＯ（ＮＯり２で示されるｒＶａ族遷移金属（Ｍ
）の硝酸塩を添加して、溶液法により酸化物系超電導体
の原料粉体を作った後、該原料粉体を焼結処理する事を
特徴とする一般式ＲｌＡ２Ｃｕ ３−ｙＭｙＯｔ−２（
１０−５≦ｙ≦１０−２、Ｑ ＜ ｚ ＜ ０．５ ）
なる組成の酸化物系超電導体の製造方法を、第二の発明
とするものである。
本発明において、ＩＶａ族遷移金属（Ｍ）としては、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等が挙げられるが、ビン止め効果が特に
大きいＴｉを用いる事が望ましい。
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等が挙げられるが、ビン止め効果が特に
大きいＴｉを用いる事が望ましい。
又希土類元素（Ｒ）としては、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、
３ｍ、Ｅｕ、、Ｇｄ、、Ｔｂ、ＤＶ、Ｈｏ、Ｅｒ、、Ｔ
ｍ、Ｙｂ等が挙げられる。更にアルカリ土金属（Ａ）と
しては、Ｂａ又はＳｒを用いた場合に特に良好な超電導
特性が得られる。
３ｍ、Ｅｕ、、Ｇｄ、、Ｔｂ、ＤＶ、Ｈｏ、Ｅｒ、、Ｔ
ｍ、Ｙｂ等が挙げられる。更にアルカリ土金属（Ａ）と
しては、Ｂａ又はＳｒを用いた場合に特に良好な超電導
特性が得られる。
（作用〕
本発明においては、−儀式ＲＩＡ２ＣｕｘＯ７−。
（Ｒ：希土類元素、Ａ：アルカリ土金属）の組成の酸化
物系超電導体のＣｕの一部を少量のＩＶａ族遷移金属（
Ｍ）で置換する事によって、該ＩＶａ族遷移金属（Ｍ）
が磁束の侵入に対する一種のビン止め効果を発揮してい
て、その為にＪＣの磁場（Ｂ）依存性が小さくなってい
る。更に本発明方法においては、希土類元素（Ｒ）、ア
ルカリ土金属（、Ａ）及び銅の硝酸塩からなる水溶液に
、ＩＶａ族遷移金属（Ｍ）の硝酸塩を添加して、溶液法
により酸化物系超電導体の原料粉体を作った後、該原料
粉体を焼結処理して前記酸化物系超電導体を製造してい
るので、ＴＶａ族遷移金属（Ｍ）がピンニングセンター
として有効に作用する様に、比較的容易にその分布をコ
ントロールする事が出来る。
物系超電導体のＣｕの一部を少量のＩＶａ族遷移金属（
Ｍ）で置換する事によって、該ＩＶａ族遷移金属（Ｍ）
が磁束の侵入に対する一種のビン止め効果を発揮してい
て、その為にＪＣの磁場（Ｂ）依存性が小さくなってい
る。更に本発明方法においては、希土類元素（Ｒ）、ア
ルカリ土金属（、Ａ）及び銅の硝酸塩からなる水溶液に
、ＩＶａ族遷移金属（Ｍ）の硝酸塩を添加して、溶液法
により酸化物系超電導体の原料粉体を作った後、該原料
粉体を焼結処理して前記酸化物系超電導体を製造してい
るので、ＴＶａ族遷移金属（Ｍ）がピンニングセンター
として有効に作用する様に、比較的容易にその分布をコ
ントロールする事が出来る。
〔実施例１〕
次に本発明を実施例により更に具体的に説明する。原料
として、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ及びＴｉの硝酸塩を用い、これ
らをＹ （ＮＯ３）３−６ ＨｚＯｌＢａ （ＮＯ−）
２、Ｃｕ （ＮＯ３） ２・３ＨｚＯ及びＴ ｉ Ｏ
（Ｎ ０３’） ｚのモル比が１：２：３−ｙ：ｙ（１
０−５≦ｙ≦１Ｏ−２）になる様に混合して、濃度０．
１モル／ｌの水溶液とした。この水溶液を凍結後、乾燥
し、粒径］０μｍ程度の粉体を得た。
として、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ及びＴｉの硝酸塩を用い、これ
らをＹ （ＮＯ３）３−６ ＨｚＯｌＢａ （ＮＯ−）
２、Ｃｕ （ＮＯ３） ２・３ＨｚＯ及びＴ ｉ Ｏ
（Ｎ ０３’） ｚのモル比が１：２：３−ｙ：ｙ（１
０−５≦ｙ≦１Ｏ−２）になる様に混合して、濃度０．
１モル／ｌの水溶液とした。この水溶液を凍結後、乾燥
し、粒径］０μｍ程度の粉体を得た。
この粉体を、白金ルツボに入れて、大気中で４００°Ｃ
に加熱して、充分に攪拌した後、７５０°Ｃに加熱して
仮焼成し、熱分解を充分に行なった後、室温迄冷却し、
自動乳鉢で粉砕して、粒径１０μｍ程度にした。この様
にして得られた粉体を、厚さ２ｍｍ、幅２ｍｍ、長さ２
０ｍｍのペレットに成形し、９００°Ｃ１酸素フロー中
で６ｈｒ焼結し、超電導成形体を得た。
に加熱して、充分に攪拌した後、７５０°Ｃに加熱して
仮焼成し、熱分解を充分に行なった後、室温迄冷却し、
自動乳鉢で粉砕して、粒径１０μｍ程度にした。この様
にして得られた粉体を、厚さ２ｍｍ、幅２ｍｍ、長さ２
０ｍｍのペレットに成形し、９００°Ｃ１酸素フロー中
で６ｈｒ焼結し、超電導成形体を得た。
この様にして得られたペレット１に、第１図に示す様に
セラソルダーを超音波ハンダゴテにて半田付けし、電流
電極２ａ、２ｂ及び電圧電極３ａ、３ｂよりなる四端子
の電極とした。この様にして電極を形成したペレット１
を液体窒素中に浸漬して、外側の電流電極２ａ、２ｂ間
に電流を流した際の電圧降下を、内側の電圧電極３ａ、
３ｂ間で測定する事により、臨界電流密度（Ｊ、）を測
定した。
セラソルダーを超音波ハンダゴテにて半田付けし、電流
電極２ａ、２ｂ及び電圧電極３ａ、３ｂよりなる四端子
の電極とした。この様にして電極を形成したペレット１
を液体窒素中に浸漬して、外側の電流電極２ａ、２ｂ間
に電流を流した際の電圧降下を、内側の電圧電極３ａ、
３ｂ間で測定する事により、臨界電流密度（Ｊ、）を測
定した。
而して一般式ＲＩＡ２Ｃ（１３−ｙＭｙ０？−２（１０
−５≦ｙ≦１０−”、Ｏ＜ ｚ ＜ ０．５ ）なる組
成におけるｙの値を変えた場合の臨界電流密度（Ｊｃ）
の変化を、外部磁場Ｈ，，（第１図にＨ８Ｘの印加方向
を矢印で示した）を印加した場合（Ｂ＝ＩＴ）及び外部
磁場Ｈ８Ｘを印加しない場合（Ｂ＝ＯＴ）のそれぞれに
ついて、第２図に示した。
−５≦ｙ≦１０−”、Ｏ＜ ｚ ＜ ０．５ ）なる組
成におけるｙの値を変えた場合の臨界電流密度（Ｊｃ）
の変化を、外部磁場Ｈ，，（第１図にＨ８Ｘの印加方向
を矢印で示した）を印加した場合（Ｂ＝ＩＴ）及び外部
磁場Ｈ８Ｘを印加しない場合（Ｂ＝ＯＴ）のそれぞれに
ついて、第２図に示した。
第２図から明らかな様に、Ｂ＝ＯＴの場合は、Ｔｉ４度
（ｙ）がｙ≦１０−２を満足する範囲内では、臨界電流
密度（Ｊ、）は１０３Ａ／ｃｍ２程度の値が得られてお
り、ｙの値によって大きな変化は認められない。一方Ｂ
＝ＩＴの場合は、Ｊ、の値はｙの値によってかなり変化
し、ｙ＝１ｏ−’付近にピークを有している。即ち本発
明の範囲内（１０−５≦ｙ≦１Ｏ−２）では磁場による
Ｊｃの低下は比較的小さく、１桁台であるが、ｙ＝ｏ即
ち従来組成の酸化物系超電導体では、磁場によるＪ。
（ｙ）がｙ≦１０−２を満足する範囲内では、臨界電流
密度（Ｊ、）は１０３Ａ／ｃｍ２程度の値が得られてお
り、ｙの値によって大きな変化は認められない。一方Ｂ
＝ＩＴの場合は、Ｊ、の値はｙの値によってかなり変化
し、ｙ＝１ｏ−’付近にピークを有している。即ち本発
明の範囲内（１０−５≦ｙ≦１Ｏ−２）では磁場による
Ｊｃの低下は比較的小さく、１桁台であるが、ｙ＝ｏ即
ち従来組成の酸化物系超電導体では、磁場によるＪ。
の低下が大きく、２桁以上低下している。
〔実施例２〕
実施例１と同様な水溶液を、霧状にして、液体窒素中に
吹き込んだ後、凍結乾燥し、粒径０．１μｍ程度の微細
な粉体を得た。この粉体を用いて、実施例１と同様な方
法で酸化物系超電導成形体のペレットを製造し、実施例
１と同様な方法で臨界電流密度（ｊ、）を測定しところ
、第２図に示したのとほぼ同様な結果が得られた。
吹き込んだ後、凍結乾燥し、粒径０．１μｍ程度の微細
な粉体を得た。この粉体を用いて、実施例１と同様な方
法で酸化物系超電導成形体のペレットを製造し、実施例
１と同様な方法で臨界電流密度（ｊ、）を測定しところ
、第２図に示したのとほぼ同様な結果が得られた。
〔実施例３〕
実施例１と同様な方法で、水溶液を凍結後、乾燥して得
られた粉体をプラズマ中に投入し、前記乾燥粉体を個々
に仮焼成した。この様にして得られた粉体を用いて、実
施例１と同様な方法で酸化物系超電導成形体のペレット
を製造し、実施例１と同様な方法で臨界電流密度（Ｊ、
：）を測定した。
られた粉体をプラズマ中に投入し、前記乾燥粉体を個々
に仮焼成した。この様にして得られた粉体を用いて、実
施例１と同様な方法で酸化物系超電導成形体のペレット
を製造し、実施例１と同様な方法で臨界電流密度（Ｊ、
：）を測定した。
その結果Ｂ＝ＯＴの場合は、Ｔｉ濃度（ｙ） ＝０で臨
界電流密度（ＪＣ）は３．２Ｘ１０３Ａ／ｃｍ２となり
、Ｂ＝ＩＴの場合は、Ｊｃの値はｙ−２×１０−４付近
にピークを有していて、１．ｌＸ１０”Ａ／ｃｍ”とな
った。
界電流密度（ＪＣ）は３．２Ｘ１０３Ａ／ｃｍ２となり
、Ｂ＝ＩＴの場合は、Ｊｃの値はｙ−２×１０−４付近
にピークを有していて、１．ｌＸ１０”Ａ／ｃｍ”とな
った。
〔実施例４〕
ＩＶａ族遷移金属（Ｍ）の硝酸塩として、Ｚｒ０（ＮＯ
，）２を用いた以外は実施例１と同様な方法で、酸化物
系超電導成形体のペレットを製造し、実施例１と同様な
方法で臨界電流密度（ＪＣ）を測定した。その結果Ｂ＝
ＯＴの場合は、Ｚｒ濃度（ｙ）−〇で臨界電流密度（Ｊ
Ｃ）は１．５Ｘ１０’Ａ ／ ｃ ｍ ”となり、Ｂ＝
ＩＴの場合は１．Ｊ、の値はｙ＝１ｏ−’付近にピーク
を有していて、６，５×１、０ ’Ａ／ ｃ ｍ２とな
った。
，）２を用いた以外は実施例１と同様な方法で、酸化物
系超電導成形体のペレットを製造し、実施例１と同様な
方法で臨界電流密度（ＪＣ）を測定した。その結果Ｂ＝
ＯＴの場合は、Ｚｒ濃度（ｙ）−〇で臨界電流密度（Ｊ
Ｃ）は１．５Ｘ１０’Ａ ／ ｃ ｍ ”となり、Ｂ＝
ＩＴの場合は１．Ｊ、の値はｙ＝１ｏ−’付近にピーク
を有していて、６，５×１、０ ’Ａ／ ｃ ｍ２とな
った。
本発明による酸化物系超電導体は、臨界電流密度（ＪＣ
）が大きく、且つＪ、の磁場（Ｂ）依存性が小さい等工
業上顕著な効果を奏するものである。
）が大きく、且つＪ、の磁場（Ｂ）依存性が小さい等工
業上顕著な効果を奏するものである。
第１図はペレットへの電極の形成を示す説明図、第２圀
はＣｕの一部をＴｉで置換した場合におけるＪｃのＴ１
濃度依存性を示す説明図である。 １−ペレット、２ａ、２ｂ−電流電極、３ａ、３ｂ−電
圧電極。 特許出願人 代理人 弁理士 鈴木雄−１ペレツト 第１図 第２図
はＣｕの一部をＴｉで置換した場合におけるＪｃのＴ１
濃度依存性を示す説明図である。 １−ペレット、２ａ、２ｂ−電流電極、３ａ、３ｂ−電
圧電極。 特許出願人 代理人 弁理士 鈴木雄−１ペレツト 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）希土類元素、アルカリ土金属、銅及び酸素からな
る一般式Ｒ＿１Ａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｚ（Ｒ：希
土類元素、Ａ：アルカリ土金属）の組成の酸化物系超電
導体のＣｕの一部をIVａ族遷移金属（Ｍ）で置換し、一
般式Ｒ＿１Ａ＿２Ｃｕ＿３＿−＿ｙＭ＿ｙＯ＿７＿−＿
ｚ（１０＾−＾５≦ｙ≦１０＾−＾２、０＜ｚ＜０．５
）なる組成にした事を特徴とする酸化物系超電導体。 - （２）一般式Ｒ（ＮＯ＿３）＿３、Ａ（ＮＯ＿３）＿２
及びＣｕ（ＮＯ＿３）＿２で示される希土類元素（Ｒ）
、アルカリ土金属（Ａ）及び銅の硝酸塩からなる水溶液
に、一般式ＭＯ（ＮＯ＿３）＿２で示されるIVａ族遷移
金属（Ｍ）の硝酸塩を添加して、溶液法により酸化物系
超電導体の原料粉体を作った後、該原料粉体を焼結処理
する事を特徴とする一般式Ｒ＿１Ａ＿２Ｃｕ＿３＿−＿
ｙＭ＿ｙＯ＿７＿−＿ｚ（１０＾−＾５≦ｙ≦１０＾−
＾２、０＜ｚ＜０．５）なる組成の酸化物系超電導体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63001536A JP2610030B2 (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 酸化物系超電導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63001536A JP2610030B2 (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 酸化物系超電導体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179719A true JPH01179719A (ja) | 1989-07-17 |
| JP2610030B2 JP2610030B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=11504245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63001536A Expired - Lifetime JP2610030B2 (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 酸化物系超電導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2610030B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5583093A (en) * | 1991-03-22 | 1996-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxide material with Ln, Sr, Cu, O, optionally Ca, and at least one of Fe, Co, Ti, V, Ge, Mo, and W |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291817A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Toshiba Corp | 酸化物超電導体 |
-
1988
- 1988-01-07 JP JP63001536A patent/JP2610030B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291817A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Toshiba Corp | 酸化物超電導体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5583093A (en) * | 1991-03-22 | 1996-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxide material with Ln, Sr, Cu, O, optionally Ca, and at least one of Fe, Co, Ti, V, Ge, Mo, and W |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2610030B2 (ja) | 1997-05-14 |
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