JPH01180449A - 合成開口処理装置 - Google Patents
合成開口処理装置Info
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- JPH01180449A JPH01180449A JP63003371A JP337188A JPH01180449A JP H01180449 A JPH01180449 A JP H01180449A JP 63003371 A JP63003371 A JP 63003371A JP 337188 A JP337188 A JP 337188A JP H01180449 A JPH01180449 A JP H01180449A
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- Measurement Of Velocity Or Position Using Acoustic Or Ultrasonic Waves (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明に1例えは超音波管用いて金属材料中の欠陥を
検出し、その欠陥像を高解像度、実時間で表示すること
のできる非破壊検査に用いられたり、もしくは電磁波を
用いて地表面の状況を上方より映像化することのできる
合成開口レーダによる合成開口処理装置に関するもので
ある。
検出し、その欠陥像を高解像度、実時間で表示すること
のできる非破壊検査に用いられたり、もしくは電磁波を
用いて地表面の状況を上方より映像化することのできる
合成開口レーダによる合成開口処理装置に関するもので
ある。
超音波非破壊検査等で用いられている手法の一つで超音
波ビームを絞って再生対象物体の一点の空間情報をその
反射信号の送信から受信までの伝ばん時間より測定し、
超音波送受信子を電子的もしくは機械的に順次走査し、
再生対象物体像を点情報の集りとして映像化1表示して
いくという方法に対し、広がった超音波ビームを物体に
照射し。
波ビームを絞って再生対象物体の一点の空間情報をその
反射信号の送信から受信までの伝ばん時間より測定し、
超音波送受信子を電子的もしくは機械的に順次走査し、
再生対象物体像を点情報の集りとして映像化1表示して
いくという方法に対し、広がった超音波ビームを物体に
照射し。
その反射波ないし透過波を受信素子で受信し、その波の
振幅と位相情報を記録し、(ホログラム作成)。
振幅と位相情報を記録し、(ホログラム作成)。
このホログラムから物体像音再生するいわゆる合成開口
方式というのがある。
方式というのがある。
この合成開口方式では原理上解像度が物体までの距離に
よらず一定となる特徴を有している。
よらず一定となる特徴を有している。
第3図は超音波合成開口方式により、対象物の再生処理
を行う合成開口処理装置の従来例を示している。
を行う合成開口処理装置の従来例を示している。
同図において、 +llt!超音波送受信子(以下、送
受信子)、 (21は送信器、(3)は受信器、(4)
はA/D変換器、 +51t!A/Dラインメモリ部、
(611−!波形メモリ部。
受信子)、 (21は送信器、(3)は受信器、(4)
はA/D変換器、 +51t!A/Dラインメモリ部、
(611−!波形メモリ部。
(7)はラッチゲート回路、(8)は演算器、 (9)
t:を画像表示部(以下2表示部)、αQは再生演算制
御部(以下。
t:を画像表示部(以下2表示部)、αQは再生演算制
御部(以下。
再生制御部)、(tilt;tフォーカステーブル、
a2h測定制御部、α3は走査駆動機構、セしてα51
は被検材である。
a2h測定制御部、α3は走査駆動機構、セしてα51
は被検材である。
また、前記波形メモリ部(6)はア、ドレス長Nの波形
メモリ(以下、単にメモリ)M個即ち1M□〜MMを具
備しており、一方、前記A/Dう1ンメモリ部(5)は
アドレス長NのA/Dラインメモリ(以下、単にA/D
メモリ)1個MD I−備えている。
メモリ(以下、単にメモリ)M個即ち1M□〜MMを具
備しており、一方、前記A/Dう1ンメモリ部(5)は
アドレス長NのA/Dラインメモリ(以下、単にA/D
メモリ)1個MD I−備えている。
なお、第4図(a)及び(b)に各々、前記メモIJM
、〜MM及びA/DメモリMDの概念図を示した。
、〜MM及びA/DメモリMDの概念図を示した。
また、第5図は1合成開口方式による再生処理の原理を
説明するための図である。
説明するための図である。
同図において、横軸は送受信子の走査方向、及び、縦軸
は時間を表わし、また、T@は送信時を表わす。
は時間を表わし、また、T@は送信時を表わす。
いま、再生しようとする点aの情報を含む各走査点にお
ける受信信号は、各走査点と点aとの距離分だけ各々位
相遅れを有し、その位相遅れの軌跡は同図に示すごとく
点at−頂点とする双曲線になる。また1点aの情報を
含む受信信号が得られる走査方向における範囲は超音波
ビームの広がりによって決まシ、再生しようとする深さ
方向における最大の距離の点情報の受信可能な、走査方
向における最大の範囲を合成開口長と称し2、−中りで
表わされる。そして9図におiて点at−再生するには
、前記合成開口長りの範囲における9黒磯に関する各走
査点における受信信号を前記位相軌跡(以下1位相履歴
線と称す)に沿りて加算することになる。
ける受信信号は、各走査点と点aとの距離分だけ各々位
相遅れを有し、その位相遅れの軌跡は同図に示すごとく
点at−頂点とする双曲線になる。また1点aの情報を
含む受信信号が得られる走査方向における範囲は超音波
ビームの広がりによって決まシ、再生しようとする深さ
方向における最大の距離の点情報の受信可能な、走査方
向における最大の範囲を合成開口長と称し2、−中りで
表わされる。そして9図におiて点at−再生するには
、前記合成開口長りの範囲における9黒磯に関する各走
査点における受信信号を前記位相軌跡(以下1位相履歴
線と称す)に沿りて加算することになる。
更に、第6図は前記波形メモリ部(6)のメモリM1〜
MMの構成を説明するための図である。
MMの構成を説明するための図である。
同図において、横軸は走査方向、縦軸は深さ方向に相当
する。Ll及びり、は前記合成開口長りによる合成開口
範囲でめり、l!、及び4は前記合成開口範囲L1及び
L8によりて再生される再生対象線(以下、対象線)、
また1、 2.3.・・・・・・、(M−1)1M、(
M+l)は各走査点9点a及び点aは同じ深さ方向の点
であって前記対象線1.及び12上の点でもある。
する。Ll及びり、は前記合成開口長りによる合成開口
範囲でめり、l!、及び4は前記合成開口範囲L1及び
L8によりて再生される再生対象線(以下、対象線)、
また1、 2.3.・・・・・・、(M−1)1M、(
M+l)は各走査点9点a及び点aは同じ深さ方向の点
であって前記対象線1.及び12上の点でもある。
各走査点に対応して得られた受信信号は前記A/D変換
器(4)にて所定のサンプリング周期で9勺変換され9
合成開口範囲L1を走査点lからMまで走査し終ると走
査点数分即ち1M個の離散デジタル植列が得られる。
器(4)にて所定のサンプリング周期で9勺変換され9
合成開口範囲L1を走査点lからMまで走査し終ると走
査点数分即ち1M個の離散デジタル植列が得られる。
よって、前記波形メモリ部(6)のメモリM8〜MMの
個数Mfl、前記合前記合成開門範囲内点数に相当して
おり、また、そのアドレス長Nは前記離散デジタル値の
個数に相当している。
個数Mfl、前記合前記合成開門範囲内点数に相当して
おり、また、そのアドレス長Nは前記離散デジタル値の
個数に相当している。
そして9点af再生する手順は(1)前記合成開口範囲
L8内の走査点1−Mにおいて得られた離散デジタル植
列を各走査点に対応して前記波形メモリ(6)のメモリ
M、〜MMに記憶しておく(2)点aを再生するための
各走査点における離散デジタル植列の中の前記位相履歴
線より決まる必要データを取り出して加算処理する。
L8内の走査点1−Mにおいて得られた離散デジタル植
列を各走査点に対応して前記波形メモリ(6)のメモリ
M、〜MMに記憶しておく(2)点aを再生するための
各走査点における離散デジタル植列の中の前記位相履歴
線より決まる必要データを取り出して加算処理する。
なお9点aを再生するための各走査点における離散デジ
タル植列の中の前記位相履歴線より決まる必要データを
前記波形メモリ部(6)より取り出すには次の方法によ
る。即ち、予め、再生対象点に対応して一義的に規定さ
れる前記位相履歴線に従って、必要な離散デジタル値の
格納されている前記波形メモリ部(6)の前記メモリM
、〜MMにおけるアドレス値を各走査点即ち、各メモリ
に対応させてテーブル化しておき、このテーブル即ち、
前記フォーカステーブル圓からのアドレス情報により。
タル植列の中の前記位相履歴線より決まる必要データを
前記波形メモリ部(6)より取り出すには次の方法によ
る。即ち、予め、再生対象点に対応して一義的に規定さ
れる前記位相履歴線に従って、必要な離散デジタル値の
格納されている前記波形メモリ部(6)の前記メモリM
、〜MMにおけるアドレス値を各走査点即ち、各メモリ
に対応させてテーブル化しておき、このテーブル即ち、
前記フォーカステーブル圓からのアドレス情報により。
前記波形メモリ部(6)から再生対象点に対応した複数
個の離散デジタル値が読み出され、前記演算器(8)へ
と転送される。
個の離散デジタル値が読み出され、前記演算器(8)へ
と転送される。
次に点a’?再生するには、前記合成開口範囲り。
内の各走査点2〜(M+1)で得られる各受信信号の離
散デジタル植列のうち9点3′に関する位相履歴線によ
る前記フォーカステーブル圓のアドレス情報により前記
波形メモリ部(6)から読み出された複数個の前記離散
デジタル値を同様に加算するのでおる。
散デジタル植列のうち9点3′に関する位相履歴線によ
る前記フォーカステーブル圓のアドレス情報により前記
波形メモリ部(6)から読み出された複数個の前記離散
デジタル値を同様に加算するのでおる。
以上のように、対象線が順次、走査方向にシフトしてい
くということは、前記波形メモリ部(6)におけるデー
タの動作としては次のようになる。即ち、前記(M+1
)の走査点でのlライン分の受信信号が得られた燭、前
記(M+1)の走査点での1ライン化の離散デジタル値
を前記A/Dラインメモリ部(5)のA/DメモリMD
から前記波形メモリ部(6)の前記メモリMMに格納す
る際、前記メモIJM、〜MMに格納されていた離散デ
ジタル植列はlラインずつラインシフトし、前記走査点
lでのlライン分のデータは捨てられ、ラインシフトす
る前に走査点Mに相当するメモリMMのlライン分のデ
ータが格納されていたラインに前記(M+1)でのlラ
イン分のデータが格納される。なお、送受信子(11を
走査する毎に上記のラインシフトの動作を前記ラッチゲ
ート回路(7)が行なう。
くということは、前記波形メモリ部(6)におけるデー
タの動作としては次のようになる。即ち、前記(M+1
)の走査点でのlライン分の受信信号が得られた燭、前
記(M+1)の走査点での1ライン化の離散デジタル値
を前記A/Dラインメモリ部(5)のA/DメモリMD
から前記波形メモリ部(6)の前記メモリMMに格納す
る際、前記メモIJM、〜MMに格納されていた離散デ
ジタル植列はlラインずつラインシフトし、前記走査点
lでのlライン分のデータは捨てられ、ラインシフトす
る前に走査点Mに相当するメモリMMのlライン分のデ
ータが格納されていたラインに前記(M+1)でのlラ
イン分のデータが格納される。なお、送受信子(11を
走査する毎に上記のラインシフトの動作を前記ラッチゲ
ート回路(7)が行なう。
ところで、いま点a及び点a′の深さが同一であるとす
ると2位相履歴線も同一となり、−従って。
ると2位相履歴線も同一となり、−従って。
深さが同一である点を再生するのに必要なデータの波形
メモリ部(6)内におけるアドレスも同一となる。即ち
、ある深さに対応して一義的に決まる位相履歴線に基づ
く前記フォーカステーブルαυを。
メモリ部(6)内におけるアドレスも同一となる。即ち
、ある深さに対応して一義的に決まる位相履歴線に基づ
く前記フォーカステーブルαυを。
異なる合成開口範囲の同−深さの点に対して共通に用い
ることができる。
ることができる。
以上の各動作をまとめると、1走査問の動作は。
■前記送信器(2)から前記送受信子(1)へ送信パル
スが印加される。■受信信号が前記A/D変換器(4)
にて離散デジタル値に変換され、前記離散デジタル植列
が前記A/Dラインメモリ部(5)のA/DメモリMD
に格納される。■前記波形メモリ部(6)のメモリM。
スが印加される。■受信信号が前記A/D変換器(4)
にて離散デジタル値に変換され、前記離散デジタル植列
が前記A/Dラインメモリ部(5)のA/DメモリMD
に格納される。■前記波形メモリ部(6)のメモリM。
〜MMにおけるラインシフト及び前記A/Dラインメ七
り部(5)のA/DメモリMDからのデータの転送及び
格納が行なわれる。■前記フォーカステーブル(111
のアドレス情報により前記メモリMl〜MMから各々必
要データが読み出され、前記演算器(8)へ転送される
。■前記演算器(8)にて再生対象点毎に加算処理がな
される。■前記演算器(8)での加算結果即ち、深さ方
向1247分のデータが前記表示部(9)に転送され1
247分の像表示がなされる。
り部(5)のA/DメモリMDからのデータの転送及び
格納が行なわれる。■前記フォーカステーブル(111
のアドレス情報により前記メモリMl〜MMから各々必
要データが読み出され、前記演算器(8)へ転送される
。■前記演算器(8)にて再生対象点毎に加算処理がな
される。■前記演算器(8)での加算結果即ち、深さ方
向1247分のデータが前記表示部(9)に転送され1
247分の像表示がなされる。
即ち、前記送受信子(1)全走査する毎に上記の00の
動作が行なわれていく。
動作が行なわれていく。
なお、前記再生制御部ααは前記測定制御部αりの指示
により、前記A/D変換器(4)によりA/D変換され
た受信信号から1ライン分が再生されるまでのタイミン
グを制御し、また、前記測定制御部は。
により、前記A/D変換器(4)によりA/D変換され
た受信信号から1ライン分が再生されるまでのタイミン
グを制御し、また、前記測定制御部は。
送信、受信、再生及び画像表示のタイミ、ングを制御す
る。
る。
従来の技術の項で説明したように、前記波形メモリ部(
6)におけるデータの構成U、 Mを前記合成開口範囲
内の走査点数、一方、Nit回の走査で得られた受信信
号を所定のサンプリング周期でデジタル化した結果の離
散デジタル値の個数とすると、前記離散デジタル植列が
走査点数分並んだ構成、即ち、MXNの二次元行列構成
となっている。
6)におけるデータの構成U、 Mを前記合成開口範囲
内の走査点数、一方、Nit回の走査で得られた受信信
号を所定のサンプリング周期でデジタル化した結果の離
散デジタル値の個数とすると、前記離散デジタル植列が
走査点数分並んだ構成、即ち、MXNの二次元行列構成
となっている。
また、前記A/DメモリMDのアドレス長も、前記メモ
リM1%MDのアドレス長Nと等しい。
リM1%MDのアドレス長Nと等しい。
ところで、前記ラインシフトの際には9.フィンシフト
させる離散デジタル値のアドレスをl〜Nまで1つずつ
前記再生制御部αlより前記波形メモリ部(6)及びA
/Dライ/メモリ部(5)にアクセスして離散デジタル
値のラインシフトが下記に示す様に全走査点に対して同
時に1合計でN回繰り返される。
させる離散デジタル値のアドレスをl〜Nまで1つずつ
前記再生制御部αlより前記波形メモリ部(6)及びA
/Dライ/メモリ部(5)にアクセスして離散デジタル
値のラインシフトが下記に示す様に全走査点に対して同
時に1合計でN回繰り返される。
即ち、前記波形メモリ部(6)ハ所定のビット数でかつ
、アドレス長Nのメモリを、走査点数分のM個即ち2M
1〜MM 9aえているので、ラインシフトを全走査点
に対して同時にN回繰り返して行うことができる。
、アドレス長Nのメモリを、走査点数分のM個即ち2M
1〜MM 9aえているので、ラインシフトを全走査点
に対して同時にN回繰り返して行うことができる。
■A/Dラインメモリ部(5)のA/DメモリMD→ラ
ッチゲート回路(7)→波形メメリ部(6)のメモリM
。
ッチゲート回路(7)→波形メメリ部(6)のメモリM
。
□1回
■波形メモリ部(6)のM5→ラッテゲート回路(7)
→波形メモリ部他)のメモ’J M(J+1) (
N+1)回また。前記A/DメモIJ MDに前記A/
D変換器(4)にてA/D変換した離散デジタル値が格
納される動作も同様にN回繰り返される。
→波形メモリ部他)のメモ’J M(J+1) (
N+1)回また。前記A/DメモIJ MDに前記A/
D変換器(4)にてA/D変換した離散デジタル値が格
納される動作も同様にN回繰り返される。
ところで、前記Nu、を回の走査で得られる離散デジタ
ル値の個数であるので、繭記被検材四の深さ方向の厚み
が異なったり、サンプリング周期が異なると、離散デジ
タル値の個数の値も異なってくる。
ル値の個数であるので、繭記被検材四の深さ方向の厚み
が異なったり、サンプリング周期が異なると、離散デジ
タル値の個数の値も異なってくる。
そこで、前記メモリM1〜MMのアドレス長Nに対し、
ある条件で得られる離散デジタル値の個数をKとすると
、N>Kの場合には、実際には全部のアドレスをアクセ
スする必要がないにも関わらず、ラインシフト及びA/
D変換の際には、被検材の厚みに係わりなく全アドレス
tN回アクセスしなければならず、そのために要するア
クセスタイムは、固定される。
ある条件で得られる離散デジタル値の個数をKとすると
、N>Kの場合には、実際には全部のアドレスをアクセ
スする必要がないにも関わらず、ラインシフト及びA/
D変換の際には、被検材の厚みに係わりなく全アドレス
tN回アクセスしなければならず、そのために要するア
クセスタイムは、固定される。
また、N<Kの場合や、N>Kの場合に不要なアクセス
タイムがかかるのを避けようとすると。
タイムがかかるのを避けようとすると。
所定の条件での離散デジタルア値数に応じたアドレス長
のメモIJ t−用意する必要が生じ、装置の汎用性が
失われる。
のメモIJ t−用意する必要が生じ、装置の汎用性が
失われる。
この発明は以上のような課題を解決するためになされた
もので、固定アドレス長のメモリを波形メモリ及びA/
Dラインメモリの九めに備え、しかも、被検材の厚みの
変化やサンプリング周期の変化など、離散デジタル値数
の変化に対して、アクセスする最大アドレス値を設定す
ることによってアドレス長を可変とし、被検材の厚みや
サンプリング周期の変化に応じてアクセスタイムを変え
ることができるようにしたものである。
もので、固定アドレス長のメモリを波形メモリ及びA/
Dラインメモリの九めに備え、しかも、被検材の厚みの
変化やサンプリング周期の変化など、離散デジタル値数
の変化に対して、アクセスする最大アドレス値を設定す
ることによってアドレス長を可変とし、被検材の厚みや
サンプリング周期の変化に応じてアクセスタイムを変え
ることができるようにしたものである。
この発明に関わる合成開口処理装置は、従来。
あるアドレス長のメモリを備えていると9例えは被検材
の厚みが異なる場合等、−走査点で得られる離散デヅタ
ル値の個数が具備しているアドレス長よシ小さい場合で
も、全てのアドレスに対してアクセスしなければならな
−ので、処理に不要なアクセスタイムがかかってiたが
、固定アドレス長のメモリを前記A/Dラインメモリ部
及び前記波形メモリ部内に具備する一方で1条件に応じ
てアクセスするべきアドレス長を演算及び設定し、設定
アドレス値より先のアドレスに対してはアクセスしない
ように制御するアドレス制御部を設けて。
の厚みが異なる場合等、−走査点で得られる離散デヅタ
ル値の個数が具備しているアドレス長よシ小さい場合で
も、全てのアドレスに対してアクセスしなければならな
−ので、処理に不要なアクセスタイムがかかってiたが
、固定アドレス長のメモリを前記A/Dラインメモリ部
及び前記波形メモリ部内に具備する一方で1条件に応じ
てアクセスするべきアドレス長を演算及び設定し、設定
アドレス値より先のアドレスに対してはアクセスしない
ように制御するアドレス制御部を設けて。
異なる被検材の厚み或はサンプリング周期等の条件に対
応してアクセスタイムを可変となるようにしたものであ
る。
応してアクセスタイムを可変となるようにしたものであ
る。
百−換えれはこの発明に関わる合成開口処理装置は、外
部より検査条件即ち、前記被検材の厚みまたは対象物の
最大深さ、音速及び前記A/D変換器におけるサンプリ
ング時間を設定することにより、−走査点当りの離散デ
ジタル値数を設定アドレス値として算出するアドレス長
演算回路を備え。
部より検査条件即ち、前記被検材の厚みまたは対象物の
最大深さ、音速及び前記A/D変換器におけるサンプリ
ング時間を設定することにより、−走査点当りの離散デ
ジタル値数を設定アドレス値として算出するアドレス長
演算回路を備え。
前記A/Dラインメモリ部及び前記波形メモリ部会々に
備えられているメモリに対するアドレスカウンタの値が
設定アドレス値と一致すると、設定アドレス値よシ、先
のアドレスに対するアクセスをストップさせ、一つの前
記A/Dラインメモリ部及び前記波形メモリ部における
メモリを可変アドレス長のメモリとして用いるので、装
置の汎用性を保ちながら、しかも処理に不要なアクセス
タイムを消費しない即ち、用途に応じた処理時間を有す
る装置を提供するものである。
備えられているメモリに対するアドレスカウンタの値が
設定アドレス値と一致すると、設定アドレス値よシ、先
のアドレスに対するアクセスをストップさせ、一つの前
記A/Dラインメモリ部及び前記波形メモリ部における
メモリを可変アドレス長のメモリとして用いるので、装
置の汎用性を保ちながら、しかも処理に不要なアクセス
タイムを消費しない即ち、用途に応じた処理時間を有す
る装置を提供するものである。
この発明による合成開口処理装置は、あるアドレス長の
メモリを前記波形メモリ部及びA/Dラインメモリ部内
のメモリとして用いる際、被検材の厚みが異なる場合な
ど離散デジタル値の個数が前記アドレス長より小さくな
るような場合でも、予め、外部より入力した条件に応じ
たアドレス長を算出及び設定し、設定アドレスより先の
アドレスに対してアクセスしないように制御するために
。
メモリを前記波形メモリ部及びA/Dラインメモリ部内
のメモリとして用いる際、被検材の厚みが異なる場合な
ど離散デジタル値の個数が前記アドレス長より小さくな
るような場合でも、予め、外部より入力した条件に応じ
たアドレス長を算出及び設定し、設定アドレスより先の
アドレスに対してアクセスしないように制御するために
。
一つのアドレス長のメモリにて用途に応じたメモリの使
い分けができ、装置の汎用性を失うことなく、シかも不
要な処理時間の節約を図ることができる。
い分けができ、装置の汎用性を失うことなく、シかも不
要な処理時間の節約を図ることができる。
第1図はこの発明による合成開口処理装置の一実施例を
示している。
示している。
同図において、(1)は超音波送受信子(以下、送受信
子)t (21は送信器、(3)は受信器、(4)はA
/D変換器。
子)t (21は送信器、(3)は受信器、(4)はA
/D変換器。
(5)はA/Dラインメモリ部、+61#:を波形メモ
リ部、(7)はラッチゲート回路、(8)は演算器、(
9)は画像表示部(以下2表示部)、αIは再生演算制
御部(以下、再生制御部)、 (Illはフォーカステ
ーブル、 (12h測定制御部、α3は走査駆動機構、
α41はアドレス制御部。
リ部、(7)はラッチゲート回路、(8)は演算器、(
9)は画像表示部(以下2表示部)、αIは再生演算制
御部(以下、再生制御部)、 (Illはフォーカステ
ーブル、 (12h測定制御部、α3は走査駆動機構、
α41はアドレス制御部。
そして、α51は被検材である。
また、前記波形メモリ部(6)ハアドレス長Nの波形メ
モリ(以下、単にメモリ)M個即ち2M1〜MMより構
成され、前記A/Dラインメモリ部(5)はアドレス長
NのA/Dラインメモリ(以下、単にA7’Dメモリ)
1個即ちMDを備えている。
モリ(以下、単にメモリ)M個即ち2M1〜MMより構
成され、前記A/Dラインメモリ部(5)はアドレス長
NのA/Dラインメモリ(以下、単にA7’Dメモリ)
1個即ちMDを備えている。
なお、上記メモリM、〜MM及びA/DメモリMDの構
成は前記第4図に示した通りである。
成は前記第4図に示した通りである。
この発明による合成開口処理装置の全体動作は従来の合
成開口処理装置の全体動作と同様である。
成開口処理装置の全体動作と同様である。
即ち、前記メモリM、〜MMのデータの構成は、二次元
の行列構成となっており、その行方向が走査方向で、か
つ合成開口範囲内の走置点数に、一方。
の行列構成となっており、その行方向が走査方向で、か
つ合成開口範囲内の走置点数に、一方。
列方向が1回の走査で得られる受信信号の離散デジタル
化された結果の個数に相当している。
化された結果の個数に相当している。
そして、1走査問に、■前記送信器(2)から前記送受
信子(υへ送信パルスが印加されて、前記送受信子(1
)より前記被検材a9へと超音波が照射される■前記被
検材αυ中にて反射された超音波は前記送受信子ill
により電気信号として受信され、前記受信器(3)を経
て前記A/D変換器(4)へ送出される■前記A/D変
換器(4)にて離散化された結果、l走査点に対応する
離散デジタル値の列は前記A/DメモリMDに格納され
る■前記メモリM1〜MMにおいてlラインずつデータ
がシフトされ、前記A/DメモリMDより前記離散デジ
タル植列が前記メモリMMへ転送される■前記フォーカ
ステーブルαDからのアドレス情報により、再生対象線
上の再生対象点を再生するに必要なデータが前記に対し
アクセスされ。
信子(υへ送信パルスが印加されて、前記送受信子(1
)より前記被検材a9へと超音波が照射される■前記被
検材αυ中にて反射された超音波は前記送受信子ill
により電気信号として受信され、前記受信器(3)を経
て前記A/D変換器(4)へ送出される■前記A/D変
換器(4)にて離散化された結果、l走査点に対応する
離散デジタル値の列は前記A/DメモリMDに格納され
る■前記メモリM1〜MMにおいてlラインずつデータ
がシフトされ、前記A/DメモリMDより前記離散デジ
タル植列が前記メモリMMへ転送される■前記フォーカ
ステーブルαDからのアドレス情報により、再生対象線
上の再生対象点を再生するに必要なデータが前記に対し
アクセスされ。
前記演算器(8)へと送出される■前記演算器(8)に
て各再生対象点毎に加算処理がなされ、結局l−)イン
分のデータが前記表示部(9)へと転送される。
て各再生対象点毎に加算処理がなされ、結局l−)イン
分のデータが前記表示部(9)へと転送される。
なお、前記再生制御部(101は前記創建制御部α2か
らの指示により、受信信号を再生演算及び表示するまで
、各種のタイミングの制御を行なう。ま九前記測定制御
部(2)の制御により、前記走査機構αJは前記送受信
子(11の走査を行う。
らの指示により、受信信号を再生演算及び表示するまで
、各種のタイミングの制御を行なう。ま九前記測定制御
部(2)の制御により、前記走査機構αJは前記送受信
子(11の走査を行う。
次にこの発明の合成開口処理装置の特徴をなす前記アド
レス制御部α4の動作について第2図を用いて以下に説
明する。第2図は前記アドレス制御部α4の一実施例を
示す図である。同図において。
レス制御部α4の動作について第2図を用いて以下に説
明する。第2図は前記アドレス制御部α4の一実施例を
示す図である。同図において。
Qeはアドレス長演算回路、αηは比較回路、α81は
制御回路であって、前記アドレス制御s圓は前記アドレ
ス長演算回路αQ、前記比較回路αη及び制御回路−を
備えた構造になっている。また、α9はアドレスカウン
タ、mhバッファであって、前記再生制御部ααに備え
られている。
制御回路であって、前記アドレス制御s圓は前記アドレ
ス長演算回路αQ、前記比較回路αη及び制御回路−を
備えた構造になっている。また、α9はアドレスカウン
タ、mhバッファであって、前記再生制御部ααに備え
られている。
なお9図中工□〜工、は各々対象物の最大深さ即ち前記
被検材−の厚み、被検材筋)中における音速及び前記A
/D変換器(4)におけるサンプリング時間である。
被検材−の厚み、被検材筋)中における音速及び前記A
/D変換器(4)におけるサンプリング時間である。
例えは、前記ラインシフト時においては、離散デジタル
値のアドレスが前記アドレスカウンタしより前記バッフ
ァ31金介して前記波形メモリ部(6)内のメモリM、
〜MMへとアクセスされる。そして。
値のアドレスが前記アドレスカウンタしより前記バッフ
ァ31金介して前記波形メモリ部(6)内のメモリM、
〜MMへとアクセスされる。そして。
前述したように、アクセスされたメモリM1〜MMの離
散デジタル値が一旦、前記うッチゲート部(7)にてラ
ッチされた後、前記再生制御部Oαの送出するあるタイ
ミングで、前記メモリM8〜M、一つ分(まfcバー走
査点魚介当)シフトされて、@記メモリMユ〜M、に再
び格納される。ところで、前記アドレスカウンタαIH
−つずつアドレスをカウントしていくので、アドレスを
カウントしていく途中で、前記アドレスカウンタα!1
lVcて生成されるキャリーCOが、前記アドレス制御
部α勾即ち、前記比較回路11?1にて、前記11〜I
、より演算されたアドレス長と等しくなれば、前記制御
回路+181が動作して。
散デジタル値が一旦、前記うッチゲート部(7)にてラ
ッチされた後、前記再生制御部Oαの送出するあるタイ
ミングで、前記メモリM8〜M、一つ分(まfcバー走
査点魚介当)シフトされて、@記メモリMユ〜M、に再
び格納される。ところで、前記アドレスカウンタαIH
−つずつアドレスをカウントしていくので、アドレスを
カウントしていく途中で、前記アドレスカウンタα!1
lVcて生成されるキャリーCOが、前記アドレス制御
部α勾即ち、前記比較回路11?1にて、前記11〜I
、より演算されたアドレス長と等しくなれば、前記制御
回路+181が動作して。
前記バッファ■のゲートをクローズし、前記アドレスカ
ウンタ(19t−クリヤする。また、前記再生制御部u
l内の図示していないタイミング発生の機能を有する回
路にも前記制御回路(1mの出す信号は伝えられる。か
くして、前記アドレス長演算回路αeの演算したアドレ
ス長より先のアドレスに対しては前記再生制御部aαは
アクセスしないことになる。
ウンタ(19t−クリヤする。また、前記再生制御部u
l内の図示していないタイミング発生の機能を有する回
路にも前記制御回路(1mの出す信号は伝えられる。か
くして、前記アドレス長演算回路αeの演算したアドレ
ス長より先のアドレスに対しては前記再生制御部aαは
アクセスしないことになる。
なお2本実施例では、前記アドレス制御部a4のメモリ
アドレス制御の動作を、前記波形メモリ部(6)に対し
てのみ示したがA/Dラインメモリ部(5)のN勺メモ
IJM、に対しても本実施例と同様の動作を行ない、ま
た同様の効果を奏することはいうまでもない。
アドレス制御の動作を、前記波形メモリ部(6)に対し
てのみ示したがA/Dラインメモリ部(5)のN勺メモ
IJM、に対しても本実施例と同様の動作を行ない、ま
た同様の効果を奏することはいうまでもない。
また2本実施例では、前記アドレス制御部αΦとして第
2図に示したような構成を用いたが、前記入カニ、〜工
、によるアドレス長と前記再生制御部曲内のアドレスカ
ウンタa9におけるアドレス値が一致した場合に前記波
形メモリ部(6)及びA/Dライ/メモリ部(5)への
アクセスを停止させるよう制御する機能を有する回路で
あれは、他の構成のアドレス制御部であっても、同様の
効果が奏せられるものである。
2図に示したような構成を用いたが、前記入カニ、〜工
、によるアドレス長と前記再生制御部曲内のアドレスカ
ウンタa9におけるアドレス値が一致した場合に前記波
形メモリ部(6)及びA/Dライ/メモリ部(5)への
アクセスを停止させるよう制御する機能を有する回路で
あれは、他の構成のアドレス制御部であっても、同様の
効果が奏せられるものである。
以上のように、この発明による合成開口処理装置によれ
ば、被検材の厚みが異なる場合など、離散デジタル値の
個数が異なる場合には、予め入力条件に基づいて演算さ
れかつ設定された必要なアドレス長に応じて波形メモリ
部及びA/Dラインメモリ部のメモリに対し、設定アド
レスよシ先のアドレスをアクセスしないように制御する
機能を有するアドレス制御部を備えたので、用途に応じ
て。
ば、被検材の厚みが異なる場合など、離散デジタル値の
個数が異なる場合には、予め入力条件に基づいて演算さ
れかつ設定された必要なアドレス長に応じて波形メモリ
部及びA/Dラインメモリ部のメモリに対し、設定アド
レスよシ先のアドレスをアクセスしないように制御する
機能を有するアドレス制御部を備えたので、用途に応じ
て。
必要最小限のアクセスタイムしか処理にかからず。
メモリの汎用性を保ちながら、処理時間の節約をはかれ
る効果がわる。
る効果がわる。
第1図はこの発明による合成開口処理装置を示す図、第
2図はこの発明による合成開口処理装置の特徴をなすア
ドレス制御部を説明するための図。 第3図は従来の合成開口処理装置を示す図、第4図はこ
の発明及び従来の合成開口処理装置のA/Dラインメモ
リ及び波形メモリを示す図、第5図は合成開口方式によ
る再生処理の原理を説明するための図、第6図は波形メ
モリの構成を説明するための図であって、(1)は送受
信子、(21は送信器、(31は受信器、(4)はA/
D変換器、(5)はA/Dラインメモリ部、(6)は波
形メモリ部、(7)はラッチゲート回路。 (8)は演算器、叫は再生演算制御部、(1υはフォー
カステーブル、a41aアドレス制御部、Qehアドレ
ス長演算演算回路、〜工、は各々、対象物の最大深さ。 対象物内における音速及び前記A/D変換器におけるサ
ンプリング時間2MX、は前記ラインメモリ、M1〜M
、、、ti前記波形メモリである。 なお9図中、同一あるいは相当部分には同一番号を付し
て示しである。
2図はこの発明による合成開口処理装置の特徴をなすア
ドレス制御部を説明するための図。 第3図は従来の合成開口処理装置を示す図、第4図はこ
の発明及び従来の合成開口処理装置のA/Dラインメモ
リ及び波形メモリを示す図、第5図は合成開口方式によ
る再生処理の原理を説明するための図、第6図は波形メ
モリの構成を説明するための図であって、(1)は送受
信子、(21は送信器、(31は受信器、(4)はA/
D変換器、(5)はA/Dラインメモリ部、(6)は波
形メモリ部、(7)はラッチゲート回路。 (8)は演算器、叫は再生演算制御部、(1υはフォー
カステーブル、a41aアドレス制御部、Qehアドレ
ス長演算演算回路、〜工、は各々、対象物の最大深さ。 対象物内における音速及び前記A/D変換器におけるサ
ンプリング時間2MX、は前記ラインメモリ、M1〜M
、、、ti前記波形メモリである。 なお9図中、同一あるいは相当部分には同一番号を付し
て示しである。
Claims (1)
- 超音波もしくは電磁波を発生かつ検出する送受信子と、
前記送受信子に電気信号を印加する送信器と、前記送受
信子を機械的もしくは電子的に走査して対象物体の内部
に空間的な広がりのある超音波もしくは電磁波ビームを
走査方向の各走査点において送信した結果、対象物体内
部より前記送受信子により検出された超音波もしくは電
磁波ビームの反射波を受信する受信器と、前記受信器か
らの1走査点分に相当する受信信号をアナログ/デジタ
ル変換するA/D変換器と、前記A/D変換器により得
られた1走査点分に相当する複数個の離散デジタル値を
格納するA/Dラインメモリを備えたA/Dラインメモ
リ部と、前記A/Dラインメモリからの1走査点分に相
当する複数個の離散デジタル値を逐次1走査毎に受けて
走査点に対応した離散デジタル値列として複数個の走査
点分格納するべく2次元のフレームメモリに構成された
波形メモリを備えた波形メモリ部と、最新の走査点の直
前の走査点までの離散デジタル値列が格納されている前
記波形メモリ内の全ての離散デジタル値列を1走査点分
ずつラインシフトし、かつまた、ラインシフトする前に
前記最新の直前の走査点に対応して離散デジタル値列が
格納されていた前記波形メモリ内の領域に前記A/Dラ
インメモリから最新の走査点に相当する離散デジタル値
列を格納させ、かつまた前記波形メモリの離散デジタル
値を波形メモリ内においてラインシフトさせるために一
時的に記憶しておくラッチゲート回路と、合成開口範囲
内の任意の再生対象である中心線上の各点を再生処理す
る際に必要な前記波形メモリの離散デジタル値を各走査
点毎に読み出すために、各走査点毎の離散デジタル値の
アドレスを再生対象点に対応させてテーブル化したフォ
ーカステーブルと、前記対象物の最大深さ、音速及び前
記A/D変換器におけるサンプリング時間を外部より設
定することにより一走査点当りの離散デジタル値数を設
定アドレス値として演算するアドレス長演算回路を備え
、前記設定アドレス値に基づいて前記A/Dラインメモ
リ及び前記波形メモリへのアクセスを制御するアドレス
制御部と、再生演算を行なう時に前記フォーカステーブ
ルにおける必要なデータを前記波形メモリに対して送出
させ、また、ラインシフトさせる前記波形メモリ部の離
散デジタル値のアドレスや前記ラッチゲート回路にラッ
チさせる前記A/Dラインメモリ内の離散デジタル値の
アドレスを指示し、かつ前記ラインシフト及び再生演算
のタイミングを制御する再生演算制御部と、前記波形メ
モリから読み出された複数個の離散デジタル値を加算す
る演算器とを備えたことを特徴とする合成開口処理装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63003371A JPH01180449A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 合成開口処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63003371A JPH01180449A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 合成開口処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01180449A true JPH01180449A (ja) | 1989-07-18 |
Family
ID=11555489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63003371A Pending JPH01180449A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 合成開口処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01180449A (ja) |
-
1988
- 1988-01-11 JP JP63003371A patent/JPH01180449A/ja active Pending
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