JPH01180960A - 真空蒸着用Ｒｈ金属 - Google Patents
真空蒸着用Ｒｈ金属Info
- Publication number
- JPH01180960A JPH01180960A JP216988A JP216988A JPH01180960A JP H01180960 A JPH01180960 A JP H01180960A JP 216988 A JP216988 A JP 216988A JP 216988 A JP216988 A JP 216988A JP H01180960 A JPH01180960 A JP H01180960A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- less
- 1ppm
- elements
- ppm
- vacuum deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、リードスイッチ用接点材料などに使用される
真空蒸着用Ｒｈ金属に関する。
真空蒸着用Ｒｈ金属に関する。
（従来の技術とその問題点）
従来よりＲｈは、通常９９．９５％のものが純Ｒｈとし
て、真空蒸着材料に使用されている。
て、真空蒸着材料に使用されている。
ところで、このＲｈの真空蒸着材料の中には不純物とし
て多数の元素が微量存在しているので、真空蒸着時に溶
融状態のＲｈが突沸したり、飛散したりして、溶融Ｒｈ
が基板に付着し、平滑な膜が得られないものである。
て多数の元素が微量存在しているので、真空蒸着時に溶
融状態のＲｈが突沸したり、飛散したりして、溶融Ｒｈ
が基板に付着し、平滑な膜が得られないものである。
これはＲｈの融点が２２８℃であるが、不純物として微
量存在する多数の元素の沸点は殆んどそれ以下である為
、溶融Ｒｈ中ではそれらの元素が選択的にしかも突沸的
に蒸発するからである。
量存在する多数の元素の沸点は殆んどそれ以下である為
、溶融Ｒｈ中ではそれらの元素が選択的にしかも突沸的
に蒸発するからである。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点を解決すべ（なされたもので、不
純物として存在する多数の元素の含有量を少な（して、
真空蒸着時それらの元素の蒸発を少なくし、溶融Ｒｈが
突沸したり、飛散したりするのを減少するようにした真
空蒸着用Ｒｈ金属を提供することを目的とするものであ
る。
純物として存在する多数の元素の含有量を少な（して、
真空蒸着時それらの元素の蒸発を少なくし、溶融Ｒｈが
突沸したり、飛散したりするのを減少するようにした真
空蒸着用Ｒｈ金属を提供することを目的とするものであ
る。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明の真空蒸着用Ｒｈ金
属は、重量比で、Ｃｄが１ＰＰＭ以下、Ａｓが１ＰＰＭ
以下、Ｎａか１ＰＰＭ以下、Ｋが１ＰＰＭ以下、Ｚｎが
１ＰＰＭ以下、Ｍｇが３ＰＰＭ以下、Ｓｒが１ＰＰＭ以
下、Ｃａが３ＰＰＭ以下、Ｂｉが１ＰＰＭ以下、Ｓｂが
１ＰＰＭ以下、Ｂａが１ＰＰＭ以下、Ｐｂが１ＰＰＭ以
下、Ａｎが２０ＰＰＭ以下、Ｉｎが１ＰＰＭ以下、Ｍｎ
が１ＰＰＭ以下、Ａｇが１ＰＰＭ以下、Ｓｉが１０ＰＰ
Ｍ以下、ＳｎがＩ Ｐ Ｐ Ｍ以下で、これら元素の総
量が３０ＰＰＭ以下であり、且つＲｈの純度が重量比で
９９．９８％以上であることを特徴とするものである。
属は、重量比で、Ｃｄが１ＰＰＭ以下、Ａｓが１ＰＰＭ
以下、Ｎａか１ＰＰＭ以下、Ｋが１ＰＰＭ以下、Ｚｎが
１ＰＰＭ以下、Ｍｇが３ＰＰＭ以下、Ｓｒが１ＰＰＭ以
下、Ｃａが３ＰＰＭ以下、Ｂｉが１ＰＰＭ以下、Ｓｂが
１ＰＰＭ以下、Ｂａが１ＰＰＭ以下、Ｐｂが１ＰＰＭ以
下、Ａｎが２０ＰＰＭ以下、Ｉｎが１ＰＰＭ以下、Ｍｎ
が１ＰＰＭ以下、Ａｇが１ＰＰＭ以下、Ｓｉが１０ＰＰ
Ｍ以下、ＳｎがＩ Ｐ Ｐ Ｍ以下で、これら元素の総
量が３０ＰＰＭ以下であり、且つＲｈの純度が重量比で
９９．９８％以上であることを特徴とするものである。
また、本発明の真空蒸着用Ｒｈ金属は、沸点が１００℃
以下のＣｄ、Ａｓ、Ｎａ、Ｋ、Ｚｎの元素が総量で重量
比３ＰＰＭ以下であることも特徴である。
以下のＣｄ、Ａｓ、Ｎａ、Ｋ、Ｚｎの元素が総量で重量
比３ＰＰＭ以下であることも特徴である。
さらに本発明の真空蒸着用Ｒｈ金属は、沸点が１０００
°０〜２００℃のＭｇ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂ ｉ、Ｓｂ、Ｂ
ａ、Ｐｂの元素が総量で重量比７ＰＰＭ以下であること
も特徴である。
°０〜２００℃のＭｇ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂ ｉ、Ｓｂ、Ｂ
ａ、Ｐｂの元素が総量で重量比７ＰＰＭ以下であること
も特徴である。
さらにまた本発明の真空萎着用Ｒｈ金属は、沸点が２０
０℃を超えるＡｌ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｓｎの元
素が総量で重量比２０ＰＰＭ以下であることも特徴であ
る。
０℃を超えるＡｌ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｓｎの元
素が総量で重量比２０ＰＰＭ以下であることも特徴であ
る。
本発明の真空蒸着用Ｒｈ金属に於いて、各元素の重量比
の上限を前述の如く限定した理由は、各元素の重量比が
上限を超えると、真空蒸着時各元素が突沸的に蒸発する
為である。また各元素の総量を３０ＰＰＭ以下に限定し
た理由は、３０ＰＰＭを超えると真空蒸着時含有する元
素の蒸発が極端に増加するからである。
の上限を前述の如く限定した理由は、各元素の重量比が
上限を超えると、真空蒸着時各元素が突沸的に蒸発する
為である。また各元素の総量を３０ＰＰＭ以下に限定し
た理由は、３０ＰＰＭを超えると真空蒸着時含有する元
素の蒸発が極端に増加するからである。
沸点が１００℃以下の蒸気圧の高いＣｄ、Ａｓ、Ｎａ、
Ｋ、Ｚｎの元素の総量を重量比で３ＰＰＭ以下にした理
由は、真空蒸着時それらの元素の蒸発をなくし、溶融Ｒ
ｈの突沸を減少するためである。
Ｋ、Ｚｎの元素の総量を重量比で３ＰＰＭ以下にした理
由は、真空蒸着時それらの元素の蒸発をなくし、溶融Ｒ
ｈの突沸を減少するためである。
沸点が１００℃〜２００℃の蒸気圧の低いＭｇ、Ｓｒ、
Ｃａ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｐｂの元素の総量を重量比で
７ＰＰＭ以下にした理由は、真空蒸着時それらの元素の
蒸発を少なくし、溶融Ｒｈの突沸を減少する為である。
Ｃａ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｐｂの元素の総量を重量比で
７ＰＰＭ以下にした理由は、真空蒸着時それらの元素の
蒸発を少なくし、溶融Ｒｈの突沸を減少する為である。
沸点が２００℃を超える蒸気圧の極めて低いＡｌ、Ｉｎ
、Ｍｎ、Ａｇ、Ｓ ｉ、Ｓｎの元素の総量を重量比で２
０ＰＰＭ以下にした理由は、真空蒸着時それらの元素の
蒸発を少なくし、溶融Ｒｈの突沸を減少する為である。
、Ｍｎ、Ａｇ、Ｓ ｉ、Ｓｎの元素の総量を重量比で２
０ＰＰＭ以下にした理由は、真空蒸着時それらの元素の
蒸発を少なくし、溶融Ｒｈの突沸を減少する為である。
Ｒｈを重量比で９９．９８％としたのは、Ｒｈの純度を
より高める為である。
より高める為である。
（実施例）
本発明による真空蒸着用Ｒｈ金属の実施例及び比較例に
ついて説明する。不純物として多数の元素を含有するＲ
ｈを予めアーク溶解炉や電子ビーム溶解炉で５分以上溶
解して、Ｒｈより蒸気圧の高い各元素を選択的に蒸発さ
せて、下記の表に示す成分組成の実施例１〜８及び比較
例１〜４の真空蒸着用Ｒｈ金属を得た。
ついて説明する。不純物として多数の元素を含有するＲ
ｈを予めアーク溶解炉や電子ビーム溶解炉で５分以上溶
解して、Ｒｈより蒸気圧の高い各元素を選択的に蒸発さ
せて、下記の表に示す成分組成の実施例１〜８及び比較
例１〜４の真空蒸着用Ｒｈ金属を得た。
これら実施例及び比較例の真空蒸着用Ｒｈ金属を基板に
真空蒸着した処、当初の１分間で下記の表の右端欄に示
すような回数の突沸かあった。
真空蒸着した処、当初の１分間で下記の表の右端欄に示
すような回数の突沸かあった。
（以下余白）
上記の表で明らかなように比較例１〜４の真空蒸着用Ｒ
ｈ金属は、真空蒸着時の微量に含有する元素の蒸発によ
る溶融Ｒｈの突沸回数が３〜５回と多いのに対し、実施
例１〜８の真空蒸着用Ｒｈ金属は、真空蒸着時の微量に
含有する元素の蒸発による溶融Ｒｈの突沸回数が０〜１
回と極めて少ないことが判る。これはひとえにＲｈ中に
含有するＣｄ、Ａｓ、Ｎａ、Ｋ、Ｚｎの各々が１ＰＰＭ
以下で、Ｍｇ、Ｃａが３ＰＰＭ以下、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｓｂ
、Ｂａ、Ｐｂの各々が１ＰＰＭ以下で、ＡＩ！。
ｈ金属は、真空蒸着時の微量に含有する元素の蒸発によ
る溶融Ｒｈの突沸回数が３〜５回と多いのに対し、実施
例１〜８の真空蒸着用Ｒｈ金属は、真空蒸着時の微量に
含有する元素の蒸発による溶融Ｒｈの突沸回数が０〜１
回と極めて少ないことが判る。これはひとえにＲｈ中に
含有するＣｄ、Ａｓ、Ｎａ、Ｋ、Ｚｎの各々が１ＰＰＭ
以下で、Ｍｇ、Ｃａが３ＰＰＭ以下、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｓｂ
、Ｂａ、Ｐｂの各々が１ＰＰＭ以下で、ＡＩ！。
２０ＰＰＭ以下、ＳＳｉ１０ＰＰ、Ｉ ｎ、Ｍｎ、Ａｇ
、Ｓｎの各々か１ＰＰＭであり、これら元素の総量が３
０ＰＰＭ以下であるからである。
、Ｓｎの各々か１ＰＰＭであり、これら元素の総量が３
０ＰＰＭ以下であるからである。
そして沸点１００℃以下の元素の総量が３ＰＰＭ以下、
沸点１０００〜２０００’Ｃの元素の総量が７ＰＰＭ以
下、沸点２００℃以上の元素の総量か２０ＰＰＭ以下で
あるからである。
沸点１０００〜２０００’Ｃの元素の総量が７ＰＰＭ以
下、沸点２００℃以上の元素の総量か２０ＰＰＭ以下で
あるからである。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明の真空蒸着用Ｒｈ金属は
、不純物として存在する多数の元素の含有量を少なくし
であるので、真空蒸着時それら元素の蒸発が少なく、溶
融Ｒｈの突沸や飛散が著しく減少し、平滑な膜を形成で
きるという効果がある。
、不純物として存在する多数の元素の含有量を少なくし
であるので、真空蒸着時それら元素の蒸発が少なく、溶
融Ｒｈの突沸や飛散が著しく減少し、平滑な膜を形成で
きるという効果がある。
出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (4)
- （１）重量比で、Ｃｄが１ＰＰＭ以下、Ａｓが１ＰＰＭ
以下、Ｎａが１ＰＰＭ以下、Ｋが１ＰＰＭ以下、Ｚｎが
１ＰＰＭ以下、Ｍｇが３ＰＰＭ以下、Ｓｒが１ＰＰＭ以
下、Ｃａが３ＰＰＭ以下、Ｂｉが１ＰＰＭ以下、Ｓｂが
１ＰＰＭ以下、Ｂａが１ＰＰＭ以下、Ｐｂが１ＰＰＭ以
下、Ａｌが２０ＰＰＭ以下、Ｉｎが１ＰＰＭ以下、Ｍｎ
が１ＰＰＭ以下、Ａｇが１ＰＰＭ以下、Ｓｉが１０ＰＰ
Ｍ以下、Ｓｎが１ＰＰＭ以下で、これら元素の総量が３
０ＰＰＭ以下であり、且つＲｈの純度が重量比で９９．
９８％以上であることを特徴とする真空蒸着用Ｒｈ金属
。 - （２）重量比で、沸点が１００℃以下のＣｄ、Ａｓ、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｚｎの元素が総量で３ＰＰＭ以下であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の真空蒸着用Ｒｈ
金属。 - （３）重量比で、沸点が１０００℃〜２０００℃のＭｇ
、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｐｂの元素が総量で
７ＰＰＭ以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の真空蒸着用Ｒｈ金属。 - （４）重量比で、沸点が２０００℃を超えるＡｌ、Ｉｎ
、Ｍｎ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｓｎの元素が総量で２０ＰＰＭ以
下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
真空蒸着用Ｒｈ金属。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP216988A JPH01180960A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 真空蒸着用Ｒｈ金属 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP216988A JPH01180960A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 真空蒸着用Ｒｈ金属 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01180960A true JPH01180960A (ja) | 1989-07-18 |
Family
ID=11521863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP216988A Pending JPH01180960A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 真空蒸着用Ｒｈ金属 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01180960A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100737969B1 (ko) * | 2002-02-20 | 2007-07-12 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
-
1988
- 1988-01-08 JP JP216988A patent/JPH01180960A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100737969B1 (ko) * | 2002-02-20 | 2007-07-12 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0704272B1 (en) | Lead-free alloys for use in solder bonding | |
| EP0711629B1 (en) | Lead-free low melting solder with improved mechanical properties and articles bonded therewith | |
| KR100317091B1 (ko) | 고순도루테늄의제조방법,박막형성용고순도루테늄재료,및반도체박막 | |
| KR20010023932A (ko) | 고순도 루테늄 스팟터링 타겟트의 제조방법 및 고순도루테늄 스팟터링 타겟트 | |
| JPH06344181A (ja) | 改良された力学的性質を持つＰｂを含まない半田 | |
| US5352542A (en) | Use of silver alloys as cadium-free brazing solder | |
| US4610720A (en) | Method for preparing high purity vanadium | |
| US4622205A (en) | Electromigration lifetime increase of lead base alloys | |
| KR102025514B1 (ko) | 땜납 볼, 땜납 조인트 및 접합 방법 | |
| JPH01180960A (ja) | 真空蒸着用Ｒｈ金属 | |
| CN108015292B (zh) | 一种GeSbTe系合金粉末的制备方法 | |
| JPH01180962A (ja) | 真空蒸着用Ｐｄ金属 | |
| JPH01180964A (ja) | 真空蒸着用Ｉｒ金属 | |
| JP2533588B2 (ja) | 真空蒸着用Ｒｕ金属 | |
| JPH01180963A (ja) | 真空蒸着用Ｏｓ金属 | |
| JPH01180961A (ja) | 真空蒸着用Ｐｔ金属 | |
| US4347413A (en) | Electrodes of vacuum circuit breaker | |
| US3637421A (en) | Vacuum vapor coating with metals of high vapor pressure | |
| US5531962A (en) | Cadmium-free silver alloy brazing solder, method of using said solder, and metal articles brazed with said solder | |
| JP2614885B2 (ja) | 真空蒸着用銅基材 | |
| JPS62184727A (ja) | 真空開閉装置用接触片及びその製造方法 | |
| JP2614895B2 (ja) | 真空蒸着用銅基材 | |
| JPS61269998A (ja) | Ｓｎ合金はんだ箔材の製造法 | |
| JPH0320007A (ja) | 磁性体薄膜の製造方法 | |
| JPH0317073B2 (ja) |