JPH01180961A - 真空蒸着用Ｐｔ金属 - Google Patents
真空蒸着用Ｐｔ金属Info
- Publication number
- JPH01180961A JPH01180961A JP217088A JP217088A JPH01180961A JP H01180961 A JPH01180961 A JP H01180961A JP 217088 A JP217088 A JP 217088A JP 217088 A JP217088 A JP 217088A JP H01180961 A JPH01180961 A JP H01180961A
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- JP
- Japan
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- less
- 1ppm
- ppm
- vacuum deposition
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、リードスイッチ用接点材料などに使用される
真空蒸着用Ｐｔ金金属関する。
真空蒸着用Ｐｔ金金属関する。
（従来の技術とその問題点）
従来よりＰｔは、通常９９．９５％のものが純Ｐｔとし
て、真空蒸着材料に使用されている。
て、真空蒸着材料に使用されている。
ところで、このＰｔの真空蒸着材料の中には不純物とし
て多数の元素が微量存在しているので、真空蒸着時に溶
融状態のＰｔが突沸したり、飛散したりして、溶融Ｐｔ
が基板に付着し、平滑な膜か得られないものである。
て多数の元素が微量存在しているので、真空蒸着時に溶
融状態のＰｔが突沸したり、飛散したりして、溶融Ｐｔ
が基板に付着し、平滑な膜か得られないものである。
これはＰｔの融点が２２８０℃であるが、不純物として
微量存在する多数の元素の沸点は殆んどそれ以下である
為、溶融Ｐｔ中ではそれらの元素が選択的にしかも突沸
的に蒸発するからである。
微量存在する多数の元素の沸点は殆んどそれ以下である
為、溶融Ｐｔ中ではそれらの元素が選択的にしかも突沸
的に蒸発するからである。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、不
純物として存在する多数の元素の含有量を少なくして、
真空蒸着時それらの元素の蒸発を少なくし、溶融Ｐｔが
突沸したり、飛散したりするのを減少するようにした真
空蒸着用Ｐｔ金属を提供することを目的とするものであ
る。
純物として存在する多数の元素の含有量を少なくして、
真空蒸着時それらの元素の蒸発を少なくし、溶融Ｐｔが
突沸したり、飛散したりするのを減少するようにした真
空蒸着用Ｐｔ金属を提供することを目的とするものであ
る。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明の真空蒸着用Ｐｔ金
属は、重量比で、Ｃｄが１ＰＰＭ以下、Ａｓが１ＰＰＭ
以下、Ｎａが１ＰＰＭ以下、Ｋが１ＰＰＭ以下、Ｚｎが
１ＰＰＭ以下、Ｍｇが３ＰＰＭ以下、Ｓｒが１ＰＰＭ以
下、Ｃａが３ＰＰＭ以下、Ｂｉが１ＰＰＭ以下、Ｓｂが
１ＰＰＭ以下、Ｂａが１ＰＰＭ以下、Ｐｂが１ＰＰＭ以
下、八！が２０ＰＰＭ以下、Ｉｎが１ＰＰＭ以下、Ｍｎ
が１ＰＰＭ以下、Ａｇが１ＰＰＭ以下、Ｓｉが１０ＰＰ
Ｍ以下、Ｓｎが１ＰＰＭ以下で、これら元素の総量が３
０ＰＰＭ以下であり、且つＰｔの純度が重量比で９９．
９８％以上であることを特徴とするものである。
属は、重量比で、Ｃｄが１ＰＰＭ以下、Ａｓが１ＰＰＭ
以下、Ｎａが１ＰＰＭ以下、Ｋが１ＰＰＭ以下、Ｚｎが
１ＰＰＭ以下、Ｍｇが３ＰＰＭ以下、Ｓｒが１ＰＰＭ以
下、Ｃａが３ＰＰＭ以下、Ｂｉが１ＰＰＭ以下、Ｓｂが
１ＰＰＭ以下、Ｂａが１ＰＰＭ以下、Ｐｂが１ＰＰＭ以
下、八！が２０ＰＰＭ以下、Ｉｎが１ＰＰＭ以下、Ｍｎ
が１ＰＰＭ以下、Ａｇが１ＰＰＭ以下、Ｓｉが１０ＰＰ
Ｍ以下、Ｓｎが１ＰＰＭ以下で、これら元素の総量が３
０ＰＰＭ以下であり、且つＰｔの純度が重量比で９９．
９８％以上であることを特徴とするものである。
また、本発明の真空蒸着用Ｐｔ金金属、沸点が１０００
”Ｃ以下のＣｄ、Ａｓ、Ｎａ、Ｋ、Ｚｎの元素が総量で
重量比３ＰＰＭ以下であることも特徴である。
”Ｃ以下のＣｄ、Ａｓ、Ｎａ、Ｋ、Ｚｎの元素が総量で
重量比３ＰＰＭ以下であることも特徴である。
さらに本発明の真空蒸着用Ｐｔ金属は、沸点が１０００
℃〜２０００℃のＭｇ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｂａ
、Ｐｂの元素が総量で重量比７ＰＰＭ以下であることも
特徴である。
℃〜２０００℃のＭｇ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｂａ
、Ｐｂの元素が総量で重量比７ＰＰＭ以下であることも
特徴である。
さらにまた本発明の真空蒸着用Ｐｔ金金属、沸点か２０
００℃を超えるＡ！、Ｉｎ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｓｎの
元素が総量で重量比２０ＰＰＭ以下であることも特徴で
ある。
００℃を超えるＡ！、Ｉｎ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｓｎの
元素が総量で重量比２０ＰＰＭ以下であることも特徴で
ある。
本発明の真空蕉着用Ｐｔ金属に於いて、各元素の重量比
の上限を前述の如（限定した理由は、各元素の重量比が
上限を超えると、真空衆着時各元素が突沸的に蒸発する
為である。また各元素の総量を３０ＰＰＭ以下に限定し
た理由は、３０ＰＰＭを超えると真空蒸着時含有する元
素の蒸発が極端に増加するからである。
の上限を前述の如（限定した理由は、各元素の重量比が
上限を超えると、真空衆着時各元素が突沸的に蒸発する
為である。また各元素の総量を３０ＰＰＭ以下に限定し
た理由は、３０ＰＰＭを超えると真空蒸着時含有する元
素の蒸発が極端に増加するからである。
沸点が１０００℃以下の蒸気圧の高いＣｄ、Ａｓ、Ｎａ
、Ｋ、Ｚｎの元素の総量を重量比で３ＰＰＭ以下にした
理由は、真空蒸着時それらの元素の蒸発をなくし、溶融
Ｐｔの突沸を減少するためである。
、Ｋ、Ｚｎの元素の総量を重量比で３ＰＰＭ以下にした
理由は、真空蒸着時それらの元素の蒸発をなくし、溶融
Ｐｔの突沸を減少するためである。
沸点が１０００℃〜２０００℃の蒸気圧の低いＭｇ、Ｓ
ｒ、Ｃａ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｐｂの元素の総量を重量
比で７ＰＰＭ以下にした理由は、真空蒸着時それらの元
素の蒸発を少なくし、溶融Ｐｔの突沸を減少する為であ
る。
ｒ、Ｃａ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｐｂの元素の総量を重量
比で７ＰＰＭ以下にした理由は、真空蒸着時それらの元
素の蒸発を少なくし、溶融Ｐｔの突沸を減少する為であ
る。
沸点が２０００℃を超える蒸気圧の極めて低いＡｌ、Ｉ
ｎ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｓ ｉ、Ｓｎの元素の総量を重量比で
２０ＰＰＭ以下にした理由は、真空蒸着時それらの元素
の蒸発を少なくし、溶融Ｐｔの突沸を減少する為である
。
ｎ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｓ ｉ、Ｓｎの元素の総量を重量比で
２０ＰＰＭ以下にした理由は、真空蒸着時それらの元素
の蒸発を少なくし、溶融Ｐｔの突沸を減少する為である
。
Ｐｔを重量比で９９．９８％としたのは、Ｐｔの純度を
より高める為である。
より高める為である。
（実施例）
本発明による真空蒸着用Ｐｔ金金属実施例及び比較例に
ついて説明する。不純物として多数の元素を含有するＰ
ｔを予めアーク溶解炉や電子ビーム溶解炉で５分以上溶
解して、Ｐｔより蒸気圧の高い各元素を選択的に蒸発さ
せて、下記の表に示す成分組成の実施例１〜８及び比較
例１〜４の真空蒸着用Ｐｔ金金属得た。
ついて説明する。不純物として多数の元素を含有するＰ
ｔを予めアーク溶解炉や電子ビーム溶解炉で５分以上溶
解して、Ｐｔより蒸気圧の高い各元素を選択的に蒸発さ
せて、下記の表に示す成分組成の実施例１〜８及び比較
例１〜４の真空蒸着用Ｐｔ金金属得た。
これら実施例及び比較例の真空蒸着用Ｐｔ金金属基板に
真空蒸着した処、当初の１分間で下記の表の右端欄に示
すような回数の突沸かあった。
真空蒸着した処、当初の１分間で下記の表の右端欄に示
すような回数の突沸かあった。
（以下余白）
上記の表で明らかなように比較例１〜４の真空蒸着用Ｐ
ｔ金属は、真空蒸着時の微量に含有する元素の蒸発によ
る溶融Ｐｔの突沸回数が３〜５回と多いのに対し、実施
例１〜８の真空蒸着用Ｐｔ金属は、真空蒸着時の微量に
含有する元素の蒸発による溶融Ｐｔの突沸回数か０〜１
回と極めて少ないことが判る。これはひとえにＰｔ中に
含有するＣｄ、Ａｓ、Ｎａ、Ｋ、Ｚｎの各々が１ＰＰＭ
ＰＰ下、Ｍｇ、Ｃａが３ＰＰＭ以下、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｓｂ
、Ｂａ、Ｐｂの各々が１ＰＰＭＰＰ下、へ！２０ＰＰＭ
以下、Ｓ ｉｌＯＰＰＭ、Ｉ ｎ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｓｎの
各々が１ＰＰＭであり、これら元素の総量が３０ＰＰＭ
以下であるからである。
ｔ金属は、真空蒸着時の微量に含有する元素の蒸発によ
る溶融Ｐｔの突沸回数が３〜５回と多いのに対し、実施
例１〜８の真空蒸着用Ｐｔ金属は、真空蒸着時の微量に
含有する元素の蒸発による溶融Ｐｔの突沸回数か０〜１
回と極めて少ないことが判る。これはひとえにＰｔ中に
含有するＣｄ、Ａｓ、Ｎａ、Ｋ、Ｚｎの各々が１ＰＰＭ
ＰＰ下、Ｍｇ、Ｃａが３ＰＰＭ以下、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｓｂ
、Ｂａ、Ｐｂの各々が１ＰＰＭＰＰ下、へ！２０ＰＰＭ
以下、Ｓ ｉｌＯＰＰＭ、Ｉ ｎ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｓｎの
各々が１ＰＰＭであり、これら元素の総量が３０ＰＰＭ
以下であるからである。
そして沸点１０００℃以下の元素の総量が３ＰＰＭ以下
、沸点１０００〜２０００℃の元素の総量が７ＰＰＭ以
下、沸点２０００℃以上の元素の総量か２０ＰＰＭ以下
であるからである。
、沸点１０００〜２０００℃の元素の総量が７ＰＰＭ以
下、沸点２０００℃以上の元素の総量か２０ＰＰＭ以下
であるからである。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明の真空蒸着用Ｐｔ金金属
、不純物として存在する多数の元素の含有量を少なくし
であるので、真空蒸着時それら元素の蒸発が少なく、溶
融Ｐｔの突沸や飛散が著しく減少し、平滑な膜を形成で
きるという効果がある。
、不純物として存在する多数の元素の含有量を少なくし
であるので、真空蒸着時それら元素の蒸発が少なく、溶
融Ｐｔの突沸や飛散が著しく減少し、平滑な膜を形成で
きるという効果がある。
出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (4)
- （１）重量比で、Ｃｄが１ＰＰＭ以下、Ａｓが１ＰＰＭ
以下、Ｎａが１ＰＰＭ以下、Ｋが１ＰＰＭ以下、Ｚｎが
１ＰＰＭ以下、Ｍｇが３ＰＰＭ以下、Ｓｒが１ＰＰＭ以
下、Ｃａが３ＰＰＭ以下、Ｂｉが１ＰＰＭ以下、Ｓｂが
１ＰＰＭ以下、Ｂａが１ＰＰＭ以下、Ｐｂが１ＰＰＭ以
下、Ａｌが２０ＰＰＭ以下、Ｉｎが１ＰＰＭ以下、Ｍｎ
が１ＰＰＭ以下、Ａｇが１ＰＰＭ以下、Ｓｉが１０ＰＰ
Ｍ以下、Ｓｎが１ＰＰＭ以下で、これら元素の総量が３
０ＰＰＭ以下であり、且つＰｔの純度が重量比で９９．
９８％以上であることを特徴とする真空蒸着用Ｐｔ金属
。 - （２）重量比で、沸点が１０００℃以下のＣｄ、Ａｓ、
Ｎａ、Ｋ、Ｚｎの元素が総量で３ＰＰＭ以下であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の真空蒸着用Ｐ
ｔ金属。 - （３）重量比で、沸点が１０００℃〜２０００℃のＭｇ
、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｐｂの元素が総量で
７ＰＰＭ以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の真空蒸着用Ｐｔ金属。 - （４）重量比で、沸点が２０００℃を超えるＡｌ、Ｉｎ
、Ｍｎ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｓｎの元素が総量で２０ＰＰＭ以
下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
真空蒸着用Ｐｔ金属。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP217088A JPH01180961A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 真空蒸着用Ｐｔ金属 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP217088A JPH01180961A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 真空蒸着用Ｐｔ金属 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01180961A true JPH01180961A (ja) | 1989-07-18 |
Family
ID=11521889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP217088A Pending JPH01180961A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 真空蒸着用Ｐｔ金属 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01180961A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009119196A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 日鉱金属株式会社 | 磁性材ターゲット用白金粉末、同粉末の製造方法、白金焼結体からなる磁性材ターゲットの製造方法及び同焼結磁性材ターゲット |
| JP2024129306A (ja) * | 2023-03-13 | 2024-09-27 | 松田産業株式会社 | 貴金属蒸着材料 |
-
1988
- 1988-01-08 JP JP217088A patent/JPH01180961A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009119196A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 日鉱金属株式会社 | 磁性材ターゲット用白金粉末、同粉末の製造方法、白金焼結体からなる磁性材ターゲットの製造方法及び同焼結磁性材ターゲット |
| JP5301530B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-09-25 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 磁性材ターゲット用白金粉末、同粉末の製造方法、白金焼結体からなる磁性材ターゲットの製造方法及び同焼結磁性材ターゲット |
| JP2024129306A (ja) * | 2023-03-13 | 2024-09-27 | 松田産業株式会社 | 貴金属蒸着材料 |
| US12509763B2 (en) | 2023-03-13 | 2025-12-30 | Matsuda Sangyo Company Limited | Noble metal vapor deposition material |
| US12612695B2 (en) | 2023-03-13 | 2026-04-28 | Matsuda Sangyo Company Limited | Noble metal vapor deposition material |
| US12612696B2 (en) | 2023-03-13 | 2026-04-28 | Matsuda Sangyo Company Limited | Noble metal vapor deposition material |
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