JPH01180964A - 真空蒸着用Ir金属 - Google Patents
真空蒸着用Ir金属Info
- Publication number
- JPH01180964A JPH01180964A JP217388A JP217388A JPH01180964A JP H01180964 A JPH01180964 A JP H01180964A JP 217388 A JP217388 A JP 217388A JP 217388 A JP217388 A JP 217388A JP H01180964 A JPH01180964 A JP H01180964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- 1ppm
- less
- ppm
- elements
- vacuum deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、リードスイッチ用接点材料などに使用される
真空蒸着用Ir金属に関する。
真空蒸着用Ir金属に関する。
(従来の技術とその問題点)
従来よりIrは、通常99.95%のものが純Irとし
て、真空蒸着材料に使用されている。
て、真空蒸着材料に使用されている。
ところで、このIrの真空蒸着材料の中には不純物とし
て多数の元素が微量存在しているので、真空蒸着時に溶
融状態のIrか突沸したり、飛散したりして、溶融Ir
が基板に付着し、平滑な膜が得られないものである。
て多数の元素が微量存在しているので、真空蒸着時に溶
融状態のIrか突沸したり、飛散したりして、溶融Ir
が基板に付着し、平滑な膜が得られないものである。
これはIrの融点が2280℃であるが、不純物として
微量存在する多数の元素の沸点は殆んどそれ以下である
為、溶融Ir中ではそれらの元素が選択的にしかも突沸
的に蒸発するからである。
微量存在する多数の元素の沸点は殆んどそれ以下である
為、溶融Ir中ではそれらの元素が選択的にしかも突沸
的に蒸発するからである。
(発明の目的)
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、不
純物として存在する多数の元素の含有量を少なくして、
真空蒸着時それらの元素の蒸発を少なくし、溶融Irが
突沸したり、飛散したりするのを減少するようにした真
空蒸着用Ir金属を提供することを目的とするものであ
る。
純物として存在する多数の元素の含有量を少なくして、
真空蒸着時それらの元素の蒸発を少なくし、溶融Irが
突沸したり、飛散したりするのを減少するようにした真
空蒸着用Ir金属を提供することを目的とするものであ
る。
(問題点を解決するための手段)
上記問題点を解決するための本発明の真空蒸着用Ir金
属は、重量比で、Cdが1PPM以下、Asが1PPM
以下、Naが1PPM以下、Kが1PPM以下、Znが
1PPM以下、Mgが3PPM以下、Srが1PPM以
下、Caが3PPM以下、Biが1PPM以下、Sbが
1PPM以下、Baが1PPM以下、Pbが1PPM以
下、Affiが20PPM以下、Inが1PPM以下、
Mnが1PPM以下、Agが1PPM以下、Slが10
PPM以下、Snが1PPM以下で、これら元素の総量
が30PPM以下であり、且つIrの純度が重量比で9
9.98%以上であることを特徴どするものである。
属は、重量比で、Cdが1PPM以下、Asが1PPM
以下、Naが1PPM以下、Kが1PPM以下、Znが
1PPM以下、Mgが3PPM以下、Srが1PPM以
下、Caが3PPM以下、Biが1PPM以下、Sbが
1PPM以下、Baが1PPM以下、Pbが1PPM以
下、Affiが20PPM以下、Inが1PPM以下、
Mnが1PPM以下、Agが1PPM以下、Slが10
PPM以下、Snが1PPM以下で、これら元素の総量
が30PPM以下であり、且つIrの純度が重量比で9
9.98%以上であることを特徴どするものである。
また、本発明の真空蒸着用Ir金属は、沸点が1000
℃以下のCd、As、Na、K、Znの元素が総量で重
量比3PPM以下であることも特徴である。
℃以下のCd、As、Na、K、Znの元素が総量で重
量比3PPM以下であることも特徴である。
さらに本発明の真空蒸着用Ir金属は、沸点が1000
℃〜2000℃のMg、、Sr、Ca、、B 1XSb
。
℃〜2000℃のMg、、Sr、Ca、、B 1XSb
。
Ba、Pbの元素が総量で重量比7PPM以下であるこ
とも特徴である。
とも特徴である。
さらにまた本発明の真空蒸着用Ir金属は、沸点が20
00℃を超えるAl、In、Mn、Ag、Si、Snの
元素が総量で重量比20PPM以下であることも特徴で
ある。
00℃を超えるAl、In、Mn、Ag、Si、Snの
元素が総量で重量比20PPM以下であることも特徴で
ある。
本発明の真空蒸着用Ir金属に於いて、各元素の重量比
の上限を前述の如く限定した理由は、各元素の重量比が
上限を超えると、真空蒸着時各元素が突沸的に蒸発する
為である。また各元素の総量を30PPM以下に限定し
た理由は、30PPMを超えると真空蒸着時含有する元
素の蒸発が極端に増加するからである。
の上限を前述の如く限定した理由は、各元素の重量比が
上限を超えると、真空蒸着時各元素が突沸的に蒸発する
為である。また各元素の総量を30PPM以下に限定し
た理由は、30PPMを超えると真空蒸着時含有する元
素の蒸発が極端に増加するからである。
沸点が1000℃以下の蒸気圧の高いCd、As、Na
、K、Znの元素の総量を重量比で3PPM以下にした
理由は、真空蒸着時それらの元素の蒸発をなくし、溶融
Irの突沸を減少するためである。
、K、Znの元素の総量を重量比で3PPM以下にした
理由は、真空蒸着時それらの元素の蒸発をなくし、溶融
Irの突沸を減少するためである。
沸点が1000℃〜2000℃の蒸気圧の低いMg、S
r、Ca、Bi、Sb、Ba、Pbの元素の総量を重量
比で7PPM以下にした理由は、真空蒸着時それらの元
素の蒸発を少なくし、溶融Irの突沸を減少する為であ
る。
r、Ca、Bi、Sb、Ba、Pbの元素の総量を重量
比で7PPM以下にした理由は、真空蒸着時それらの元
素の蒸発を少なくし、溶融Irの突沸を減少する為であ
る。
沸点が2000″Cを超える蒸気圧の極めて低いAl、
I n、Mn、Ag、S i、Snの元素の総量を重量
比で20PPM以下にした理由は、真空蒸着時それらの
元素の蒸発を少なくし、溶融Irの突沸を減少する為で
ある。
I n、Mn、Ag、S i、Snの元素の総量を重量
比で20PPM以下にした理由は、真空蒸着時それらの
元素の蒸発を少なくし、溶融Irの突沸を減少する為で
ある。
Irを重量比で99.98%としたのは、Irの純度を
より高める為である。
より高める為である。
(実施例)
本発明による真空蒸着用Ir金属の実施例及び比較例に
ついて説明する。不純物として多数の元素を含有するI
rを予めアーク溶解炉や電子ビーム溶解炉で5分以上溶
解して、Irより蒸気圧の高い各元素を選択的に蒸発さ
せて、下記の表に示す成分組成の実施例1〜8及び比較
例1〜4の真空蒸着用Ir金属を得た。
ついて説明する。不純物として多数の元素を含有するI
rを予めアーク溶解炉や電子ビーム溶解炉で5分以上溶
解して、Irより蒸気圧の高い各元素を選択的に蒸発さ
せて、下記の表に示す成分組成の実施例1〜8及び比較
例1〜4の真空蒸着用Ir金属を得た。
これら実施例及び比較例の真空蒸着用Ir金属を基板に
真空蒸着した処、当初の1分間で下記の表の右端欄に示
すような回数の突沸かあった。
真空蒸着した処、当初の1分間で下記の表の右端欄に示
すような回数の突沸かあった。
(以下余白)
上記の表で明らかなように比較例1〜4の真空蒸着用I
r金属は、真空蒸着時の微量に含有する元素の蒸発によ
る溶融Irの突沸回数が3〜5回と多いのに対し、実施
例1〜8の真空蒸着用Ir金属は、真空蒸着時の微量に
含有する元素の蒸発による溶融Irの突沸回数が0〜1
回と極めて少ないことが判る。これはひとえにIr中に
含有するCd、As、Na、K、Znの各々が1PPM
以下で、Mg、Caが3PPM以下、Sr、Bi、Sb
、Ba、Pbの各々が1PPM以下で、A!20PPM
以下、SSi10PP、I n、Mn、Ag、Snの各
々が1PPMであり、これら元素の総量が30PPM以
下であるからである。
r金属は、真空蒸着時の微量に含有する元素の蒸発によ
る溶融Irの突沸回数が3〜5回と多いのに対し、実施
例1〜8の真空蒸着用Ir金属は、真空蒸着時の微量に
含有する元素の蒸発による溶融Irの突沸回数が0〜1
回と極めて少ないことが判る。これはひとえにIr中に
含有するCd、As、Na、K、Znの各々が1PPM
以下で、Mg、Caが3PPM以下、Sr、Bi、Sb
、Ba、Pbの各々が1PPM以下で、A!20PPM
以下、SSi10PP、I n、Mn、Ag、Snの各
々が1PPMであり、これら元素の総量が30PPM以
下であるからである。
そして沸点1000’C以下の元素の総量が3PPM以
下、沸点1000〜2000℃の元素の総量が7PPM
以下、沸点2000℃以上の元素の総量が20PPM以
下であるからである。
下、沸点1000〜2000℃の元素の総量が7PPM
以下、沸点2000℃以上の元素の総量が20PPM以
下であるからである。
(発明の効果)
以上の説明で判るように本発明の真空蒸着用Ir金属は
、不純物として存在する多数の元素の含有量を少なくし
であるので、真空蒸着時それら元素の蒸発が少なく、溶
融Irの突沸や飛散が著しく減少し、平滑な膜を形成で
きるという効果がある。
、不純物として存在する多数の元素の含有量を少なくし
であるので、真空蒸着時それら元素の蒸発が少なく、溶
融Irの突沸や飛散が著しく減少し、平滑な膜を形成で
きるという効果がある。
出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (4)
- (1)重量比で、Cdが1PPM以下、Asが1PPM
以下、Naが1PPM以下、Kが1PPM以下、Znが
1PPM以下、Mgが3PPM以下、Srが1PPM以
下、Caが3PPM以下、Biが1PPM以下、Sbが
1PPM以下、Baが1PPM以下、Pbが1PPM以
下、Alが20PPM以下、Inが1PPM以下、Mn
が1PPM以下、Agが1PPM以下、Siが10PP
M以下、Snが1PPM以下で、これら元素の総量が3
0PPM以下であり、且つIrの純度が重量比で99.
98%以上であることを特徴とする真空蒸着用Ir金属
。 - (2)重量比で、沸点が1000℃以下のCd、As、
Na、K、Znの元素が総量で3PPM以下であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の真空蒸着用I
r金属。 - (3)重量比で、沸点が1000℃〜2000℃のMg
、Sr、Ca、Bi、Sb、Ba、Pbの元素が総量で
7PPM以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の真空蒸着用Ir金属。 - (4)重量比で、沸点が2000℃を超えるAl、In
、Mn、Ag、Si、Snの元素が総量で20PPM以
下であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
真空蒸着用Ir金属。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP217388A JPH01180964A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 真空蒸着用Ir金属 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP217388A JPH01180964A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 真空蒸着用Ir金属 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01180964A true JPH01180964A (ja) | 1989-07-18 |
Family
ID=11521974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP217388A Pending JPH01180964A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 真空蒸着用Ir金属 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01180964A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009107289A1 (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | 田中貴金属工業株式会社 | 硬度、加工性、並びに、防汚特性に優れたイリジウム合金 |
-
1988
- 1988-01-08 JP JP217388A patent/JPH01180964A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009107289A1 (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | 田中貴金属工業株式会社 | 硬度、加工性、並びに、防汚特性に優れたイリジウム合金 |
| US9063173B2 (en) | 2008-02-27 | 2015-06-23 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Iridium alloy excellent in hardness, workability and anti-contamination properties |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0704272B1 (en) | Lead-free alloys for use in solder bonding | |
| US6284013B1 (en) | Method for preparing high-purity ruthenium sputtering target and high-purity ruthenium sputtering target | |
| US5851482A (en) | Tin-bismuth based lead-free solder for copper and copper alloys | |
| KR19990014261A (ko) | 고순도루테늄의 제조방법 및 박막형성용 고순도루테늄재료 | |
| US6837947B2 (en) | Lead-free solder | |
| US5352542A (en) | Use of silver alloys as cadium-free brazing solder | |
| US4281041A (en) | Hard solderable metal layers on ceramic | |
| KR102025514B1 (ko) | 땜납 볼, 땜납 조인트 및 접합 방법 | |
| US4622205A (en) | Electromigration lifetime increase of lead base alloys | |
| JPH01180964A (ja) | 真空蒸着用Ir金属 | |
| JPH01180960A (ja) | 真空蒸着用Rh金属 | |
| JPH01180962A (ja) | 真空蒸着用Pd金属 | |
| JPH01180963A (ja) | 真空蒸着用Os金属 | |
| JP2533588B2 (ja) | 真空蒸着用Ru金属 | |
| JPH01180961A (ja) | 真空蒸着用Pt金属 | |
| US3637421A (en) | Vacuum vapor coating with metals of high vapor pressure | |
| JP2614885B2 (ja) | 真空蒸着用銅基材 | |
| JP4421170B2 (ja) | Ni−Sn合金からなるバリヤー層を備えた回路基板 | |
| JPH06279992A (ja) | 蒸着用高純度Ag | |
| US20060204397A1 (en) | Sn-zn lead-free solder alloy, and solder junction portion | |
| JP2614895B2 (ja) | 真空蒸着用銅基材 | |
| JPS63140794A (ja) | 高温で高い接合強度を示すGe合金ろう材 | |
| JPS61269998A (ja) | Sn合金はんだ箔材の製造法 | |
| Rapp et al. | Superconducting melt-spun ZrCo alloys | |
| JPH0867974A (ja) | Pt薄膜形成用スパッタリングターゲット |