JPH01180975A - スパッタリング用バッキングプレート - Google Patents
スパッタリング用バッキングプレートInfo
- Publication number
- JPH01180975A JPH01180975A JP409388A JP409388A JPH01180975A JP H01180975 A JPH01180975 A JP H01180975A JP 409388 A JP409388 A JP 409388A JP 409388 A JP409388 A JP 409388A JP H01180975 A JPH01180975 A JP H01180975A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- packing plate
- substrate
- target material
- backing plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、各工業分野において薄膜形成技術として、と
りわけ半導体分野においてＩＣ基板製造プロセスで薄膜
素子及び電極、配線などを形成する為のスパッタ法に用
いるパッキングプレートの改良に関する。
りわけ半導体分野においてＩＣ基板製造プロセスで薄膜
素子及び電極、配線などを形成する為のスパッタ法に用
いるパッキングプレートの改良に関する。
（従来の技術とその問題点）
従来のスパッタリング用ターゲツト材は、パッキングプ
レートにメタルボンディング材にて接合して使用してい
る。しかしこの使用法ではターゲツト材をパッキングプ
レートから取外して交換することはむずかしいので、パ
ッキングプレート諸共即ちターゲットを取外すことにな
り、その交換に時間がかかったり、ターゲツト材の交換
時にパッキングプレート側を冷却しているターゲツト材
冷却水の配管を取外す部分からスパッタリング装置の真
空槽への汚染が生じないようにする配慮が必要など段取
作業が甚だ面倒であった。
レートにメタルボンディング材にて接合して使用してい
る。しかしこの使用法ではターゲツト材をパッキングプ
レートから取外して交換することはむずかしいので、パ
ッキングプレート諸共即ちターゲットを取外すことにな
り、その交換に時間がかかったり、ターゲツト材の交換
時にパッキングプレート側を冷却しているターゲツト材
冷却水の配管を取外す部分からスパッタリング装置の真
空槽への汚染が生じないようにする配慮が必要など段取
作業が甚だ面倒であった。
そこで、ターゲツト材をメタルボンディング材でパッキ
ングプレートに接合するのをやめて、第１図に示す如（
ターゲツト材１を環状の取付治具２を介してパッキング
プレート３に直に接触保持することが考えられている。
ングプレートに接合するのをやめて、第１図に示す如（
ターゲツト材１を環状の取付治具２を介してパッキング
プレート３に直に接触保持することが考えられている。
この場合パッキングプレート３でのターゲツト材１の冷
却効果を上げる為、第２図に示す如くターゲツト材１の
バンキングプレート３と接触する側に熱伝導度の良好な
高純度のＣｕ基板４をメタルボンディング材５にて接合
してクララ”ドターゲット材６とし、これのＣｕ基板４
を第３図に示す如くパッキングプレート３に環状の取付
金具２にて密着することが行われる。しかしＣｕ製のハ
シキングプレートの場合、使用中にへ゛ツキングプレー
ト３とクラッドターゲツト材６のＣｕ基板４とか圧着状
態となり、使用後パッキングプレート３から取外すこと
が困難になるという問題点があった。
却効果を上げる為、第２図に示す如くターゲツト材１の
バンキングプレート３と接触する側に熱伝導度の良好な
高純度のＣｕ基板４をメタルボンディング材５にて接合
してクララ”ドターゲット材６とし、これのＣｕ基板４
を第３図に示す如くパッキングプレート３に環状の取付
金具２にて密着することが行われる。しかしＣｕ製のハ
シキングプレートの場合、使用中にへ゛ツキングプレー
ト３とクラッドターゲツト材６のＣｕ基板４とか圧着状
態となり、使用後パッキングプレート３から取外すこと
が困難になるという問題点があった。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、使
用中にＣｕ基板がパッキングプレートに熱圧着されるこ
とがなく、使用後パッキングプレートから簡単に取外す
ことのできるスパッタリング用パッキングプレートを提
供することを目的とするものである。
用中にＣｕ基板がパッキングプレートに熱圧着されるこ
とがなく、使用後パッキングプレートから簡単に取外す
ことのできるスパッタリング用パッキングプレートを提
供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明の技術的手段は、パ
ッキングプレートのＣｕの純度を９９．７％以上とし、
且つｃｄ、、Ｆｅ、、ＣｏＸＮｉ、Ｔｉ。
ッキングプレートのＣｕの純度を９９．７％以上とし、
且つｃｄ、、Ｆｅ、、ＣｏＸＮｉ、Ｔｉ。
Ｗ、■、Ｓｌ、Ｚｒ、Ｂｉ＝ ＧａＸＧｅＸＰｔ、Ｐｄ
、ＲｈＸＲｕ、Ｉｒ、○ｓ、Ａｕ、Ａｇの少なくとも１
種以上合計て１００〜３．０００重量ρｐｍ添加したこ
とを特徴とするものである。
、ＲｈＸＲｕ、Ｉｒ、○ｓ、Ａｕ、Ａｇの少なくとも１
種以上合計て１００〜３．０００重量ρｐｍ添加したこ
とを特徴とするものである。
（作用）
上記のように構成されたスパッタリング用パッキングプ
レートは、Ｃｕｉ板の純度を９９．７％以上としている
ので、良好な熱伝導性により冷却効果が十分である。ま
たＣｕに前述の金属の少なくとも１種以上合計で１００
〜３，０００重量ｐｐｍ添加しているので、Ｃｕの拡散
が抑制されると共に再結晶温度が高くなって、使用中に
クラッドターゲツト材のＣｕ基板と熱圧着されることが
なくなる。
レートは、Ｃｕｉ板の純度を９９．７％以上としている
ので、良好な熱伝導性により冷却効果が十分である。ま
たＣｕに前述の金属の少なくとも１種以上合計で１００
〜３，０００重量ｐｐｍ添加しているので、Ｃｕの拡散
が抑制されると共に再結晶温度が高くなって、使用中に
クラッドターゲツト材のＣｕ基板と熱圧着されることが
なくなる。
前述の金属の添加量を、少なくとも１種以上合計で１０
０〜３，０００重量ｐｐｍとした理由は、１００重量ｐ
ｐｔｎ未満ではクラッドターゲツト材のＣｕ基板との熱
圧着を防止することができす、３，０００重量ｐｐｍを
超えると、熱伝導性か悪くなり、冷却効果が低下するか
らである。
０〜３，０００重量ｐｐｍとした理由は、１００重量ｐ
ｐｔｎ未満ではクラッドターゲツト材のＣｕ基板との熱
圧着を防止することができす、３，０００重量ｐｐｍを
超えると、熱伝導性か悪くなり、冷却効果が低下するか
らである。
（実施例）
本発明のスパッタリング用バンキングプレートの実施例
を従来例と共に説明する。
を従来例と共に説明する。
下記の表の左欄に示す成分組成の材料より成る直径１７
０ｍｍ、ｌ’Ｊさ４ ｍｍのパッキングプレート３にタ
ーゲツト材６を各１０個、第３図に示す如＜５ＵＳ３０
４より成る断面「型で外径１７０ｎｔｍ、上端内径１５
３ ｍｍ、下端内径１４９ ｍｍ、厚さ５ ｍｍの環状
の取付治具２にて押え、周方向の８ケ所をねじにて締付
けて夫々タララドターゲット材６をパッキングプレート
３に密着し、図示せぬスパッタリング装置の真空槽内の
陰極にセットし、ＤＣＩＫＷでスパッタリングを３時間
行って、陽極上の基板にＩｒ膜を形成した。このスパッ
タリングにおいて、クランドターゲツト材６のパッキン
グプレート３との圧着の有無を調べた処、下記の表の右
欄に示すような結果を得た。
０ｍｍ、ｌ’Ｊさ４ ｍｍのパッキングプレート３にタ
ーゲツト材６を各１０個、第３図に示す如＜５ＵＳ３０
４より成る断面「型で外径１７０ｎｔｍ、上端内径１５
３ ｍｍ、下端内径１４９ ｍｍ、厚さ５ ｍｍの環状
の取付治具２にて押え、周方向の８ケ所をねじにて締付
けて夫々タララドターゲット材６をパッキングプレート
３に密着し、図示せぬスパッタリング装置の真空槽内の
陰極にセットし、ＤＣＩＫＷでスパッタリングを３時間
行って、陽極上の基板にＩｒ膜を形成した。このスパッ
タリングにおいて、クランドターゲツト材６のパッキン
グプレート３との圧着の有無を調べた処、下記の表の右
欄に示すような結果を得た。
（以下余白）
上記の表で明らかなように従来例１．２のパッキングプ
レート３にクラッドターゲツト材６が圧着したものが夫
々１０台のスパッタリング装置中９台と、７台のスパッ
タリング装置で発見され、その圧着したクラッドターゲ
ツト材６は、パッキングプレート３から取外すことがで
きす、パッキングプレート３諸共取外して交換せざるを
得なかった。一方、実施例のパッキングプレート３にク
ランドターゲツト材６が圧着するものが皆無であった。
レート３にクラッドターゲツト材６が圧着したものが夫
々１０台のスパッタリング装置中９台と、７台のスパッ
タリング装置で発見され、その圧着したクラッドターゲ
ツト材６は、パッキングプレート３から取外すことがで
きす、パッキングプレート３諸共取外して交換せざるを
得なかった。一方、実施例のパッキングプレート３にク
ランドターゲツト材６が圧着するものが皆無であった。
これはひとえにバンキングプレート３のＣｕにＳｎ、Ｉ
ｎ、Ｃｄ、Ｍｎ、ＦｅＸＣｏＸＮｉ。
ｎ、Ｃｄ、Ｍｎ、ＦｅＸＣｏＸＮｉ。
Ｔ１、Ｗ、Ｖ、Ｓ ｉ、Ｚｒ−Ｂ ｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐ
ｔＸＰｄ、Ｒｈ、、Ｒｕ、Ｉ ｒ、Ｏｓ、、Ａｕ。
ｔＸＰｄ、Ｒｈ、、Ｒｕ、Ｉ ｒ、Ｏｓ、、Ａｕ。
Ａｇ等の少なくとも１種以上を合計で１００〜３，００
０重量ｐｐｍ添加している為、Ｃｕ基板４のパッキング
プレート３との熱圧着が防止されるからに他ならない。
０重量ｐｐｍ添加している為、Ｃｕ基板４のパッキング
プレート３との熱圧着が防止されるからに他ならない。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のスパッタリング用パッ
キングプレートは、Ｃｕの純度を９９．７％以上として
いるので、熱伝導性が良好で、パッキングプレート側か
らの冷却が効率良く行われる。
キングプレートは、Ｃｕの純度を９９．７％以上として
いるので、熱伝導性が良好で、パッキングプレート側か
らの冷却が効率良く行われる。
またＣｕにＳｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
、Ｔｉ、、Ｗ、Ｖ、５ｉＸＺｒ、Ｂｉ、Ｇａ。
、Ｔｉ、、Ｗ、Ｖ、５ｉＸＺｒ、Ｂｉ、Ｇａ。
Ｇｅ、Ｐｔ、、Ｐｄ、ＲｈＸＲｕ、Ｉｒ、Ｏｓ。
Ａｕ、Ａｇ等の少なくとも１種以上を合計で１００〜３
，０００重量ｐｐｍ添加しているので、Ｃｕの拡散が抑
制されると共に再結晶温度が高くなって、使用中にクラ
ンドターゲツト材のＣｕ基板と熱圧着されることがなく
、使用後クラッドターゲツト材を簡単に取外すことがで
きるという効果がある。
，０００重量ｐｐｍ添加しているので、Ｃｕの拡散が抑
制されると共に再結晶温度が高くなって、使用中にクラ
ンドターゲツト材のＣｕ基板と熱圧着されることがなく
、使用後クラッドターゲツト材を簡単に取外すことがで
きるという効果がある。
第１図は従来のスパッタリング用ターゲツト材をパッキ
ングプレートに取付けた状態を示す断面図、第２図はス
パッタリング用クランドターゲツト材を示す断面図、第
３図は第２図のクラッドターゲツト材をパッキングプレ
ートに取付けた状態を示す断面図である。 ３・ ・パッキングプレート。 出願人 田中貴金属工業株式会社
ングプレートに取付けた状態を示す断面図、第２図はス
パッタリング用クランドターゲツト材を示す断面図、第
３図は第２図のクラッドターゲツト材をパッキングプレ
ートに取付けた状態を示す断面図である。 ３・ ・パッキングプレート。 出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (1)
- スパッタリング用ターゲットを構成するパッキングプ
レートに於いて、パッキングプレートのＣｕの純度が９
９．７％以上で且つＣｄ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ
、Ｖ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒ
ｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇ、Ｏｓの少なくとも
１種以上合計で１００〜３，０００重量ｐｐｍ添加され
ていることを特徴とするスパッタリング用パッキングプ
レート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP409388A JPH01180975A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | スパッタリング用バッキングプレート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP409388A JPH01180975A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | スパッタリング用バッキングプレート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01180975A true JPH01180975A (ja) | 1989-07-18 |
Family
ID=11575181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP409388A Pending JPH01180975A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | スパッタリング用バッキングプレート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01180975A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372043A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | バッキングプレート用銅合金 |
| WO2005064036A1 (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Nikko Materials Co., Ltd. | 銅又は銅合金ターゲット/銅合金バッキングプレート組立体 |
| KR100792328B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2008-01-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플라즈마 식각장비의 석영관 장치 |
| JP2008050655A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Hitachi Cable Ltd | 銅合金製バッキングプレートおよび該銅合金の製造方法 |
-
1988
- 1988-01-12 JP JP409388A patent/JPH01180975A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372043A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | バッキングプレート用銅合金 |
| WO2005064036A1 (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Nikko Materials Co., Ltd. | 銅又は銅合金ターゲット/銅合金バッキングプレート組立体 |
| KR100762084B1 (ko) * | 2003-12-25 | 2007-10-01 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 동 또는 동합금 타겟트/동합금 백킹 플레이트 조립체 |
| EP2626444A2 (en) | 2003-12-25 | 2013-08-14 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Copper or copper alloy target/copper alloy backing plate assembly |
| US9472383B2 (en) * | 2003-12-25 | 2016-10-18 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper or copper alloy target/copper alloy backing plate assembly |
| KR100792328B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2008-01-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플라즈마 식각장비의 석영관 장치 |
| JP2008050655A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Hitachi Cable Ltd | 銅合金製バッキングプレートおよび該銅合金の製造方法 |
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